JPS60187016A - ウエハ冷却装置 - Google Patents
ウエハ冷却装置Info
- Publication number
- JPS60187016A JPS60187016A JP59042114A JP4211484A JPS60187016A JP S60187016 A JPS60187016 A JP S60187016A JP 59042114 A JP59042114 A JP 59042114A JP 4211484 A JP4211484 A JP 4211484A JP S60187016 A JPS60187016 A JP S60187016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- wafer
- cooling plate
- platen
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウェハ等のウェハ冷却装置に関する。
従来、半導体の製造工程に於て、シリコンウェハに真空
中でイオン注入処理を施すことが行なわｎているが、イ
オン注入に伴ないシリコンウェハが発熱しクラックを生
ずるのでこｎ５を防止すべくウェア、１を冷却する必要
がある。その冷却装置の１例は第１図示の如くであシ、
ウェハａを冷却パイプ等の冷却手段すにより冷却さ九た
プラテンＣの表面の柔らかいパラ）ｄにクラックｅで圧
接し、ウェハａのイオン注入に伴ない発生する熱をプラ
テンＣで吸収して冷却するように構成さ１．る。而して
ウェハａとパラ）ｄはクランプで押圧さｎ、てもミクロ
的には接触しない多くの間隙が存し、接触面積が不足で
充分な冷却が難しい。
中でイオン注入処理を施すことが行なわｎているが、イ
オン注入に伴ないシリコンウェハが発熱しクラックを生
ずるのでこｎ５を防止すべくウェア、１を冷却する必要
がある。その冷却装置の１例は第１図示の如くであシ、
ウェハａを冷却パイプ等の冷却手段すにより冷却さ九た
プラテンＣの表面の柔らかいパラ）ｄにクラックｅで圧
接し、ウェハａのイオン注入に伴ない発生する熱をプラ
テンＣで吸収して冷却するように構成さ１．る。而して
ウェハａとパラ）ｄはクランプで押圧さｎ、てもミクロ
的には接触しない多くの間隙が存し、接触面積が不足で
充分な冷却が難しい。
本発明はウェハの冷却性を向上することをその目的とし
たもので、ウェハの背後の冷却手段を備えたプラテンに
圧接して冷却する式のものに於て、該プラテンの前面に
該ウェハで塞が几て区画さｒし且つ冷却気体が流通する
空間を形成し、該空間に該ウェハの背面に当接すべく出
没する冷却板全般けたことを特徴とする。
たもので、ウェハの背後の冷却手段を備えたプラテンに
圧接して冷却する式のものに於て、該プラテンの前面に
該ウェハで塞が几て区画さｒし且つ冷却気体が流通する
空間を形成し、該空間に該ウェハの背面に当接すべく出
没する冷却板全般けたことを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、その第２図に
於て、（１）はシリコン等からなるウェハ、（２）は水
冷パイプ等の冷却手段（３）により冷却さ几たプラテン
を示し、該ウェハ（１）はベルトコンベヤその他の適当
な搬送装置によりプラテン（２）の前方に運ばｎ−、ク
ラック（４）でプラテン（２）の前面に圧接される。該
ウェハ（１）の表面（１ａ）には例えばイオンビームの
注入処理が施さｎｌ、これに伴ないその温度が上昇する
。
於て、（１）はシリコン等からなるウェハ、（２）は水
冷パイプ等の冷却手段（３）により冷却さ几たプラテン
を示し、該ウェハ（１）はベルトコンベヤその他の適当
な搬送装置によりプラテン（２）の前方に運ばｎ−、ク
ラック（４）でプラテン（２）の前面に圧接される。該
ウェハ（１）の表面（１ａ）には例えばイオンビームの
注入処理が施さｎｌ、これに伴ないその温度が上昇する
。
（５）は該プラテン（２）の前面に形成した凹部で、ウ
ェハ（１）がプラテン（２）に圧接さｎると該凹部（５
）は外部から区画さｆ″ＬｆｃＬｆｃ空間なり、そこに
冷却ガス等の冷却気体が例えば数１０ｔｏｒｒの圧力で
給排管（７） （８） ’Ｉｒ介して流通さ几る。
ェハ（１）がプラテン（２）に圧接さｎると該凹部（５
）は外部から区画さｆ″ＬｆｃＬｆｃ空間なり、そこに
冷却ガス等の冷却気体が例えば数１０ｔｏｒｒの圧力で
給排管（７） （８） ’Ｉｒ介して流通さ几る。
この場合フランジさｎ４ｃウニＩ（１）はその表側が真
空であると冷却気体の圧力で第３図示のように外方に膨
出するがその膨出量はウェハ（１）の強度とその表裏に
作用する圧力とから算定出来る。
空であると冷却気体の圧力で第３図示のように外方に膨
出するがその膨出量はウェハ（１）の強度とその表裏に
作用する圧力とから算定出来る。
（９）は冷却手段００によシ冷却さル、ウェハ（１）の
背面（１ｂ）に当接すべく空間（６）内で出没する冷却
板で、ウェハ（１）に接触してその熱を奪う。
背面（１ｂ）に当接すべく空間（６）内で出没する冷却
板で、ウェハ（１）に接触してその熱を奪う。
その作動を説明すると、イオン注入処理等のウェハ（１
）が発熱する処理を施す場合、空間（６）を塞ぐように
ウェハ（１）全取付は空間（６）内に冷却気体を給排管
（７） （８）を介して流通させると共に冷却板（９）
を前進させてウェハ（１）に当接させる。ウェハ（１）
と冷却板（９）の当接面はミクロ的には前記したように
多くの間隙が存するので熱伝導が減殺さ几るが、空間（
６）に導いた冷却気体は該間隙を流通してウェハ（１）
を冷却する。該間隙は微小な間隙であり、そこに気体を
流通させることで冷却板（９）との間の対流による冷却
作用が生じ、冷却板（９）との接触による冷却作用と相
俟ってウェハ（１） ′ｆｒ効率良く冷却出来る。具体
的には４インチのウェハ（１）ヲ第１図示の如く冷却す
ると４０Ｗの熱を吸収するが、第２図示のものでは４０
０Ｗの熱を吸収し得る。
）が発熱する処理を施す場合、空間（６）を塞ぐように
ウェハ（１）全取付は空間（６）内に冷却気体を給排管
（７） （８）を介して流通させると共に冷却板（９）
を前進させてウェハ（１）に当接させる。ウェハ（１）
と冷却板（９）の当接面はミクロ的には前記したように
多くの間隙が存するので熱伝導が減殺さ几るが、空間（
６）に導いた冷却気体は該間隙を流通してウェハ（１）
を冷却する。該間隙は微小な間隙であり、そこに気体を
流通させることで冷却板（９）との間の対流による冷却
作用が生じ、冷却板（９）との接触による冷却作用と相
俟ってウェハ（１） ′ｆｒ効率良く冷却出来る。具体
的には４インチのウェハ（１）ヲ第１図示の如く冷却す
ると４０Ｗの熱を吸収するが、第２図示のものでは４０
０Ｗの熱を吸収し得る。
該冷却板（９）の表面を湾曲するウエノ・（１）に合わ
せた曲面に形成して接触面積を増大させることが好まし
く、また冷却気体を１０乃至７６０ｔｏｒｒとすｎば気
体の熱伝導率は余り変わりがないがウェハの湾曲を小さ
くするため約Ｉ Ｑｔｏｒｒの小さい圧力とすることが
好ましい。
せた曲面に形成して接触面積を増大させることが好まし
く、また冷却気体を１０乃至７６０ｔｏｒｒとすｎば気
体の熱伝導率は余り変わりがないがウェハの湾曲を小さ
くするため約Ｉ Ｑｔｏｒｒの小さい圧力とすることが
好ましい。
このように本発明によるときは、プラテン忙ウェハで塞
がれ冷却気体が流通する空間を形成し。
がれ冷却気体が流通する空間を形成し。
そこにウェハと当接する冷却板を設けたのでウェハと冷
却板の接触で生ずる間隙を冷却気体が流通し、冷却板へ
の熱伝導では不足勝ちの冷却作用を冷却気体が補ない、
ウェハの良好な冷却を行なえる等の効果がある。
却板の接触で生ずる間隙を冷却気体が流通し、冷却板へ
の熱伝導では不足勝ちの冷却作用を冷却気体が補ない、
ウェハの良好な冷却を行なえる等の効果がある。
第１図は従来例の裁断側面図、第２図は本発明の実施例
の裁断側面図、第３図はその要部の拡大図である。 （１）・・・ウェハ （２）・・・プラテン（３）・・
・冷却手段 （６）・・・空間（９）・・・冷却板 外ｌる 第１ 国 １２ｔ！！
の裁断側面図、第３図はその要部の拡大図である。 （１）・・・ウェハ （２）・・・プラテン（３）・・
・冷却手段 （６）・・・空間（９）・・・冷却板 外ｌる 第１ 国 １２ｔ！！
Claims (1)
- ウェハをその背後の冷却手段を備えｆｃプラテンに圧接
して冷却する式のものに於て、該プラテンの前面に該ウ
ェハで塞が九て区画さｎ且っ冷却気体が流通する空間を
形成し、該空間内に該ウェハの背面に当接すべく出没す
る冷却板を設けたことを特徴とするウェハ冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042114A JPS60187016A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | ウエハ冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042114A JPS60187016A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | ウエハ冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187016A true JPS60187016A (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=12626924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042114A Pending JPS60187016A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | ウエハ冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187016A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213434A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-12 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 半導体ウエーハとプラテンの間に熱伝達を行なうための装置及び方法 |
| JPS58214261A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-13 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエ−ハ配向装置 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59042114A patent/JPS60187016A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58214261A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-13 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエ−ハ配向装置 |
| JPS58213434A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-12 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 半導体ウエーハとプラテンの間に熱伝達を行なうための装置及び方法 |
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