JPS60182196A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層基板の製造方法に係り、特に、層間絶縁
膜の形成に関するものである。

〔従来技術〕

従来、厚膜あるいは薄膜からなる混成集積回路用の多層
基板の製造に際しては、７オトリンエツチングエ程等を
含む通常の厚膜あるいは薄膜プロセスによって形成され
た導体パターン上に、層間接続用のスルホールとなる部
分を除いて、層間絶縁膜を形成し、更に、導体パターン
を形成するという工程が用いられていた。

ところで、この眉間絶縁膜の形成にあたっては、７オト
リソエツチングエ程等を含むことなく製造が容易で、製
造コストも安価であることから、厚膜法を用いる場合が
ほとんどであった。

しかしながら、層間絶縁膜は、スルーホール部分を除い
て＃１は全面に塗布されるため、材料コストが大きなウ
ェイトを占めていた。

〔発明の目的〕

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、製造コス
トの低い多層基板を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

上記目的を達成するため、本発明は、スルーホールとな
る部分を除いて、下地の導体パターンとほぼ同じパター
ン形状をもつ層間絶縁膜を形成し、不要部への形成を省
略しようとするものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明す
る。

まず、第１図に示す如く、絶縁性のセラミック基板１上
にスクリーン印刷法によって、金を全面塗布した後、乾
燥および焼成を行ない金層２を形成する。

次いで、フォトリソ法によって、第２図に示す如く、該
金層２を所望のパターン形状となす。

このようにして形成された第１の金パターン３上に、前
記金パターン３とほぼ同形でやや大きな／４’ターンを
もつスクリーンを使用し、スクリーン印刷法によって、
酸化アルミニウムを主成分とする絶縁体層を形成し、乾
燥および焼成工程を経て、第３図に示す如く、層間絶縁
膜４を形成する。

そして、更に、前記第１の金パターンと同様に、印刷、
焼成、およびフォトリソ工程を経て、第４図に示す如く
第２の金パターン５を形成する。

このようにして形成された多層基板は、層間絶縁膜形成
用の絶縁ペーストが少量ですみ、製造コストが安価であ
る。

なお、上記実施例においては、導体パターンの形成にあ
た′って、パターン精度を上けるという目的のために、
フォトリソ法を用いたが、所望のパターンを担持するス
クリーンを用いることによシ、印刷時にｉ９ターン形成
を行なっても良い。この場合、層間絶縁膜の形成にも同
一のスクリーンを使用し、・やや粘度の低い絶縁ペース
トを用いて、故意にグツを生じさせる方法も、スクリー
ンを特別に用意する必要がなく、コストの低減に有効で
ある。この場合、スルーホールが必要な場合には該眉間
絶縁膜に対して、フォ）　ＩＪソ工程を実行すればよい
。

また、本発明の方法は、コストの低減に加えて、配線パ
ターンの高密度化に伴う、ショートの発生を防止する際
にも有効である。その例として長尺読み取り素子におけ
る例を以下に示す。

長尺読み塩９素子の駆動回路は、通常セラミック基板上
に多数個の集積回路（ＩＣ）チップを搭載してなる混成
集積回路（ハイブリッドＩＣ）から構成されているが、
解像度の増大のためにビット数の増大が必要とされる結
果、回路も複雑となってきている。例えば、近年では、
搭載されている１個のＩＣチ、プに対して１５０個もの
ボンディング箇所を必要とするようなものまで用いられ
るようになってきている。この場合、１個のグイボンデ
ィングノｅッドに対し、この周りに１５０個のポンディ
ングパッドが形成され、夫々ボンディングが行なわれる
訳であるが、配線層はライン幅５０μｍ１ライン間隔５
０〜７０μｍ程度と高密度になるため、ライン間のショ
ートの発生あるいは、ボンディングの際における圧着ワ
イヤのはみ出しＫよるショートの発生等により、１個の
ＩＣチップに対して１０箇所程度のショートの発生は訪
れ得す、信頼性の向上をはばむ原因となっている。

そこで、例えば第５図にその要部拡大図、第６図に第５
図のＡ−Ａ断面図を示す如く、グイポンディングパッド
１１の周囲に千鳥状に配設される第１のｙ＋／ンディン
グノｊッド１２、第２のポンディングパッド１３、第３
のポンディングパッド１４、第４のビンディングパッド
１５、第５のポンプイングツやラド１６、およびこれら
のポンディングパッド１２〜１６に、夫々連設される第
１のライン１７、第２のライン１８、第３のライン１９
、第４のライン２０、第５のライン２．１のうち、第１
のポンプイングツ９ツド１２、第３のポンプイングツ９
ツド１４、第５のビンディングパッド１６および第１の
ライン１７、Ｍ３のライン１９、第５のライン２１およ
びグイビンディング／４’ツド１１は、第２のビンディ
ングパッド１３、第４のビンディングパッド１５および
第２のライン１８、第４のライン２０の形成に先立ち、
第１層目の厚膜導体パターンとして、セラミック基板１
上に形成されておシ、該パターン上は、該パターンとほ
ぼ同じ形状の層間絶縁ｖ２２で被覆されている。（この
層間絶縁膜も厚膜パターンから形成されている。）また
、第２のポンプイングツぐラド、第４のボンディングノ
ヤツドおよび第２のライン、第４のラインは、第２層目
の厚膜導体パターンとして形成されている。

ところで、これらの第１層目の導体パターン、層間絶縁
膜、第２層目の導体パターンは、夫々このハイブリッド
基板上の他の配線層の形成と同一工程で形成されるため
、工数を増加せしめることけない。

また第１．第３．第５のポンプイングツ９　ラド上には
眉間絶縁膜がボンディング部にスルーホール２３を有す
るように形成されている。

このように、密接状態で隣接するデンディングノヤッド
及びラインを形成するにあたシ、１つおきに第１層目の
導体／４’ターンとして形成し、この上をこれとは＃丁
同じ形状の絶縁体ノやターンで被覆した後に、第２＃目
の導体・ぞターンとして、前記ボンディング・Ｐウド及
びラインの開に、又残Ｑのゾンデイングツｊッド及びラ
インを配設せしめることによシ・隣接ライン間のショー
トの発生はもとよシ、ワイヤボンディングに際して、圧
着ワイヤがポンディングパッドからはみ出した場合にも
隣り合うラインは層間絶縁膜で被覆されているため、シ
ョートの発生はほとんど皆無となり、駆動回動すなわち
、ハイブリッドＩＣの不良率は大幅に低下する。

例えば、ライン幅５０μｍライン間隔７０μｍ１ポンデ
ィングパッド１２０μｍ角である場合、従来の如く、す
べてのライン及びポンプイングツ９　ラドを同一層とし
て形成した場合に、直径２５μｍの金線を用いてワイヤ
がンディングを行なうと、ビンディング時のショート発
生率は−Ｌ℃−であったのに対５０ し、同様の寸法のパターンを前述の如く、交互に別の層
として層間絶縁膜を介して形成することによシヒンディ
ング時のショート発生率はＯである。

かかる構造は、厚膜法によって、高密度の／４り〜ンを
形成する場合における、印刷後のインクのグツや流れに
よるショート防止に特に有効であるが、薄膜法において
も有効であることは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上、説明してきたように、本発明によれば、多層基板
の製造にあたり、層間絶縁膜を下地の導体層とほぼ同一
のパターン形状となるように形成しているため、従来の
如く、全面に層間絶縁膜を形成する場合に比べて、材料
費の大幅な節減が可能となシ、製造コストの低下を実現
し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、本発明実施例の多層基板の製造工
程を示す図、第５図は長尺読み取シ素子の駆動回路部に
本発明の方法を採用した場合におけるポンディングパッ
ド周辺の構成例を示す要部拡大図、第６図は第５図のＡ
−Ａ断面図である。 ■・・セラミック基板、２・・・金層、３・・・第１の
金・やターン、４・・・層間絶縁膜、５・・・第２の金
パターン、１１・・・ダイ号？ンディングノソツド、１
２・・・第１のゾンデイングツ（ラド、１３・・・第２
のポンディングパッド、１４・・・第３のポンディング
パッド、１５・・・第４のＨ？ゾンデイングツラド、１
６・・・第５のボンディングノクツド、１７・・第１の
ライン、１８・・・第２のライン、１９・第３のライン
、２ｏ・・・第４のライン、２１　第５のライン、２２
・層間絶縁膜、２３・・・スルーホール。 第１図 第２図 第３図 ム 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２層以上の導体層を有してなる多層基板の製造にあたシ
   、層間絶縁膜を下地の導体層とほぼ同一のパターン形状
   となるように形成することを特徴とする多層基板の製造
   方法。