JPS60186082A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPS60186082A JPS60186082A JP1423985A JP1423985A JPS60186082A JP S60186082 A JPS60186082 A JP S60186082A JP 1423985 A JP1423985 A JP 1423985A JP 1423985 A JP1423985 A JP 1423985A JP S60186082 A JPS60186082 A JP S60186082A
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、さらに詳述すれば、大出
力レーザ光を得ることが出来る多点発光型半導体レーザ
に関するものである。
力レーザ光を得ることが出来る多点発光型半導体レーザ
に関するものである。
従来の多点発光タイプの半導体レーザは、複数のストラ
イプ電極を並置して装置全体の光出力を増大させる提案
がなされている。（たとえば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌ
ｅｔｔ、３４（４）１５Ｆｅ１．１９７９ｐｐ、 ２５
９−２６１ 、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
３４（２）。
イプ電極を並置して装置全体の光出力を増大させる提案
がなされている。（たとえば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌ
ｅｔｔ、３４（４）１５Ｆｅ１．１９７９ｐｐ、 ２５
９−２６１ 、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、
３４（２）。
１５Ｊａｎ １９７９ ｐｐ、１６２−１６５）Ｉ、か
じ、現実には各ストライプ毎にレーザ光のモード、波長
、位相がまちまちになり、通信や光デイスクメモ】ハレ
ーザプリンタなどに使用し得るような高品質のレーザ光
を得るに至っていない。
じ、現実には各ストライプ毎にレーザ光のモード、波長
、位相がまちまちになり、通信や光デイスクメモ】ハレ
ーザプリンタなどに使用し得るような高品質のレーザ光
を得るに至っていない。
また、これに関連し、ストライプ電極相互間の間隔を狭
くすると、共振レーザ光（結晶両鏡面間を発振往復して
いるレーザ光）の光分布幅よりも ゛電流波がり幅の方
が広くなるため、光分布が一様になる前に電流分布が一
様となり、ストライプ電極が結局せ枚の電極板のように
な、２てしまう。この様な場合には、共振レーザ光はス
トライプ配置とは無関係にフィラメント状発振を生じ、
ランダムにスポット状に発光してレーザ光の品質を著し
く低下させてしまうなどの欠点があった。
くすると、共振レーザ光（結晶両鏡面間を発振往復して
いるレーザ光）の光分布幅よりも ゛電流波がり幅の方
が広くなるため、光分布が一様になる前に電流分布が一
様となり、ストライプ電極が結局せ枚の電極板のように
な、２てしまう。この様な場合には、共振レーザ光はス
トライプ配置とは無関係にフィラメント状発振を生じ、
ランダムにスポット状に発光してレーザ光の品質を著し
く低下させてしまうなどの欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点のない、各ストライプ毎のレ
ーザ光の位相が揃った、従って全出力として大出力とな
る半導体レーザを提供することにある。
ーザ光の位相が揃った、従って全出力として大出力とな
る半導体レーザを提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、複数の活性
層を互いに異なる面上にあって、且つ、周期的に配置せ
しめて設けることにある。
層を互いに異なる面上にあって、且つ、周期的に配置せ
しめて設けることにある。
本発明は上述のように、多点発光領域が空間的に配置さ
れているものなので、活性層を、電流方向及びレーザ発
振方向と直角方向について準周期的に折り曲げたり、段
差構造としたり、厚さ変化をつけるなどの構成にするこ
とにより、相互に隣接する屈折率差導波路構造を形成し
て多点発光レーザとし夫々レーザ発振モードを規定する
と共に隣接レーザ発光間の光結合を生ぜしめる。
れているものなので、活性層を、電流方向及びレーザ発
振方向と直角方向について準周期的に折り曲げたり、段
差構造としたり、厚さ変化をつけるなどの構成にするこ
とにより、相互に隣接する屈折率差導波路構造を形成し
て多点発光レーザとし夫々レーザ発振モードを規定する
と共に隣接レーザ発光間の光結合を生ぜしめる。
レーザの動作時、活性層中で発光が起り共振レーザ光と
なる。この光は、光分布を有しており、活性層以外の半
導体層にも一部上記分布が拡がって掛る。しかし、他の
半導体層との間に屈折率差が存するので光は実質上閉じ
込められたまま鏡面（普通、臂開面）相互間を共振する
。一般に活性層の屈折率は隣接する半導体層よりも大き
い値のものが採られる。屈折率の大きさ、及び差は目的
に応じ適宜選択される。一方、活性層は異なる面に形成
された活性層とそれぞれ隣接するか極めて接近して配置
されているので、上記発光による光分布は一部他の活性
層の光分布とも重畳して光結合が起なわれる。この様に
この光の重畳部分で非線型相互作用（可飽和利得、又は
吸収の存在）が存在することによって各ストライプ毎の
レーザ発振が相互に同一波長でかつ位相が一定の関係に
保たれる。以下、実施例を用いて詳細に説明する。
なる。この光は、光分布を有しており、活性層以外の半
導体層にも一部上記分布が拡がって掛る。しかし、他の
半導体層との間に屈折率差が存するので光は実質上閉じ
込められたまま鏡面（普通、臂開面）相互間を共振する
。一般に活性層の屈折率は隣接する半導体層よりも大き
い値のものが採られる。屈折率の大きさ、及び差は目的
に応じ適宜選択される。一方、活性層は異なる面に形成
された活性層とそれぞれ隣接するか極めて接近して配置
されているので、上記発光による光分布は一部他の活性
層の光分布とも重畳して光結合が起なわれる。この様に
この光の重畳部分で非線型相互作用（可飽和利得、又は
吸収の存在）が存在することによって各ストライプ毎の
レーザ発振が相互に同一波長でかつ位相が一定の関係に
保たれる。以下、実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例としての半導体レーザの概
略断面図である。
略断面図である。
図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板（Ｓｉ−ドープ、ｎ
−１Ｘ １０１７ｃｍ−３）、２はｎ −Ｇ ａｘ−、
Ａ ４１ 、 Ａ Ｓクラッド層（Ｙ＝０．５±０．２
、Ｔｅ又はＳｎ又は〕 Ｓｅドープ、ｎ 〜３ Ｘ １０’、’ Ｃｍ−３）、
水はＧａ１−．１Ａ１ｘＡＳ活性層（ｘ＝０．１５±０
．１５、アンドープ。又はＴｅ、’Ｓｅ、Ｓｎ、Ｇｅ、
Ｚｎ。
−１Ｘ １０１７ｃｍ−３）、２はｎ −Ｇ ａｘ−、
Ａ ４１ 、 Ａ Ｓクラッド層（Ｙ＝０．５±０．２
、Ｔｅ又はＳｎ又は〕 Ｓｅドープ、ｎ 〜３ Ｘ １０’、’ Ｃｍ−３）、
水はＧａ１−．１Ａ１ｘＡＳ活性層（ｘ＝０．１５±０
．１５、アンドープ。又はＴｅ、’Ｓｅ、Ｓｎ、Ｇｅ、
Ｚｎ。
Ｍｇなどがドープされていても良い。）。４はｐ−Ｇａ
１−、Ａｊ、Ａｓクラッド層（ｚ＝０．５±０．２、Ｚ
ｎ又はＧｅ又はＭｇドープ、ｐ〜３ Ｘ １０ ｃｍ
。
１−、Ａｊ、Ａｓクラッド層（ｚ＝０．５±０．２、Ｚ
ｎ又はＧｅ又はＭｇドープ、ｐ〜３ Ｘ １０ ｃｍ
。
である。
活性層３（厚さ０．１±０．０５μｍ）は、図の如く、
レーザ発振方向（紙面に垂直）と直角方向（横方向）に
沿って、折れ曲がりをもつ構造となっており、各折れ曲
り面（３ａ、３ｂ、３ｃ）の巾は１．５±０．５μｍで
ある。３ａ面を例にとれば両端が折れ曲っているため、
巾１．５±０．５μｍの屈折率差光導波路を形成してお
り、この面での発振横モードはＴＥｏｏに規定される。
レーザ発振方向（紙面に垂直）と直角方向（横方向）に
沿って、折れ曲がりをもつ構造となっており、各折れ曲
り面（３ａ、３ｂ、３ｃ）の巾は１．５±０．５μｍで
ある。３ａ面を例にとれば両端が折れ曲っているため、
巾１．５±０．５μｍの屈折率差光導波路を形成してお
り、この面での発振横モードはＴＥｏｏに規定される。
３ｂ面、３ｃ面等についても同様である。３ａ面と３ｂ
面とは隣接しておりその接点で両面での発光分布が重畳
して光結合がおこる。この様な構造は、適切な並行溝を
設けたＧａＡｓ基板１の上に厚さ１±０．５μｍ程度の
Ｇ ａ 、−アＡＪ、 Ａｓ クラッド層２、活性層３
、Ｇａ、、ＡＩ、Ａｓ クラッド層４を連続して逐次、
ＬＰＫ法、ＩＶＩＯＣＶＤ 法、又はＭＢＥ法により成
長させることにより得られる。この製法については後述
する。次いで公知の金属蒸着技術により、上記クラッド
層４上および基板１の裏面に一面もしくは所定のパター
ンの電極層５および６を形成してレーザを構成する０ この構造で共振器長３００μｍ１巾６００μｍ（１００
周期、発光点数４００）の多点発光レーザにおける発振
特性は下記の通りであった。発振波長ニア６０ｎｍ、ｌ
、きい電流値：４Ａ１光出カニ電流１０Ａにおいて１．
２Ｗ１光の放射波がり角：接合面内方向は約１°以下、
垂直方向３５°で位相の揃った、大出力の高品質レーザ
光が得られた。次にこの半導体レーザの製法について述
べる。
面とは隣接しておりその接点で両面での発光分布が重畳
して光結合がおこる。この様な構造は、適切な並行溝を
設けたＧａＡｓ基板１の上に厚さ１±０．５μｍ程度の
Ｇ ａ 、−アＡＪ、 Ａｓ クラッド層２、活性層３
、Ｇａ、、ＡＩ、Ａｓ クラッド層４を連続して逐次、
ＬＰＫ法、ＩＶＩＯＣＶＤ 法、又はＭＢＥ法により成
長させることにより得られる。この製法については後述
する。次いで公知の金属蒸着技術により、上記クラッド
層４上および基板１の裏面に一面もしくは所定のパター
ンの電極層５および６を形成してレーザを構成する０ この構造で共振器長３００μｍ１巾６００μｍ（１００
周期、発光点数４００）の多点発光レーザにおける発振
特性は下記の通りであった。発振波長ニア６０ｎｍ、ｌ
、きい電流値：４Ａ１光出カニ電流１０Ａにおいて１．
２Ｗ１光の放射波がり角：接合面内方向は約１°以下、
垂直方向３５°で位相の揃った、大出力の高品質レーザ
光が得られた。次にこの半導体レーザの製法について述
べる。
ｎ導電型のＧａＡｓ基板１に断面が逆台形状のストライ
プ溝（このストライブ状は、同時にストライブ状のメサ
でもあるので、以下溝”で統一する。）が形成されてい
る。上記基板１の表面は、ストライプ溝に平行な方向か
ら±５°以内、該ストライプ溝に垂直な方向から±００
５°以内ずれた（１００）面であって、かつ該ストライ
ブ状は＜１１０＞方向に形成されている。上記溝は、上
記基板１面上に所定のパターンを有した絶縁膜マスフを
介して硫酸系又はハロゲン混入のアルコール溶液などで
エツチングされる。結晶面により蝕刻速度が異なるいわ
ゆる反応律速エッチ液を用いると、（１１１）面がとり
残され１図示した様な逆台形状に形成される。図で溝の
側壁面が（ｉｉｉ）面を呈してほぼ４５°傾斜している
。勿論、結晶の種類、組成比、あるいはエツチング液等
を適宜選択することにより、所望の断面形状の溝が容易
に得られることは云うまでもない。上記溝の大きさは、
前述の様に、広い処での幅Ｗ。は１〜１０μｍ１溝深さ
は１〜３μｍである。
プ溝（このストライブ状は、同時にストライブ状のメサ
でもあるので、以下溝”で統一する。）が形成されてい
る。上記基板１の表面は、ストライプ溝に平行な方向か
ら±５°以内、該ストライプ溝に垂直な方向から±００
５°以内ずれた（１００）面であって、かつ該ストライ
ブ状は＜１１０＞方向に形成されている。上記溝は、上
記基板１面上に所定のパターンを有した絶縁膜マスフを
介して硫酸系又はハロゲン混入のアルコール溶液などで
エツチングされる。結晶面により蝕刻速度が異なるいわ
ゆる反応律速エッチ液を用いると、（１１１）面がとり
残され１図示した様な逆台形状に形成される。図で溝の
側壁面が（ｉｉｉ）面を呈してほぼ４５°傾斜している
。勿論、結晶の種類、組成比、あるいはエツチング液等
を適宜選択することにより、所望の断面形状の溝が容易
に得られることは云うまでもない。上記溝の大きさは、
前述の様に、広い処での幅Ｗ。は１〜１０μｍ１溝深さ
は１〜３μｍである。
次いで、上記溝を有した基板１上に、厚さが１〜３μｍ
のｎ−Ｇａ１−！ＡξＡｓからなるクラッド層２を液相
成長法により形成する。上記液相成長長の溶液は、例え
ば、Ｇａが４ｇ、ＡＪが４〜１０ｍｇ％ＧａＡｓが２０
０ｍｇ、そしてＴｅがＯ，ＯＦ。
のｎ−Ｇａ１−！ＡξＡｓからなるクラッド層２を液相
成長法により形成する。上記液相成長長の溶液は、例え
ば、Ｇａが４ｇ、ＡＪが４〜１０ｍｇ％ＧａＡｓが２０
０ｍｇ、そしてＴｅがＯ，ＯＦ。
〜０．２０ｍｇである。この場合、Ａ ＪＡｓモル比Ｘ
は０．２≦Ｘ≦０．７が得られ目的に応じ適宜調整され
る。上記クラッド層２は図示した様に、上記溝に対応し
た形状で形相され、該溝上部で表面が屈曲して形成され
る。次いで、上記クラッド層２上に、膜厚が０．０３〜
０．２μｍのＧａ、、Ａｊｌ、 Ａｓからなる活性層３
を上記液相成長法により形成する。容液は、例えば、Ｇ
ａが４ｇ、Ａｊが０〜１０ｍｇ５ ＧａＡｓが２００ｍ
ｇのアンドープ（不純物非添加）である。この場合、Ａ
ｊｌＡｓモル比ｙは、Ｏ≦ｙ＜０．３５で所望の波長光
により適宜調整される。上記活性層３は、上記クラッド
層２の表面の形状に沿って、はぼ均一の厚さで形成され
る。
は０．２≦Ｘ≦０．７が得られ目的に応じ適宜調整され
る。上記クラッド層２は図示した様に、上記溝に対応し
た形状で形相され、該溝上部で表面が屈曲して形成され
る。次いで、上記クラッド層２上に、膜厚が０．０３〜
０．２μｍのＧａ、、Ａｊｌ、 Ａｓからなる活性層３
を上記液相成長法により形成する。容液は、例えば、Ｇ
ａが４ｇ、Ａｊが０〜１０ｍｇ５ ＧａＡｓが２００ｍ
ｇのアンドープ（不純物非添加）である。この場合、Ａ
ｊｌＡｓモル比ｙは、Ｏ≦ｙ＜０．３５で所望の波長光
により適宜調整される。上記活性層３は、上記クラッド
層２の表面の形状に沿って、はぼ均一の厚さで形成され
る。
溝の底面および溝外部に対応する場所では平坦かつ水平
に形成される。また此上記溝の側壁面および溝肩部に対
応する場所では勾配又は屈曲状の活性層を呈する。次い
で、上記活性Ｍ３上に、膜厚が２〜５μｍのｐ−Ｇ ａ
ｌ−、ｌＡｊ、 Ａｓからなるクラッド層４を上記液相
成長法により形成する。溶液は、例えば、Ｇａが４ｇ、
Ａｊが４〜１０ｍｇ。
に形成される。また此上記溝の側壁面および溝肩部に対
応する場所では勾配又は屈曲状の活性層を呈する。次い
で、上記活性Ｍ３上に、膜厚が２〜５μｍのｐ−Ｇ ａ
ｌ−、ｌＡｊ、 Ａｓからなるクラッド層４を上記液相
成長法により形成する。溶液は、例えば、Ｇａが４ｇ、
Ａｊが４〜１０ｍｇ。
ＧａＡｓが２００ｍｇ、そして、Ｚｎが５〜１０ｍｇで
ある。この場合、ＡｊＡｓモル比Ｘは０．２ ＜ ｘ
＜０．７が得られ目的に応じ適宜調整される。次いで、
必要に応じ、上記クラッド層４上に、膜厚が約１μｍの
ｎ−ＧａＡｓからなるキャップ層（図示せず）を上記液
相成長法により形成する。溶液は、例えば、Ｔｅが０．
（１５〜０．２０ ｍｇ％Ｇａが４ｇｓそして、ＧａＡ
ｓが２００ｍｇである。 次いで、必要ならば上記キャ
ップ層上（キャップ層が無い場合はクラッド層上）に、
上記溝に対応した位置に電極窓を有する酸化膜を形成す
る。酸化膜は通常のＣＶＤ法によるものでよく、被膜形
成後、公知の写真蝕刻技術により上記窓が形成される。
ある。この場合、ＡｊＡｓモル比Ｘは０．２ ＜ ｘ
＜０．７が得られ目的に応じ適宜調整される。次いで、
必要に応じ、上記クラッド層４上に、膜厚が約１μｍの
ｎ−ＧａＡｓからなるキャップ層（図示せず）を上記液
相成長法により形成する。溶液は、例えば、Ｔｅが０．
（１５〜０．２０ ｍｇ％Ｇａが４ｇｓそして、ＧａＡ
ｓが２００ｍｇである。 次いで、必要ならば上記キャ
ップ層上（キャップ層が無い場合はクラッド層上）に、
上記溝に対応した位置に電極窓を有する酸化膜を形成す
る。酸化膜は通常のＣＶＤ法によるものでよく、被膜形
成後、公知の写真蝕刻技術により上記窓が形成される。
酸化膜に限らず、窒化膜など他の絶縁膜であってもよい
ことは勿論である。次いで上記電極窓あるいは直接半導
体層を覆って、Ｃｒ’、Ａｕの２層からなるｐ導電型電
極・５を形相する。次いで、上記基板１の裏面にＡ ｕ
−Ｇ ｅ＠−金からなるｎ導電型電極６を形成して半
導体レーザを構成する。
ことは勿論である。次いで上記電極窓あるいは直接半導
体層を覆って、Ｃｒ’、Ａｕの２層からなるｐ導電型電
極・５を形相する。次いで、上記基板１の裏面にＡ ｕ
−Ｇ ｅ＠−金からなるｎ導電型電極６を形成して半
導体レーザを構成する。
以上の実施例では、ＬＰＥ（液相成長法）により形成し
た半導体レーザに付き述べてきたが、ＭＯＤＶＤ法（Ｍ
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ；有機金属を用いた熱分解
反応による化合物半導体の結晶成長法）あるいは、１０
−’Ｔｏｒｒ以下の超高真空中での真空蒸着により化合
物半導体などの形成されるＭＢＥ法（分子線エピタキシ
ー法）によっても全く同様に形成される。
た半導体レーザに付き述べてきたが、ＭＯＤＶＤ法（Ｍ
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ；有機金属を用いた熱分解
反応による化合物半導体の結晶成長法）あるいは、１０
−’Ｔｏｒｒ以下の超高真空中での真空蒸着により化合
物半導体などの形成されるＭＢＥ法（分子線エピタキシ
ー法）によっても全く同様に形成される。
以下、化合物半導体層、絶縁層および金属層は同様に差
異なく形成さ力、るので省略する。
異なく形成さ力、るので省略する。
第２図は本発明の他の実施例としての半導体レーザの概
略断面図である。図において、１３ａ１１３ｂ面の巾は
、１．５±０．５μｍ１各層の構成作製法は、前記実施
例に同じである。祈り曲げ角は１層以上あれば充分であ
る。発振特性例は、共振器長３００μｍ、巾６０（ｌ１
ｍ（２００周期、発光点数４００）の多点発光レーザに
おける発振特性例は、前記実施例と同じである。なお、
１１は基板、１２および１４はクラッド層、１３は活性
層である。
略断面図である。図において、１３ａ１１３ｂ面の巾は
、１．５±０．５μｍ１各層の構成作製法は、前記実施
例に同じである。祈り曲げ角は１層以上あれば充分であ
る。発振特性例は、共振器長３００μｍ、巾６０（ｌ１
ｍ（２００周期、発光点数４００）の多点発光レーザに
おける発振特性例は、前記実施例と同じである。なお、
１１は基板、１２および１４はクラッド層、１３は活性
層である。
第３図は本発明のさらに他の実施例としての半導体レー
ザの概略断面図である。図において、活性層２３に周期
的に段差を設ける。段差の大きさは０．２〜１μｍであ
る。各活性層（２３ａ、２３ｂなど）の巾は１．５±０
．５μｍである。この様な構造は、ＧａＡｓ 基板２１
の上に、まず、層２２、層２３ａ１層２４を、ＬＰＥま
たはＭＯＣＶＤまたはＭＢＥ法で多層成長し、次に、格
子縞状のマスク（レジスト膜など）を通じて選択的に、
トライ、エツチングをＭ２２まで行い、その上に、Ｉ、
ＰＥＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ法によって、層２２、層２３
ｂ１層２４を多層成長し、最後に研摩又はエツチングに
よって、平滑な平面２５を形成することにより得られる
。
ザの概略断面図である。図において、活性層２３に周期
的に段差を設ける。段差の大きさは０．２〜１μｍであ
る。各活性層（２３ａ、２３ｂなど）の巾は１．５±０
．５μｍである。この様な構造は、ＧａＡｓ 基板２１
の上に、まず、層２２、層２３ａ１層２４を、ＬＰＥま
たはＭＯＣＶＤまたはＭＢＥ法で多層成長し、次に、格
子縞状のマスク（レジスト膜など）を通じて選択的に、
トライ、エツチングをＭ２２まで行い、その上に、Ｉ、
ＰＥＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ法によって、層２２、層２３
ｂ１層２４を多層成長し、最後に研摩又はエツチングに
よって、平滑な平面２５を形成することにより得られる
。
この構造で、共振器長３００μｍ１巾６００μｍ（４０
０周期、発光点数４００）の多点発光レー導体レーザの
概略断面図である。図において、３１は平行溝を設けた
ｎ−ＧａＡｓ基板、３２はｎ−Ｇａ１ 、Ａｊ、Ａｓ
クラッド層、３３は波形のＧａ１−、Ａｊｌ、 Ａｓ活
性層、３４はｐ−’Ｇａ１−、ＡＪ、 Ａｓクラッド層
である。活性層３３を除き、構成は前記実施例と同じで
ある。この様な構造は、平行溝を設けた基板３１の上に
、適切な条件で、多層ＬＰＥを行うことにより実現出来
る。
０周期、発光点数４００）の多点発光レー導体レーザの
概略断面図である。図において、３１は平行溝を設けた
ｎ−ＧａＡｓ基板、３２はｎ−Ｇａ１ 、Ａｊ、Ａｓ
クラッド層、３３は波形のＧａ１−、Ａｊｌ、 Ａｓ活
性層、３４はｐ−’Ｇａ１−、ＡＪ、 Ａｓクラッド層
である。活性層３３を除き、構成は前記実施例と同じで
ある。この様な構造は、平行溝を設けた基板３１の上に
、適切な条件で、多層ＬＰＥを行うことにより実現出来
る。
活性層３３の厚さは、溝の中央、及び溝と溝Ｑ〕中間部
で最大００５〜０．２μｍとなり、夫々、し溝の深さが
０．５〜２μｍ１層３２の溝間中央部の厚さが１．５±
０．５μｍに構成する。
で最大００５〜０．２μｍとなり、夫々、し溝の深さが
０．５〜２μｍ１層３２の溝間中央部の厚さが１．５±
０．５μｍに構成する。
共振器長３００μｍｓ 巾６００μｍ（１００周期、発
光点数２００）の多点発光レーザにおける発振特性は、
前記実施例と同じである。
光点数２００）の多点発光レーザにおける発振特性は、
前記実施例と同じである。
以上、。−〇 ａ Ａ ｓ基板を用いた例を記したが１
ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板を用いた場合には、上記の導
電型をすべて反対の構成にすれば良いことは云うまでも
ない。
ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板を用いた場合には、上記の導
電型をすべて反対の構成にすれば良いことは云うまでも
ない。
また、材料系は、ＧａＡｓ −ＧａＡｓ基板系に限られ
ることはなく、例えば、第１図〜第４図におＧ１て、基
板およびクラッド層（ｎｌはＨ−ＩｎＰ、活性層はＩｎ
ＧａＡｓＰ混晶、クラッド層（ｐｉはｐ−ＩｎＰで構成
しても良い。その他、ＧａＡｓ−ＩｎＧａＡｓＰａ系、
Ｇａ５ｂ−ＧａＡＪＡｓＳｂ 系などの材料系で構成す
ることができ、要は、多点発光の安定化と相互光結合を
もたらす構造にある。
ることはなく、例えば、第１図〜第４図におＧ１て、基
板およびクラッド層（ｎｌはＨ−ＩｎＰ、活性層はＩｎ
ＧａＡｓＰ混晶、クラッド層（ｐｉはｐ−ＩｎＰで構成
しても良い。その他、ＧａＡｓ−ＩｎＧａＡｓＰａ系、
Ｇａ５ｂ−ＧａＡＪＡｓＳｂ 系などの材料系で構成す
ることができ、要は、多点発光の安定化と相互光結合を
もたらす構造にある。
本発明によって高品質の大出力半導体レーザを実現でき
る。
る。
第１図〜第４図は本発明の一実施例としての半導体レー
ザの概略断面図である。 １・・・基板、２・・・「ｌ−クラッド層、３・・・活
性層、４・・・ｐ−クラッド層、５および６・・・電極
層。 篤 ） 図 ￥Ｊ ｚ 図
ザの概略断面図である。 １・・・基板、２・・・「ｌ−クラッド層、３・・・活
性層、４・・・ｐ−クラッド層、５および６・・・電極
層。 篤 ） 図 ￥Ｊ ｚ 図
Claims (1)
- 所定の半導体基板上部に活性層とクラッド層を有する光
閉じ込めのための積層領域を、前記半導体基板および前
記積層領域上部に設けられた電極き、レーザ光の進行方
向に沿って設けられた複数のストライプ状導電領域を有
した半導体レーザにおいて、上記活性層は互いに異なる
面上に在って且つ周期的に配されてなることを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1423985A JPS60186082A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1423985A JPS60186082A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186082A true JPS60186082A (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=11855530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1423985A Pending JPS60186082A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239980A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Canon Inc | 半導体レーザ装置 |
| EP0532133A3 (en) * | 1985-12-12 | 1993-03-24 | Xerox Corporation | Laser array |
| FR2770695A1 (fr) * | 1997-11-05 | 1999-05-07 | Thomson Csf | Laser a rubans et procede de fabrication |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1423985A patent/JPS60186082A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0532133A3 (en) * | 1985-12-12 | 1993-03-24 | Xerox Corporation | Laser array |
| JPH01239980A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Canon Inc | 半導体レーザ装置 |
| FR2770695A1 (fr) * | 1997-11-05 | 1999-05-07 | Thomson Csf | Laser a rubans et procede de fabrication |
| WO1999023734A1 (fr) * | 1997-11-05 | 1999-05-14 | Thomson-Csf | Laser a rubans et procede de fabrication |
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