JPS621573B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS621573B2 JPS621573B2 JP15407983A JP15407983A JPS621573B2 JP S621573 B2 JPS621573 B2 JP S621573B2 JP 15407983 A JP15407983 A JP 15407983A JP 15407983 A JP15407983 A JP 15407983A JP S621573 B2 JPS621573 B2 JP S621573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- electrical resistance
- tin oxide
- firing
- low electrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低電気抵抗酸化スズ微粉末の製法に関
する。
する。
酸化スズ粉末は触媒、ガスセンサー、導電柱粉
体として用いられている。触媒としては、オレフ
インのアリル型酸化用触媒、たとえばプロペンか
らアクロレイン、ｎ−ブテンからブタジエン、イ
ソペンテンからイソプレン合成の触媒として用い
られている。
体として用いられている。触媒としては、オレフ
インのアリル型酸化用触媒、たとえばプロペンか
らアクロレイン、ｎ−ブテンからブタジエン、イ
ソペンテンからイソプレン合成の触媒として用い
られている。
ガスセンサーとしては、可燃性ガス、たとえば
都市ガス、プロパンガス、水素ガス等を吸着した
時、電気抵抗が変化することが利用されている。
導電性粉体としては、SbをドープしたSnO2が低
電気抵抗となることが知られているが、Sbの毒
性の問題がありSbを含まないものが望まれてい
る。Sbを含まないものは抵抗は高くなるが、帯
電防止としては使用でき、色も白色に近いものと
なるので、紙、樹脂、繊維の帯電防止として使用
出来る。また可視光の波長（0.4〜0.8μｍ）以下
の粒子にすることにより透明性が出てくるため、
塗料中に混入し、帯電防止塗料とすることもでき
る。この塗料を塗布した塗膜は透明帯電防止フイ
ルムになるばかりでなく、帯電圧を制御するため
の感光機用塗膜ともなる。いずれの場合も、粉末
が微細であることが望ましい。すなわち、触媒、
ならびにセンサーにおいても粉末の表面を利用す
ることから、微細な程活性が高く、また、粉末が
微細になる程透明性も向上する。更に粉末の分散
性も高いことが望まれている。
都市ガス、プロパンガス、水素ガス等を吸着した
時、電気抵抗が変化することが利用されている。
導電性粉体としては、SbをドープしたSnO2が低
電気抵抗となることが知られているが、Sbの毒
性の問題がありSbを含まないものが望まれてい
る。Sbを含まないものは抵抗は高くなるが、帯
電防止としては使用でき、色も白色に近いものと
なるので、紙、樹脂、繊維の帯電防止として使用
出来る。また可視光の波長（0.4〜0.8μｍ）以下
の粒子にすることにより透明性が出てくるため、
塗料中に混入し、帯電防止塗料とすることもでき
る。この塗料を塗布した塗膜は透明帯電防止フイ
ルムになるばかりでなく、帯電圧を制御するため
の感光機用塗膜ともなる。いずれの場合も、粉末
が微細であることが望ましい。すなわち、触媒、
ならびにセンサーにおいても粉末の表面を利用す
ることから、微細な程活性が高く、また、粉末が
微細になる程透明性も向上する。更に粉末の分散
性も高いことが望まれている。
酸化スズ粉末の製造法としては以下の方法が知
られている。
られている。
(1) 金属スズを空気中で高温加熱酸化する。
(2) スズを濃硝酸で処理して得た白色沈澱を高温
で焼成する。
で焼成する。
(3) ４価のスズ塩の水溶液をアルカリで中和して
白色沈澱を得、これを高温で焼成する。
白色沈澱を得、これを高温で焼成する。
(1)、(2)の方法ではせいぜい比表面積が10m2／ｇ
以下の粉末しか得られず、(3)の方法でも焼成時に
焼結が起り易く、比表面積としては50m2／ｇまで
可能であるが、分散性が悪く透明性を出す目的に
は望ましくない。
以下の粉末しか得られず、(3)の方法でも焼成時に
焼結が起り易く、比表面積としては50m2／ｇまで
可能であるが、分散性が悪く透明性を出す目的に
は望ましくない。
本発明者等は先に(3)の方法を特定の条件で実施
するとき極めて微細な酸化スズ粉末が得られるこ
とを見出した（特願昭58−52439）。
するとき極めて微細な酸化スズ粉末が得られるこ
とを見出した（特願昭58−52439）。
該方法では、65℃以上に保つたアルカリ水溶液
中に、塩化スズ（）水溶液を加え、最終的にPH
を５以下にする。アルカリ水中に塩化スズを加え
ていつた場合、初期のPHは当然14に近く、PHが10
になるまで塩化スズ水溶液を加えていつても沈澱
が折出しない。PHが10以下で急激に沈澱が析出す
る。すなわちPHが10以上で溶解していた塩化スズ
がPHが下がることにより、一気に水酸化スズとし
て析出し、微細な生成物となる。さらに塩化スズ
を加えて最終的にPHを５〜１に保つことにより分
散性が高まる。このようにして生成した沈澱は、
その後の粉末の焼成処理において、焼結すること
が少なくなり、粉末の粒子を細かいまま保つてお
くことができる。この範囲外で反応を終了させる
と焼成時に粉末が焼結しやすくなる。以上のこと
により、粉末の粒子は50m2／ｇ以上の微細なもの
でしかも分散性の良いものが得られる。これに対
し、塩化スズ水溶液をアルカリで中和していく方
法であると、アルカリを添加した時点から沈澱が
生成し始め、反応が進むにしたがい粒子が成長を
起し、微細な粉末が得られない。
中に、塩化スズ（）水溶液を加え、最終的にPH
を５以下にする。アルカリ水中に塩化スズを加え
ていつた場合、初期のPHは当然14に近く、PHが10
になるまで塩化スズ水溶液を加えていつても沈澱
が折出しない。PHが10以下で急激に沈澱が析出す
る。すなわちPHが10以上で溶解していた塩化スズ
がPHが下がることにより、一気に水酸化スズとし
て析出し、微細な生成物となる。さらに塩化スズ
を加えて最終的にPHを５〜１に保つことにより分
散性が高まる。このようにして生成した沈澱は、
その後の粉末の焼成処理において、焼結すること
が少なくなり、粉末の粒子を細かいまま保つてお
くことができる。この範囲外で反応を終了させる
と焼成時に粉末が焼結しやすくなる。以上のこと
により、粉末の粒子は50m2／ｇ以上の微細なもの
でしかも分散性の良いものが得られる。これに対
し、塩化スズ水溶液をアルカリで中和していく方
法であると、アルカリを添加した時点から沈澱が
生成し始め、反応が進むにしたがい粒子が成長を
起し、微細な粉末が得られない。
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、
アンモニア、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムを
水に溶解した溶液を使用できる。塩化スズ溶液は
４価の塩化スズを水に溶かしたもの、または塩酸
水溶液に溶かしたもの、またはアルコールに溶か
した溶液を用いることができる。
アンモニア、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムを
水に溶解した溶液を使用できる。塩化スズ溶液は
４価の塩化スズを水に溶かしたもの、または塩酸
水溶液に溶かしたもの、またはアルコールに溶か
した溶液を用いることができる。
アルカリ水溶液中に注入する塩化スズ溶液はそ
の濃度に特に限定はないが、好ましい濃度10〜60
％である。注入速度にも特に限定はない。沈澱析
出温度は約65℃が臨界値である。これより低いと
焼成時に粒子が焼結を起しやすい。生成した沈澱
を洗浄後乾燥を行ないさらに焼成をすることによ
り、二酸化スズ粉末とすることができるが、焼成
温度が350℃以下では結晶の発達が悪く非晶質で
あり、700℃以上にすると焼結が起る。このため
焼成温度を350℃〜700℃としたが、粉末の低抗と
粒度との関連上、望ましくは400℃〜600℃であ
る。
の濃度に特に限定はないが、好ましい濃度10〜60
％である。注入速度にも特に限定はない。沈澱析
出温度は約65℃が臨界値である。これより低いと
焼成時に粒子が焼結を起しやすい。生成した沈澱
を洗浄後乾燥を行ないさらに焼成をすることによ
り、二酸化スズ粉末とすることができるが、焼成
温度が350℃以下では結晶の発達が悪く非晶質で
あり、700℃以上にすると焼結が起る。このため
焼成温度を350℃〜700℃としたが、粉末の低抗と
粒度との関連上、望ましくは400℃〜600℃であ
る。
本発明の方法は、このようにして得られた酸化
スズ粉末をさらにH2のような還元性雰囲気、
He、N2、Arのような不活性雰囲気中において、
100゜〜700℃で焼成するもので、それによつて、
100Kg／cm2に加圧した圧粉体の形で測定した電気
抵抗が101〜105Ω・cmの低電気抵抗酸化スズ粉末
が得られる。これに対して上に記した特願昭58−
52439号の製品の同様にして測定した電気抵抗は
106Ω・cmのオーダー以上である。
スズ粉末をさらにH2のような還元性雰囲気、
He、N2、Arのような不活性雰囲気中において、
100゜〜700℃で焼成するもので、それによつて、
100Kg／cm2に加圧した圧粉体の形で測定した電気
抵抗が101〜105Ω・cmの低電気抵抗酸化スズ粉末
が得られる。これに対して上に記した特願昭58−
52439号の製品の同様にして測定した電気抵抗は
106Ω・cmのオーダー以上である。
還元性雰囲気または不活性雰囲気中での焼成に
より、SnO2の極く一部が金属スズに還元されて
SnをドープしたSnO2、SnO2-xとでも記すべき状
態になつていると考えられるが、未だ確認されて
いない。不活性雰囲気中で加熱してもSnO2の酸
素が除去されて還元が起る。
より、SnO2の極く一部が金属スズに還元されて
SnをドープしたSnO2、SnO2-xとでも記すべき状
態になつていると考えられるが、未だ確認されて
いない。不活性雰囲気中で加熱してもSnO2の酸
素が除去されて還元が起る。
不活性または還元性雰囲気中における焼成温度
は100℃未満では、SnO2の還元が起こらず、700
℃を越えると、還元が進み過ぎて空気に触れると
急激な酸化が起こり発火し、また焼結が起こる。
は100℃未満では、SnO2の還元が起こらず、700
℃を越えると、還元が進み過ぎて空気に触れると
急激な酸化が起こり発火し、また焼結が起こる。
本発明方法によつて得られる低電気抵抗酸化ス
ズ微粉末は、その電気低抗値が低く、その抵抗値
は安定しており、粉末は極めて微細で、良好な分
散性を示す。
ズ微粉末は、その電気低抗値が低く、その抵抗値
は安定しており、粉末は極めて微細で、良好な分
散性を示す。
以下本発明の実施例を示す。なお実施例の記載
において粉末の微細性、分散性の目安としては、
比表面積または粉末をPH＝10の水溶液中で分散
後、0.3μｍ以下の粒子が何％あるかで示した。
において粉末の微細性、分散性の目安としては、
比表面積または粉末をPH＝10の水溶液中で分散
後、0.3μｍ以下の粒子が何％あるかで示した。
実施例 １
水10に水酸化ナトリウムを335ｇ加え80℃に
加熱した。これに、塩化第二スズを水に60％溶解
した原料500ｇに、塩酸と水１：１の溶液を610ml
加えたものを定量ポンプで滴下させ反応を行ない
最終PHを２とした。出来た沈澱を水で洗浄後乾燥
し、空気中500℃で焼成した。この粉末をアトマ
イザーで粉砕後柴田化学器機工業(株)製SA−1000
型で表面積を測定したところ73.4m2／ｇであつ
た。この粉末を100Kg／cm2に加圧して比抵抗を測
定した結果２×106Ω・cmであつた。
加熱した。これに、塩化第二スズを水に60％溶解
した原料500ｇに、塩酸と水１：１の溶液を610ml
加えたものを定量ポンプで滴下させ反応を行ない
最終PHを２とした。出来た沈澱を水で洗浄後乾燥
し、空気中500℃で焼成した。この粉末をアトマ
イザーで粉砕後柴田化学器機工業(株)製SA−1000
型で表面積を測定したところ73.4m2／ｇであつ
た。この粉末を100Kg／cm2に加圧して比抵抗を測
定した結果２×106Ω・cmであつた。
この粉末を雰囲気炉を用い窒素置換後水素を１
／分で流し、200℃で１時間処理した。この粉
末を上記と同じ条件で測定したところ4.6×102
Ω・cmであつた。
／分で流し、200℃で１時間処理した。この粉
末を上記と同じ条件で測定したところ4.6×102
Ω・cmであつた。
同様の手法で400℃中で処理した粉末は76Ω・
cmであつた。
cmであつた。
実施例 ２
実施例１の第１段階で生成した乾燥沈澱を雰囲
気炉で大気中400℃で１時間焼成後真空にしさら
に１時間焼成した。この粉末の比抵抗は3.2×105
Ω・cmであつた。この粉末を110℃の乾燥機中に
18時間放置後直ちに粉末比抵抗を測定したところ
3.6×105Ω・cmであつた。同様の操作で空気中で
焼成した粉末は1.7×107Ω・cmであつた。
気炉で大気中400℃で１時間焼成後真空にしさら
に１時間焼成した。この粉末の比抵抗は3.2×105
Ω・cmであつた。この粉末を110℃の乾燥機中に
18時間放置後直ちに粉末比抵抗を測定したところ
3.6×105Ω・cmであつた。同様の操作で空気中で
焼成した粉末は1.7×107Ω・cmであつた。
実施例 ３
実施例１で生成した乾燥沈澱粉末を雰囲気炉で
大気中500℃２時間焼成後400℃にし、アルゴンガ
ス置換後、窒素と水素各１／分流し１時間処理
した。この粉末の比抵抗は５×103Ω・cmであつ
た。この粉末５ｇに水40ml加え、カセイソーダで
PH＝10としボールミルで17時間分散後、遠心沈降
法で0.3μｍ以下の含有率を測定したところ67％
であつた。
大気中500℃２時間焼成後400℃にし、アルゴンガ
ス置換後、窒素と水素各１／分流し１時間処理
した。この粉末の比抵抗は５×103Ω・cmであつ
た。この粉末５ｇに水40ml加え、カセイソーダで
PH＝10としボールミルで17時間分散後、遠心沈降
法で0.3μｍ以下の含有率を測定したところ67％
であつた。
実施例 ４
実施例１の空気中で焼成する段階で得られた比
抵抗が２×106Ω・cmの低電気抵抗酸化スズ微粉
末を直径10cmの流動床で窒素を１／分流しなが
ら400℃で１時間焼成した。この粉末の比抵抗は
6.3×103Ω・cmであつた。
抵抗が２×106Ω・cmの低電気抵抗酸化スズ微粉
末を直径10cmの流動床で窒素を１／分流しなが
ら400℃で１時間焼成した。この粉末の比抵抗は
6.3×103Ω・cmであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ PH10以上のアルカリ水溶液を65℃以上に保ち
ながら、この溶液中に塩化スズ溶液を加えて沈澱
を生成させ、最終的にPHを５〜１に保つことによ
つて微細な沈澱を得、これを洗浄乾燥後空気中で
350℃〜700℃で焼成後、還元雰囲気または不活性
雰囲気中で100℃〜700℃で焼成することからなる
低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の低電気抵抗酸
化スズの製造方法であつて、最後の焼成を、
H2、He、N2、Arのいずれか、またはそれらの組
合せ中で行なう方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載の低電気抵抗酸
化スズの製造方法であつて、最後の焼成を、真空
中で行なう方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15407983A JPS6046924A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15407983A JPS6046924A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046924A JPS6046924A (ja) | 1985-03-14 |
| JPS621573B2 true JPS621573B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15576429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15407983A Granted JPS6046924A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046924A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4701480B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2011-06-15 | 住友化学株式会社 | 酸化錫粉末および酸化錫粉末の製造方法 |
| US7799312B2 (en) | 2002-03-22 | 2010-09-21 | Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. | Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor |
| JP2010195657A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Mitsubishi Materials Corp | 超粒子酸化錫粉末の製造方法 |
| US20120177565A1 (en) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | Southern Taiwan University | Method for making a conductive tin dioxide powder |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15407983A patent/JPS6046924A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6046924A (ja) | 1985-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2221825C (en) | Spheroidally agglomerated basic cobalt (ii) carbonate and spheroidally agglomerated cobalt (ii) hydroxide, process for their production and their use | |
| KR100444142B1 (ko) | Ito 미분말 및 그의 제조방법 | |
| JP2707325B2 (ja) | 白色導電性酸化亜鉛の製造方法 | |
| JPS621574B2 (ja) | ||
| KR970074657A (ko) | 산화 인듐- 산화 주석 분말 및 이의 제조방법 | |
| US4812302A (en) | Process for preparing high purity Mn3 O4 | |
| JPH0232213B2 (ja) | Teidenkiteikosankasuzubifunmatsunoseizoho | |
| JP2001058822A (ja) | スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法 | |
| JPS621573B2 (ja) | ||
| KR100236115B1 (ko) | 이산화루테늄 분말의 제조 방법 | |
| KR101305903B1 (ko) | 산화 주석 분말 및 그 제조 방법 | |
| JPS6065724A (ja) | 酸化錫系微粉体の合成方法 | |
| JP2963296B2 (ja) | 導電性微粉末の製造方法 | |
| JPS621572B2 (ja) | ||
| JP3838615B2 (ja) | スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法 | |
| KR100455280B1 (ko) | 인듐 틴 옥사이드(ｉｔｏ)의 제조방법 | |
| JPH0114174B2 (ja) | ||
| JP3250338B2 (ja) | 酸化アンチモン含有酸化錫白色微粉末の製造方法 | |
| JPS60186416A (ja) | 低抵抗ＳｎＯ↓２ド−プＩｎ↓２Ｏ↓３粉末の製造法 | |
| JPS63266003A (ja) | フレ−ク状白金粉末及びその製造方法 | |
| JPH06183733A (ja) | 導電性白色粉末とその製造方法 | |
| JP2844012B2 (ja) | 導電性微粉末およびその製造方法 | |
| JP2000119023A (ja) | 酸化ビスマス（ｉｉｉ ）の製造方法 | |
| JPH06234522A (ja) | 導電性材料およびその製造方法 | |
| JPS61286221A (ja) | 白色導電性粉末の製造方法 |