JPS601828A - 荷電ビ−ム描画装置 - Google Patents

荷電ビ−ム描画装置

Info

Publication number
JPS601828A
JPS601828A JP58109197A JP10919783A JPS601828A JP S601828 A JPS601828 A JP S601828A JP 58109197 A JP58109197 A JP 58109197A JP 10919783 A JP10919783 A JP 10919783A JP S601828 A JPS601828 A JP S601828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflection
circuit
strain
time
subfield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58109197A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Sasaki
佐々木 貞夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58109197A priority Critical patent/JPS601828A/ja
Publication of JPS601828A publication Critical patent/JPS601828A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する技術分野] この発明は、電子ビーム露光装置等の荷電ビーム描画装
置に関する。
[従来技術とその問題点] 第1図に荷電ビーム描画装置の一つである電子ビーム描
画装置の構成の一例を示す。通常偏向電極は座標のX方
向及びY方向の少くとも一対の電極より構成される。l
はEO8電源、2は防振架台、3はオートフィーダ、4
はテーブル、5は電子銃、6は電磁レンズ、7はブラン
キング電極、8は偏向電極、9はレーザ干渉計、10は
モータ、l】は制御インタフェース、12は操作パネル
、13はディスプレイ、14はCRT、15は磁気テー
プ装置、16は磁気ディスク装置、17は計算機である
半導体技術の進展に伴い、かかる装置に対する要求は高
精度、高速度という面で著るしいものがある。前者につ
いては機械的に試料を静止させ、電子照射系は極力歪の
少い従って小偏向走査が適しているが、後者からは試料
の高速移動或いは大偏向走査が要求される。かくして、
これらのトレードオフによシ、最適点をめる試みが続け
られている。
電子照射系における大偏向走査は、高速偏向が困難であ
ること、成る程度大きな歪はさけられないことから、第
2図に示すように、描画領域を適当な大きさをもつフィ
ールドに分割し、このフィ−ルドへのアクセスは機械的
に行い、各フィールドをさらにサブフィールドに分割し
、各フィールド内でのサブフィールドへのアクセスには
、やや低速の大偏向器によって行い、サブフィールド内
を高速の小偏向器によシ、偏向走査して描画を行うこと
が行われている。
第2図で、人はフィールドの一つを、a、b、c。
d・・・ハ夫々サブフィールドの一つ一つを示している
。サブフィールドにアクセスする一対の大偏向器を第2
図の座標に合わせてX偏向器、X偏向器、サブフィール
ド内を走査する一対の偏向器をX偏向器、X偏向器とす
ると、夫々の偏向信号として従来は第3図のように与え
られていた。尚、この図は原理図を示すため、理想化し
て示しである。
この方式によれば、サブフィールド単位でX、X偏向器
をステップするため、ステップ時に回路にセトリングタ
イムのため描画速度を太きぐすることができなかった。
[発明の目的] この発明の目的は、従来の方式のこのような欠点を改良
するものであって、大偏向を階段状に行うことなく、連
続的に行わせることによシ、セトリング時間による描画
時間の低下を防ぎ、さらにサブフィールド内においても
歪の補正を可能とし描画精度を向上させることを目的と
する。
[発明の概要] 第4図に、本発明による偏向信号の一例を示す。
これらの信号を発生する回路例を第7図に示す。
第4図のX、X偏向の信号は制御回路11より、波形の
傾斜を与え、それをDA変換器(DAC)20゜21に
てアナログ量に変え、積分回路にて積分する。
一定時間経過すると、制御信号によりスイッチ22を閉
じ積分回路囚のコンデンサ別に充電された電荷を放電す
る。尚、局は演算増幅器である。これをくシかえして図
のような波形を得る。X偏向の場合には上記の値にさら
にX偏向量相当分の減算とY偏向切換時毎に制御回路1
1よシオフセット値の減算を加算回路nにて行うと共に
偏向歪の補正も行うことになる。またX偏向は、X偏向
と同様に動作する(周期は異る)が、X偏向の歪を補正
するために、オフセット値の加減算を加算回路にて行う
(第7図(b))。尚、Iは他の積分回路又はDACよ
りの信号である。かくして従来の如きステップ時のセト
リング時間に影響されず、描画速度を早めることが出来
る。
[発明の効果] 従来の方式では、大偏向をサブフィールド毎にステップ
状に変化させるため、第8図に示す如く切換えてからビ
ーム位置が安定する迄に要する時間のロスを生じる(各
走査毎にもX偏向に同様のことが生じるが、これはX偏
向のフライバック時間に吸収され無視出来る)。尚、第
8図(a) 、 (b)は各々制御信号、偏向増幅回路
出力を示している。
またサブフィールド間のつなぎにおいて、Y偏向用DA
Cの精度が重要となるため、多少の速度の犠性は覚悟し
なければならない。等の欠点があったが、これを連続的
に行わせることによって高速化つなぎ精度向上が実現す
る。
[発明の実施例] 第4図、第5図及び第6図に本発明の実施例3つの波形
を示す。第5図の例でX偏向及びX偏向は第4図と同じ
で、第6図の例でX偏向及びX偏向は第4図と同じであ
る。これらの波形を生成する回路を第7図に示す。図に
は明示していないが第7図(b)の回路を用いて第4図
〜第6図のX偏向、X偏向に、それぞれX偏向、X偏向
の歪補正を行うオフセットの導入が可能なことは容易に
理解できよう。即ち、第4図、第5図ではサブフィール
ドaab+CA*eeEg ・” 、O,pノ順描画を
行う。
第6図ではサブフィールドa* b # C1d + 
h Hg * f + e*i、j、に、l、p、o、
n、mの順に描画する。第5図は切換の少い方向(ここ
ではX偏向)についてはステップ状に切換えている。第
6図はX偏向を往復共利用したもつである。y補正に負
担をかければX偏向は正弦波でも可能であることを示唆
している0
【図面の簡単な説明】
第1図は電子ビーム描画装置の一例を示す構成図、第2
図はフィールドとサブフィール(゛の関係及び描画座標
軸を示す説明図、第3図は従来の技術による大偏向及び
小偏向の信号波形図、第4図第5図及び第6図は本発明
の技術による大偏向及び小偏向の信号波形図、第7図は
偏向信号作成回路の構成図、第8図はセトリング時間の
説明図である。 加、21・・・DAC,23・・・積分回路。 27・・・加算回路、謔・・・増幅回路。 第4図 第6図 ymm、心M−−−幽♂”分−−−ヘl 訃μ竹帛第7
図 7 〃 第8図 1 Ts−一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被描画試料を試料台に載置し、該試料台を間けつ的に移
    動させて、該試料台静止時に順次描画を行う装置に於い
    て、静止時に描画する範囲としてのフィールドをさらに
    より小さい区画としてのサブフィールドに分割し、フィ
    ールド全域を偏向走査する1対の大偏向器と、サブフィ
    ールド内を偏向走査する1対の小偏向器を有し順次サブ
    フィールド毎に描画していくと共に、少くとも一方の前
    記大偏向器を連続的に偏向走査させることを特徴とする
    荷電ビーム描画装置。
JP58109197A 1983-06-20 1983-06-20 荷電ビ−ム描画装置 Pending JPS601828A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58109197A JPS601828A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 荷電ビ−ム描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58109197A JPS601828A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 荷電ビ−ム描画装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS601828A true JPS601828A (ja) 1985-01-08

Family

ID=14504074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58109197A Pending JPS601828A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 荷電ビ−ム描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS601828A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4853870A (en) Electron beam exposure system
US6580075B2 (en) Charged particle beam scanning type automatic inspecting apparatus
US6495841B1 (en) Charged beam drawing apparatus
JPH01199428A (ja) 電子ビーム露光方法及びその装置
JPH0294345A (ja) 走査電子顕微鏡
US6605811B2 (en) Electron beam lithography system and method
KR100304446B1 (ko) 대전 입자 빔 노출 장치
JP3260611B2 (ja) 荷電ビーム描画制御装置
JPS601828A (ja) 荷電ビ−ム描画装置
JPS5613649A (en) Correcting method and device for astigmatism in scanning type electron microscope and the like
JPS53131755A (en) Scanning electronic microscope and such devices
JPS63150842A (ja) 走査電子顕微鏡
SU680195A1 (ru) Устройство формировани сигнала коррекции фокусировки луча электронно-лучевой трубки
JPH02126547A (ja) 走査電子顕微鏡
JP2000294184A (ja) 電子顕微鏡装置
JPH01151145A (ja) イオンビーム走査制御回路
JPS54109382A (en) Electron ray exposure
SU1387035A2 (ru) Устройство дл отображени информации на экране электронно-лучевой трубки
JPS6243055A (ja) イオンビーム加工方法
SU699487A1 (ru) Способ измерени длительности переходных процессов в системах управлени электронными пучками электроннолучевых трубок
SU672669A1 (ru) Электроннолучевое устройство с коррекцией нулевой линии
JPS5994351A (ja) 半導体素子の電位像出力方法及びその装置
JP2000269124A (ja) 荷電ビーム描画装置
JPS61224418A (ja) イオンビ−ム描画装置
SU1042108A1 (ru) Устройство отсчета и регулировки увеличени в растровом электронном микроскопе