JPS6373685A - 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザアレイおよびその製造方法Info
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- JPS6373685A JPS6373685A JP61220226A JP22022686A JPS6373685A JP S6373685 A JPS6373685 A JP S6373685A JP 61220226 A JP61220226 A JP 61220226A JP 22022686 A JP22022686 A JP 22022686A JP S6373685 A JPS6373685 A JP S6373685A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザアレイおよびその製造方法に
関するものである。
関するものである。
第５図は従来の半導体レーザアレイの構造を示す断面図
であり、この図において、１はｐ形ＧａＡ３からなる基
板、８はｎ電極、９はｐ電極、１３はｎ形ＧａＡｓから
なる電流ブロック層、１４はｐ形Ａ ｌ ６． 、ｓＧ
ｉ＠、ｓｓ、Ａ ｓからなるクラッドｌ−１１５はｐ
形Ａ ｊ ｏ、 ｓｓＧ ａｓ、 １＠Ａ ｓからなる
活性層、１６はｎ形Ａ ｌ ６．４５Ｇ ａ（１，５５
Ａ ３からなるクラッド層、１７はｎ形ＧａＡｓからな
るコンタクト層、１８はレーザ発振状態でのレーザ光ス
ポットを示す。
であり、この図において、１はｐ形ＧａＡ３からなる基
板、８はｎ電極、９はｐ電極、１３はｎ形ＧａＡｓから
なる電流ブロック層、１４はｐ形Ａ ｌ ６． 、ｓＧ
ｉ＠、ｓｓ、Ａ ｓからなるクラッドｌ−１１５はｐ
形Ａ ｊ ｏ、 ｓｓＧ ａｓ、 １＠Ａ ｓからなる
活性層、１６はｎ形Ａ ｌ ６．４５Ｇ ａ（１，５５
Ａ ３からなるクラッド層、１７はｎ形ＧａＡｓからな
るコンタクト層、１８はレーザ発振状態でのレーザ光ス
ポットを示す。
この構造の半導体レーザアレイでは、電流ブロック層１
３が形成されている部分で上下にｐ形のＧａＡｓ基板１
．ｎ形の電流ブロック層１３．ｐ形のクラッド層１４が
構成されており、ｐ−ｎ−ｐの導電型となっているため
電流が阻止される。したがってｌ流は電流ブロック層１
３のストライプ状の溝の部分のみに集中して流れ、その
結果、ストライプ状の溝上の活性Ｊｉ１５の領域でレー
ザ発振が生じる。すなわち、１つの素子中に２本のスト
ライプ状の溝を形成することによって、２点発光の半導
体レーザアレイを製作することができる。
３が形成されている部分で上下にｐ形のＧａＡｓ基板１
．ｎ形の電流ブロック層１３．ｐ形のクラッド層１４が
構成されており、ｐ−ｎ−ｐの導電型となっているため
電流が阻止される。したがってｌ流は電流ブロック層１
３のストライプ状の溝の部分のみに集中して流れ、その
結果、ストライプ状の溝上の活性Ｊｉ１５の領域でレー
ザ発振が生じる。すなわち、１つの素子中に２本のスト
ライプ状の溝を形成することによって、２点発光の半導
体レーザアレイを製作することができる。
−ｍに半導体レーザのレーザ光は、レーザビームの進行
方向に対して垂直な面内で活性層１５に平行な方向に電
界ベクトルをもつＴＥ波に偏光しており、これと垂直な
ＴＭ波成分はほとんど存在しない。したがって、第５図
に示したような活性Ｊ１１５の面が基板１に対して平坦
な半導体レーザで、２点発光のアレイ構造にした場合に
は、それぞれのレーザ光のＴＥ波は全く同一方向に向い
ている。また、この構造では２つのストライプ状の溝の
間も平坦に活性層１５が続いており、レーザ光の導波路
としての機能がある。
方向に対して垂直な面内で活性層１５に平行な方向に電
界ベクトルをもつＴＥ波に偏光しており、これと垂直な
ＴＭ波成分はほとんど存在しない。したがって、第５図
に示したような活性Ｊ１１５の面が基板１に対して平坦
な半導体レーザで、２点発光のアレイ構造にした場合に
は、それぞれのレーザ光のＴＥ波は全く同一方向に向い
ている。また、この構造では２つのストライプ状の溝の
間も平坦に活性層１５が続いており、レーザ光の導波路
としての機能がある。
２つのストライプ状の溝が約１０μｍ以内に隣接してい
ると、２つのレーザ光は、ＴＥ波の方向も一致している
ため、それぞれ独立ではなく光学的に結合し、その結果
、同じ波長で一定の位相関係を保つ、いわゆる位相同期
発振をする。
ると、２つのレーザ光は、ＴＥ波の方向も一致している
ため、それぞれ独立ではなく光学的に結合し、その結果
、同じ波長で一定の位相関係を保つ、いわゆる位相同期
発振をする。
上記のような従来の半導体レーザアレイでは、２つのレ
ーザ光のスポット間の距離を１０μｍ以下に縮めた構成
としたときに、これらのレーザ光を独立に利用すること
が困難であるという問題点があった。
ーザ光のスポット間の距離を１０μｍ以下に縮めた構成
としたときに、これらのレーザ光を独立に利用すること
が困難であるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するなめになされたも
ので、ｗ、数のレーザ光を分離して独立に利用すること
が可能な半導体レーザアレイおよびその製造方法を得る
ことを目的とする。
ので、ｗ、数のレーザ光を分離して独立に利用すること
が可能な半導体レーザアレイおよびその製造方法を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体レーザアレイは、互いに隣接する
半導体レーザのレーザ光を放射する活性層の領域が一定
以上の角度をなし、出力されるレーザ光の進行方向に対
して垂直な面内での電界ベクトルの方向が互いに異なる
ように構成したものである。
半導体レーザのレーザ光を放射する活性層の領域が一定
以上の角度をなし、出力されるレーザ光の進行方向に対
して垂直な面内での電界ベクトルの方向が互いに異なる
ように構成したものである。
また、この発明に係る゛半導体レーザアレイの製造方法
は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１のク
ラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成する
工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド層に
達するようにその側面が互いに一定以上の角度をなし、
かつその底面が側面の和より長いストライプ状の溝を光
導波方向に形成する工程と、第１のクラッド層および電
流ブロック層上にストライプ状の溝に対応した形状で、
第１伝導形の第２のクラッド層、活性Ｂ、第２伝導形の
第３のクラッド層、第２伝導形のコンタクト層を順次形
成する工程とを含むものである。
は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１のク
ラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成する
工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド層に
達するようにその側面が互いに一定以上の角度をなし、
かつその底面が側面の和より長いストライプ状の溝を光
導波方向に形成する工程と、第１のクラッド層および電
流ブロック層上にストライプ状の溝に対応した形状で、
第１伝導形の第２のクラッド層、活性Ｂ、第２伝導形の
第３のクラッド層、第２伝導形のコンタクト層を順次形
成する工程とを含むものである。
さらに、この発明に係る別の半導体レーザアレイの製造
方法は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１
のクラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成
する工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド
層に達するよ・うにその側面が互いに一定以上の角度を
なすストライプ状の溝を光導波方向に形成する工程と、
第１のクラッド層および電流ブロック層上にストライプ
状の溝に対応した形状で、第１伝導形の第２のクラッド
層、活性層、第２伝導形の第３のクラッド層。
方法は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１
のクラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成
する工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド
層に達するよ・うにその側面が互いに一定以上の角度を
なすストライプ状の溝を光導波方向に形成する工程と、
第１のクラッド層および電流ブロック層上にストライプ
状の溝に対応した形状で、第１伝導形の第２のクラッド
層、活性層、第２伝導形の第３のクラッド層。
第２伝導形のコンタクト層を順次形成する工程と、活性
層のストライプ状の溝の底面上に形成された領域を高抵
抗化する工程とを含むものである。
層のストライプ状の溝の底面上に形成された領域を高抵
抗化する工程とを含むものである。
乙の発明の半導体レーザアレイにおいては、隣接する半
導体レーザから出力されるレーザ光の進行方向に対して
垂直な面内での電界ベクトルの方向が異なり、これらの
レーザ光同士が結合しない。
導体レーザから出力されるレーザ光の進行方向に対して
垂直な面内での電界ベクトルの方向が異なり、これらの
レーザ光同士が結合しない。
また、この発明の半導体レーザアレイの製造方法におい
ては、活性層のストライプ状の溝の側面に面する領域に
電流が集中し易くなる。
ては、活性層のストライプ状の溝の側面に面する領域に
電流が集中し易くなる。
さらに、この発明の別の半導体レーザアレイの製造方法
において、活性層のストライプ状の溝の底面上に形成さ
れた領域が高抵抗化され、活性層のストライプ状の溝の
側面に面する領域に電流が集中し易くなる。
において、活性層のストライプ状の溝の底面上に形成さ
れた領域が高抵抗化され、活性層のストライプ状の溝の
側面に面する領域に電流が集中し易くなる。
第１図はこの発明の半導体レーザアレイの一実施例の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
この図において、第５図と同一符号は同一部分を示し、
２はｐ形Ａ ｌ ｏ、 ｓｏＧ ａｏ、 ｓｏＡ ｓか
らなる第１のクラッド層、３はｎ形ＧａＡｇからなる電
流ブロック層、４はｐ形Ａ ｌ ６． ’ｇｏＧａＯ，
、。Ａ ｓからなる第２のクラッド層、５はアンドープ
Ａ１ｇ、１．Ｇａ６、ｇ＠Ａｓからなる活性層、６はｎ
形Ａｊｇ、、。Ｇａ１）、５．）Ａｓからなる第３のク
ラッド層、７はｎ形ＧａＡｓからなるコンタクト層、１
０は前記活性層５の（１１１）面の領域から生じるレー
ザ光のスポット、１１は前記活性層５の（１１１）面の
領域から生じるレーザ光のスポット、Ｌ□はストライプ
状の溝中の（１００）面に面した前記活性Ｈ５の幅、Ｌ
２は（１１１）面に面した前記活性層５の幅を示す。
２はｐ形Ａ ｌ ｏ、 ｓｏＧ ａｏ、 ｓｏＡ ｓか
らなる第１のクラッド層、３はｎ形ＧａＡｇからなる電
流ブロック層、４はｐ形Ａ ｌ ６． ’ｇｏＧａＯ，
、。Ａ ｓからなる第２のクラッド層、５はアンドープ
Ａ１ｇ、１．Ｇａ６、ｇ＠Ａｓからなる活性層、６はｎ
形Ａｊｇ、、。Ｇａ１）、５．）Ａｓからなる第３のク
ラッド層、７はｎ形ＧａＡｓからなるコンタクト層、１
０は前記活性層５の（１１１）面の領域から生じるレー
ザ光のスポット、１１は前記活性層５の（１１１）面の
領域から生じるレーザ光のスポット、Ｌ□はストライプ
状の溝中の（１００）面に面した前記活性Ｈ５の幅、Ｌ
２は（１１１）面に面した前記活性層５の幅を示す。
次に、第１図に示した半導体レーザアレイの製造方法の
一実施例について第２図〜第４図を用いて説明する。
一実施例について第２図〜第４図を用いて説明する。
まず、第２図に示すように、基板１の（１００）面上に
第１のクラッド層２．電流ブロックＭ３ｆ）各層を結晶
成長させる。次に、第３図に示すように、電流ブロック
層３上にレジスｌ−膜１２を形成し、フォ）・リソグラ
フィ技術によりレジスト膜１２をストライプ状に２〜７
μｍ除去する。次に、第４図に示すように、エツチング
により断面が逆台形のストライプ状の溝を形成する。こ
のストライプ状の溝の形成法としては１例えばＡｌｌＸ
Ｇａ１−ＸＡ５（ｘ） ０ 、３５ ）に対するＧａＡ
ｓのエツチング速度比が１０倍以上という選択性を有す
るアンモニア・過酸化水素水の混合溶液をエッチャント
とじて利用することにより容易に電流ブロック層３のみ
を除去できる。このとき、ストライプ状の溝の底面は基
板１の上面と同じ（１００）面、２つの斜面部分はそれ
ぞれ（１１１）面、（ＩＴ〒）面の面方位となっている
。
第１のクラッド層２．電流ブロックＭ３ｆ）各層を結晶
成長させる。次に、第３図に示すように、電流ブロック
層３上にレジスｌ−膜１２を形成し、フォ）・リソグラ
フィ技術によりレジスト膜１２をストライプ状に２〜７
μｍ除去する。次に、第４図に示すように、エツチング
により断面が逆台形のストライプ状の溝を形成する。こ
のストライプ状の溝の形成法としては１例えばＡｌｌＸ
Ｇａ１−ＸＡ５（ｘ） ０ 、３５ ）に対するＧａＡ
ｓのエツチング速度比が１０倍以上という選択性を有す
るアンモニア・過酸化水素水の混合溶液をエッチャント
とじて利用することにより容易に電流ブロック層３のみ
を除去できる。このとき、ストライプ状の溝の底面は基
板１の上面と同じ（１００）面、２つの斜面部分はそれ
ぞれ（１１１）面、（ＩＴ〒）面の面方位となっている
。
次に、レジスト膜１２を除去したのち、第１のクラッド
層２および電流ブロック層３上に第２のクラッド層４．
活性層５．第３のクラッド層６．コンタクト層７を順次
成長させる。このときの成長法としては、例えばＭ Ｏ
−ＣＶ Ｄ （Ｍ ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖ ａｐｏｕｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
を用いることにより、ス）・ライブ状の溝の形状に対応
した形状で各層を成長させる乙とができる。このため、
活性層５はストライプ状の溝の底面では（１００）面に
面し、ストライプ状の溝の斜面部分ではそれぞれ（１１
１）面、（１１１）面に面している。
層２および電流ブロック層３上に第２のクラッド層４．
活性層５．第３のクラッド層６．コンタクト層７を順次
成長させる。このときの成長法としては、例えばＭ Ｏ
−ＣＶ Ｄ （Ｍ ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖ ａｐｏｕｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
を用いることにより、ス）・ライブ状の溝の形状に対応
した形状で各層を成長させる乙とができる。このため、
活性層５はストライプ状の溝の底面では（１００）面に
面し、ストライプ状の溝の斜面部分ではそれぞれ（１１
１）面、（１１１）面に面している。
次に、この発明の半導体レーザアレイの動作について説
明する。
明する。
ｐ電極９に正、ｎ電極８に負の電圧を印加すると、電流
ブロック層３が形成されている部分で上下にｐ形の第１
のクラッド層２．ｎ形の電流ブロック層Ｓｐ ｐ形の第
２のクラッド層４が構成されており、ｐ ！’ Ｐの
導電型となっているため電流が阻止される。この結果、
電流ブロック層３の存在しないストライプ状の溝の部分
のみに電流が集中して流れる。また、活性層５は隣接し
た第２゜第３のクラッド層４，６に比較して禁制帯幅が
小さく、かつ屈折率が大きい。このため、電子とホール
も活性層５に注入された電子とホールの再結合により生
じた光も活性Ｈ５内に閉じ込められる。
ブロック層３が形成されている部分で上下にｐ形の第１
のクラッド層２．ｎ形の電流ブロック層Ｓｐ ｐ形の第
２のクラッド層４が構成されており、ｐ ！’ Ｐの
導電型となっているため電流が阻止される。この結果、
電流ブロック層３の存在しないストライプ状の溝の部分
のみに電流が集中して流れる。また、活性層５は隣接し
た第２゜第３のクラッド層４，６に比較して禁制帯幅が
小さく、かつ屈折率が大きい。このため、電子とホール
も活性層５に注入された電子とホールの再結合により生
じた光も活性Ｈ５内に閉じ込められる。
光は両図開端面によって構成される共振器端面間で往復
しながら増幅される。この光の増幅が活性層５から第２
．第３のクラッド層４，６への反射率が１００％ではな
いため、第２．第３のクラッド層４，６へ透過する分だ
け抜は出てしまうことによる反射による損失と、活性層
５内を伝搬する際に受ける吸収や散乱による損失に打ち
勝てば、レーザ発振が生じるわけである。
しながら増幅される。この光の増幅が活性層５から第２
．第３のクラッド層４，６への反射率が１００％ではな
いため、第２．第３のクラッド層４，６へ透過する分だ
け抜は出てしまうことによる反射による損失と、活性層
５内を伝搬する際に受ける吸収や散乱による損失に打ち
勝てば、レーザ発振が生じるわけである。
活性Ｒ５の面積が小さいほど、レーザ発振が生じる電流
値、すなわちしきい値電流が小さくなる。したがって、
この構造では、活性層５のストライプ状の溝の底面で（
Ｉ Ｑ Ｏ）面に面する領域の幅Ｌ１と活性層５のスト
ライプ状の溝の斜面で（１１１）面および（１１１）面
に面する領域の幅の和２Ｌ、との間にり、（２Ｌ、の関
係がある場合には、活性層５の（１００）面に面する領
域の方が低しきい値電流で発振しうるので、活性層５の
（１１１）面および（１１１）面に面する領域よりも容
易に発振する。逆にり、＞２Ｌ、の関係がある場合には
、活性層５の（１１１）面および（１１１）面に面する
領域の方が活性層５の（１００）面に面する領域よりも
低しきい値Ｔｉ流で発振する。よって活性８５の（１０
０）面に面する領域の幅Ｌ□を充分大きくとれば、容易
に多点発光の半導体レーザアレイが得られる。このとき
、（１１１）面および（１Ｔ丁）面は、例えばＧａＡｓ
の場合約７０°の角度をなしている。半導体レーザのレ
ーザ光はほとんどがＴＥ波成分であり、ＴＥ波はレーザ
光の進行方向に対して垂直な面内で活性層５に平行な方
向に電界ベクトルをもつ。したがって、活性層５の（１
１１）面および（１１１）面に面する領域で生じたレー
ザ光は、互いに他方の領域にわずかしか入らないばかり
か、たとえ入っても偏光面が７０°の角度をなしている
ので、ｃｏｓ７０°の成分しか影響を与えない。いいか
えれば、一方の発光が他方に干渉することなく、レーザ
光の独立を保ち易い。
値、すなわちしきい値電流が小さくなる。したがって、
この構造では、活性層５のストライプ状の溝の底面で（
Ｉ Ｑ Ｏ）面に面する領域の幅Ｌ１と活性層５のスト
ライプ状の溝の斜面で（１１１）面および（１１１）面
に面する領域の幅の和２Ｌ、との間にり、（２Ｌ、の関
係がある場合には、活性層５の（１００）面に面する領
域の方が低しきい値電流で発振しうるので、活性層５の
（１１１）面および（１１１）面に面する領域よりも容
易に発振する。逆にり、＞２Ｌ、の関係がある場合には
、活性層５の（１１１）面および（１１１）面に面する
領域の方が活性層５の（１００）面に面する領域よりも
低しきい値Ｔｉ流で発振する。よって活性８５の（１０
０）面に面する領域の幅Ｌ□を充分大きくとれば、容易
に多点発光の半導体レーザアレイが得られる。このとき
、（１１１）面および（１Ｔ丁）面は、例えばＧａＡｓ
の場合約７０°の角度をなしている。半導体レーザのレ
ーザ光はほとんどがＴＥ波成分であり、ＴＥ波はレーザ
光の進行方向に対して垂直な面内で活性層５に平行な方
向に電界ベクトルをもつ。したがって、活性層５の（１
１１）面および（１１１）面に面する領域で生じたレー
ザ光は、互いに他方の領域にわずかしか入らないばかり
か、たとえ入っても偏光面が７０°の角度をなしている
ので、ｃｏｓ７０°の成分しか影響を与えない。いいか
えれば、一方の発光が他方に干渉することなく、レーザ
光の独立を保ち易い。
したがって、Ｌ、＞２Ｌ、となる範囲内でなら（１１１
）面および（１丁Ｔ）面に面する活性’Ｈ５を接近させ
ても互いに干渉しないレーザ光を生じさせることができ
る。
）面および（１丁Ｔ）面に面する活性’Ｈ５を接近させ
ても互いに干渉しないレーザ光を生じさせることができ
る。
なお、上記実施例に示した構成では、活性Ｈ５の（１０
０）面に面する領域の幅Ｌ１が活性層５の（１１１）面
および（１１１）面に面する領域の幅の和２Ｌ、との間
にＬ ｔ ＜ ２ Ｌ ｚの関係がある場合には、単に
活性層５の（１００）面に面する領域のみがレーザ発光
するが、活性層５の（１００）面に面する領域を、例え
ばプロトンをイオン注入する等の方法で高抵抗化するこ
とによって電流を流れにくくすれば、Ｌ□く２Ｌ２の関
係がある場合でも活性層５の（１１１）面および（１１
１）面に面する領域の方に（１００）面に面する領域よ
りも電流が集中するので、容易に非常に近接した２つの
領域で発光する多点発光の半導体レーザアレイを得られ
る。
０）面に面する領域の幅Ｌ１が活性層５の（１１１）面
および（１１１）面に面する領域の幅の和２Ｌ、との間
にＬ ｔ ＜ ２ Ｌ ｚの関係がある場合には、単に
活性層５の（１００）面に面する領域のみがレーザ発光
するが、活性層５の（１００）面に面する領域を、例え
ばプロトンをイオン注入する等の方法で高抵抗化するこ
とによって電流を流れにくくすれば、Ｌ□く２Ｌ２の関
係がある場合でも活性層５の（１１１）面および（１１
１）面に面する領域の方に（１００）面に面する領域よ
りも電流が集中するので、容易に非常に近接した２つの
領域で発光する多点発光の半導体レーザアレイを得られ
る。
また、上記実施例では、ストライプ状の溝を光導波方向
に形成し、とのストライプ状の溝に対応した形状で第２
のクラッド層、活性層、第３のクラッド層、コンタクト
層を形成する場合について説明したが、ストライプ状の
溝のかわりにストライプ状のうねを形成し、とのストラ
イプ状のうねに対応した形状で各層を成長させても同様
な効果を奏する。
に形成し、とのストライプ状の溝に対応した形状で第２
のクラッド層、活性層、第３のクラッド層、コンタクト
層を形成する場合について説明したが、ストライプ状の
溝のかわりにストライプ状のうねを形成し、とのストラ
イプ状のうねに対応した形状で各層を成長させても同様
な効果を奏する。
この発明の半導体レーザアレイは、以上説明したとおり
、互いに隣接する半導体レーザのレーザ光を放射する活
性層の領域が一定以上の角度をなシ、出力されるレーザ
光の進行方向に対して垂直な面内での電界ベクトルの方
向が互いに異なるように構成したので、微細な距離で近
接したレーザ光スポットが互いに異なった偏波面を持ち
、それぞれのレーザ光を偏光子等により分離することに
より、′ＭＬ数のレーザ光を独立に利用できろという効
果がある。
、互いに隣接する半導体レーザのレーザ光を放射する活
性層の領域が一定以上の角度をなシ、出力されるレーザ
光の進行方向に対して垂直な面内での電界ベクトルの方
向が互いに異なるように構成したので、微細な距離で近
接したレーザ光スポットが互いに異なった偏波面を持ち
、それぞれのレーザ光を偏光子等により分離することに
より、′ＭＬ数のレーザ光を独立に利用できろという効
果がある。
また、この発明の半導体レーザアレイの製造方法は以上
説明したとおり、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導
形の第１のクラッド層、第２伝導形のＴｉ流ザブロック
層順次形成する工程と、電流ブロック層の表面から第１
のクラッド層に達するようにその側面が互いに一定以上
の角度をなし、。
説明したとおり、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導
形の第１のクラッド層、第２伝導形のＴｉ流ザブロック
層順次形成する工程と、電流ブロック層の表面から第１
のクラッド層に達するようにその側面が互いに一定以上
の角度をなし、。
かつその底面が側面の和より長いストライプ状の溝を光
導波方向に形成する工程と、第１のクラッド層および電
流ブロック層上にストライプ状の溝に対応した形状で、
第１伝導形の第２のクラッド層２活性層、第２伝導形の
第３のクラッド層、第２伝導形のコンタクト層を順次形
成する工程とを含むので、異なった偏波面のレーザ光を
放射する半導体レーザアレイを容易に得られるという効
果がある。
導波方向に形成する工程と、第１のクラッド層および電
流ブロック層上にストライプ状の溝に対応した形状で、
第１伝導形の第２のクラッド層２活性層、第２伝導形の
第３のクラッド層、第２伝導形のコンタクト層を順次形
成する工程とを含むので、異なった偏波面のレーザ光を
放射する半導体レーザアレイを容易に得られるという効
果がある。
サラに、この発明の別の半導体レーザアレイの製造方法
は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１のク
ラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成する
工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド層に
達するようにその側面が互いに一定以上の角度をなすス
トライプ状の溝を光導波方向に形成する工程と、第１の
クラッド層および電流ブロック層上にストライプ状の溝
に対応した形状で、第１伝導形の第２のクラッド層、活
性層、第２伝導形の第３のクラッド層、第２伝導形のコ
ンタクト層を順次形成する工程と、活性層のストライプ
状の溝の底面上に形成された領域を高抵抗化する工程と
を含むので、異なった偏波面のレーザ光を放射する半導
体レーザアレイを容易に得られるという効果がある。
は、第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１のク
ラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成する
工程と、電流ブロック層の表面から第１のクラッド層に
達するようにその側面が互いに一定以上の角度をなすス
トライプ状の溝を光導波方向に形成する工程と、第１の
クラッド層および電流ブロック層上にストライプ状の溝
に対応した形状で、第１伝導形の第２のクラッド層、活
性層、第２伝導形の第３のクラッド層、第２伝導形のコ
ンタクト層を順次形成する工程と、活性層のストライプ
状の溝の底面上に形成された領域を高抵抗化する工程と
を含むので、異なった偏波面のレーザ光を放射する半導
体レーザアレイを容易に得られるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザアレイの一実施例の構
造を示す断面図、第２図〜第４図はこの発明の半導体レ
ーザアレイの製造方法の一実施例を説明するための断面
図、第５図は従来の半導体レーザアレイの構造を示す断
面図である。 図において、１は基板、２は第１のクラッド層、３は電
流ブロック層、４は第２のクラッド層、５は活性層、６
は第３のクラッド層、７はコンタクト層、８はｎ電極、
９はｐ電極、１２はレジスト膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
造を示す断面図、第２図〜第４図はこの発明の半導体レ
ーザアレイの製造方法の一実施例を説明するための断面
図、第５図は従来の半導体レーザアレイの構造を示す断
面図である。 図において、１は基板、２は第１のクラッド層、３は電
流ブロック層、４は第２のクラッド層、５は活性層、６
は第３のクラッド層、７はコンタクト層、８はｎ電極、
９はｐ電極、１２はレジスト膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図
Claims (5)
- （１）同一チップ内に複数の半導体レーザを設けた半導
体レーザアレイにおいて、互いに隣接する前記半導体レ
ーザのレーザ光を放射する活性層の領域が一定以上の角
度をなし、出力されるレーザ光の進行方向に対して垂直
な面内での電界ベクトルの方向が互いに異なるように構
成したことを特徴とする半導体レーザアレイ。 - （２）第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１の
クラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成す
る工程と、前記電流ブロック層の表面から前記第１のク
ラッド層に達するようにその側面が互いに一定以上の角
度をなし、かつその底面が前記側面の和より長いストラ
イプ状の溝を光導波方向に形成する工程と、前記第１の
クラッド層および前記電流ブロック層上に前記ストライ
プ状の溝に対応した形状で、第１伝導形の第２のクラッ
ド層、活性層、第２伝導形の第３のクラッド層、第２伝
導形のコンタクト層を順次形成する工程とを含むことを
特徴とする半導体レーザアレイの製造方法。 - （３）成長が行われる半導体基板が（１００）面方位基
板、ストライプ状の溝の側面がそれぞれ（１１１）面、
（１＠１＠＠１＠）面であることを特徴とする特許請求
の範囲第（２）項記載の半導体レーザアレイの製造方法
。 - （４）半導体基板がＧａＡｓ、第１のクラッド層がＡｌ
＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ、第２のクラッド層がＡｌ＿
ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ、第３のクラッド層がＡｌ＿ｙ
Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｓ、活性層がＡｌαＧａ＿１＿−＿
αＡｓで構成され、ａ＜ｘ、ｙ、ｚであることを特徴と
する特許請求の範囲第（２）項記載の半導体レーザアレ
イの製造方法。 - （５）第１伝導形の半導体基板上に第１伝導形の第１の
クラッド層、第２伝導形の電流ブロック層を順次形成す
る工程と、前記電流ブロック層の表面から前記第１のク
ラッド層に達するようにその側面が互いに一定以上の角
度をなすストライプ状の溝を光導波方向に形成する工程
と、前記第１のクラッド層および前記電流ブロック層上
に前記ストライプ状の溝に対応した形状で、第１伝導形
の第２のクラッド層、活性層、第２伝導形の第３のクラ
ッド層、第２伝導形のコンタクト層を順次形成する工程
と、前記活性層の前記ストライプ状の溝の底面上に形成
された領域を高抵抗化する工程とを含むことを特徴とす
る半導体レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220226A JPS6373685A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
| US07/097,736 US4833510A (en) | 1986-09-17 | 1987-09-17 | Semiconductor laser array with independently usable laser light emission regions formed in a single active layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220226A JPS6373685A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373685A true JPS6373685A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16747858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220226A Pending JPS6373685A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4833510A (ja) |
| JP (1) | JPS6373685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155675A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
| KR100351055B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2002-09-05 | 삼성전자 주식회사 | 채널 이온 주입용 마스크 패턴을 이용한 반도체 메모리소자의 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232079A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Toshiba Electronic Engineering Corp | リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法 |
| JP5522977B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-06-18 | 三菱電機株式会社 | 多波長半導体レーザ装置 |
| EP3046649B1 (en) | 2013-09-16 | 2018-08-22 | Michael W. Seitz | Modular cleaner for airborne dust with detachable bin |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066888A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6118189A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3996492A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Two-dimensional integrated injection laser array |
| US4326176A (en) * | 1976-04-16 | 1982-04-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPS58132986A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60192380A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS637691A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61220226A patent/JPS6373685A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-17 US US07/097,736 patent/US4833510A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066888A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS6118189A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155675A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
| KR100351055B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2002-09-05 | 삼성전자 주식회사 | 채널 이온 주입용 마스크 패턴을 이용한 반도체 메모리소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4833510A (en) | 1989-05-23 |
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