JPS6018519A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS6018519A JPS6018519A JP12527883A JP12527883A JPS6018519A JP S6018519 A JPS6018519 A JP S6018519A JP 12527883 A JP12527883 A JP 12527883A JP 12527883 A JP12527883 A JP 12527883A JP S6018519 A JPS6018519 A JP S6018519A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体素子などの電子部品の封止用に適し
たエポキシ樹脂組成物に関する。
たエポキシ樹脂組成物に関する。
エポキシ樹脂組成物によって封止された半導体素子の耐
湿信頼性、特にアルミニウム（ＡＩ）腐食寿命を向上さ
せる手段として、エポキシ樹脂組成物の低透湿化、リー
ドフレームと樹脂組成物（バルク）の界面における接着
力の向上、および樹脂中に含まれる不純物イオンの低減
等が考えられており、ＭＣ（マイクロコンピュータ−）
メーカーの鋭意研究により、年々半導体素子の＾ｌ腐食
寿命が向上している。しかし、ガラス、金属、セラミッ
ク等による封止、いわゆるハーメチック封止された半導
体素子に比べ、まだまだ信頼性が劣る。
湿信頼性、特にアルミニウム（ＡＩ）腐食寿命を向上さ
せる手段として、エポキシ樹脂組成物の低透湿化、リー
ドフレームと樹脂組成物（バルク）の界面における接着
力の向上、および樹脂中に含まれる不純物イオンの低減
等が考えられており、ＭＣ（マイクロコンピュータ−）
メーカーの鋭意研究により、年々半導体素子の＾ｌ腐食
寿命が向上している。しかし、ガラス、金属、セラミッ
ク等による封止、いわゆるハーメチック封止された半導
体素子に比べ、まだまだ信頼性が劣る。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐
湿信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提供することを目
的としている。
湿信頼性の高いエポキシ樹脂組成物を提供することを目
的としている。
前記のような目的を達成するため、この発明は、加水分
解性塩素の含有量が４００ｐｐｍ以下でエポキシ当量が
２１０以下のノボラック型エポキシ樹脂を主成分とし、
架橋剤として、フリーフェノール量が０．１重量％以下
のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノボラック型エ
ポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が０．６〜１．３
当量となるよう含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
物をその要旨としている。
解性塩素の含有量が４００ｐｐｍ以下でエポキシ当量が
２１０以下のノボラック型エポキシ樹脂を主成分とし、
架橋剤として、フリーフェノール量が０．１重量％以下
のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノボラック型エ
ポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が０．６〜１．３
当量となるよう含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成
物をその要旨としている。
以下に、この発明の詳細な説明する。
主成分となるノボラック型エポキシ樹脂としては、加水
分解性塩素の含有量が４００ｐｐｍ以下でエポキシ当量
が２１０以下のものを使用する。加水分解性塩素は、ノ
ボラック型エポキシ樹脂を準備する過程で不可避的に入
ってくるものである。これは、極限まで減少させること
が好ましいのであるが、そうすれば歩留りが悪くなった
り、処理費用がかさむ等の不利益が伴う。しかし、４０
０ｐｐｍ以下程度であれば、このような不利益もな（、
加水分解性塩素による害を防ぐことができるようになる
このノボラック型エポキシ樹脂に、架橋剤としてフリー
フェノール量が０．１重量％以下のノボラック型フェノ
ール樹脂を、エポキシ樹脂のエポキシ基に対して水酸基
が０．６〜１．３当量（エポキシ基と水酸基の比が０．
６〜１．３）となるよう加える。そうすると、目的とす
るエポキシ樹脂組成物（封止用成形材料）が得られる。
分解性塩素の含有量が４００ｐｐｍ以下でエポキシ当量
が２１０以下のものを使用する。加水分解性塩素は、ノ
ボラック型エポキシ樹脂を準備する過程で不可避的に入
ってくるものである。これは、極限まで減少させること
が好ましいのであるが、そうすれば歩留りが悪くなった
り、処理費用がかさむ等の不利益が伴う。しかし、４０
０ｐｐｍ以下程度であれば、このような不利益もな（、
加水分解性塩素による害を防ぐことができるようになる
このノボラック型エポキシ樹脂に、架橋剤としてフリー
フェノール量が０．１重量％以下のノボラック型フェノ
ール樹脂を、エポキシ樹脂のエポキシ基に対して水酸基
が０．６〜１．３当量（エポキシ基と水酸基の比が０．
６〜１．３）となるよう加える。そうすると、目的とす
るエポキシ樹脂組成物（封止用成形材料）が得られる。
このエポキシ樹脂組成物は耐湿信頼性が高く、これを用
いて半導体素子を封止するとＡＩ腐食寿命が大幅に向上
する。これは、主成分となるエポキシ樹脂中の加水分解
性塩素を、標準が７００〜１１０００ｐｐであるのに対
して４００ｐｐｍ以下というように半分以下にすること
により、ＣＩ−が低減することと、エポキシ当量を２１
０以下とすることにより、硬化時に架橋密度が上昇する
ことが大きな理由であると思われる。
いて半導体素子を封止するとＡＩ腐食寿命が大幅に向上
する。これは、主成分となるエポキシ樹脂中の加水分解
性塩素を、標準が７００〜１１０００ｐｐであるのに対
して４００ｐｐｍ以下というように半分以下にすること
により、ＣＩ−が低減することと、エポキシ当量を２１
０以下とすることにより、硬化時に架橋密度が上昇する
ことが大きな理由であると思われる。
なお、エポキシ樹脂組成物の性能を向上させるといった
ような目的のため、シリカ等の無機充填剤やカップリン
グ剤等が加えられることがある。
ような目的のため、シリカ等の無機充填剤やカップリン
グ剤等が加えられることがある。
前記加水分解性塩素の分析法としては、たとえば、試料
２．０ｇを３０ ｍ ＩＩの１，４−ジオキサンで熔解
させたのち５ｍｎのＩＮ−ＫＯＨエタノール溶液を加え
、得られた溶液を３０加熱したのち、硝酸銀で滴定する
という方法がある。
２．０ｇを３０ ｍ ＩＩの１，４−ジオキサンで熔解
させたのち５ｍｎのＩＮ−ＫＯＨエタノール溶液を加え
、得られた溶液を３０加熱したのち、硝酸銀で滴定する
という方法がある。
つぎに、実施例および比較例について説明するつぎのよ
うな原材料を配合して実施例および比較例１〜４のエポ
キシ樹脂組成物をつくった。ただし、いずれも、エポキ
シ基に対し、水酸基は０゜６〜１．３当量の範囲に入っ
ている。エポキシ樹脂のエポキシ当量と加水分解性塩素
の含有量、およびフェノール樹脂のフリーフェノール量
は第１表に示す。
うな原材料を配合して実施例および比較例１〜４のエポ
キシ樹脂組成物をつくった。ただし、いずれも、エポキ
シ基に対し、水酸基は０゜６〜１．３当量の範囲に入っ
ている。エポキシ樹脂のエポキシ当量と加水分解性塩素
の含有量、およびフェノール樹脂のフリーフェノール量
は第１表に示す。
ノボラック型エポキシ樹脂 １００重量部ノボラック型
フェノール樹脂 ５０重量部２−メチルイミダゾール
１重量部 シリカ ３２０重量部 カップリング剤 １重量部 カーボンブラック ２重量部 ステアリン酸 １重量部 （以 下 余 白） 第１表 実施例および比較例１〜４のエポキシ樹脂組成物を使用
してアルミモデル素子を封止し、ＰＣＴ（プレッシャー
クツカー テスト：１３３℃。
フェノール樹脂 ５０重量部２−メチルイミダゾール
１重量部 シリカ ３２０重量部 カップリング剤 １重量部 カーボンブラック ２重量部 ステアリン酸 １重量部 （以 下 余 白） 第１表 実施例および比較例１〜４のエポキシ樹脂組成物を使用
してアルミモデル素子を封止し、ＰＣＴ（プレッシャー
クツカー テスト：１３３℃。
１００％ＲＨ）による耐湿信頼性の試験を行った。
ＰＣＴ累積不良の測定結果を第２表に示す。
（以 下 余 白）
第２表
比較例１〜４のものより耐湿信頼性が高いことがわかる
。
。
この発明にかかるエポキシ樹脂組成物は、前記のように
構成されているので、耐湿信頼性が高い代理人 弁理士
松 本 武 彦
構成されているので、耐湿信頼性が高い代理人 弁理士
松 本 武 彦
Claims (1)
- （１）加水分解性塩素の含有量が４００ｐｐｍ以下でエ
ポキシ当量が２１０以下のノボラック型エポキシ樹脂を
主成分とし、架橋剤として、フリーフェノール量が０．
１重量％以下のノボラック型フェノール樹脂を、前記ノ
ボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基に対し水酸基が０
．６〜１．３当量となるよう含むことを特徴とするエポ
キシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12527883A JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12527883A JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018519A true JPS6018519A (ja) | 1985-01-30 |
| JPS6244013B2 JPS6244013B2 (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=14906112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12527883A Granted JPS6018519A (ja) | 1983-07-09 | 1983-07-09 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018519A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3007334U (ja) * | 1994-07-29 | 1995-02-14 | 忍 鎌田 | 防水型ウエットスーツ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010897A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
| JPS54141569A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5610947A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-03 | Toshiba Corp | Semiconductor sealing resin composition |
| JPS5626926A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material for sealing electronic part |
| JPS5740962A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPS5760779A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-12 | Thomson Brandt | Integrated interface circuit |
| JPS582322A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-07-09 JP JP12527883A patent/JPS6018519A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5010897A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
| JPS54141569A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5610947A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-03 | Toshiba Corp | Semiconductor sealing resin composition |
| JPS5626926A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Toshiba Corp | Epoxy resin molding material for sealing electronic part |
| JPS5760779A (en) * | 1980-08-08 | 1982-04-12 | Thomson Brandt | Integrated interface circuit |
| JPS5740962A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPS582322A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244013B2 (ja) | 1987-09-17 |
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