JPS60186840A - Ｘ線マスクのための陽極接着方法及び装置 - Google Patents
Ｘ線マスクのための陽極接着方法及び装置Info
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- JPS60186840A JPS60186840A JP60022098A JP2209885A JPS60186840A JP S60186840 A JPS60186840 A JP S60186840A JP 60022098 A JP60022098 A JP 60022098A JP 2209885 A JP2209885 A JP 2209885A JP S60186840 A JPS60186840 A JP S60186840A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＸ線÷スクを作る方法及びそれから作られる物
品に関する。
品に関する。
従来の技術
Ｘ線マスクを作る一般的な方法は、２つの磨かれたシリ
コンウェーハ・上に無機層の蒸着をすることを必要とす
る。このウェーッ・はエポキシ又は他の接着剤を用いて
・平イレックス受はリングに接着される。そのシリコン
ウェーハ翫は次に・ぞイレツクス板内の穴を通してエツ
チングされ、フリースタンｆイング（ｆｒｅｅ ｓｔａ
ｎｄｉｎｇ ） Ｘ線マスクを残す。
コンウェーハ・上に無機層の蒸着をすることを必要とす
る。このウェーッ・はエポキシ又は他の接着剤を用いて
・平イレックス受はリングに接着される。そのシリコン
ウェーハ翫は次に・ぞイレツクス板内の穴を通してエツ
チングされ、フリースタンｆイング（ｆｒｅｅ ｓｔａ
ｎｄｉｎｇ ） Ｘ線マスクを残す。
従来技術の問題点
上記の方法の欠点の１つは、マスクとシリコンウェーハ
との間隙の制御不可能な変化に起因する均一な厚さの接
着剤層を得ることの難しさである。
との間隙の制御不可能な変化に起因する均一な厚さの接
着剤層を得ることの難しさである。
発明の概要
図示された好適実施例に従って、本発明はＸ線マスク構
造物の製造において陽極接着を利用する。
造物の製造において陽極接着を利用する。
従来技術（接着剤を用いる）のマスク構造物と異なるの
は、このマスクの製造に用いられる方法は接着剤を不要
にし、従って、マスクの厚さの好ましくない不均一の変
化に起因する変化の１つを除去する。この方法により、
マスクの平坦性における効果的な改良が得られる。陽極
接着それ自体は新しいものではないが、今までＸ線マス
クの製造に応用されたことはないと信じられる。
は、このマスクの製造に用いられる方法は接着剤を不要
にし、従って、マスクの厚さの好ましくない不均一の変
化に起因する変化の１つを除去する。この方法により、
マスクの平坦性における効果的な改良が得られる。陽極
接着それ自体は新しいものではないが、今までＸ線マス
クの製造に応用されたことはないと信じられる。
好適実施例
第１Ａ図は、本発明の好適実施例の断面図である。本発
明の見地に従って、化学蒸気蒸着（ＣＤＶ ）によりシ
リコン基板１（）０上に窒化ホウ素の層１１０が蒸着さ
れる。シリコン基板の厚さは典型的には２から６ミクロ
ンの範囲である。基板は蒸着の間上方にカール（’ｃｕ
ｒｌ）ｌ、て基板の下側を露出するので、蒸着された窒
化ホウ素層に引張応力がかかる状態が選ばれる。典型的
には、蒸着温度範囲は３（）０乃至６００℃、圧力範囲
は０．１乃至１．０トル、蒸着時間範囲は３０乃至２４
０分である。
明の見地に従って、化学蒸気蒸着（ＣＤＶ ）によりシ
リコン基板１（）０上に窒化ホウ素の層１１０が蒸着さ
れる。シリコン基板の厚さは典型的には２から６ミクロ
ンの範囲である。基板は蒸着の間上方にカール（’ｃｕ
ｒｌ）ｌ、て基板の下側を露出するので、蒸着された窒
化ホウ素層に引張応力がかかる状態が選ばれる。典型的
には、蒸着温度範囲は３（）０乃至６００℃、圧力範囲
は０．１乃至１．０トル、蒸着時間範囲は３０乃至２４
０分である。
このカーリングのために、結果として奥面は窒化ホウ素
の薄いｗｚ ｉ ｔ ｏ’で同時に覆われる。シリコン
基板上１００の窒化ホウ素層１１０′の蒸着は、典型的
には薄さの範囲が０．０１から０．１：？クロンである
。クロム層１２０が例えばスフ９ツタリング又は蒸着技
術によって窒化ホウ素層１１０上に蒸着され、次に、ア
ルミニウム層１２１がやはリス。
の薄いｗｚ ｉ ｔ ｏ’で同時に覆われる。シリコン
基板上１００の窒化ホウ素層１１０′の蒸着は、典型的
には薄さの範囲が０．０１から０．１：？クロンである
。クロム層１２０が例えばスフ９ツタリング又は蒸着技
術によって窒化ホウ素層１１０上に蒸着され、次に、ア
ルミニウム層１２１がやはリス。
バッタリング又は蒸着技術によってクロム層１２ｆ）上
に蒸着される。Ｊ偕１２０に用いることができるもう１
つの物質はチタン合金である。層１２０及び１２１の厚
さの総ｄ１はＯ１■から０．５ミクロンの範囲である。
に蒸着される。Ｊ偕１２０に用いることができるもう１
つの物質はチタン合金である。層１２０及び１２１の厚
さの総ｄ１はＯ１■から０．５ミクロンの範囲である。
アルミニウム層１２１は、改良された陽極接着技術を用
いて領域１０５の外へ受け板１３０に接着されている。
いて領域１０５の外へ受け板１３０に接着されている。
受は板１３０は強く、耐久性があシ、大きさの安定した
物質で作られる。
物質で作られる。
ホウ珪酸塩ガラスの１つの例はパイレックス、ガラス（
ノヤイレックスはＣｏｒｎｌｎｇ Ｇｌａｓｓ Ｗｏｒ
ｋｓ社の登録商標である）であり、その熱膨率はシリコ
ンの熱膨張率に−１は等しい。加えて、ノやイレックス
は比較的安く様々な形状に形成し安い。
ノヤイレックスはＣｏｒｎｌｎｇ Ｇｌａｓｓ Ｗｏｒ
ｋｓ社の登録商標である）であり、その熱膨率はシリコ
ンの熱膨張率に−１は等しい。加えて、ノやイレックス
は比較的安く様々な形状に形成し安い。
典型的従来技術の陽極接着技術は、米国特許第３．３９
７，２７８号及び第３，４１７，４５９号に開示され、
１９６８年 Ｄ、 １． Ｐｏｍ５ｒａｎｔｚに発行さ
れている。
７，２７８号及び第３，４１７，４５９号に開示され、
１９６８年 Ｄ、 １． Ｐｏｍ５ｒａｎｔｚに発行さ
れている。
陽極接着技術は更に１９８３年５月に出版されたＪｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ の第
５巻第５４号に、Ｔｈｏｍａｓ Ｌ Ａｎｔｈｏｎｙ
によって” Ａｎｏｄｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ ｏｆＩｍ
ｐｅｒｆｅｃｔ ５ｕｒｆａｃｅａ ” の表題のつい
た論文で説明されている。ここで用いられる陽極接着は
、金属層１２１の／Ｇ’イレックス板１３０との直接の
接触がるり、つづいて、その２つの間に一正しい極性と
大きさの電圧を加え、永久接着を形成するためにその構
造物が加熱される。典型的な接着電圧である７５０から
３０００ボルトの範囲の電圧と、２００から５００℃の
温度が１時間の総処理時間の間供給される。この方法は
普通の接着技術よりもすぐれている。なぜならばそれは
エポキシの厚さの変化を除くからである。
ｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐＨｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ の第
５巻第５４号に、Ｔｈｏｍａｓ Ｌ Ａｎｔｈｏｎｙ
によって” Ａｎｏｄｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ ｏｆＩｍ
ｐｅｒｆｅｃｔ ５ｕｒｆａｃｅａ ” の表題のつい
た論文で説明されている。ここで用いられる陽極接着は
、金属層１２１の／Ｇ’イレックス板１３０との直接の
接触がるり、つづいて、その２つの間に一正しい極性と
大きさの電圧を加え、永久接着を形成するためにその構
造物が加熱される。典型的な接着電圧である７５０から
３０００ボルトの範囲の電圧と、２００から５００℃の
温度が１時間の総処理時間の間供給される。この方法は
普通の接着技術よりもすぐれている。なぜならばそれは
エポキシの厚さの変化を除くからである。
第１Ｂ図に図示されているように、窒化ホウ素１、 Ｉ
Ｏ’の層は典型的にはドライエツチング技術によって
シリコン基板１００から除去され、次に全てのシリコン
基板１００が一般のシリコンエツチング技術（例えばＨ
Ｆ ＸＨＮＯ，、酢酸）によって除去される。シリコン
基板１０ｏ上に窒化ホウ素層が蒸着され、その後、シリ
コン基板１０ｏが除去されたときに露出される表面１０
７は、シリコン基板１０００表面の滑らかさを保ち、き
わめて滑らかである。クロム層１２０とアルミ層１２１
は領域１υ５に亘ってメタルエッチされ、パイレックス
板１３０上に窒化ホウ素層が残されるだけとなる。クロ
ム層１２０とアルミニウム層１２１が領域１０８に亘っ
て一様に蒸着されているので、薄皮の表面の平坦性はた
だ１つの・ンラメータによって完全に調節され、それは
・ｆイレククス板１３０の環状の平坦性である。０．３
ミクロンの薄膜の平坦さが直径４インチの薄皮に亘って
得られる。それ故、本発明に従った陽極接着は、Ｘ線マ
スク受け１０９のためのすばらしい方法をその・ぐイレ
ックス受は板に提供する。
Ｏ’の層は典型的にはドライエツチング技術によって
シリコン基板１００から除去され、次に全てのシリコン
基板１００が一般のシリコンエツチング技術（例えばＨ
Ｆ ＸＨＮＯ，、酢酸）によって除去される。シリコン
基板１０ｏ上に窒化ホウ素層が蒸着され、その後、シリ
コン基板１０ｏが除去されたときに露出される表面１０
７は、シリコン基板１０００表面の滑らかさを保ち、き
わめて滑らかである。クロム層１２０とアルミ層１２１
は領域１υ５に亘ってメタルエッチされ、パイレックス
板１３０上に窒化ホウ素層が残されるだけとなる。クロ
ム層１２０とアルミニウム層１２１が領域１０８に亘っ
て一様に蒸着されているので、薄皮の表面の平坦性はた
だ１つの・ンラメータによって完全に調節され、それは
・ｆイレククス板１３０の環状の平坦性である。０．３
ミクロンの薄膜の平坦さが直径４インチの薄皮に亘って
得られる。それ故、本発明に従った陽極接着は、Ｘ線マ
スク受け１０９のためのすばらしい方法をその・ぐイレ
ックス受は板に提供する。
第２Ａ図は、本発明の第２の実施例の断面図である。無
機層ｔｉｏは窒化ホウ素のＣＶＤ層である。層１２０は
典型的にはクロムであって、例えばス／４’ツタリング
又は蒸着技術によって窒化ホウ素の層１１０′の上に蒸
着される。金属）＊ １２０は、次に、一様な伝導性の
層を作るためにアルミニウムの層１２１が蒸着される。
機層ｔｉｏは窒化ホウ素のＣＶＤ層である。層１２０は
典型的にはクロムであって、例えばス／４’ツタリング
又は蒸着技術によって窒化ホウ素の層１１０′の上に蒸
着される。金属）＊ １２０は、次に、一様な伝導性の
層を作るためにアルミニウムの層１２１が蒸着される。
層１２０と１２１の代りに単一のアルミニウムの層を用
いることもできるが、金属層１２０とアルミニウム層１
２１の組合せを用いることによって、よシ滑らかな接着
表面１２２が得られる。接着面１２２は次に・ンイレッ
クス板１３０に接触され、陽極接触処理条件が設けられ
る。典型的には、接着電圧は１０００から３０００ ｒ
＋？ルトの範囲であり、接着温度は２００から４００℃
の範１ｆｆｉであｐ、処理時間は１０分又はそれ以上で
ある。ニッケル、チタン、シリコン又はそれらの化合物
といった他の金属も金属層１２０及び１２１に用いるこ
とができる。
いることもできるが、金属層１２０とアルミニウム層１
２１の組合せを用いることによって、よシ滑らかな接着
表面１２２が得られる。接着面１２２は次に・ンイレッ
クス板１３０に接触され、陽極接触処理条件が設けられ
る。典型的には、接着電圧は１０００から３０００ ｒ
＋？ルトの範囲であり、接着温度は２００から４００℃
の範１ｆｆｉであｐ、処理時間は１０分又はそれ以上で
ある。ニッケル、チタン、シリコン又はそれらの化合物
といった他の金属も金属層１２０及び１２１に用いるこ
とができる。
第２Ｂ図は金属エツチング（典型的にはＨＦ又はＨＮＯ
，）で領域］ ０５’に亘シクロム層１２０とアルミニ
ウム層１２１が除去され、露出された窒化ホウ素１１０
′の層は次に、典型的にはりアクティブ・イオン１１
：Ｌ ッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ
ｉｎｇ ）技術によって除去される。領域１０５′にぼ
って露出されたシリコン基板１００は次に、第１Ｂ図に
おけるエツチング溶液と同様のものを用いてシリコンエ
ツチングにより除去される。薄膜の平坦性はここではシ
リコン基板１００とノＲイレノクス１３０の両力によっ
て決定される。
，）で領域］ ０５’に亘シクロム層１２０とアルミニ
ウム層１２１が除去され、露出された窒化ホウ素１１０
′の層は次に、典型的にはりアクティブ・イオン１１
：Ｌ ッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ
ｉｎｇ ）技術によって除去される。領域１０５′にぼ
って露出されたシリコン基板１００は次に、第１Ｂ図に
おけるエツチング溶液と同様のものを用いてシリコンエ
ツチングにより除去される。薄膜の平坦性はここではシ
リコン基板１００とノＲイレノクス１３０の両力によっ
て決定される。
第３Ａ図は、本発明の層を成した構造物の３番１］の断
面図である。無機層１１０は低圧力化学蒸気蒸着技術を
用いて、シリコン基板１００上に形成される。無機層１
１０は、典型的にはＪｌさが１から４ミクロンの範囲の
窒化ホウ素である。無機層１１０に用いることがでさる
他の物質は、炭化ホウ素、炭化シリコン及び窒化シリコ
ンである。
面図である。無機層１１０は低圧力化学蒸気蒸着技術を
用いて、シリコン基板１００上に形成される。無機層１
１０は、典型的にはＪｌさが１から４ミクロンの範囲の
窒化ホウ素である。無機層１１０に用いることがでさる
他の物質は、炭化ホウ素、炭化シリコン及び窒化シリコ
ンである。
層１１０′は次に、第１Ａ図の実施例で用いられたもの
と同様の条件で陽極接着技術によって領域１０５の外で
受け部Ｉ４’ １３０に接着される。
と同様の条件で陽極接着技術によって領域１０５の外で
受け部Ｉ４’ １３０に接着される。
第３Ｂ図は、無機層１１０を露出するために領域１０５
′に亘って層ｔｔｏ’とシリコン構造物ｌＯＯが除去さ
れたものを示す。層１１０′はりアクディ、プ・イオン
エツチング技術Ｖこよって除去され、次にシリコン基板
が酢酸、硝酸及びフッ化水素酸の混合物によってエツチ
ングされる。・卆イレックスリングの穴（第３Ａ図にお
いて領域１０５として示されている）は、エツチング溶
液の間、マスクとして働き、提だ、形成された薄皮リム
が得られる。もしもエポキシが従来技術におけるように
用いられたなら、リム１０６上を流れるエポキシのビー
ドはリム１０６に沿って突起を作らないというよりも、
むしろ、より多く突起を作るかもしれない。陽極接着は
、シリコン基板を除去するに用いるエツチング液中での
破壊作用に対しては損傷しない。
′に亘って層ｔｔｏ’とシリコン構造物ｌＯＯが除去さ
れたものを示す。層１１０′はりアクディ、プ・イオン
エツチング技術Ｖこよって除去され、次にシリコン基板
が酢酸、硝酸及びフッ化水素酸の混合物によってエツチ
ングされる。・卆イレックスリングの穴（第３Ａ図にお
いて領域１０５として示されている）は、エツチング溶
液の間、マスクとして働き、提だ、形成された薄皮リム
が得られる。もしもエポキシが従来技術におけるように
用いられたなら、リム１０６上を流れるエポキシのビー
ドはリム１０６に沿って突起を作らないというよりも、
むしろ、より多く突起を作るかもしれない。陽極接着は
、シリコン基板を除去するに用いるエツチング液中での
破壊作用に対しては損傷しない。
本発明の他の′：Ａ施例が第４Ａ図に示されでいる。
シリコン基板１００の露出された表面１１５及び１１７
上に絶縁層１４０及び１４０′が熱酸化技術によって形
成される。絶縁層１４０及び１４０′は典型的には二酸
化珪素で作られる。在来の化学蒸気蒸着技術によっ−Ｃ
１窒化ホウ素層１１０及び１１０′が各々次に二酸化珪
素層１４０及び１４０′上に蒸着される。
上に絶縁層１４０及び１４０′が熱酸化技術によって形
成される。絶縁層１４０及び１４０′は典型的には二酸
化珪素で作られる。在来の化学蒸気蒸着技術によっ−Ｃ
１窒化ホウ素層１１０及び１１０′が各々次に二酸化珪
素層１４０及び１４０′上に蒸着される。
更に第４Ｂ図に図示されるように、窒化ホウ素層１１０
′及び二酸化珪素）ｔｉｉ １４０’が在来のエツチン
グ技術によってシリコン基板上から除去される。
′及び二酸化珪素）ｔｉｉ １４０’が在来のエツチン
グ技術によってシリコン基板上から除去される。
そのエツチングは例えばＣＦ、：０．であり、二酸化珪
素１６ ｔ ４ ｏ’のウェットエツチング（ｗｏｔ
ｅｔｃｈｉｎｇ ）が続いてほどこされる。シリコン基
板１（）０は次に・ぞイレノクス板１３０に陽極接着さ
れ、そのとき、総処理時間６０分の間、２００から４０
０ ’Ｃの範囲の接着温度と１０００から３０００メル
トの範囲の接着圧力が用いられる。次に、シリコン基板
１０（）は、窒化ホウ素層１４０を露出するように、在
来のシリコンエンチング技術によって領域１（）５に亘
すエクチングされる。
素１６ ｔ ４ ｏ’のウェットエツチング（ｗｏｔ
ｅｔｃｈｉｎｇ ）が続いてほどこされる。シリコン基
板１（）０は次に・ぞイレノクス板１３０に陽極接着さ
れ、そのとき、総処理時間６０分の間、２００から４０
０ ’Ｃの範囲の接着温度と１０００から３０００メル
トの範囲の接着圧力が用いられる。次に、シリコン基板
１０（）は、窒化ホウ素層１４０を露出するように、在
来のシリコンエンチング技術によって領域１（）５に亘
すエクチングされる。
第１Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するだめの層をなし
た構造物の好適実施例の構造を示す。 第１Ｂ図は、第１Ａ図に図示された構造物の次の処理段
階の後の図である。 第２Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するだめの層をなし
た構造物の第２の実施例の構造を示す。 第２Ｂ図は、第２Ａ図に図示された構造物の次の処理段
階の後の図である。 第３Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するだめの層をなし
た構造物の第３の実施例の構造を示す。 第３Ｂ図は、第３ Ａ図に図示された構造物の次の処理
段階の後の図Ｃある。 第４Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するための層をなし
た＋１１７造物の他の実施例の構造を示す。 第４Ｂ図は、＋７’、 ４ Ａ図に図示された構造物の
次の処理段階の陵の図である。 主要符号の説明 １００・・・シリコン基板 １１０．１１０’・・・窒化ホウ素層 １２０・・・クロム層 １２１・・・アルミニウム層 １３０・・・受は板 特許出願人 パリアン・アソシエイツ・阿 弁μ、±８
Ｗ倍、自−二二 図面のｌγ’ｊ！ｆ’（内容に変更なし）手続補正器 昭和６０年４り／口 特ｒ１庁長官 志 賀 学 殿 １、 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第２２０
９８号２、 発明の名称 Ｘ線マスクのための陽極接着
方法及び装置３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 パリアン・アソシエイツ・ インコーポレイテッド ４、代理人 住 所 東京都港区西新橋１丁目６番２１号大和銀行虎
ノ門ビルディング ５、 １＋１１正命令の日付 自 発
た構造物の好適実施例の構造を示す。 第１Ｂ図は、第１Ａ図に図示された構造物の次の処理段
階の後の図である。 第２Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するだめの層をなし
た構造物の第２の実施例の構造を示す。 第２Ｂ図は、第２Ａ図に図示された構造物の次の処理段
階の後の図である。 第３Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するだめの層をなし
た構造物の第３の実施例の構造を示す。 第３Ｂ図は、第３ Ａ図に図示された構造物の次の処理
段階の後の図Ｃある。 第４Ａ図は、Ｘ線マスク薄皮に使用するための層をなし
た＋１１７造物の他の実施例の構造を示す。 第４Ｂ図は、＋７’、 ４ Ａ図に図示された構造物の
次の処理段階の陵の図である。 主要符号の説明 １００・・・シリコン基板 １１０．１１０’・・・窒化ホウ素層 １２０・・・クロム層 １２１・・・アルミニウム層 １３０・・・受は板 特許出願人 パリアン・アソシエイツ・阿 弁μ、±８
Ｗ倍、自−二二 図面のｌγ’ｊ！ｆ’（内容に変更なし）手続補正器 昭和６０年４り／口 特ｒ１庁長官 志 賀 学 殿 １、 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第２２０
９８号２、 発明の名称 Ｘ線マスクのための陽極接着
方法及び装置３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 パリアン・アソシエイツ・ インコーポレイテッド ４、代理人 住 所 東京都港区西新橋１丁目６番２１号大和銀行虎
ノ門ビルディング ５、 １＋１１正命令の日付 自 発
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線マスク構造物であって、 ａ）第１及び第２表面を有する構造物と、ｂ）前記第１
及び第２表面の各々を覆う無機層と、 Ｃ）前記第２表面上で前記無機層に陽極接着し、マスク
サポートを提供する板手段と、から成るところのＸ線構
造物。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された構造物であ−っ
で、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところのＸ線構造物。 ３、特許請求の範囲第１ＪＡに記載された構造物であっ
て、 前記無暗が炭化シリコンから成るところの構造物。 ４、特許請求の範囲第１項に記載された構造物であって
、 更に、前記第２表面上の前記無機層と前記板手段との間
に置かれた第１金属層を有し、前記無機層と前記板手段
との間に実質的に平坦な接触面を提供しているところの
構造物。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された構造物であって
、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造物。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された構造物であって
、 前記第１金属層がアルミニウムから成るところの構造物
。 ７、 ％ｌ［請求の範囲第４項に記載された構造物であ
って、 虹に、前記第１金属層と前記板手段との間に置かれた第
２金属層を有１−１前ＴＦｄｒ無機層と前記板手段との
間に実質的に平坦な接触面を提供しているところの構造
物。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された構造物でありて
、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造物。 ９、特許請求の範囲第８項に記載された構造物であって
、 前記第１金属層がクロムから成るところの構造物。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された構造物であっ
て、 前記第２金属層がアルミニウムから成るところの構造物
。 １１、Ｘ線マスク構造物であって、 ａ）ｍｌ及び第２表面を有する基板と、ｂ）前記第１及
び第２表面の各々を覆う無機層と、 Ｃ）前記第２表面上の前記無機層を覆う金属層であって
、実質的に平坦な表面を提供する金属層と、 ｄ）前記金属層に接着され、マスフサ月ソートを提供す
る板手段と、 から成る構造物。 １２、 を特許請求の範囲第１１項に記載された構造物
であって、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造物。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載された構造物であ
って、 前記金属層がアルミニウムから成るところの構造物。 １４、％許請求の範囲第１３項に記載された構造物であ
って、 前記板手段が前ｆ１２無機層に陽極接着されているとこ
ろの構造物。 １５、特許請求の範囲第１４項に記載された構造物であ
って、 前記板手段が前１１１１無機層に陽極接着されていると
ころの構造物。 １６ ％許請求の範囲第１１項に記載された構造物であ
って、 前記金属層が前記無機層に陽極接着されているところの
構造物。 １７、Ｘｉマスク構造物であって、 ａ）＠１及び第２表面を有する基板と、ｂ）該基板の前
記第１表面を覆う絶縁層と、Ｃ）該絶縁層を覆う無機層
と、 ｄ）前記第２表面に接着され、マスクザポートを提供す
る板手段と、 から成るところの構造物。 １８、特許請求の範囲第１７項：（記載された構造物で
あって、 前記絶縁層が二酸化珪素から成るところの構造物。 １９、特許請求の範囲第１８項に記載された構造物であ
って、 前記無機層が窒化ホウ素から成るところの構造物。 ２０、 ４２７許請求の範囲第１９項に記載された構造
物であって、 前記板手段が前記第２表面に陽極接着されているところ
の構造物。 ２１、 ％許請求の範囲第１７項に記載された構造物で
あって、 前記板手段が前記第２表面に陽極接着されているところ
の構造物。 ２２、第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ線マス
クを作るだめの方法であって、 ａ）前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を形成す
る工程と、 ｂ）板を前記基板の前記第２表面に陽極接着するエイご
−と、 から成る方法。 ２、特許請求の範囲第２２項に記載された方法であって
、 更に、第１．４１ターンを形成するために前記基板にマ
スクをする工程から成る方法。 ２、特許請求の範囲第２３項に記載された方法であって
、 更に、前記基板をエツチングする工程から成る方法。 ２、特許請求の範囲第２４項に記載された方法であって
、 更に、第２パターンを形成するために前記無機層にマス
クをする工程から成る方法。 ２、特許請求の範囲第２５項に記載された方法であって
１ 更に、前記無機層をエツチングする工程から成る方法。 ２７、第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ線マス
クを作るだめの方法であって、 ＆）前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を形成す
る工程と、 ｂ）前記第２表面に実質的に平坦な表面を提供するため
に、前記第２表面を覆う金属層を形成する工程と、 Ｃ）前記金属層を板の選ばれた部分に陽極接着する工程
と、 から成る方法。 ２、特許請求の範囲第２７項に記載された方法であって
、更に、 ａ）前記板によって覆われていない領域内の前記金属層
を除去し、前記無機層の第１表面領域を露出する工程と
、 ｂ）前記無機層の前記の露出された第１表面を領域を除
去し、前記基板の前記第２表面を露出する工程と、 Ｃ）前記基板の前記の露出された第２表面を通して前り
己基板を除去し、前記無機層の第２領域を露出する工程
と、 から成る方法。 ２９、第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ線マス
クを作るだめの方法であって、 ａ）前記第１及び第２表面の各々を覆う無機層を形成す
る工程と、 ｂ）前記第１表面に実質的に平坦な表面を提供するため
に、前記第１表面を覆う金属層を形成する工程と、 Ｃ）前記金属表面を板の選ばれた部分に陽極接着し、マ
スクサポートを提供する工程と、ｄ）前記第２表面を覆
う前記無機層を除去する工程と、 ｅ）前記基板を除去する工程と、 ｆ）前記無機層の表面部分を露出するために、前記板に
よって覆われていない露出された領域に亘って、前記金
属層を除去する工程と、から成るＸｉマスクを作るため
の方法。 ３０、第１及び第２表面を有する基板を備えるＸ線マス
クを作る方法であって、 ａ）前６１第１及び第２表面の各々を覆う絶縁層を形成
する二［桿と、 ｂ）前記第１及び第２表面を捷う前記絶縁層を覆うとこ
ろの無機層を形成する工程と、Ｃ）前ｉピ第１表面を作
る工程と、 ｄ）前記第２表面を覆う前記無機層を除去する工程と、 ｅ）前記基板の前記第２表面を覆う前記絶縁層を除去す
る工程と、 ｆ）前記マスクを除去する工程と、 ｇ）前記基板の前記第２表面を板に陽極接着する工程と
、 から成るＸ線マスクを作る方法。 ３１、特許請求の範囲第３０項に記載された方法であっ
て、 前記絶縁層が二酸化珪素から成る方法。 ３２、特許請求の範囲第３１項に記載された方法であっ
て、 前記無機層が窒化ホウ素から成る方法。 ３３、特許請求の範囲第３２項に記載された方法であっ
て、 前記金属層がアルミニウムから成る方法。 ３４、板と基板を備えるマスクであって、前記基板は第
１及び第２表面を有し、前記マスクは前記基板の前記第
１及び第２表面の各々を覆う無機層を形成することによ
って製造され、前記無機層を前記板の選択された部分に
接着し、前記マスクの表面の平坦さが１ミクロン以下で
あるところのマスク。 ３５、特許請求の範囲第３４項に記載されたマスクであ
って、 前記表面の平坦さが実質的に０．３ミクロンであるとこ
ろのマスク。
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| JPH0466096B2 JPH0466096B2 (ja) | 1992-10-22 |
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- 1985-02-07 EP EP85300817A patent/EP0153096B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-08 JP JP60022098A patent/JPS60186840A/ja active Granted
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| JPH0466096B2 (ja) | 1992-10-22 |
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