JPH01123419A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH01123419A JPH01123419A JP62280964A JP28096487A JPH01123419A JP H01123419 A JPH01123419 A JP H01123419A JP 62280964 A JP62280964 A JP 62280964A JP 28096487 A JP28096487 A JP 28096487A JP H01123419 A JPH01123419 A JP H01123419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- mirrors
- projection exposure
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置を製造するための投影露光装置に関
する。
する。
従来、半導体装置を製造する際のフォトリソグラフィ工
程に使用される投影露光装置は、フォトレジストの塗布
された半導体基板上に１枚のマスクのパターンを縮小し
て投影露光し、かつこの半導体基板を移動させながら繰
り返し露光する構成がとられている。
程に使用される投影露光装置は、フォトレジストの塗布
された半導体基板上に１枚のマスクのパターンを縮小し
て投影露光し、かつこの半導体基板を移動させながら繰
り返し露光する構成がとられている。
ところで、この種の投影露光に際しては、同一の半導体
基板上に半導体装置のパターンを露光するとともに、緒
特性確認用のパターンを露光する必要があり、あるいは
周辺部における不要なフォトレジストを除去するために
半導体基板の周辺部に対する露光が必要とされることが
ある。
基板上に半導体装置のパターンを露光するとともに、緒
特性確認用のパターンを露光する必要があり、あるいは
周辺部における不要なフォトレジストを除去するために
半導体基板の周辺部に対する露光が必要とされることが
ある。
このように、半導体装置のパターンに加えて他のパター
ンを露光する場合の露光方法として、従来では２通りの
方法が提案されている。一つの方法は、マスク上に２種
類のパターンを作っておき、これらのパターンを遮蔽板
で交互に覆うことにより２種類のパターンを別々に露光
する方法である。
ンを露光する場合の露光方法として、従来では２通りの
方法が提案されている。一つの方法は、マスク上に２種
類のパターンを作っておき、これらのパターンを遮蔽板
で交互に覆うことにより２種類のパターンを別々に露光
する方法である。
他の方法は、基板上の−の部分に一つのマスクのパター
ンを露光した後、マスクを交換して露光がされていない
領域に交換したマスクのパターンを露光する方法である
。
ンを露光した後、マスクを交換して露光がされていない
領域に交換したマスクのパターンを露光する方法である
。
上述した従来の２通りの方法の内、マクス上に２種類の
パターンを形成してこれを選択的に遮蔽板で覆う前者の
方法は、遮蔽板を覆う際の位置決め余裕をマスクのパタ
ーン間に設ける必要があり、半導体装置を形成するため
の有効領域を小さくしてしまう問題がある。
パターンを形成してこれを選択的に遮蔽板で覆う前者の
方法は、遮蔽板を覆う際の位置決め余裕をマスクのパタ
ーン間に設ける必要があり、半導体装置を形成するため
の有効領域を小さくしてしまう問題がある。
一方、マスクを交換する方法では、マスクの交換と同時
に半導体基板基板の露光装置に対するロードとアンロー
ドを行う必要があり、スループットが低下するという問
題がある。
に半導体基板基板の露光装置に対するロードとアンロー
ドを行う必要があり、スループットが低下するという問
題がある。
本発明は、半導体装置の有効領域を低減することなく、
しかもスループットを低下することなく２種類のパター
ンを露光することが可能な投影露光装置を提供すること
を目的としている。
しかもスループットを低下することなく２種類のパター
ンを露光することが可能な投影露光装置を提供すること
を目的としている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の投影露光装置は、光源により照明される第１マ
スクを投影レンズにより半導体基板に投影露光する投影
露光装置において、前記第１マスクに隣接する位置に第
２マスクを配置し、この第２マスクの上下に夫々ミラー
を設けるとともに、前記第１マスクの上下に夫々ミラー
を進退可能に構成し、これらミラーにより前記光源の光
通路を前記第１マスクと第２マスクとの間で切替え得る
ように構成し、ミラーを進退させるのみで投影パターン
の切替えを可能な構成としている。
スクを投影レンズにより半導体基板に投影露光する投影
露光装置において、前記第１マスクに隣接する位置に第
２マスクを配置し、この第２マスクの上下に夫々ミラー
を設けるとともに、前記第１マスクの上下に夫々ミラー
を進退可能に構成し、これらミラーにより前記光源の光
通路を前記第１マスクと第２マスクとの間で切替え得る
ように構成し、ミラーを進退させるのみで投影パターン
の切替えを可能な構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図である。
図において、１はフォトレジストが塗布された半導体基
板であり、２はこの半導体基板に半導体装置を形成する
ためのパターン（ここではパターンを“Ａ ”で示す）
を形成した第１のマスク、２ａは特性チエツク用の専用
パターン（ここではパターン“Ｂ ＋＋で示す）を形成
した第２のマスクである。そして、前記第１のマスク２
は半導体基板ｌの直上に位置させるとともに、この直下
には１１５の縮小投影レンズ３を配置し、かつ直上には
図外の光源を配置している。また、前記第２のマスク２
ａは第１のマスク２の隣位置に配置している。
板であり、２はこの半導体基板に半導体装置を形成する
ためのパターン（ここではパターンを“Ａ ”で示す）
を形成した第１のマスク、２ａは特性チエツク用の専用
パターン（ここではパターン“Ｂ ＋＋で示す）を形成
した第２のマスクである。そして、前記第１のマスク２
は半導体基板ｌの直上に位置させるとともに、この直下
には１１５の縮小投影レンズ３を配置し、かつ直上には
図外の光源を配置している。また、前記第２のマスク２
ａは第１のマスク２の隣位置に配置している。
更に、前記第１のマスク２の直上と直下には、夫々４５
°傾斜されたミラー４，５を図外の駆動手段によって進
出配置可能に構成している。また第２のマスク２ａの直
上と直下にはミラー６．７を４５°傾斜して固定的に配
置している。
°傾斜されたミラー４，５を図外の駆動手段によって進
出配置可能に構成している。また第２のマスク２ａの直
上と直下にはミラー６．７を４５°傾斜して固定的に配
置している。
この構成によれば、半導体装置を形成するためのパター
ンを露光する場合には、第１図のようにミラー４．５を
第１のマスク２の直上及び直下から退避させ、縮小投影
レンズ３を用いて半導体基板１上にパターン“°Ａ“′
を露光する。こρ露光を繰り返し行うことにより、第２
図に示すパターンの露光が実行できる。
ンを露光する場合には、第１図のようにミラー４．５を
第１のマスク２の直上及び直下から退避させ、縮小投影
レンズ３を用いて半導体基板１上にパターン“°Ａ“′
を露光する。こρ露光を繰り返し行うことにより、第２
図に示すパターンの露光が実行できる。
次いで、特性チエツク用のパターンを露光する場合には
、第３図に示すように、第１マスク２の直上と直下に夫
々ミラー４，５を進出位置させることにより、光源から
の光はミラー４及び６で反射されて第２のマスク２ａを
照射し、そのパターンはミラー７及び５で反射されて縮
小投影レンズ３により半導体基板に投影露光される。こ
れにより、第４図に示すように、パターンＩＩ Ａ １
１が露光されていない所要領域にパターン“Ｂ ＋＋が
露光されることになる。
、第３図に示すように、第１マスク２の直上と直下に夫
々ミラー４，５を進出位置させることにより、光源から
の光はミラー４及び６で反射されて第２のマスク２ａを
照射し、そのパターンはミラー７及び５で反射されて縮
小投影レンズ３により半導体基板に投影露光される。こ
れにより、第４図に示すように、パターンＩＩ Ａ １
１が露光されていない所要領域にパターン“Ｂ ＋＋が
露光されることになる。
このため、この露光に際しては、半導体基板ｌは固定し
たままで単にミラー４．５を進退させるのみで２種類の
露光を行うことができるので、半導体基板ｌのアンロー
ド、ロードをやり直す必要、がなく、スループットを向
上できる。また、マスクに遮蔽板の位置決めのための余
裕を設ける必要もないために半導体装置を形成するため
の有効領域を低減させることもない。
たままで単にミラー４．５を進退させるのみで２種類の
露光を行うことができるので、半導体基板ｌのアンロー
ド、ロードをやり直す必要、がなく、スループットを向
上できる。また、マスクに遮蔽板の位置決めのための余
裕を設ける必要もないために半導体装置を形成するため
の有効領域を低減させることもない。
ここで、本発明の露光装置を使用すれば、第２のマスク
２ａのパターンとして、内部にパターンがなくその周辺
部で光を通すパターンを採用すれば、第５図に示すよう
に、半導体基板１に露光したパターンの周辺部全域１ａ
を露光することができ、これによりフォトレジストの現
像後に周辺のレジストを除去することができ、基板の搬
送中における周辺レジストの剥がれによる異物の発生等
を未然に防止することが可能となる。
２ａのパターンとして、内部にパターンがなくその周辺
部で光を通すパターンを採用すれば、第５図に示すよう
に、半導体基板１に露光したパターンの周辺部全域１ａ
を露光することができ、これによりフォトレジストの現
像後に周辺のレジストを除去することができ、基板の搬
送中における周辺レジストの剥がれによる異物の発生等
を未然に防止することが可能となる。
以上説明したように本発明は、第１マスクに隣接する位
置に配設した第２マスクの上下に夫々ミラーを設けると
ともに、第１マスクの上下に夫々ミラーを進退可能に構
成し、これらミラーにより光源の光通路を第１マスクと
第２マスクとの間で切替え得るように構成しているので
、ミラーを進退させるのみで投影パターンの切替えを行
うことができ、半導体装置の有効領域を低減することな
く、しかもスループットを大幅に向上した投影露光を実
現できる効果がある。
置に配設した第２マスクの上下に夫々ミラーを設けると
ともに、第１マスクの上下に夫々ミラーを進退可能に構
成し、これらミラーにより光源の光通路を第１マスクと
第２マスクとの間で切替え得るように構成しているので
、ミラーを進退させるのみで投影パターンの切替えを行
うことができ、半導体装置の有効領域を低減することな
く、しかもスループットを大幅に向上した投影露光を実
現できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の模式的正面図で第１マスク
を用いた露光状態を示す図、第２図は露光された第１マ
スクのパターン図、第３図は第２マスクを用いた露光状
態を示す模式的正面図、第４図は露光された第２マスク
のパターン図、第５図は他の例における露光パターン図
である。 １・・・半導体基板、２・・・第１のマスク、２ａ・・
・第２のマスク、３・・・縮小投影レンズ、４〜７・・
・ミラー。 第１図 ４〜７°ミラー 第２図
を用いた露光状態を示す図、第２図は露光された第１マ
スクのパターン図、第３図は第２マスクを用いた露光状
態を示す模式的正面図、第４図は露光された第２マスク
のパターン図、第５図は他の例における露光パターン図
である。 １・・・半導体基板、２・・・第１のマスク、２ａ・・
・第２のマスク、３・・・縮小投影レンズ、４〜７・・
・ミラー。 第１図 ４〜７°ミラー 第２図
Claims (1)
- （１）光源により照明される第１マスクを投影レンズに
より半導体基板に投影露光する投影露光装置において、
前記第１マスクに隣接する位置に第２マスクを配置し、
この第２マスクの上下に夫々ミラーを設けるとともに、
前記第１マスクの上下に夫々ミラーを進退可能に構成し
、これらミラーにより前記光源の光通路を前記第１マス
クと第２マスクとの間で切替え得るように構成したこと
を特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280964A JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62280964A JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123419A true JPH01123419A (ja) | 1989-05-16 |
| JPH0520890B2 JPH0520890B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=17632341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62280964A Granted JPH01123419A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314350B2 (en) | 2002-07-22 | 2008-01-01 | Comair Rotron, Inc. | Energy store circuit for controlling rotor rotation |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62280964A patent/JPH01123419A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314350B2 (en) | 2002-07-22 | 2008-01-01 | Comair Rotron, Inc. | Energy store circuit for controlling rotor rotation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520890B2 (ja) | 1993-03-22 |
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