JPS60186467A - 炭化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents

炭化珪素質焼結体の製造方法

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JPS60186467A
JPS60186467A JP59039964A JP3996484A JPS60186467A JP S60186467 A JPS60186467 A JP S60186467A JP 59039964 A JP59039964 A JP 59039964A JP 3996484 A JP3996484 A JP 3996484A JP S60186467 A JPS60186467 A JP S60186467A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度でかつ耐酸化性及び電気特性が優れた
高品位の炭化珪素質焼結体およびその製造方法に関する
炭化珪素質焼結体は、極めて優れた化学的およヒ物理的
性質を有しているので、特にガスタービン部品、高温熱
交換器のような苛酷な条件下で使用される高温構造物の
如き用途に対して好適な材料である。
従来炭化珪素質焼結体は、反応焼結法あるいは加圧焼結
法によって焼結体とされている。曲者す々わち反応焼結
法による焼結体はその製法上必ず遊離の珪素を含有する
ため1400°C以上の高温域で使用することが極めて
困難である欠点を有し、一方後者の加圧焼結法は複雑な
形状の焼結体を得ることが極めて困難である欠点を有し
ていた。
ところで、炭化珪素は難焼結性の材料であるため、酸化
物セラミックスの製造で一般的に行なわれている無加圧
焼結法すなわち常温で成形し、常圧下で焼結する方法は
これまで困難とされていた。
しかしながら、最近になって炭化珪素、ホウ素含有添加
剤および炭素質添加剤から成る混合粉末を形成し、不活
性雰囲気中で焼結する常圧焼結方法が種々報告されてい
る。
例えば、特開昭50−78609号公報記載の発明によ
れば炭化珪素をホウ素含有添加剤(0,3〜3.0重量
%B)および炭素含有添加剤(0,1〜1、ON量%C
)と混合成形し7、次にこの成形体を不活性雰囲気中で
1900〜2100°Cの温度において無加圧焼結し、
少なくとも理論密度の85%を有する炭化珪素。
特開昭516716号公報記載の発明は前記特開昭50
−78609号公報記載の発明の改良に係り、原料とし
てβ型炭化珪素に対して0.05〜5重量%のα型炭化
珪素を使用することによって焼結温度範囲fより拡大し
ても結晶粒の粗大化を抑制することができる点ならびに
製造される焼結体は実質上0°C以下から2300°C
以上の温度範囲において、形状および機械的性質が変わ
らない特性を有する点において、その特徴が開示されて
いる。
しかしながら、これらの焼結方法はいずれもホウ素の添
加量が0.3重量%以上であり、均質で高密度の焼結体
を得ることができるが、最終生成物中のホウ素含有量が
多く、微細な結晶粒よりなる焼結体を得ることが困難で
あり、しかも得られる焼結体はホウ素の添加量が比較的
多いため、耐酸化性や電気的特性が低下し易い欠点を有
していた。
本発明は、前記従来の発明では焼結助剤としてのホウ素
の添加量が比較的多いため炭化珪素質焼結体の耐酸化性
や電気的特性が低下し易い欠点を除去、改善することを
目的とし、ホウ素添加量を極力減少させるべく柿々研究
を行なった結果、窒素含有産の少ない炭化珪素粉末を使
用し、ホウ素添加量を出発原料中に固溶されている窒素
量よりもモル比で上まわる斌とすることにより、重斌の
ホウ素添加量でもって高密度でかつ高品位の炭化珪素質
焼結体を製造することができること全知見するに至り、
ホウ素含有添加物の腫を極力微少にして耐酸化性や電気
的特性等の優れた高密度炭化珪素質焼結体を製造する方
法を完成するに至ったものである。
本発明によれば嵩密度が少なくとも3.Of/cdであ
って、主成分である炭化珪素のほかに少なくともホウ素
と遊離炭素と窒素とを含有する炭化珪素質焼結体の製造
方法において、固溶窒素含有量が0.13重量%以下の
炭化珪素微粉100重量部に対して固定炭素含有量に換
算して0.1〜4.0重電%の炭素質添加剤と、ホウ素
含有量に換算して0.03〜0.15重量ヂのホウ素含
有添加剤を、前記炭化珪素微粉に含有されている窒素に
対してホウ素含有量に換算して0.03重量%多くなる
ようにホウ素含有添加剤を添加した原料組成物を均質に
混合し成形した生成形体を窒素ガスを除く不活性の雰囲
気中で、常圧焼結することにより、嵩密度が少なくとも
3.Of/ldであって、全炭化珪素量に対してホウ素
を0.03〜0.15重量%、遊離炭素を0.1〜4.
0重量%、窒素fo−ia重量%、以下の割合で含有し
、かつ前記ホウ素は前記窒素に対し0.03重量%多く
含有されており、そのほか不可避的不純物よりなる炭化
珪素質焼結体を得ることができるものである。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明の均質混合物はホウ素含有量に換算して0.03
〜0.15重量部のホウ素含有添加剤を含有することが
必要である。本発明においてホウ素含有添加剤を添加す
る理由は、焼結に際してホウ素を共存させることによっ
て、炭化珪素粒子のシリコン拡散を促進し、全体的に均
一な焼結収縮を起こさせるためである。またホウ素に相
当するホウ素含有添加剤の含有量? 0.03〜0.1
5重量%にする理由は0.03重量%より少ないとネッ
ク形成時の接着作用が充分でなく、一方、0゜15重量
%より多いと焼結体内に残留するホウ素が焼結体表面の
シリカ層の融点を低下させて焼結体の耐酸化性を劣化さ
せるし、また電気的特性も劣化するからである。
前記ホウ素含有添加剤としては、例えばホウ素、炭化ホ
ウ素あるいはそれらの混合物から選択される少なくとも
1種を用いることが好ましい。
前記ホウ素含有添加剤は少なくとも20に勺の比表面積
を有することが好ましい。その理由は比表面積が20に
勺より小さいホウ素含有添加剤は各粒子の粒径が比較的
大きく生成物体中にホウ素が偏在するため焼結収縮が不
均一となり、高密度で均一な微細構造を有する焼結体が
得られ難いからであり、特に30〜5o〆/fの比表面
積を有するものが好適である。
なお、前記炭化珪素中に含有されている窒素が炭化珪素
の焼結性を劣化させるメカニズムとしては、焼結助剤と
して添加したホウ素が焼結反応中に炭化珪素中に含有さ
れている窒素と反応し、BNを形成することにより、焼
結助剤としての作用効果を消失してしまうことによるも
のと考えられる。
また、本発明によれば、前記均質配合原料組成物は固定
炭素含有量に換算して0.I N’M%から4.0重量
%の炭素質添加剤を含有することが必要である。前記炭
素質添加剤の混合Nを固定炭素含有量に換算して0.1
重量%から4.0重量%に限定する理由は、前記混合量
がx、0!i%以下の場合には炭素W添加剤の大部分が
酸素によって消費されるためβ型結晶のα型化を抑制す
る作用が充分に発揮されず、α型化に伴ってα型結晶の
粗大な板状結晶が生成し、焼成収縮を妨害するため高密
度でかつ均一な微細構造を有する焼結体を得ることが困
難であり、一方、4.OM量%よりも多いと炭化珪素粉
末粒子間に過剰の炭素が存在し、焼結を著しく阻害する
ため、高密度の焼結体を得ることが困難となるばかりで
なく、焼結体内の介在物相が増加し、焼結体の物性特に
強度を著しく低下させるからである。
前記炭素質添加剤は炭化珪素微粉に含有される酸素を除
去し、かつ炭化珪素粒子間に介在してβ型結晶のα型結
晶への相変態を抑制させるために用いられる。したがっ
て炭素質添加剤は酸素含有量にみあうtt少なくとも添
カル、さらに炭化珪素粒子間に均一に介在するに充分な
量を添加することが有利である。
そして前記炭素質添加剤としては、焼結開始時に炭素を
存在させられるものであれば使用でき、例えばフェノー
ル樹脂、リグニンスルホン酸塩、(9) ポリビニルアルコール、コンスターチ、 糖類、コール
タールピッチ、アルギン酸塩のような各種有機物質ある
いけカーボンブラック、アセチレンブラック。
なお、前記炭化珪素微粉に含有される窒素は、0.13
重量%以下であることが必要である。0.13重量%以
上の窒素が含有されると著しく過剰のホウ素を必要と己
、前述のように炭化珪素質焼結体の特性に悪い影響を及
ばずことになり好ましくないからである。
また、前記ホウ素は焼結助剤として0.05〜0.12
重量%添加したものであることがより好ましい。
炭化珪素質焼結体の高密度化助剤として本発明者らが実
験により!認した最適添加量と考えられるからである。
そして、前記窒素含有i0.10mft%以下であるこ
とがより好ましい。
また、本発明によれば前記炭化珪素微粉はβ型結晶の炭
化珪素を90%以上含有するものであるこ(10) とが好ましい。
前記炭化珪素微粉がβ型結晶の炭化珪素を90%以上含
有することが好ましい理由について次に説明する。
通常β型結晶を主体とする炭化珪素に混在する結晶はβ
型結晶より低温域で安定な2H型結晶あるいはβ型結晶
より高温域で安定な4H16H型等のα型結晶である。
前記2H型炭化珪素は通常の焼結反応の生じる温度域に
おいて極めて不安定であり、焼結に際して異常粒成長の
原因となり易く、2H型炭化珪素を10%以上含有する
と焼結温度等の焼結条件の最適範囲が極めて狭く例えば
2000℃以下としなければならないし、一方4H。
6H型等の高温安定タイプa増炭化珪素を含有すると焼
結中にβ型結晶からα型結晶への相変態が促進されるた
め、本発明の目的とする比較的均一な粒径を有する板状
結晶が相互に交叉し、その間隙がさらに微細な粒径の結
晶粒で埋められた微細構造を有する焼結体を得ることが
困難である。したがって、本発明の目的とする前記の如
き微細溝(11) 造を有し、かつ高強度の焼結体を得るにはβ型結晶の炭
化珪素が90%以上の炭化珪素微粉を出発原料とするこ
とが好ましく、なかでもβ型結晶の炭化珪素が95%以
上の炭化珪素微粉が有利である。
そして本発明によれば、前記不活性ガスはアルゴン、ヘ
リウム、ネオン、クリプトン、キセノン、水素のいずれ
か1種又は2種以上であることが必要である。
窒素ガス以外の不活性ガスであればよく、不活性の雰囲
気中に極〈わずかの窒素ガスが存在することは実質的に
容許される。したがって、窒素ガスの分圧は次の条件で
あることが好ましい。即ち、本発明によれば前記不活性
ガスの窒素ガス分圧は101 torr以下であること
が必要である。
窒素ガスが上記の量以上不活性の雰囲気中に存在すると
BとN2とが反応してBN結合を生ずることになるので
、この反応を抑制する必要があるからである。
一方、本発明によれば前記無加圧焼結は1900°C〜
2100°Cの範囲の焼結温度で行うことが必要であ(
12) る。その理由は焼結温度が1900°Cより低いと本発
明の3−OyA以上の密度を有する焼結体を得ることが
困難で、逆に2100°Cより高い温度では結晶粒の成
長が著しく、焼結体の物性例えば機械的強度が低下する
からであり、特に均一な微細構造でかつ高強度の焼結体
を得る上でtl 1950〜2050”Cの温度範囲内
で焼結することがより好ましい。0n記1900〜21
00°Cの温度範囲内における焼結時間け、主として所
望する微細構造と密度によって決まり、一般的には低温
度で長時間かけて焼成した方が均一で微細な構造を有す
る焼結体を得易く、3、Of/ct1以上の密度となす
には、前記温度範囲において少なくとも20分間COガ
ス分圧f l kpaより低く維持することにより好適
に前記目的を達成できる。
前記焼結体を焼結する焼結炉としては、従来公知の焼結
温度と雰囲気を制御し得る各種の高温炉、例えば黒鉛製
の炉心管と発熱体を具備したタンマン炉のような炉を使
用することができる。
このようにして得られる本発明の炭化珪素微粉(13) 細体は、従来の製造方法では得られないもので、焼結助
剤としてのホウ素含有量が微少であるため、高密度でか
つ耐酸化性や電気的特性の優れた高品位の炭化珪素質焼
結体金持ることができる。
次に本発明を実施例および比較例について説明する。
」1阪聾↓ 珪砂粉末(8i0’z = 99.6%、80メツシユ
以下)、オイルコークス粉末(C=96.2%、325
メツシユ下)およびピッチ粉末(C=50.4%、20
0メツシユ下、珪砂に対して7重量%配合)をC/5i
02モル比が3.8になるように配合し、第8図に示し
た如き前記特願昭54−18463号に記載したと同様
の製造装置を用いて合成し、さらに精製、粒度分級して
炭化珪素微粉を調製した。前記炭化珪素微粉は95.1
%がβ型結晶で残部が2H型結晶よりなり、0.36重
量%の遊離炭素、0.18重量%の酸素、0.06重量
%の窒素を含有し、17.3哨今の比表面積を有してい
た。
前記炭化珪素微粉99.9ダと市販の200メツシユ(
14) 炭化ホウ素粉(電気化学工業会社製)を粉砕、粒度分級
して比表面積′fr32.4m/fに調製した炭化ポウ
素粉末0.1gと固定炭素含有率51.6重量%のノボ
ラック型フェノール樹脂3.Ofとの混合物に対し、y
−k ) :y 150df添加して2時間ボールミル
処理を行った。前記ボールミル処理を行った混合物スラ
リーを常温で攪拌しながら乾燥【7、その後後々に温度
を上げながら最終的に60’C迄加熱乾燥し、冷却して
からメノウ乳鉢中で30分間混和した。
この混和粉末から適量を採取し、金属製押し型を用いて
150に97cdの圧力で円盤状に仮成形した。次にア
イソスタティックプレス機を用いて2000 kg/c
dの圧力で成形した。前記生成形体の直径は38MMで
あり、密度は1.93 fl□(相対理論密度率約60
.1%)であることが認められた。
前記生成形体をタンマン型焼結炉に装入し、大気圧下の
アルゴンガス気流中で焼結した。昇温過程は常温〜16
50℃は5℃/m 、 1650″Cに145分間保持
した後、さらに5°O/miで昇温し最高温度2000
℃で30分間保持した。焼結中のCOガス分圧(]5) は常温〜1650℃が5 kpa以下、1650°Cで
保持する際はQ、5kpa以下、1650°Cより高温
域では5kpa以下となるようにアIレゴンガス流量を
適宜調整して制御した。
得られた焼結体は遊離炭素f 1.63重量%含有し、
3.14 f/c4 (相対理論密度率約97,8%)
の密度を有しており、走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、板状結晶が比較的よく発達した微細構造であって、
しかも高密度の焼結体であることがわかった。さらに前
記焼結体を3X3X27mmの棒状に加工し、スパン2
0111N 、クロスヘッドスピード5 txyg/i
ttの条件で3点曲げ強度を測定したところ室温で85
 kg/m ’の平均強度を有していた。
実施例2および比較例1 実施例1に記載したと同様であるが、第1表に示した如
く炭化ホウ素添加量を変えて焼結体を得た。得られた焼
結体の物性は実施例1に示【、たと同様の方法で測定し
、第1表に示した。
(16) 第 1 表 実施例1に記載したと同様の配合であるが第2表に示し
た如き炭化珪素微粉を使用し、第2表に示した如く、ホ
ウ素添加量を変えて焼結体を得た。
得られた焼結体の物性は実施例IK示したと同様の方法
で測定しその結果を第2表に示した。
(17) 第2表 実施例4 出発原料として実施例1に記載した炭化珪素微粉をさら
に粒度分級し、比表面積を33.4d/fに調製した炭
化珪素微粉を使用した。前記炭化珪素微粉は92.8%
がβ型結晶よりなり、0.40 tiJi%の遊離炭素
、0.24重量%の酸素、0.09重量%の窒素を含有
していた。
(18) 前記炭化珪素微粉99.85 fと実施例1に記載した
炭化ホウ素粉と固定炭素含有率56,3重量%の高ピッ
チ粉4.OIIとの混合物に対してアセトン15〇−全
添加して3時間ボールミル処理を行った。
前記スラリーより実施例1と同様の操作で生成形体を作
成し焼結した。
得られた焼結体は2.42重量%の遊離炭素を含有し、
3.13y/C4(相対理論密度率約97.5%)の嵩
密度を有していた。さらに実施例1と同様に3点曲げ強
度を測定【またとこる室温で82 kg/1rys ”
の平均強度を有していた。
実施例5 出発原料として実施例1に記載した炭化珪素微粉99.
7 Fと実施例1に記載した炭化ホウ素粉末をさらに粒
度分級し、比表面積を46.3d/fに調製した炭化ホ
ウ素(L12 Fと平均粒径210A、比表面積123
rrl/fのカーボンブラック(三菱化成金社製、ダイ
ヤブラック1)1.5fとの混合物に対し、アセトン1
50rnL、ポリエチレングリコール0.71nLを添
加L、10時間ボールミル処理した後スラリーを(19
) 噴霧乾燥した。この乾燥粉末を適量採取して実施例1と
同様に生成形体を作成し、タンマン型焼結炉に装入して
6Qkpaに維持されたアルゴンガス雰囲気で焼結した
。焼結温度に至る昇温過程は室温〜1600 ”Cが4
0°C/=、1600〜1700°Cが3°CAi露、
さらに2050°Cで10°c/Illで昇温し、最高
温度2050°Cで40分間保持した。前記焼結時にお
けるCOガス分圧は最高値でQ、3kpaであった。
得られた焼結体は1.64重量%の遊離炭素を含有し、
3.03 f/cd (相対理論密度率約94.4%)
の嵩密度を有していた。さらに実施例1と同様に3点曲
げ強度を測定したところ室温で75kg/m”の平均強
度を有していた。
前記比較例2で得られた焼結体は2.92y/d(相対
理論密度率約91.0%)と比較的高い嵩密度を有して
いたが、実施例1と同様に3点曲げ強度を測定したとこ
ろ室温で62 kg/nt 1と比較的低強度であった
。この焼結体を実施例1と同様の方法で組織観察したと
ころ、焼結体内部に極めて粗大な板状結晶が生成し、さ
らに粗大な空孔も散在して(20) いることが確認された。
以上述べた如く、本発明の焼結体は、従来の無加圧焼結
法では得ることの困難であった極めて高強度の焼結体で
あって、ホウ素含有量が極めて微少のため耐酸化性や電
気的特性などが優れており、特にガスタービン部品、高
温熱交換器のような苛酷な条件下で使用される高温構造
物の如き用途において非常に優れた特性を有するもので
ある。
特許出願人の名称 イビデン株式会社 代表者多賀潤一部 (21)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、嵩密度が少なくとも3.Of/dであって、全炭化
    珪素量に対してホウ素″ltO,03〜0.15重量%
    、遊離炭素を0.1〜4.0重量%、窒素f0.13重
    量%以下の割合で含有し、かつ前記ホウ素は前記窒素に
    対し0.03重量%多く含有されており、その細革可避
    的不純物を含有してなる炭化珪素質焼結体。 2、嵩密度が少なくとも3 、 Of/ldであって、
    主成分である炭化珪素のほかに少なくともホウ素と遊離
    炭素と窒素とを含有する炭化珪素質焼結体の製造方法に
    おいて、窒素含有量が0.13重1%以下の炭化珪素微
    粉100重量部に対して固定炭素含有量に換算して0.
    1〜4.0重量%の炭素質添加剤と。 前記ホウ素含有量に換算して0.03〜0.15重量%
    のホウ素含有添加剤を、炭化珪素微粉に含有されている
    窒素に対してホウ素含有量に換算して0.03重量%多
    くなるように添加した原料組成物を均質に混合し成形し
    た生成形体を窒素ガスを除く不活性の雰囲気中で、常圧
    焼結することを特徴とする炭化珪素質焼結体の製造方法
    。 3、前記炭化珪素微粉はβ型結晶の炭化珪素を90%以
    上含有するものであること!特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の製造方法。 4、前記ホウ素含有添加剤はホウ素含有量に換算して0
    .05〜0.12重量%であることを特徴とする特許請
    求の範囲第2項記載の製造方法。 5、前記不活性の雰囲気はアルゴン、ヘリウム、ネオン
    、クリプトン、キセノン、水素のいずれか1種又は2種
    以上であることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
    の製造方法。 6、前記不活性の雰囲気の窒素ガス分圧は1O−1to
    rr以下であることを特徴とする特許請求の範囲第2項
    記載の製造方法。 7、前記常圧焼結は1900°C〜2100°Cの範囲
    の焼結温度で行うことを特徴とする特許請求の範囲第2
    項記載の製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256371A (ja) * 1985-09-06 1987-03-12 株式会社東芝 炭化ケイ素焼結体の製造方法
DE3630369A1 (de) * 1985-09-06 1987-03-19 Toshiba Kawasaki Kk Siliziumcarbid-sinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung
JPS62288168A (ja) * 1986-06-05 1987-12-15 株式会社ブリヂストン 立方晶炭化珪素焼結体の製造方法
JPS63117962A (ja) * 1986-11-01 1988-05-21 イビデン株式会社 炭化珪素質焼結体及びその製造方法
US4788018A (en) * 1986-08-29 1988-11-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing high-density sintered silicon carbide articles
WO1989008086A1 (fr) * 1988-02-26 1989-09-08 Ibiden Co., Ltd. ELEMENT FRITTE EN CARBURE DE SILICIUM DE TYPE beta DE GRANDE RESISTANCE ET PROCEDE DE PRODUCTION
JPH02153867A (ja) * 1988-12-03 1990-06-13 Ngk Insulators Ltd 均質焼結体の製造方法
US5192719A (en) * 1986-09-01 1993-03-09 Ibiden Co., Ltd. Method of producing high-strength β-type silicon carbide sintered bodies
US8565644B2 (en) 2010-01-27 2013-10-22 Ricoh Company, Ltd. Fixing device and image forming apparatus with fixing device
CN112415881A (zh) * 2019-08-22 2021-02-26 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司 具有高品质因数和最小润滑的钟表调速器机构

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3630369C2 (ja) * 1985-09-06 1989-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp
DE3630369A1 (de) * 1985-09-06 1987-03-19 Toshiba Kawasaki Kk Siliziumcarbid-sinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung
JPS6256371A (ja) * 1985-09-06 1987-03-12 株式会社東芝 炭化ケイ素焼結体の製造方法
DE3645097C2 (ja) * 1985-09-06 1990-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp
JPS62288168A (ja) * 1986-06-05 1987-12-15 株式会社ブリヂストン 立方晶炭化珪素焼結体の製造方法
US4788018A (en) * 1986-08-29 1988-11-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing high-density sintered silicon carbide articles
US5192719A (en) * 1986-09-01 1993-03-09 Ibiden Co., Ltd. Method of producing high-strength β-type silicon carbide sintered bodies
JPS63117962A (ja) * 1986-11-01 1988-05-21 イビデン株式会社 炭化珪素質焼結体及びその製造方法
WO1989008086A1 (fr) * 1988-02-26 1989-09-08 Ibiden Co., Ltd. ELEMENT FRITTE EN CARBURE DE SILICIUM DE TYPE beta DE GRANDE RESISTANCE ET PROCEDE DE PRODUCTION
JPH02153867A (ja) * 1988-12-03 1990-06-13 Ngk Insulators Ltd 均質焼結体の製造方法
US8565644B2 (en) 2010-01-27 2013-10-22 Ricoh Company, Ltd. Fixing device and image forming apparatus with fixing device
CN112415881A (zh) * 2019-08-22 2021-02-26 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司 具有高品质因数和最小润滑的钟表调速器机构
US11640139B2 (en) 2019-08-22 2023-05-02 Eta Sa Manufacture Horlogere Suisse Horological regulator mechanism with high quality factor and minimal lubrication

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