JPS60184670A - 酸化膜の形成方法 - Google Patents
酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60184670A JPS60184670A JP59039942A JP3994284A JPS60184670A JP S60184670 A JPS60184670 A JP S60184670A JP 59039942 A JP59039942 A JP 59039942A JP 3994284 A JP3994284 A JP 3994284A JP S60184670 A JPS60184670 A JP S60184670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- oxygen
- formation
- silicon substrate
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
- H10P14/6308—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
- H10P14/6309—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors of silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6322—Formation by thermal treatments
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンＪｊ（板の表面に酸化膜を形成する方
法、特に酸素または酸化窒素をシリコンＪ、（板の表面
に接触させることにより酸化膜を形成ターる方法に関す
る。
法、特に酸素または酸化窒素をシリコンＪ、（板の表面
に接触させることにより酸化膜を形成ターる方法に関す
る。
従来、シリコン基板の表面に酸化膜を形成ターる方法の
１つとしていわゆる熱酸化法が知られている。この方法
は高温たとえば８０ （１”Ｃで乾燥した酸素または酸
化窒素をシリコン基板に接触させる、あるいは微暇の乾
燥した塩化水素を混合した酸素等を接触させる方法であ
って、酸化膜の形成速度が低いという欠点がある。たと
えば、乾燥した酸素を８００℃で３０分間接触させて得
られる酸化膜の厚さは、５０Ａ程度に過ぎない。
１つとしていわゆる熱酸化法が知られている。この方法
は高温たとえば８０ （１”Ｃで乾燥した酸素または酸
化窒素をシリコン基板に接触させる、あるいは微暇の乾
燥した塩化水素を混合した酸素等を接触させる方法であ
って、酸化膜の形成速度が低いという欠点がある。たと
えば、乾燥した酸素を８００℃で３０分間接触させて得
られる酸化膜の厚さは、５０Ａ程度に過ぎない。
本発明の目的は酸化膜の形成速度が１１１ｊい、シリコ
ン基板の表面に酸化膜を形成するノｊ法を提供すること
にある。
ン基板の表面に酸化膜を形成するノｊ法を提供すること
にある。
本発明は酸素源とフッ素源との混合物を（）・−１３０
０℃でシリコン基板の表面に接触させる、ことを’１．
） 徴とするシリコン基板の表面に酸化膜を形成する方
法に係る。
０℃でシリコン基板の表面に接触させる、ことを’１．
） 徴とするシリコン基板の表面に酸化膜を形成する方
法に係る。
本発明の方法によれば酸化膜の形成速度を者しく高くす
ることができる。たとえば、三フッ化窒素を５０１）
１１ ｍ含有する酸素−三フッ化窒素混合気体を８ ＋
１１１ ℃で：（０分間シリコン基板の表面に接触さ−
１圭て得られる酸化膜の厚さは、４００Ａにも達する。
ることができる。たとえば、三フッ化窒素を５０１）
１１ ｍ含有する酸素−三フッ化窒素混合気体を８ ＋
１１１ ℃で：（０分間シリコン基板の表面に接触さ−
１圭て得られる酸化膜の厚さは、４００Ａにも達する。
本発明の応用例を挙げると従来所望の厚さの酸化膜を短
時間で形成するには、形成速度を上げるため、接触温度
を１ｒ４温に、例えば１０００℃を越える温度にする方
法が取られていたが、本発明を利用すると、接触温度を
低温にして、例えば１０００℃以下の温度にして相当短
時間で所望の厚さの酸化膜を形成することが可能である
。従って１０００℃を越える温度で処理することが大き
な障害となる、現今要望されているウェハー径の増大化
、素子の微細化、浅い接合なども、本発明の利用により
実現することができる。
時間で形成するには、形成速度を上げるため、接触温度
を１ｒ４温に、例えば１０００℃を越える温度にする方
法が取られていたが、本発明を利用すると、接触温度を
低温にして、例えば１０００℃以下の温度にして相当短
時間で所望の厚さの酸化膜を形成することが可能である
。従って１０００℃を越える温度で処理することが大き
な障害となる、現今要望されているウェハー径の増大化
、素子の微細化、浅い接合なども、本発明の利用により
実現することができる。
本発明において酸素源とは、酸素または酸素を発生する
気体化合物をいう。たとえば、酸素、亜酸化窒素、二酸
化窒素、−酸化窒素等が挙げられ、特に酸素が好ましい
。
気体化合物をいう。たとえば、酸素、亜酸化窒素、二酸
化窒素、−酸化窒素等が挙げられ、特に酸素が好ましい
。
フッ素源とは、元素フッ素または高温で７ツ累を発生す
る気体化合物をいう。たとえば、元素７ツ素、三フッ化
窒素、フッ化水素等が挙げられるが、特に三フッ化窒素
が好ましい。
る気体化合物をいう。たとえば、元素７ツ素、三フッ化
窒素、フッ化水素等が挙げられるが、特に三フッ化窒素
が好ましい。
本発明では上記酸素源とフッ素源の混合物をシリコン基
板の表面に接触させる。混合物中のフッ素源の含有量は
２容積ｐｐｍ以上で酸化膜の形成速度の増大効果が認め
られ、１０ （ｌ ＯＯｐ ｐ ｍを超えると却って増
大効果が認められなくなる。 好ましい範囲は５〜５０
００ｐｐｍである。
板の表面に接触させる。混合物中のフッ素源の含有量は
２容積ｐｐｍ以上で酸化膜の形成速度の増大効果が認め
られ、１０ （ｌ ＯＯｐ ｐ ｍを超えると却って増
大効果が認められなくなる。 好ましい範囲は５〜５０
００ｐｐｍである。
シリコン基板は室温でも酸化され、熱酸化法は１３００
℃までの温度で行われる。従って接触温度はく）〜１３
００°Ｃが好ましく、特に４００〜１０００℃が好まし
い。また上記混合物の接触圧力は特に制限がなく、通常
は０ 、５〜ン気圧の範囲が好ましい。
℃までの温度で行われる。従って接触温度はく）〜１３
００°Ｃが好ましく、特に４００〜１０００℃が好まし
い。また上記混合物の接触圧力は特に制限がなく、通常
は０ 、５〜ン気圧の範囲が好ましい。
以１ζに実施例及び比較例を挙げる。
実施例１
１Ｉ型、比抵抗２．５〜：ｉ、５Ω”ｃＩｎのシリコニ
４板（＋ ００ ）而を８００ ”Ｃに加熱し、旧：３
〃スを１５（）■）「０混入した乾燥酸素ガス雰囲気中
で：）０分間酸化した。
４板（＋ ００ ）而を８００ ”Ｃに加熱し、旧：３
〃スを１５（）■）「０混入した乾燥酸素ガス雰囲気中
で：）０分間酸化した。
得られた試料の酸化膜のＩＶさをエリプソメトリにより
測定し７だところ４ （１ｔｌ Ａであった。
測定し７だところ４ （１ｔｌ Ａであった。
比較例１
ＮＦ、ガスを混入しなかったほかは実施例１と同様にｈ
＝＞たと、−ろ、酸化１１Ｑの厚さは４【５Δぐあった
、。
＝＞たと、−ろ、酸化１１Ｑの厚さは４【５Δぐあった
、。
実施例２
旧・ｌガスを１０１叩Ｉｌｌ市、大した酸素ガス雰囲気
中で打−〕だ以外は実施例１と同様にして実験したとこ
ろ、酸比１１．’Ｊの厚さは７５Ａて゛あ−）だ。
中で打−〕だ以外は実施例１と同様にして実験したとこ
ろ、酸比１１．’Ｊの厚さは７５Ａて゛あ−）だ。
実施例；（
旧、力スを２０ Ｆｌ旧１１１１混入した酸素ガス雰囲
気１１１で（ｊ＝）／こ１．Ｊ、外は実施例１と同様に
して実験したところ、酸化膜の厚さは３２５λであった
。
気１１１で（ｊ＝）／こ１．Ｊ、外は実施例１と同様に
して実験したところ、酸化膜の厚さは３２５λであった
。
実施例４
シリコン基板面を７００℃に加熱し、ＮＦ３ｙスを５０
ｐｐ＋ａ混入した酸素ガス雰囲気中で２（時間酸化した
以外は実施例１と同様にして酸化膜の厚さを測定したと
ころ１００Ａであった。
ｐｐ＋ａ混入した酸素ガス雰囲気中で２（時間酸化した
以外は実施例１と同様にして酸化膜の厚さを測定したと
ころ１００Ａであった。
（以」二）
特訪出願人 ダイキン工業株式会社
代 理 人 弁理士 ｔｌ、Ｉ 村 オ（（手続補正書
１発２） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 、、’；ｒ’−ｐｑ、、’、〜２昭ｉ
１１５９年３月１日提出の特許１鎮（２）２、発明の名
称 酸化膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （２８５）ダイキン工業株式会社 ・１６代理人 自 発 ６、 補正によシ増加する発明の数 ７、補正の対象 「特許請求の範囲」及び「発明の詳細
な説明」の項 補正の内容 １、特許請求の範囲を別紙の通り訂正します。
１発２） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 、、’；ｒ’−ｐｑ、、’、〜２昭ｉ
１１５９年３月１日提出の特許１鎮（２）２、発明の名
称 酸化膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （２８５）ダイキン工業株式会社 ・１６代理人 自 発 ６、 補正によシ増加する発明の数 ７、補正の対象 「特許請求の範囲」及び「発明の詳細
な説明」の項 補正の内容 １、特許請求の範囲を別紙の通り訂正します。
２、明細書第４頁第１２行ｒ１００００ｐ、請］とある
をｒｌｏｏｏｏｏｐｐｍＪと訂正します。
をｒｌｏｏｏｏｏｐｐｍＪと訂正します。
（以 上）
特許請求の範囲
（１）酸素源とフッ素源との混合物を（）〜１３００℃
でシリコン基板の表面に接触させることを特徴とするシ
リコン基板の表面に酸化膜を形成する方法。
でシリコン基板の表面に接触させることを特徴とするシ
リコン基板の表面に酸化膜を形成する方法。
（２）７ツ素源が三フッ化窒素、元素フッ素またはフッ
化水素である請求の範囲第１項に記載の方法。
化水素である請求の範囲第１項に記載の方法。
（３）酸素源が酸素、亜酸化窒素、二酸化窒素または一
酸化窒素である請求の範囲第１項に記載の方法。
酸化窒素である請求の範囲第１項に記載の方法。
（４） 混合物中のフッ素源の含有量が２〜１００００
０容積ｐ １＋ ｍである請求の範囲第１項に記載のノ
ｊ法。
０容積ｐ １＋ ｍである請求の範囲第１項に記載のノ
ｊ法。
（５）接触温度が４００〜１０００℃である請求の範囲
第１項に記載の方法。
第１項に記載の方法。
（６） 混合物の接触圧力が０．５〜２気圧である請求
の範囲第１項に記載の方法。
の範囲第１項に記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）酸素源と７ツ素源との混合物をＣ）・ｌ ：１０
（１’Ｃでシリコンノル板の表面に接触させることを
特像とするシリコンＪ、（扱の表面に酸化膜を形成する
方法。 （２）フッ素）ｈ：！が・、フッ化窒素、丸木７ツ索ま
たは７ツ比水素Ｃある請求の範囲第１ＪＶｔに記載のノ
ｊ法。 （：（） 酸−（’： ｆ’ｓ！が酸素、中１酸化窒素
、 、酸化窒素または 酸化窒素である。請求の範囲第
＋ Ｊ（【に記載の〕ｊ法。 （４）混合物中の７ツ素）ｂにの含有酸が２〜＋ ００
００容４ｒｉ １＋ １＋ Ｉｌｌである請求の範囲第
１項に記載の方法。 （５）接触温度が４＋１０−１０（１（１℃である請求
の範囲第１項に記載の〕ｊ法、。 （６）山°、今物の接触圧力が０．５〜２気圧である請
求の範囲第１」１°（に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039942A JPS60184670A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039942A JPS60184670A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184670A true JPS60184670A (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=12567004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039942A Pending JPS60184670A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162448A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 成膜方法 |
| JP2000091577A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-31 | Texas Instr Inc <Ti> | ゲ―ト酸化物を形成する方法 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP59039942A patent/JPS60184670A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162448A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 成膜方法 |
| JP2000091577A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-31 | Texas Instr Inc <Ti> | ゲ―ト酸化物を形成する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0662526A1 (en) | A method for enhancing aluminum nitride | |
| JPS6050950A (ja) | 誘電体材料の製造方法 | |
| JP2009532915A5 (ja) | ||
| GB1563270A (en) | Methods of forming oxide layers on semiconductor substrates | |
| JPS60171282A (ja) | Ｓｉ↓３Ν↓４−ＳｉＣ系セラミツクス焼結体の製造方法 | |
| JPS60184670A (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| JP3420876B2 (ja) | ＳｉＣの熱酸化膜の改善方法 | |
| JP3379071B2 (ja) | 酸化クロムを主成分とする酸化不動態膜の形成方法及びステンレス鋼 | |
| Giridhar et al. | Conditions for Thermal Nitridation of Si in N 2‐O 2 Mixtures | |
| JPH10500487A (ja) | アルカリ土類がドープされたランタンフェライトからなる酸素センサ | |
| JP3761817B2 (ja) | 低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 | |
| US3939293A (en) | Method for passivating chromium | |
| JP3901338B2 (ja) | ＢＮ−ＡｌＮ積層体及びその用途 | |
| JPS6184377A (ja) | 窒化酸化膜の形成法 | |
| JPH0150120B2 (ja) | ||
| JP3522815B2 (ja) | ガラスとの離型性に優れた熱分解炭素被覆炭素部材 | |
| Hattori et al. | Elimination of stacking‐fault formation in silicon by preoxidation annealing in N2/HCl/O2 mixtures | |
| WO1992007805A1 (fr) | Piece frittee en nitrure d'aluminium et procede de production | |
| JPS62216907A (ja) | 低炭素含量の窒化ケイ素の製造法 | |
| JPS6066437A (ja) | 耐熱樹脂膜の形成方法 | |
| JPH02177539A (ja) | 保管用保護被膜付きシリコンウエハ及びシリコンウエハの保管用保護被膜の形成方法 | |
| JPS61223177A (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| Robles et al. | Stress-Temperature Behavior of O3-TEOS Sub-Atmospheric CVD (SACVD) Oxide Films Deposited on Various Oxide Underlayers | |
| JPS6246965A (ja) | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４系複合セラミツクス及びその製法 | |
| JPH0497903A (ja) | 耐酸化性窒化アルミニウム粉末 |