JPS601829A - 縮小投影式露光装置 - Google Patents
縮小投影式露光装置Info
- Publication number
- JPS601829A JPS601829A JP58110324A JP11032483A JPS601829A JP S601829 A JPS601829 A JP S601829A JP 58110324 A JP58110324 A JP 58110324A JP 11032483 A JP11032483 A JP 11032483A JP S601829 A JPS601829 A JP S601829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- correction
- exposure
- reduction projection
- correction pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、縮小投影式線光装置に係り、特に露光マスク
とホトレジストヲ被覆した半導体基板とを位置合わせし
て露光を施こした后、該露光マスク上の素子パターン（
集積回路等のパターン）では、施こされていない配線等
の修正パターンを、露光マスクの再製作、交換といった
処置を講することなく自動的に追加露光を可能とするこ
とにより、半導体集積回路等の製品製作日程の短縮させ
るとともに装置そのものの効率的運用を画り得る縮小投
影式露光装置に関する。
とホトレジストヲ被覆した半導体基板とを位置合わせし
て露光を施こした后、該露光マスク上の素子パターン（
集積回路等のパターン）では、施こされていない配線等
の修正パターンを、露光マスクの再製作、交換といった
処置を講することなく自動的に追加露光を可能とするこ
とにより、半導体集積回路等の製品製作日程の短縮させ
るとともに装置そのものの効率的運用を画り得る縮小投
影式露光装置に関する。
最近の超高集積度半導体デバイス、特にゲートアレー品
種などは、少量多種で、しかも製作日程を極力短縮せね
ばならない為、途中工程までは共通に製作し、要求に応
じて配線パターンを変化させることによって対応してい
る。この場合においても配線パターンの露光マスクの作
成、さらに修正などは、工期短縮を実施する上で重要な
要素となっている。また、上記以外においても新製品の
試作などの場合においても開発期間の短縮ということで
は、露光マスクの作成、修正などといったことが重要な
要素となっている。
種などは、少量多種で、しかも製作日程を極力短縮せね
ばならない為、途中工程までは共通に製作し、要求に応
じて配線パターンを変化させることによって対応してい
る。この場合においても配線パターンの露光マスクの作
成、さらに修正などは、工期短縮を実施する上で重要な
要素となっている。また、上記以外においても新製品の
試作などの場合においても開発期間の短縮ということで
は、露光マスクの作成、修正などといったことが重要な
要素となっている。
本発明は、上述の従来の方法、すなわち、品種毎に、そ
の都度露光マスクを作成、修正するといった工期短縮上
の問題点を除去し、少量多品種。
の都度露光マスクを作成、修正するといった工期短縮上
の問題点を除去し、少量多品種。
新製品開発等の工期を飛躍的に短縮させることを可能と
するとともに、装置そのものの効率的運用を可能とし得
るパターン修正霧光機構を具備する縮小投影式露光装置
を提供することを目的とする。
するとともに、装置そのものの効率的運用を可能とし得
るパターン修正霧光機構を具備する縮小投影式露光装置
を提供することを目的とする。
本発明は、前述の如く霧光マス゛りに描かれた像をホト
レジス）ｋ被覆した半導体基板上に露光転写する縮小投
影式露光装置において、露光マスク上の素子パターンの
霧光層、同一露光マスク上の周辺部にあらかじめ用意さ
れた複数の修正用パターンの組合わせ露光により、所望
するパターンホトレジストを被覆した半導体基板上に形
成し得ることを特徴とするパターン修正露光機構を具備
する縮小投影式露光装置である。
レジス）ｋ被覆した半導体基板上に露光転写する縮小投
影式露光装置において、露光マスク上の素子パターンの
霧光層、同一露光マスク上の周辺部にあらかじめ用意さ
れた複数の修正用パターンの組合わせ露光により、所望
するパターンホトレジストを被覆した半導体基板上に形
成し得ることを特徴とするパターン修正露光機構を具備
する縮小投影式露光装置である。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は、本発明の詳細な説明図である。図中、■
は露光マスク、２は素子パターン、３は最大線光可能範
囲、４は修正用パターン、５はパターン修正露光機構、
６は修正パターン用アパーチャー、７は修正バク−／露
光ヘッド、８は駆動用パルスモータ−１９はスプリニン
グ・ジヨイント、１０はリード・スクリュー、１１はオ
プティカル・ファイバー、１２は平面鏡を各々示本縮小
投影式露光装置におけるパターン修正を含む露光手順は
、まず通常の縮小投影式露光装置と同様ホトレジストを
被覆した半導体基板を位置合わせ后、露光マスク１１上
の素子パターン２を該半導体基板上へステップ・アンド
・リピートにより投影露光を行なう。次に、あらかじめ
、霧光マスク１上の最大露光可能範囲３の内側で、（−
かも素子パターン２の外側の指定された位置に配置され
た複数の修正パターン４の内から適当と思われる修正パ
ターン４を選択し、露光データとして入力されておれば
、そのデータに基き、パターン修正鈷光機構５が動作を
開始する。まず駆動用パルス８、とスプリング・ジヨイ
ント９、リード・スクリュ１０によシ、修正パターン用
チパーテヤー６及び修正バター／露光ヘッド７が所定の
修正パターン４にセットされる。次にこのパターンが投
影されるべき位置へ該半導体基板の修正部が移動し、所
定の位置（すなわち、修正を要する位置）に達すると、
露光光源からの露光光がオプティカル・ファイバー１１
と平面鏡１２によ＃）露光マスク１上の修正パターン４
へ導びかれ、該修正パターン４を該半導体基板上へ投影
露光を施こすことができる。そして、該半導体基板のス
テップ・アンド・リピートにより該半導体基板上の全素
子に修正パターンを追加露光を施こすことができる。
る。第１図は、本発明の詳細な説明図である。図中、■
は露光マスク、２は素子パターン、３は最大線光可能範
囲、４は修正用パターン、５はパターン修正露光機構、
６は修正パターン用アパーチャー、７は修正バク−／露
光ヘッド、８は駆動用パルスモータ−１９はスプリニン
グ・ジヨイント、１０はリード・スクリュー、１１はオ
プティカル・ファイバー、１２は平面鏡を各々示本縮小
投影式露光装置におけるパターン修正を含む露光手順は
、まず通常の縮小投影式露光装置と同様ホトレジストを
被覆した半導体基板を位置合わせ后、露光マスク１１上
の素子パターン２を該半導体基板上へステップ・アンド
・リピートにより投影露光を行なう。次に、あらかじめ
、霧光マスク１上の最大露光可能範囲３の内側で、（−
かも素子パターン２の外側の指定された位置に配置され
た複数の修正パターン４の内から適当と思われる修正パ
ターン４を選択し、露光データとして入力されておれば
、そのデータに基き、パターン修正鈷光機構５が動作を
開始する。まず駆動用パルス８、とスプリング・ジヨイ
ント９、リード・スクリュ１０によシ、修正パターン用
チパーテヤー６及び修正バター／露光ヘッド７が所定の
修正パターン４にセットされる。次にこのパターンが投
影されるべき位置へ該半導体基板の修正部が移動し、所
定の位置（すなわち、修正を要する位置）に達すると、
露光光源からの露光光がオプティカル・ファイバー１１
と平面鏡１２によ＃）露光マスク１上の修正パターン４
へ導びかれ、該修正パターン４を該半導体基板上へ投影
露光を施こすことができる。そして、該半導体基板のス
テップ・アンド・リピートにより該半導体基板上の全素
子に修正パターンを追加露光を施こすことができる。
同様に以上を繰返えすことによシ複数の修正パターンを
組合せることにより新らたなパターンを形成されること
も可能である。
組合せることにより新らたなパターンを形成されること
も可能である。
以上の様に本発明によシ、ゲート・アレー等の少量多品
種晶や、開発途上の試作品等の如くその時々に応じて露
光マスクを作成、修正するといった工期短縮上の重大な
要素を省略することを可能とし、これにより、工期を飛
躍的に短縮することを可能とした。また、結党マスクの
交換頻度も減少する為、装置そのものの効率的運用が飛
躍的に向上せしめることが可能となった。従って、本発
明の実用上の効果は、極めて大きい。
種晶や、開発途上の試作品等の如くその時々に応じて露
光マスクを作成、修正するといった工期短縮上の重大な
要素を省略することを可能とし、これにより、工期を飛
躍的に短縮することを可能とした。また、結党マスクの
交換頻度も減少する為、装置そのものの効率的運用が飛
躍的に向上せしめることが可能となった。従って、本発
明の実用上の効果は、極めて大きい。
第１図は、本発明の一実施例の説明図である。
尚、図中、ｌ・・・・・・露光マスク、２・・・・・・
素子パターン、３・・・・・・最大露光可能範囲、４・
・・・・・修正用パターン、訃・・・・・パターン修正
露光機構、６・・・・・・修正パターン用アパーチャー
、７・・・・・・修正パターン露光ヘッド、８・・・・
・・駆動用パルス・モーター、９・・・・・・スプリン
グ・ジヨイント、ＩＯ・・・・・・リード・スクリュー
、１１・・・・・・オプティカル・ファイバー、１２・
・・・・・平面鏡、である。
素子パターン、３・・・・・・最大露光可能範囲、４・
・・・・・修正用パターン、訃・・・・・パターン修正
露光機構、６・・・・・・修正パターン用アパーチャー
、７・・・・・・修正パターン露光ヘッド、８・・・・
・・駆動用パルス・モーター、９・・・・・・スプリン
グ・ジヨイント、ＩＯ・・・・・・リード・スクリュー
、１１・・・・・・オプティカル・ファイバー、１２・
・・・・・平面鏡、である。
Claims (1)
- 露光マスクとホトレジストを被覆した半導体基板とを位
置合わせして露光を施こす縮小投影式露光装置において
、該露光マスク上の素子ノ（ターンを縮小投影露光層、
該素子パターンには含まれない修正パターンを自動的に
追加雑光可能な手段を具備したことを特徴とする縮小投
影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110324A JPS601829A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 縮小投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110324A JPS601829A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 縮小投影式露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601829A true JPS601829A (ja) | 1985-01-08 |
| JPS6352451B2 JPS6352451B2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=14532834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110324A Granted JPS601829A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 縮小投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601829A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5731136A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Fujitsu Ltd | Forming method for pattern |
| JPS5877232A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58110324A patent/JPS601829A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5731136A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Fujitsu Ltd | Forming method for pattern |
| JPS5877232A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6352451B2 (ja) | 1988-10-19 |
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