JPS60186416A - 低抵抗ＳｎＯ↓２ド−プＩｎ↓２Ｏ↓３粉末の製造法 - Google Patents

低抵抗ＳｎＯ↓２ド−プＩｎ↓２Ｏ↓３粉末の製造法

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JPS60186416A
JPS60186416A JP3849184A JP3849184A JPS60186416A JP S60186416 A JPS60186416 A JP S60186416A JP 3849184 A JP3849184 A JP 3849184A JP 3849184 A JP3849184 A JP 3849184A JP S60186416 A JPS60186416 A JP S60186416A
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JP
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electrical resistance
powder
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oxalic acid
chloride
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Kiyoyoshi Watanabe
渡辺　精悦
Kenji Yajima
健児 矢島
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Mitsubishi Metal Corp
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Mitsubishi Metal Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は導電性を有する微粉末の製造法に関する。導電
性を有する微粉末は静電複写紙、通電感熱複写紙等の抵
抗層形成用に広く使用されている（特開昭５６−４１６
０３）。微粉末にすることによって透明性を賦与された
導電性粉末は透明導電膜の形成（特開昭５６−１５６６
０３）や帯電防止樹脂製造のための導電性フィラーとし
て、またフレクシプルエレクトロルミネッセンス表示材
料として使用されている。
導電性粉末としては、Ａｇ、Ｎｉ　、Ｃｕ等の金属の微
粉末、カーボンブラック、導電性ＺｎＯ１ｓｂドープ５
ｎ０２．ＳｂドープＳｎ　０２被覆Ｔｉ　０２等が知ら
れているが、Ａｇは高価であり、Ｎｉ　、Ｃｕは酸化さ
れ易く、カーボンブラックは黒色であり、かつ分散性が
悪く、導電性ＺｎＯは粒径が大で耐湿性に欠け、ｓｂを
使用した粉末はｓｂの毒性の問題がある。透明ないし白
色に近い色を呈する満足な導電性粉末は未だ知られてい
ない。また、一般に導電性を目的とする粉末の製造法は
余り知られていない。
ＩＴＯ膜として知られているように、Ｓｎ　０２ド一プ
Ｉｎ２０３Ｍ膜は導電性を呈することが知られている。
従ってその粉末も導電性であることが予想される。本発
明者らの知見によると、Ｓｎ　０２　ドープＩｎ２Ｏ３
の製造法において、塩化スズと塩化インジウムの混合水
溶液にアルカリを加え、生成した水酸化物を焼成する方
法では、′焼成温度が８００　’Ｏ以下では微細な粉末
は得られるものの、恐ら＜ＳｎとＩｎが均一に混合して
いないためと思われるが、５００Ω・ａｍ（５０ｋｇ／
Ｃｍ２の圧力で圧粉体としたものの抵抗、以下抵抗値は
すべてこの状態で測定したものである）以上の高抵抗と
なり、８００℃を越える温度で焼成すると１００Ω・ｃ
ｍ以下になるが、粒子の焼結が生じ微粉末が得られない
。
塩化第二スズと塩化インジウムの混合水溶液にシュウ酸
を加え、得られるシュウ酸塩を熱分解する方法でも高抵
抗（ｉｏｏΩ・８１以上）の粉末しか得られない。
本発明者らは、上記シュウ酸法において、スズ塩として
塩化第一スズを使用すると、低抵抗の粉末が得られるこ
とを見出した。
即ち、水に可溶なインジウム塩（塩化物、硫酸塩、等）
と水に可溶な第一スズ塩（塩化物、硫酸塩９等）を所定
量の水に溶解し、シュウ酸水溶液を加え、ｐＨをＯ〜２
に調整して、シュウ酸スズ／インジウムを共沈させる。
得られた共沈澱を洗浄、乾燥後、４００〜８００℃の温
度で焼成することによって、低抵抗（１００Ω”ｃｍ以
下）のＳｎ　０２　ドープＩｎ２Ｏ３粉末を得ることが
できる。
生成物におけるスズ含有量は０．１〜２０％、好ましく
は、１〜１５％である。０．１％未満であると、抵抗が
１００Ω５ｅｆｆ１以上にあり、２０％を超えても有意
の抵抗変化はない。
生成物におけるこのようなスズ含有量を達成するために
は出発溶液において、塩化第一スズとインジウム塩が化
学量論的に相当する関係になければならないことは勿論
である。
沈ど生成時にＰＨがＯ以下では沈澱が得られず、２を超
えると沈澱の濾過性が非常に悪くなる。
焼成温度は４００℃未満であると、シュウ酸の分解が不
充分となり、８００℃を越えると、焼結が始まる。
次に実施例により本発明を具体的に説明する。
塩化インジウムの１２５　ｇ／ｌ濃度の溶液に、塩化第
−スズ４４．２ｇを溶解し、常温でこの混合溶液にシュ
ウ酸の１７０　ｇ／ｌ濃度の溶液３文を加えて反応させ
、直後にアンモニアを加えてｐＨを１に調整した。なお
反応を継続させ、始めから２０分経過した時点で生成沈
澱を炉別し、十分に洗浄した。
得られた結晶を空気気流中で焙焼した。
３００℃まで１時間かけ、以後 ４５０℃まで０．５時間かけて昇温し、５５０℃で５時
間加熱した。
得られた粉末は酸に溶解し、吸光光度法で分析して、Ｓ
ｎ含有量１０．５％であり、 比表面積　２０〜２５ｍ２／ｇ 比抵抗　３〜１０×ｌＯ０Ω１１ＣＩ１１であった。
特許出願人　三菱金属株式会社 代理人　弁理士　松井政広

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、低抵抗５ｎ０２　ドープＩｎ２Ｏ３の製法であって
    、インジウム塩と塩化第一スズを、生成物においてＳｎ
    含有量が０．１〜２０％になるような割合で含む水溶液
    に、シュウ酸を加え、さらにアンモニアを加えてｐＨを
    ０〜２に調整し、生成する沈澱を炉別し、洗浄し、乾燥
    し、酸化性雰囲気中で４００〜８００℃で焼結すること
    からなる方法。
JP3849184A 1984-03-02 1984-03-02 低抵抗ＳｎＯ↓２ド−プＩｎ↓２Ｏ↓３粉末の製造法 Granted JPS60186416A (ja)

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JPH0563412B2 (ja) 1993-09-10

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