JPS60184256A - 光導電材 - Google Patents
光導電材Info
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- JPS60184256A JPS60184256A JP4093884A JP4093884A JPS60184256A JP S60184256 A JPS60184256 A JP S60184256A JP 4093884 A JP4093884 A JP 4093884A JP 4093884 A JP4093884 A JP 4093884A JP S60184256 A JPS60184256 A JP S60184256A
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- photoconductive layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光に対して感受性を有する光導電層に関するも
のである。
のである。
〈従来技術〉
従来、電子写真用像形成部材や原稿読取装置等における
光導電層を構成する光導電月料としては、セレンＳｅ＋
硫化カドミウム−ｃｄｓ、酸化亜鉛ＺｎＯ等の無機光
導電材料若しくはＰＶＫ （ポリビニルカルバゾール）
、ＴＮＦ（）！ｊニトロフルオレノン）等の有機光導材
料が使用されていた。
光導電層を構成する光導電月料としては、セレンＳｅ＋
硫化カドミウム−ｃｄｓ、酸化亜鉛ＺｎＯ等の無機光
導電材料若しくはＰＶＫ （ポリビニルカルバゾール）
、ＴＮＦ（）！ｊニトロフルオレノン）等の有機光導材
料が使用されていた。
しかるに、上記材料は光導電材料として要求される光感
度１分光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）或いｕ １ｌ
ｊ１久住１人体への安全性（危険度）において必ずしも
満足がいくものではなく、ある程度、条件を緩和して、
個々の状況に対応して用いられ一〇いる。
度１分光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）或いｕ １ｌ
ｊ１久住１人体への安全性（危険度）において必ずしも
満足がいくものではなく、ある程度、条件を緩和して、
個々の状況に対応して用いられ一〇いる。
一方、ａ Ｓ＋ （アモルファスシリコン） 光導電月
利は、高光感度、高耐久性及び無公害等の長所を！υノ
侍できるため、近年、活発な研究がなされている。しか
し、現状では暗抵抗が低く、充分なδＮ比が得られない
こと、又、耐湿性に代表される耐環境特性並びに経済的
安定性等においてまだまだ大きく改良されなければなら
ない。
利は、高光感度、高耐久性及び無公害等の長所を！υノ
侍できるため、近年、活発な研究がなされている。しか
し、現状では暗抵抗が低く、充分なδＮ比が得られない
こと、又、耐湿性に代表される耐環境特性並びに経済的
安定性等においてまだまだ大きく改良されなければなら
ない。
〈発明の目的ン
本発明は上記の事項に鑑み成されたもので、その目的は
特に経時安定性、耐環境性の優れた光導１扛拐を提供す
ることである。
特に経時安定性、耐環境性の優れた光導１扛拐を提供す
ることである。
さらに、本発明の他の目的は表面が硬く、基板との密着
性に優れた光導電層を提供することである０ さらに、本発明の他の目的は耐刷性に優れ、長波長光に
も充分実用に耐え得る感度を具備する光導電材を提供す
ることである。
性に優れた光導電層を提供することである０ さらに、本発明の他の目的は耐刷性に優れ、長波長光に
も充分実用に耐え得る感度を具備する光導電材を提供す
ることである。
〈実施例〉
本発明の構成を述べる。
本発明の光導電材は導電性支持部拐、光導電層及び表面
保護層が順次積層された３層構造を有している。
保護層が順次積層された３層構造を有している。
上記の表面保護層は、耐環境特性、経時安定性の特性改
良の要請上、シリコンカーバイド（ａ−８ｉ）（Ｃ（１
−ｘ）〕、シリコンナイトライド（ａ−８ｉＮ（ｔ−ｘ
）３又１ｄ、’／’）１７オキサイド［ａ−８ｉＸＯ（
１−ｘ）Ｊ （０＜Ｘ〈１）等の安定膜であるが、光導
電層の上（表面）に設けるため、 （イ）光感度を損ねないこと。
良の要請上、シリコンカーバイド（ａ−８ｉ）（Ｃ（１
−ｘ）〕、シリコンナイトライド（ａ−８ｉＮ（ｔ−ｘ
）３又１ｄ、’／’）１７オキサイド［ａ−８ｉＸＯ（
１−ｘ）Ｊ （０＜Ｘ〈１）等の安定膜であるが、光導
電層の上（表面）に設けるため、 （イ）光感度を損ねないこと。
即ち、光導電層に光感度の優れた可視光吸収係数の大き
な材料が使用される関係−ト、その表面保護層としては
り視光を透過し可視光吸収係数の大きな物性を有してい
なければならない０及び （ロン 帯電能力を４Ｂねないこと。
な材料が使用される関係−ト、その表面保護層としては
り視光を透過し可視光吸収係数の大きな物性を有してい
なければならない０及び （ロン 帯電能力を４Ｂねないこと。
つまり、表面保護層は電気抵抗が大きくなければならな
い。
い。
に留意しなければならない。
上記の比率（組成比の割合）Ｘは、その値が大きいと吸
収係数が小さく、可視光に対して透明でなくなり、父、
安定性も良くない。逆に、上記の比率Ｘが小さいと可視
光に透明となり、環境特性。
収係数が小さく、可視光に対して透明でなくなり、父、
安定性も良くない。逆に、上記の比率Ｘが小さいと可視
光に透明となり、環境特性。
経時安定性等の緒特性が良好になることが判明した。
さて、前記条件（イ）、（ｏ）及び耐環境特性、経時安
定性が同時に６１４足されれば、光感度が高く、電荷保
持能力が大きく、ｌｉｊ刷枚数枚数れ、耐環境特性及び
経時安定性に（憂れた光導電材が得られる。
定性が同時に６１４足されれば、光感度が高く、電荷保
持能力が大きく、ｌｉｊ刷枚数枚数れ、耐環境特性及び
経時安定性に（憂れた光導電材が得られる。
そこで、光感度を高くするため、吸収係数が大きく光学
的、バンドギャップ（Ｂａｎｄ Ｇａｐ ； 量子状態
のエネルギー準位のギャップ〕の小さい光導電層の上に
、ｉｌｌ記比率Ｘが小さく可視光に透明な光学的バンド
ギャップの大きい表面保護層を設けると、両者（光導電
層と表面保護層）におけるバンド（エネルギー帯）の整
合が良好でないため、光照射により発生する光キャリア
が自由表面（ＦｒｅｅＳｕｒｆａｃｅ）へ到達できず、
残留電位が大きく、又、画像の流れが発生したり、解像
度が悪くなる。
的、バンドギャップ（Ｂａｎｄ Ｇａｐ ； 量子状態
のエネルギー準位のギャップ〕の小さい光導電層の上に
、ｉｌｌ記比率Ｘが小さく可視光に透明な光学的バンド
ギャップの大きい表面保護層を設けると、両者（光導電
層と表面保護層）におけるバンド（エネルギー帯）の整
合が良好でないため、光照射により発生する光キャリア
が自由表面（ＦｒｅｅＳｕｒｆａｃｅ）へ到達できず、
残留電位が大きく、又、画像の流れが発生したり、解像
度が悪くなる。
他方、上記のバンドの整合をとるだめ、光導電層に光学
的バンドギャップの大きな材料を採用すると、光感度の
悪いものしか得られず、父、表面保護層に光学的バンド
ギャップの小さな層を採用すると電荷保持能力に劣り、
それゆえ耐環境特性。
的バンドギャップの大きな材料を採用すると、光感度の
悪いものしか得られず、父、表面保護層に光学的バンド
ギャップの小さな層を採用すると電荷保持能力に劣り、
それゆえ耐環境特性。
経時安定性にも劣ってしまう。
かような観点を考慮し、研究の末、光導電層への不純物
ドーピング（Ｄｏｐ ｉｎｇ ）により表面保護層との
界面付近での伝導型を制御し、フェルミ準位（Ｆｅｒｍ
ｉ １ｅｖｅｌ）を適度に選択することで光導電層に光
学的バンドギャップが小さく、表面保護層に光学的バン
ドギャップの大きなものを採用しても残留電位が小さく
、解像度も高く、且つ、耐環境特性並びに経時安定性共
に優れた光導電材を得ることができた。
ドーピング（Ｄｏｐ ｉｎｇ ）により表面保護層との
界面付近での伝導型を制御し、フェルミ準位（Ｆｅｒｍ
ｉ １ｅｖｅｌ）を適度に選択することで光導電層に光
学的バンドギャップが小さく、表面保護層に光学的バン
ドギャップの大きなものを採用しても残留電位が小さく
、解像度も高く、且つ、耐環境特性並びに経時安定性共
に優れた光導電材を得ることができた。
上述の事項を第１図を用いて詳述する。
同図において、７１は基板、７２は光導電層、７３は表
面保護層である。
面保護層である。
さて、前述のバンドの不整合というのは、同図（ａ）の
如く、−前記光導電層７２と前記表面保護層７３のバン
ドギャップの差ａが大きい場合に該光導電層７２と該表
面保護層７３の界面近傍で発生する光キャリアが自由に
移動できず、前記界面付近に空間電荷を形成し、それが
原因の残留電位若しくは静電潜像における解像度の低下
現象のことであるＯ そこで、本発明の光導電層においてはバンドの一整合を
とるため、同図（ｂ）、 （ｃ）の通り、前記光導電層
７２における第■族ａの不純物元素の膜中峡度を界面近
傍で増加させ、伝導型を適正に制御しつつ、伝導帯の界
面付近での整合を図った。
如く、−前記光導電層７２と前記表面保護層７３のバン
ドギャップの差ａが大きい場合に該光導電層７２と該表
面保護層７３の界面近傍で発生する光キャリアが自由に
移動できず、前記界面付近に空間電荷を形成し、それが
原因の残留電位若しくは静電潜像における解像度の低下
現象のことであるＯ そこで、本発明の光導電層においてはバンドの一整合を
とるため、同図（ｂ）、 （ｃ）の通り、前記光導電層
７２における第■族ａの不純物元素の膜中峡度を界面近
傍で増加させ、伝導型を適正に制御しつつ、伝導帯の界
面付近での整合を図った。
この同図（ｂ）、 （ｃ）の様にすれば、界面付近で発
生したキャリアは伝導帯９価電子帯の傾斜のためスムー
ズに自由表面に到達することが可能で、残留電位もなく
、静或＃像における。鳥い解像度を成し、画像の流れも
なくなった。しかも、前記表面保護層７３には光学的バ
ンドギャップの大きい安定なものが使えるので、この光
導電材は電荷保持能力。
生したキャリアは伝導帯９価電子帯の傾斜のためスムー
ズに自由表面に到達することが可能で、残留電位もなく
、静或＃像における。鳥い解像度を成し、画像の流れも
なくなった。しかも、前記表面保護層７３には光学的バ
ンドギャップの大きい安定なものが使えるので、この光
導電材は電荷保持能力。
耐環境特性、経時安定性に優れたもの４なる。
具体的な本発明の実施例に係る光導電材の構造を第２図
又は第３図に掲げた。
又は第３図に掲げた。
第２図において、１０１が光導電材であり、３層構造即
ち上から表面保護層１０３．光導電層１０２及び導電性
支持材１０４の積層構造を有している。なお、１０６が
自由表面である。
ち上から表面保護層１０３．光導電層１０２及び導電性
支持材１０４の積層構造を有している。なお、１０６が
自由表面である。
第３図の例は、上記３層の他に少なくとも酸素。
窒素又は炭素を含むａ−８ｉより成る１層を加えたもの
で、２０１が光導電層であり、４層構造即ち上から表面
保護層２０３．光導電層２０２．前記新たに追加された
下地層２０５及び導電性支持材２０４の積層構造を有し
ている。なお、２０６が自由表面である。この下地層２
０５の存在により、前記支持体２０４と前記光導電層２
０２の密着が良くなシ成膜の剥離を防止でき、又、該支
持体２０４側よシの電荷の注入も防げる。
で、２０１が光導電層であり、４層構造即ち上から表面
保護層２０３．光導電層２０２．前記新たに追加された
下地層２０５及び導電性支持材２０４の積層構造を有し
ている。なお、２０６が自由表面である。この下地層２
０５の存在により、前記支持体２０４と前記光導電層２
０２の密着が良くなシ成膜の剥離を防止でき、又、該支
持体２０４側よシの電荷の注入も防げる。
ここで、本発明の実施例に係る光導電材の製造方法につ
き解説する。
き解説する。
第４図に示す装置を用い以下の様にしてａ−８ｉ層（非
晶質シリコン層）を形成した０ クロロセン超音波洗浄槽及び蒸気洗浄槽（図示せず〕に
て充分に表面を洗浄しｉ直径１４０ｍｍ。
晶質シリコン層）を形成した０ クロロセン超音波洗浄槽及び蒸気洗浄槽（図示せず〕に
て充分に表面を洗浄しｉ直径１４０ｍｍ。
長さ３４０間のアルミニウム支持体２を用意し、該アル
ミニウム支持体２をドラムヒーター３に固定した。該ド
ラムヒーター３は前記アルミニウム支持体２の内径に密
着する外径を有し、表面を均一加熱する。
ミニウム支持体２をドラムヒーター３に固定した。該ド
ラムヒーター３は前記アルミニウム支持体２の内径に密
着する外径を有し、表面を均一加熱する。
同図にて、９はメカニカルブースタポンプ、１０はロー
タリポンプであり、５は小窓、７は駆動用モーター、１
１はリークバルブである。
タリポンプであり、５は小窓、７は駆動用モーター、１
１はリークバルブである。
次に、バルブ８を開き、反応室１内の空気を排除し、同
時に前記ドラムヒーター３をＯＮにした。
時に前記ドラムヒーター３をＯＮにした。
こうして、前記アルミニウム支持体２の表面が２５０℃
になるまで温度を上昇させ、その後恒温状態を保持した
。
になるまで温度を上昇させ、その後恒温状態を保持した
。
続いて、補助バルブ１２を全開にし、そして、ＳｉＨ４
ガスの充填されたボンベ２３．Ｈ２ガスの充填されたボ
ンベ２４及びＨ２ガス中に濃度４００ｐｐｍで混合され
たＢ２Ｈ６（ジボラン）ガスの充填されたボンベ２５を
、夫々の付属バルブ１８．１９゜２０を開放することに
より各ガスを流出させる０その際、前記ボンベ２３，２
４．２５に接続された質量流量調節器１３，１４．１５
の設定値を叙々に上げて各ボンベ２３．２４．２５から
ガスが所定量はど流れる様に調整した。
ガスの充填されたボンベ２３．Ｈ２ガスの充填されたボ
ンベ２４及びＨ２ガス中に濃度４００ｐｐｍで混合され
たＢ２Ｈ６（ジボラン）ガスの充填されたボンベ２５を
、夫々の付属バルブ１８．１９゜２０を開放することに
より各ガスを流出させる０その際、前記ボンベ２３，２
４．２５に接続された質量流量調節器１３，１４．１５
の設定値を叙々に上げて各ボンベ２３．２４．２５から
ガスが所定量はど流れる様に調整した。
この時、前記パルプ８０開度を調節することにより前記
反応室１内の圧力を１．５Ｔｏｒｒに保った。
反応室１内の圧力を１．５Ｔｏｒｒに保った。
続いて、高周波電源６のスイッチをＯＮにし、相対向す
る１対の放電電極４．４′間に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電圧を印加してグロー放電を起こし、加熱され
た前記アルミニウム支持体゛２上にａ−８ｉ膜を形成し
た。なお、成膜時の高周波電力は常時４００Ｗに制御し
た。
る１対の放電電極４．４′間に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電圧を印加してグロー放電を起こし、加熱され
た前記アルミニウム支持体゛２上にａ−８ｉ膜を形成し
た。なお、成膜時の高周波電力は常時４００Ｗに制御し
た。
ところで、上記のａ−８ｉ膜形成の際、Ｂ ２ Ｈｓの
濃度はＳｉＨ４との濃度比が１０ となる様にＨ２ベー
スのＢ ２ Ｈｓガス流量は前記質量流量調節器１５に
て調整した。このＢ２Ｈ６は膜の伝導型を制御するだめ
に添加されるが、添加量が多い場合はｐ型。
濃度はＳｉＨ４との濃度比が１０ となる様にＨ２ベー
スのＢ ２ Ｈｓガス流量は前記質量流量調節器１５に
て調整した。このＢ２Ｈ６は膜の伝導型を制御するだめ
に添加されるが、添加量が多い場合はｐ型。
ｐ＋型となり、添加量が少ない場合はｎ型、ｉ型となる
。一方、暗抵抗比及び光感度に関しては、微量のＮＨ３
（アンモニア〕ガスを添加することにより所定の値にで
きる。これは当業者が、適宜、所望の膜特性に応じて決
定できる事項である。
。一方、暗抵抗比及び光感度に関しては、微量のＮＨ３
（アンモニア〕ガスを添加することにより所定の値にで
きる。これは当業者が、適宜、所望の膜特性に応じて決
定できる事項である。
この状態で約７．５時間成膜を続行し、次いで、伝導型
をよシル＋型とするため、Ｂ２Ｈ６の導入量を徐々に増
加させた。即ち、Ｂ（ホウ素）濃度が均一分布でなく傾
斜を持つ様に前記質量流量調整器１５ ＋’ １６の調
整つまみを約３０分間にわだ−、て連続的に流量増加の
方向へ回し続けた。その後直ちに前記高周波電源６のス
イッチをＯＦＦにした。
をよシル＋型とするため、Ｂ２Ｈ６の導入量を徐々に増
加させた。即ち、Ｂ（ホウ素）濃度が均一分布でなく傾
斜を持つ様に前記質量流量調整器１５ ＋’ １６の調
整つまみを約３０分間にわだ−、て連続的に流量増加の
方向へ回し続けた。その後直ちに前記高周波電源６のス
イッチをＯＦＦにした。
このＯＦＦする直前でのＢ２Ｈ６濃度はＳｉＨ４との濃
度比で５Ｘ１０”となっていた。
度比で５Ｘ１０”となっていた。
以上の処理を行うと、Ｂ濃度が表面付近で最大値となり
、分布に傾斜のある光導電層が形成された。
、分布に傾斜のある光導電層が形成された。
今度は、表面保護層を形成すべく各ガスの混合比を変化
させる。即ち、ＮＨ３（アンモニア）ガスを添加するた
めＮＨ３ガスの充填されたボンベ２７を付属のパルプ２
２を開とし、質量流量調節器１７にて所定量のＮＨ３ガ
スを前記反応室１へ導入した。
させる。即ち、ＮＨ３（アンモニア）ガスを添加するた
めＮＨ３ガスの充填されたボンベ２７を付属のパルプ２
２を開とし、質量流量調節器１７にて所定量のＮＨ３ガ
スを前記反応室１へ導入した。
同時に、Ｂ２Ｈ６の添加量を最適にするだめ、Ｈ２ガス
中に濃度１％で混合されたＢ２Ｈ６ガスの充填されたボ
ンベ２６のパルプ２１を開とし、該ボンベ２６からのＢ
２Ｈ６ガスの流量を調節する質量流量調節器１６及び前
記質量流量調節器１５にて所定量のＢ ２ Ｈ６ガスを
前記反応室１へ導入した。
中に濃度１％で混合されたＢ２Ｈ６ガスの充填されたボ
ンベ２６のパルプ２１を開とし、該ボンベ２６からのＢ
２Ｈ６ガスの流量を調節する質量流量調節器１６及び前
記質量流量調節器１５にて所定量のＢ ２ Ｈ６ガスを
前記反応室１へ導入した。
なお、上述の表面保換層の形成の際に導入されるＮＨ３
ガスの量は、絶縁性の高い膜を所望する場合には、体積
比で、 ＮＨ３／ Ｓ ｉ Ｈ４＝ ０．５〜２．０と設定し、
逆に、光導電性の高い膜を所望する場合には、体積比て
、 ＮＨ３／ Ｓ １Ｈ４＝ ０．０１〜０．５と設定すれ
ば良い。
ガスの量は、絶縁性の高い膜を所望する場合には、体積
比で、 ＮＨ３／ Ｓ ｉ Ｈ４＝ ０．５〜２．０と設定し、
逆に、光導電性の高い膜を所望する場合には、体積比て
、 ＮＨ３／ Ｓ １Ｈ４＝ ０．０１〜０．５と設定すれ
ば良い。
上記の様にして約５分間表面保護層を形成し、前記高周
波電源６のスイッチをＯＦＦとし、各ガスのパルプ１３
，１４，１６．３０を閉にして、再び前記反応室１内を
真空にして、前記ドラムヒーター３のスイッチを開とし
て徐冷した後、ａ−８ｉ膜カニ形成されたところのアル
ミニウム支持体２を取り出す。
波電源６のスイッチをＯＦＦとし、各ガスのパルプ１３
，１４，１６．３０を閉にして、再び前記反応室１内を
真空にして、前記ドラムヒーター３のスイッチを開とし
て徐冷した後、ａ−８ｉ膜カニ形成されたところのアル
ミニウム支持体２を取り出す。
以上の工程を経て作製された本実施例の光導電層におい
てＢ濃度に傾斜のある光導電部材を、従来の光導電層に
おいてＢ濃度に傾斜のない光導電部材と、電子写真プロ
セスにおける電子写真特性画像特性、耐環境特性及び経
時安定性につき調べた。その結果、下表の通りとなった
。
てＢ濃度に傾斜のある光導電部材を、従来の光導電層に
おいてＢ濃度に傾斜のない光導電部材と、電子写真プロ
セスにおける電子写真特性画像特性、耐環境特性及び経
時安定性につき調べた。その結果、下表の通りとなった
。
表
なお、上記の電子写真プロセスとは、第５図の通り、光
導電部材が表面にコーティングされたドラム５０８上に
１次帯電器（６，０ＫＶ）５０１にて電圧を印加し、前
記ドラム５０８上にレンズ５０２ 。
導電部材が表面にコーティングされたドラム５０８上に
１次帯電器（６，０ＫＶ）５０１にて電圧を印加し、前
記ドラム５０８上にレンズ５０２ 。
を通過した像を露光して、該露光像を現像器５０３にて
現像し、その像を転写紙５０４に転写用帯電器５０５に
より転写する工程及び転写後該ドラム５０８をクリーニ
ング装置５０６で清掃すること並びに除電光源５０７に
て除電を行う工程のことである。
現像し、その像を転写紙５０４に転写用帯電器５０５に
より転写する工程及び転写後該ドラム５０８をクリーニ
ング装置５０６で清掃すること並びに除電光源５０７に
て除電を行う工程のことである。
ここで、光導電層及び表面保護層におりる望ましいＢ（
ホウ素）濃度及びＮ（窒素）濃度の膜厚方向の分布を第
６図を用いて説明する。
ホウ素）濃度及びＮ（窒素）濃度の膜厚方向の分布を第
６図を用いて説明する。
同図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）、 （ｅＬ
（ｆ）において横軸は膜厚距離（膜厚方向に沿った移
動長さ）であり、Ｘ端が基板、Ｙ端が自由表面である。
（ｆ）において横軸は膜厚距離（膜厚方向に沿った移
動長さ）であり、Ｘ端が基板、Ｙ端が自由表面である。
又、縦軸の単位は任意である。
同図において、各グラフの実線ＰはＢ濃度を、破線Ｑは
Ｎ濃度を表わしており、いずれのグラフにても、Ｎ濃度
が表面保護層において扁く、Ｂａ度に関しては表面保護
層と光導電層の界面近傍で最大値となシ且つ基板側へ向
かって低下する傾斜（表面保護層に向かって上昇する傾
斜）を持つ折線（曲＃ｉりとなっている。
Ｎ濃度を表わしており、いずれのグラフにても、Ｎ濃度
が表面保護層において扁く、Ｂａ度に関しては表面保護
層と光導電層の界面近傍で最大値となシ且つ基板側へ向
かって低下する傾斜（表面保護層に向かって上昇する傾
斜）を持つ折線（曲＃ｉりとなっている。
もちろん、このＢａ度の傾斜は特定の傾きを持つ直線状
であっ−Ｃも若しくは一定の曲率を持つ曲線状であって
も構わない。父、Ｎ６度についても下地層１表面保護層
及び光４電層の界面付近で傾斜をイイしていても良い。
であっ−Ｃも若しくは一定の曲率を持つ曲線状であって
も構わない。父、Ｎ６度についても下地層１表面保護層
及び光４電層の界面付近で傾斜をイイしていても良い。
なお、」−配下地層についてはその作製方法を述べなか
ったが、基本的に表面保護層を形成する処理と同様な方
法でできる。この下地層は支持体と光導電層の間に介在
させても良い。
ったが、基本的に表面保護層を形成する処理と同様な方
法でできる。この下地層は支持体と光導電層の間に介在
させても良い。
く効 果〉
以」−の様に本発明によれば、光学的バンドエネルギー
の異なる２つの層即ち光導電層とその表面保護層を接合
させるに当たり、一方の層の伝専型を不純物濃度を変化
させることにより連続的に変化させフェルミレベルを変
えることにより伝導帯或いは価電子帯における光キャリ
アの走行を良好なものにでき、経時安定性、耐環境特性
、電荷保持能力、残留電位及び画像の流れ特性に優れた
光導電材が得られる。
の異なる２つの層即ち光導電層とその表面保護層を接合
させるに当たり、一方の層の伝専型を不純物濃度を変化
させることにより連続的に変化させフェルミレベルを変
えることにより伝導帯或いは価電子帯における光キャリ
アの走行を良好なものにでき、経時安定性、耐環境特性
、電荷保持能力、残留電位及び画像の流れ特性に優れた
光導電材が得られる。
第１図（ａ） 、（ｂ） 、 （ｃ）は光導電材を形成
する光導電層と表面保護層のエネルギー帯を示す図、第
２図及び第３図は本発明の適用される積層構造の光導電
材の側断面図、第４図は本発明の実施例に係る光導電材
の製造器具のブロック図、第５図は本発明の実施例に係
る光導電材の使用される電子写真装置のプロセス説明に
供する図、第６図（ａ） 、 （ｂ） 。 （ｃ） 、 （ｄ） 、 （ｅ） 、 （ｆ）は本発明
の光導電材の特定の元素の濃度分布のグラフ図である。
する光導電層と表面保護層のエネルギー帯を示す図、第
２図及び第３図は本発明の適用される積層構造の光導電
材の側断面図、第４図は本発明の実施例に係る光導電材
の製造器具のブロック図、第５図は本発明の実施例に係
る光導電材の使用される電子写真装置のプロセス説明に
供する図、第６図（ａ） 、 （ｂ） 。 （ｃ） 、 （ｄ） 、 （ｅ） 、 （ｆ）は本発明
の光導電材の特定の元素の濃度分布のグラフ図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持部拐と、前記支持部材上に形成されたと
ころの少なくとも水素を含む非晶質シリコンより成る光
導電層と、前記光導電層の表面に設けられた表面保設層
を有する光導電層においで、 上古【２光導電層は〜ｙ素を有し、且つ不純物として少
なくとも第１１１ｂ欠すの元素を含み、該不純物は上記
導電性支持部相の表面に略平行な面内では実質的に均一
で該光導電層の膜厚方向では前記表向保護層の界面側に
より多く存在し該界面近傍で最大となる濃度分布を示し
、 上記表面保護層は、少なくとも窒素を含む非晶質／リコ
ンより成り、該窒素は少なくとも前記光導電層の窒素濃
度より多く、又は、光学的バンドギャップが前記光導電
層よりも大きいことを特徴とする光導電材。 ２ 前記支持部材と前記光導電層との間に少なくとも酸
素、窒素若しくは炭素を含む非晶質／リコンより成る層
を介在させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導電材０３、上記第１１族すの元素はホウ素であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電
層。 ４ 自由表面が正に帯電し、感光性を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光導電材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093884A JPS60184256A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 光導電材 |
| DE19853506657 DE3506657A1 (de) | 1984-02-28 | 1985-02-26 | Photoleitfaehige vorrichtung |
| DE3546544A DE3546544C2 (ja) | 1984-02-28 | 1985-02-26 | |
| US06/706,669 US4632894A (en) | 1984-02-28 | 1985-02-28 | Photoconductive device having photoconductive layer containing hydroxyl radicals |
| US06/786,046 US4683186A (en) | 1984-02-28 | 1985-10-10 | Doped amorphous silicon photoconductive device having a protective coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093884A JPS60184256A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 光導電材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184256A true JPS60184256A (ja) | 1985-09-19 |
| JPH0426466B2 JPH0426466B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=12594439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093884A Granted JPS60184256A (ja) | 1984-02-28 | 1984-03-02 | 光導電材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184256A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342221A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US7745066B2 (en) | 2002-11-26 | 2010-06-29 | Danisco US Inc, | Method for preparing solid materials comprising immobilized proteorhodopsin |
| JP2013095942A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Hashimoto Shokai Ltd | 触媒ｃｖｄ法及びその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165066A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP4093884A patent/JPS60184256A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165066A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電子写真感光体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342221A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US7745066B2 (en) | 2002-11-26 | 2010-06-29 | Danisco US Inc, | Method for preparing solid materials comprising immobilized proteorhodopsin |
| JP2013095942A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Hashimoto Shokai Ltd | 触媒ｃｖｄ法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426466B2 (ja) | 1992-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |