JPS60185952A - フオト・マスク - Google Patents
フオト・マスクInfo
- Publication number
- JPS60185952A JPS60185952A JP59041594A JP4159484A JPS60185952A JP S60185952 A JPS60185952 A JP S60185952A JP 59041594 A JP59041594 A JP 59041594A JP 4159484 A JP4159484 A JP 4159484A JP S60185952 A JPS60185952 A JP S60185952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light shielding
- shielding film
- impurity
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）１発明の技術分野
半導体装置等の製造におけるリソグラフィ工程に使用さ
れるフォト・マスクに関する。
れるフォト・マスクに関する。
（ｂ）、技術の背景
集積回路の高集積化に伴い、フォト・マスクは高精度が
要求され、フォト・マスクの基板は従来のソーダ・ガラ
スに代わって石英ガラスが多用されるようになった。ソ
ーダ・ガラスは安価であるが、熱膨張率が大きく、かつ
ナトリウム、カルシウム等の不純物を含むため、これら
がガラス中に析出して光の透過率を悪くし、所謂ヤケに
よる材質面の劣化が起こる。
要求され、フォト・マスクの基板は従来のソーダ・ガラ
スに代わって石英ガラスが多用されるようになった。ソ
ーダ・ガラスは安価であるが、熱膨張率が大きく、かつ
ナトリウム、カルシウム等の不純物を含むため、これら
がガラス中に析出して光の透過率を悪くし、所謂ヤケに
よる材質面の劣化が起こる。
このため特に高集積用マスクでは石英ガラスが使用され
る。石英ガラスは上記のような不純物が含まれていない
ため、熱膨張率は小さく、表面は硬く、短波長の光の透
過率が大きいので短波長光による高密度、高精度パター
ンの露光に適している。
る。石英ガラスは上記のような不純物が含まれていない
ため、熱膨張率は小さく、表面は硬く、短波長の光の透
過率が大きいので短波長光による高密度、高精度パター
ンの露光に適している。
（Ｃ）、従来技術と問題点
前記のように石英ガラスは高集積用マスクの基板として
理想的である。しかし石英ガラスは純粋な二酸化珪素よ
りなり、遮光膜として高集積用マスクに一般に使用され
るクロム、または酸化クロムとの付着力が弱く、マスク
・パターンを形成してもパターンが欠ける等の欠点があ
る。
理想的である。しかし石英ガラスは純粋な二酸化珪素よ
りなり、遮光膜として高集積用マスクに一般に使用され
るクロム、または酸化クロムとの付着力が弱く、マスク
・パターンを形成してもパターンが欠ける等の欠点があ
る。
（ｄ）１発明の目的
本発明の目的は従来技術の有する上記の欠点を除去し、
基板と遮光膜との付着力を増強し、マスク・パターンの
剥離を生じないで、反復使用に耐える寿命の長いフォト
・マスクを提供することにある。
基板と遮光膜との付着力を増強し、マスク・パターンの
剥離を生じないで、反復使用に耐える寿命の長いフォト
・マスクを提供することにある。
（ｅ）０発明の構成
上記の目的は本発明によれば、石英ガラス基板の表面に
遮光膜が形成されてなり、該石英ガーラス基板の表面領
域には該遮光膜の材料と反応する不純物が導入されてい
ることを特徴とするフォト・マスクを提供することによ
って達成される。
遮光膜が形成されてなり、該石英ガーラス基板の表面領
域には該遮光膜の材料と反応する不純物が導入されてい
ることを特徴とするフォト・マスクを提供することによ
って達成される。
本来ならば前記種々の障害を起こす基板内不純物を除去
するところであるが１、本発明は石英ガラスの基板表面
より、遮光膜を形成する材料と反応する物質として前記
不純物を逆に導入することにより、これと遮光膜として
使用されるクロム、または酸化クロムと反応させ、基板
と遮光膜間の付着力を強化するものである。なおパター
ン形成後、基板表出部のこれらの不純物を除去し、ヤケ
による障害を防止することも可能である。
するところであるが１、本発明は石英ガラスの基板表面
より、遮光膜を形成する材料と反応する物質として前記
不純物を逆に導入することにより、これと遮光膜として
使用されるクロム、または酸化クロムと反応させ、基板
と遮光膜間の付着力を強化するものである。なおパター
ン形成後、基板表出部のこれらの不純物を除去し、ヤケ
による障害を防止することも可能である。
（ｆ）８発明の実施例
第１図は工程順に本発明の実施例を示すフォト・マスク
の断面、第２図は本発明に係るフォト・マスクの製造工
程を示すブロック図を示す。図において１は基板、２は
不純物導入層、３は遮光膜を示す。
の断面、第２図は本発明に係るフォト・マスクの製造工
程を示すブロック図を示す。図において１は基板、２は
不純物導入層、３は遮光膜を示す。
第１図（ａｌにおいて、基板１として石英ガラス、遮光
膜を形成する材料に反応する不純物としてカルシウムを
用いる。カルシウム・イオンを加速電圧２０〜５０ｋｅ
Ｖでドーズ量Ｉ Ｘｌ０１５ｃｍ’″２程度打ち込み、
厚さ数〜数１０人の不純物導入層２を形成する。
膜を形成する材料に反応する不純物としてカルシウムを
用いる。カルシウム・イオンを加速電圧２０〜５０ｋｅ
Ｖでドーズ量Ｉ Ｘｌ０１５ｃｍ’″２程度打ち込み、
厚さ数〜数１０人の不純物導入層２を形成する。
第１図（ｂ）において、基板表面に、遮光膜３としてク
ロム、または酸化クロムをスパッタにより厚さ１０００
人程度被着する。スパッタは０．３１１ＩＩｌｌＴＯｒ
ｒのアルゴン雰囲気で、ターゲットとして被着しようと
するクロム、または酸化クロムを用い、ターゲット電圧
５００ｖを加えて行う。以上によりクロム、または酸化
クロムよりなるブランクスを得る。
ロム、または酸化クロムをスパッタにより厚さ１０００
人程度被着する。スパッタは０．３１１ＩＩｌｌＴＯｒ
ｒのアルゴン雰囲気で、ターゲットとして被着しようと
するクロム、または酸化クロムを用い、ターゲット電圧
５００ｖを加えて行う。以上によりクロム、または酸化
クロムよりなるブランクスを得る。
第１図（ｊｌにおいｔ′、上記ブランクスを、通常の工
程によりマスク・パターンの形成を行う。
程によりマスク・パターンの形成を行う。
まずブランクス上にレジスト被着、プリベーキングを行
い、マスク・パターンを露光する。
い、マスク・パターンを露光する。
つぎに現像を行い、レジストにマスク・パターンを形成
する。現像後パターニングされたレジストをボストベー
キングにより固める。
する。現像後パターニングされたレジストをボストベー
キングにより固める。
つぎにパターニングされたレジストをマスクにし、遮光
膜をエツチングして、遮光膜にマスク・パターンを形成
し、その後レジストを除去してマスク・パターンの形成
を終わる。
膜をエツチングして、遮光膜にマスク・パターンを形成
し、その後レジストを除去してマスク・パターンの形成
を終わる。
第１図（ｄ）において、必要に応じ、上記マスク・パタ
ーンの形成により表出した基板表面の不純物を除去する
ため、基板全面をプラズマ・エツチングする。これによ
り基板表面より数〜数１０被着度の厚さに形成された不
純物導入層を除去する。
ーンの形成により表出した基板表面の不純物を除去する
ため、基板全面をプラズマ・エツチングする。これによ
り基板表面より数〜数１０被着度の厚さに形成された不
純物導入層を除去する。
プラズマ・エツチングは第１図（ｂｌにおいて使用され
たスパッタ装置を用い、シャッタによりターゲットを遮
蔽して、アルゴン・プラズマを照射して行う。
たスパッタ装置を用い、シャッタによりターゲットを遮
蔽して、アルゴン・プラズマを照射して行う。
以上第１図（ａ）〜（ｄ＋の工程により本発明に係るフ
ォト・マスクが得られる。
ォト・マスクが得られる。
実施例においては、基板に導入する不純物としてカルシ
ウムを用いたが、これを遮光膜を形成する材料と反応す
る他の物質、例えばナトリウム、塩素、弗素、臭素等を
用いてもよい。
ウムを用いたが、これを遮光膜を形成する材料と反応す
る他の物質、例えばナトリウム、塩素、弗素、臭素等を
用いてもよい。
また不純物導入方法としてイオン打ち込みを用いたが、
これを他の方法に変えてもよい。
これを他の方法に変えてもよい。
また、−一゛−−遮光膜としてクロ
ム、または酸化クロムを用いたが、これらを他の材料に
変えても発明の要旨は変わらない。
変えても発明の要旨は変わらない。
（ｇ）０発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、基板と遮光
膜との付着力を増強し、マスク・パターンの剥離を生じ
ないで、反復使用に耐える寿命の長いフォト・マスクを
提供することができる。
膜との付着力を増強し、マスク・パターンの剥離を生じ
ないで、反復使用に耐える寿命の長いフォト・マスクを
提供することができる。
マスクの製造工程を示すブロック図を示す。
図において１は基板、２は不純物導入層、３は遮光膜を
示す。 茶１ 図 Ｃ（Ｌ ＩＩ 算２薗
示す。 茶１ 図 Ｃ（Ｌ ＩＩ 算２薗
Claims (1)
- 石英ガラス基板の表面に遮光膜が形成されてなり、該石
英ガラス基板の表面領域には該遮光膜の材料と反応する
不純物が導入されていることを特徴とするフォト・マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041594A JPS60185952A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | フオト・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041594A JPS60185952A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | フオト・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185952A true JPS60185952A (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=12612727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041594A Pending JPS60185952A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | フオト・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334549A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Nissin Electric Co Ltd | 露光用マスクとその製造方法 |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59041594A patent/JPS60185952A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334549A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Nissin Electric Co Ltd | 露光用マスクとその製造方法 |
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