JPS58214261A - ウエ−ハ配向装置 - Google Patents
ウエ−ハ配向装置Info
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- JPS58214261A JPS58214261A JP58089336A JP8933683A JPS58214261A JP S58214261 A JPS58214261 A JP S58214261A JP 58089336 A JP58089336 A JP 58089336A JP 8933683 A JP8933683 A JP 8933683A JP S58214261 A JPS58214261 A JP S58214261A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum chuck
- rotating
- wafers
- chamber door
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/38—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、半導体ウエーノ・処理に関するもので、特に
、処理ビームに関して予め選択された配向を個々のウェ
ーハに提供するだめの装置を含むウェーハ取り扱い装置
に関するものである。
、処理ビームに関して予め選択された配向を個々のウェ
ーハに提供するだめの装置を含むウェーハ取り扱い装置
に関するものである。
イオン注入は、半導体ウェーハ中に制御された急速な方
法で不純物を導入するだめの技術として、標準的なもの
になっている。イオン源で発生されたイオンビームは、
種々の加速度をもって半導体ウェー・・へと方向づけら
れる。イオンの運動量を用いることにより、半導体ウェ
ーハのバルク中へ不純物が導入され、それらが半導体材
料の結晶格子中へと打ち込まれる。半導体材料に衝撃を
与えるとき、不純物イオンの埋込み深度を注意深く制御
して、製造されるべき半導体デバイスの特性を制御する
ことが所望される。埋込み深度を決定する1つの因子が
、衝突イオンの運動エネルギーである。
法で不純物を導入するだめの技術として、標準的なもの
になっている。イオン源で発生されたイオンビームは、
種々の加速度をもって半導体ウェー・・へと方向づけら
れる。イオンの運動量を用いることにより、半導体ウェ
ーハのバルク中へ不純物が導入され、それらが半導体材
料の結晶格子中へと打ち込まれる。半導体材料に衝撃を
与えるとき、不純物イオンの埋込み深度を注意深く制御
して、製造されるべき半導体デバイスの特性を制御する
ことが所望される。埋込み深度を決定する1つの因子が
、衝突イオンの運動エネルギーである。
埋込み深度を決定する他の因子は、イオンビームが半導
体材料、代表的にシリコンの結晶構造に衝突する角度で
ある。結晶格子へのイオンビームの一定の入射角につい
て、埋込み深度の増加が、チャネリングと関連して生じ
ることが知られている。チャネリング効果は、原子の列
又は面が相関的に連続する弱い小さな角度の衝突によっ
て活発なイオンを指向づけ得ることから生じる効果であ
る。シリコン半導体ウェー・・は代表的に、特定の結晶
軸を表面に垂直にした状態で切断されるので、イオンビ
ームに関してウェーハを傾けてチャネリング効果を回避
することが、イオン注入において実行されている。代表
的に、ウエーノ・は、イオンビームとウェーハへの法線
との間で約7度の角度をもたらすように傾けられる。し
かしながら、ウェーハが傾けられるとき、チャネリング
がウェーハの回転の特定の角度の場合に起こる。なぜな
らば、入射イオンビームと整列した種々の結晶平面の回
転のためである。例えば、チュ(Chu)等の「後方散
乱分光測定法」(アカデミツク・プレス、ニューヨーク
、1978年、227乃至228頁)を参照されたい。
体材料、代表的にシリコンの結晶構造に衝突する角度で
ある。結晶格子へのイオンビームの一定の入射角につい
て、埋込み深度の増加が、チャネリングと関連して生じ
ることが知られている。チャネリング効果は、原子の列
又は面が相関的に連続する弱い小さな角度の衝突によっ
て活発なイオンを指向づけ得ることから生じる効果であ
る。シリコン半導体ウェー・・は代表的に、特定の結晶
軸を表面に垂直にした状態で切断されるので、イオンビ
ームに関してウェーハを傾けてチャネリング効果を回避
することが、イオン注入において実行されている。代表
的に、ウエーノ・は、イオンビームとウェーハへの法線
との間で約7度の角度をもたらすように傾けられる。し
かしながら、ウェーハが傾けられるとき、チャネリング
がウェーハの回転の特定の角度の場合に起こる。なぜな
らば、入射イオンビームと整列した種々の結晶平面の回
転のためである。例えば、チュ(Chu)等の「後方散
乱分光測定法」(アカデミツク・プレス、ニューヨーク
、1978年、227乃至228頁)を参照されたい。
従って、注入されるイオンの埋込み深度に亘って完全に
制御するために、半導体ウェーハを傾けることだけでな
くチャネリングが最小となる回転配向をもたらすことも
また、必要である。
制御するために、半導体ウェーハを傾けることだけでな
くチャネリングが最小となる回転配向をもたらすことも
また、必要である。
商業的な半導体処理の主な目的の1つは、単位時間当り
処理されるウェーハに関して高生産量を達成することで
ある。高い効率の達成を補助するために、自動ウェーハ
移送装置が開発されてきた。
処理されるウェーハに関して高生産量を達成することで
ある。高い効率の達成を補助するために、自動ウェーハ
移送装置が開発されてきた。
これらの装置は、代表的に操作者の介在なしにつエーハ
をウェーハ運搬器又はカセットからウェーハ処理チェン
バの中に移送し、次にカセットの中に戻す。例えば、1
982年1月19日にコード(Coad)等に発行され
た米国特許第4,311,427号を参照されたい。そ
の特許は、スパッタリング装置のだめの自動ウェー・・
移送装置を開示する。カセット内のウェーハは、カセッ
トが装置内に導入されるとき、通常未知の回転配向を有
する2、従って、上述したチャネリングの効果を回避す
るために処理の前に予め選択された配向にウェーハを回
転する性能を前記ウェーハ移送装置にもたらすことが、
所望される。更に、ウェーハを配向するための装置が簡
単、廉価、精密で且つ高速で作動してウェーハを処理す
る速度及び費用への悪影響を回避することが、所望され
る。
をウェーハ運搬器又はカセットからウェーハ処理チェン
バの中に移送し、次にカセットの中に戻す。例えば、1
982年1月19日にコード(Coad)等に発行され
た米国特許第4,311,427号を参照されたい。そ
の特許は、スパッタリング装置のだめの自動ウェー・・
移送装置を開示する。カセット内のウェーハは、カセッ
トが装置内に導入されるとき、通常未知の回転配向を有
する2、従って、上述したチャネリングの効果を回避す
るために処理の前に予め選択された配向にウェーハを回
転する性能を前記ウェーハ移送装置にもたらすことが、
所望される。更に、ウェーハを配向するための装置が簡
単、廉価、精密で且つ高速で作動してウェーハを処理す
る速度及び費用への悪影響を回避することが、所望され
る。
ウェーハ配向のだめの装置が、従来技術において示され
てさた。米国特許第4,311,427号は、回転ロー
ラを使用してカセット内にウエーノ・の案内フラットを
整列させることを開示する。ウイットコウアー(Wit
tkower )に対°シて1975年8月26Hに発
行された米国特許第3,901,183号は、真空チェ
ンバ内のウェーハホルダ上に回転ディスクを使用してウ
ェーハの案内フラットを整列させることを開示する。し
かしながら、そのような装置は、1つの既定角度におい
てフラットを整列させることのみが可能である。いくつ
かのウェーハ処理段階において、この制限は望ましくな
い。ウェーハ案内フラットは、必ずしも同一の半導体結
晶面を指示するとは限らない。従って、簡単なフラット
整列が、必ずしも結晶格子とイオンビームとの間で同一
の角度を生じるとは限らない。可撓性をもたらすために
、ウェーハ処理装置は、ウェーハの如何なる予め選択さ
れた配向をも可能にするようにプログラム可能であるべ
きである。
てさた。米国特許第4,311,427号は、回転ロー
ラを使用してカセット内にウエーノ・の案内フラットを
整列させることを開示する。ウイットコウアー(Wit
tkower )に対°シて1975年8月26Hに発
行された米国特許第3,901,183号は、真空チェ
ンバ内のウェーハホルダ上に回転ディスクを使用してウ
ェーハの案内フラットを整列させることを開示する。し
かしながら、そのような装置は、1つの既定角度におい
てフラットを整列させることのみが可能である。いくつ
かのウェーハ処理段階において、この制限は望ましくな
い。ウェーハ案内フラットは、必ずしも同一の半導体結
晶面を指示するとは限らない。従って、簡単なフラット
整列が、必ずしも結晶格子とイオンビームとの間で同一
の角度を生じるとは限らない。可撓性をもたらすために
、ウェーハ処理装置は、ウェーハの如何なる予め選択さ
れた配向をも可能にするようにプログラム可能であるべ
きである。
分離ウェーハ配向配置が、カセットとウェーハ処理チェ
ンバとの間にもたらされ得る。しかしながら、そのよう
な配列は、ウェーハ移送装置に対して複雑さ及び費用を
加える。さらに、ウェーハ移送装置の速度は減小して、
ウェーハの損傷又は破損の危険は、追加的ウェーハ移送
工程が導入されるとき増加する。結局、ウェーハが配向
配6置から処理チェンバへ移送されるとき、ウェーハ配
向における誤差が生じ得る。
ンバとの間にもたらされ得る。しかしながら、そのよう
な配列は、ウェーハ移送装置に対して複雑さ及び費用を
加える。さらに、ウェーハ移送装置の速度は減小して、
ウェーハの損傷又は破損の危険は、追加的ウェーハ移送
工程が導入されるとき増加する。結局、ウェーハが配向
配6置から処理チェンバへ移送されるとき、ウェーハ配
向における誤差が生じ得る。
本発明の一般的な目的は、ウェーハ処理チェン・マにお
いて処理に先立ち半導体ウェーハを配向するだめの装置
を提供することである。
いて処理に先立ち半導体ウェーハを配向するだめの装置
を提供することである。
本発明の他の目的は、半導体ウェーハを任意の予め選択
された角度変位だけ回転させるだめの簡単な装置を提供
することである。
された角度変位だけ回転させるだめの簡単な装置を提供
することである。
更に、本発明の他の目的は、自動ウェーハ移送装置にお
いて半導体ウェーハを配向するだめの装置を提供するこ
とである。
いて半導体ウェーハを配向するだめの装置を提供するこ
とである。
更に、本発明の他の目的は、半導体ウェーハを半導体処
理チェンバの入口において配向させるだめの装置を提供
することである。
理チェンバの入口において配向させるだめの装置を提供
することである。
発明の概要
本発明に従うと、他の目的及び利点が、処理に先立ちほ
ぼ円形のウェーハをウェーハ処理チェンバ内に位置づけ
るだめの装置において成し遂けられる。その装置は、ウ
ェーハ処理チェンバの入口に付設されたウェーハ取扱い
手段、ウェーハ取扱い手段に付設された手段及びウェー
ハをウェーハ取扱い手段に送達するだめの手段から成る
。ウェーハ取扱い手段は、ウェーハを受は取ってそのウ
ェーハを処理チェンバ内に移動させる。ウェーハ取扱い
手段に付設された手段は、ウェーハと係合して任意の予
め選択された角度変位と同じたけ回転する。
ぼ円形のウェーハをウェーハ処理チェンバ内に位置づけ
るだめの装置において成し遂けられる。その装置は、ウ
ェーハ処理チェンバの入口に付設されたウェーハ取扱い
手段、ウェーハ取扱い手段に付設された手段及びウェー
ハをウェーハ取扱い手段に送達するだめの手段から成る
。ウェーハ取扱い手段は、ウェーハを受は取ってそのウ
ェーハを処理チェンバ内に移動させる。ウェーハ取扱い
手段に付設された手段は、ウェーハと係合して任意の予
め選択された角度変位と同じたけ回転する。
本発明の他の例に従うと、1度に1つ、複数のウェーハ
を保持するカセットとウェーハ処理チェンバとの間の、
はぼ円形のウェーハを自動移送するための装置は、処理
に先立ち任意の予め選択された配向をウェーハの各々に
提供するための装置を含む。その装置は、ウェーハ処理
チェンバの入口に付設されたウェーハ取扱い手段から成
る。ウェーハ取扱い手段は、ウェーハを受は取ってその
ウェーハを処理チェンバ内に移動させる。ウェーハ取扱
い手段は、ウェーハと係合して予め選択された角度変位
だけウェーハを回転させる。更に、装置は、移送手段及
びカセット搬送手段から成る。
を保持するカセットとウェーハ処理チェンバとの間の、
はぼ円形のウェーハを自動移送するための装置は、処理
に先立ち任意の予め選択された配向をウェーハの各々に
提供するための装置を含む。その装置は、ウェーハ処理
チェンバの入口に付設されたウェーハ取扱い手段から成
る。ウェーハ取扱い手段は、ウェーハを受は取ってその
ウェーハを処理チェンバ内に移動させる。ウェーハ取扱
い手段は、ウェーハと係合して予め選択された角度変位
だけウェーハを回転させる。更に、装置は、移送手段及
びカセット搬送手段から成る。
移送手段は、カセットとウエーノ・取扱い手段との間に
ウェーハを輸送する。カセット搬送手段は、移送手段に
関してカセットを位置づける。更に、装置は、カセット
内の複数のウェーハの各々の上に案内フラットを予め整
列させるだめの手段から成る。
ウェーハを輸送する。カセット搬送手段は、移送手段に
関してカセットを位置づける。更に、装置は、カセット
内の複数のウェーハの各々の上に案内フラットを予め整
列させるだめの手段から成る。
好適実施例
本発明に従うウェーハ配向装置は、代表的にはイオン注
入装置に使用される。イオン注入装置の一例が第1図に
示されている。高電圧ターミナル2が、高電圧電源(図
示されていない)によシ、アース電位に関して高電位に
保たれている。ターミナル2は、所望の種類のイオンビ
ームを形成するために必要な装置を覆っている。一般的
に、所望の種類のガス状の原料が採用されている。ガス
制御装置6から生成される原ガスがイオン源8に向けら
れ、そのイオン源8は電源10により付勢され、高イオ
ンビーム流18を作る。イオン源に関する技術は、一般
的に知られた技術である。イオン源8から発散するイオ
ンビーム18は、分析磁石20によシ質料分析され、集
束される。分析されたビームは、分解開口22、可変ス
リット24を通過し、次に加速管26を通過する。その
加速管では、ビームは、高電圧ターミナル2からアース
電位へと慎重に設計された電場勾配に遭遇する。
入装置に使用される。イオン注入装置の一例が第1図に
示されている。高電圧ターミナル2が、高電圧電源(図
示されていない)によシ、アース電位に関して高電位に
保たれている。ターミナル2は、所望の種類のイオンビ
ームを形成するために必要な装置を覆っている。一般的
に、所望の種類のガス状の原料が採用されている。ガス
制御装置6から生成される原ガスがイオン源8に向けら
れ、そのイオン源8は電源10により付勢され、高イオ
ンビーム流18を作る。イオン源に関する技術は、一般
的に知られた技術である。イオン源8から発散するイオ
ンビーム18は、分析磁石20によシ質料分析され、集
束される。分析されたビームは、分解開口22、可変ス
リット24を通過し、次に加速管26を通過する。その
加速管では、ビームは、高電圧ターミナル2からアース
電位へと慎重に設計された電場勾配に遭遇する。
四重極レンズ28のような光学的要素は、ターケ。
ット面で空間エネルギを集束させるために動作する。Y
軸備向板40及びX軸側向板42は、ビーム18をター
ダット面領域全体にわたって方向付けをする静電偏向板
となるものである。所望の走査パターンを形成するため
に各々の偏向板に印加される波形は、走査装置44によ
ってつくられる。
軸備向板40及びX軸側向板42は、ビーム18をター
ダット面領域全体にわたって方向付けをする静電偏向板
となるものである。所望の走査パターンを形成するため
に各々の偏向板に印加される波形は、走査装置44によ
ってつくられる。
二重ターグツトチェンバ46は、ビームモニターをおこ
なうためのファラデイ遮蔽50.51−、ハウジング、
ビーム形成マスク48.49を含んでいる。自動ウェー
ハ移送装置52.54は、半導体ウェーハをターダット
位置56.58の真空装置の中に1度に1つ導入し、タ
ーダット面に関して同様にそろえ、イオン注入期間中に
ウェー・・の冷却をおこない、注入の完了後ウェー/・
を真空装置から取シ出す。ターグツト位置56.58は
代表的にエアーロック内に位置し、以下に説明するよう
に、偏向されないビーム18の縦軸線6゜の同一水平線
上両側に配置される。そこで必要なことは、走査をおこ
なうためにその縦軸線から約±7度ビーム偏向をおこな
うことである。ビームダンプ(dump)62がターグ
ットチェンノぐ46内の縦軸線60上に位置し、イオン
ビーム18の中性部分を止める。
なうためのファラデイ遮蔽50.51−、ハウジング、
ビーム形成マスク48.49を含んでいる。自動ウェー
ハ移送装置52.54は、半導体ウェーハをターダット
位置56.58の真空装置の中に1度に1つ導入し、タ
ーダット面に関して同様にそろえ、イオン注入期間中に
ウェー・・の冷却をおこない、注入の完了後ウェー/・
を真空装置から取シ出す。ターグツト位置56.58は
代表的にエアーロック内に位置し、以下に説明するよう
に、偏向されないビーム18の縦軸線6゜の同一水平線
上両側に配置される。そこで必要なことは、走査をおこ
なうためにその縦軸線から約±7度ビーム偏向をおこな
うことである。ビームダンプ(dump)62がターグ
ットチェンノぐ46内の縦軸線60上に位置し、イオン
ビーム18の中性部分を止める。
第1図の装置52.54に対応する自動ウェーハ移送装
置が、第2図に略示的に示されている。
置が、第2図に略示的に示されている。
その装置は、はぼ円形の半導体ウェーハを1度に1つ、
カセット110.111(各々は多数のウェーハを保持
している)とウェーハ処理チェンバ114との間に自動
的に移送する。カセッ)110.111の各々は、上向
きで平行な位置に保持するだめの多数の平行なスロット
を有し、ウェーハ112を運び、一時的に貯蔵するため
に使用される。カセッ)’1’IO%111は、代表的
にはプラスチック材であり、第2図の装置においては、
下方からのウェーハ112への接近を可能にさせるため
に底部を開放しておかなければならない。クー1−−’
JLjl−1−エンパ114は真空チェンバで、今の場
合、連続したイオン注入に対して末端ステーションとな
っている。
カセット110.111(各々は多数のウェーハを保持
している)とウェーハ処理チェンバ114との間に自動
的に移送する。カセッ)110.111の各々は、上向
きで平行な位置に保持するだめの多数の平行なスロット
を有し、ウェーハ112を運び、一時的に貯蔵するため
に使用される。カセッ)’1’IO%111は、代表的
にはプラスチック材であり、第2図の装置においては、
下方からのウェーハ112への接近を可能にさせるため
に底部を開放しておかなければならない。クー1−−’
JLjl−1−エンパ114は真空チェンバで、今の場
合、連続したイオン注入に対して末端ステーションとな
っている。
第2図に示されたウェーハ移送装置はウェーハ取扱い手
段120を含み、その手段120は、ウェーハ122を
受は取って、そのウェーハを処理チェンバ114の中に
移動するために、処理チェンバ114の入口に付設され
ている。移送装置は更に、カセッ)110,111とウ
ェーハ取扱い手段120との間にウェーハ122を輸送
するための移送手段124、及びその移送手段124に
関してカセット11o、111を位置づけるだめのカセ
ット搬送手段126を含んでいる。更に、この装置は、
カセッ)110,111内の多数のウェーハ112の各
々にある案内フラット部を予めそろえるための整列手段
128も含んでいる。
段120を含み、その手段120は、ウェーハ122を
受は取って、そのウェーハを処理チェンバ114の中に
移動するために、処理チェンバ114の入口に付設され
ている。移送装置は更に、カセッ)110,111とウ
ェーハ取扱い手段120との間にウェーハ122を輸送
するための移送手段124、及びその移送手段124に
関してカセット11o、111を位置づけるだめのカセ
ット搬送手段126を含んでいる。更に、この装置は、
カセッ)110,111内の多数のウェーハ112の各
々にある案内フラット部を予めそろえるための整列手段
128も含んでいる。
ウェーハ取扱い手段120は、チェンバドア134、第
2図に示されている開放位置と密閉位置との間にチェン
バドア134を移動させる手段136、及び第4図で示
されているウエーノ・122と係合し、それを所定の角
度回転する手段を有している。ウエーノ・122と係合
し、それを回転する手段は、回転可能真空チャック13
8、第2図に示されているウエーノ・収納位置と第3図
に示されている引込み位置との間に真空チャック138
を移動するための、ノ・ウジフグ140内に囲まれたと
ころの手段、及び真空チャック138を所定の角度回転
する手段を有する。真空チャック138を回転する手段
は、モータ142及びプログラム可能な制御手段144
を有しており、それぞれは真空チャック138に連結さ
れている。チェンバドア134は、ウエーノ・が処理の
間向い合って保持されるところのウエーノ・収納表面、
又はプラテン146、及びプラテン146を冷却するだ
めの手段(図示されていない)を有している。
2図に示されている開放位置と密閉位置との間にチェン
バドア134を移動させる手段136、及び第4図で示
されているウエーノ・122と係合し、それを所定の角
度回転する手段を有している。ウエーノ・122と係合
し、それを回転する手段は、回転可能真空チャック13
8、第2図に示されているウエーノ・収納位置と第3図
に示されている引込み位置との間に真空チャック138
を移動するための、ノ・ウジフグ140内に囲まれたと
ころの手段、及び真空チャック138を所定の角度回転
する手段を有する。真空チャック138を回転する手段
は、モータ142及びプログラム可能な制御手段144
を有しており、それぞれは真空チャック138に連結さ
れている。チェンバドア134は、ウエーノ・が処理の
間向い合って保持されるところのウエーノ・収納表面、
又はプラテン146、及びプラテン146を冷却するだ
めの手段(図示されていない)を有している。
移送手段124は、昇降ブレード150、駆動手段15
2及びクランク手段154を含む。クランク手段154
は、駆動手段152を昇降ブレード150に連結し且つ
駆動手段152の回転運動をブレード150の直線運動
に変換する。駆動手段152は、代表的にモータ及び機
械的ステツ・ぐを含む。昇降ブレード150は、溝15
6を備えたアーチ状の先端を有している。溝156は、
下からカセット110.111内のウエーノ・と端と端
を接して係合して、ウエーノ・をウエーノ・取扱い手段
120まで持ち上げるようにされている。
2及びクランク手段154を含む。クランク手段154
は、駆動手段152を昇降ブレード150に連結し且つ
駆動手段152の回転運動をブレード150の直線運動
に変換する。駆動手段152は、代表的にモータ及び機
械的ステツ・ぐを含む。昇降ブレード150は、溝15
6を備えたアーチ状の先端を有している。溝156は、
下からカセット110.111内のウエーノ・と端と端
を接して係合して、ウエーノ・をウエーノ・取扱い手段
120まで持ち上げるようにされている。
カセット搬送手段126は、ゴール反転器162及びガ
イドシャフト163に連結されだカセットホルダ160
を含む。ゴール反転器162はホルダ160の一方の側
に位置づけられて、がイト°シャフト163はホルダ1
60の反対側に位置づけられている。更に、搬送手段1
26は駆動手段164を含み、?−ル反転器162を作
動してホルダ160を直線経路に沿って段階的に又は連
続的に移動する。駆動手段164は、代表的にモータ、
スリップクラッチ及び機械的ステツ・ぐを含む。
イドシャフト163に連結されだカセットホルダ160
を含む。ゴール反転器162はホルダ160の一方の側
に位置づけられて、がイト°シャフト163はホルダ1
60の反対側に位置づけられている。更に、搬送手段1
26は駆動手段164を含み、?−ル反転器162を作
動してホルダ160を直線経路に沿って段階的に又は連
続的に移動する。駆動手段164は、代表的にモータ、
スリップクラッチ及び機械的ステツ・ぐを含む。
案内フラットをウエーノ1112の各々の上に予め整列
させるだめの整列手段128は、カセット110.11
1の下に位置づけられたローラ170を含み、そのロー
ラ170はカセット110.111のうちの1つの中の
すべてのウエーノ・112の端と同時に接触する。ロー
2170は、連結されるモータ172によって回転され
得るシリンダの形態であって、整列位置まで上方に移動
可能であり且つ引込み位置まで下方に移動可能である。
させるだめの整列手段128は、カセット110.11
1の下に位置づけられたローラ170を含み、そのロー
ラ170はカセット110.111のうちの1つの中の
すべてのウエーノ・112の端と同時に接触する。ロー
2170は、連結されるモータ172によって回転され
得るシリンダの形態であって、整列位置まで上方に移動
可能であり且つ引込み位置まで下方に移動可能である。
ローラ170の軸は、カセット110.111の長い寸
法と整列させられる。予め整列するための整列手段12
8は、更にカセット110.111の下に位置づけられ
た平坦面176を有する要素174を含んでも良い。要
素174は、平坦面176がウェーハ112と接触する
整列位置まで上方に移動可能であり且つ引込み位置まで
下方に移動可能である。要素】74は、空気シリンダの
ような作動手段178によって上方及び下方に移動させ
られる、第2図において図示される自動ウェー・・移送
装置に関して更に熟知するために、バーチル(Hert
el )等の「ウェーハ移送装置」を参照されたい。
法と整列させられる。予め整列するための整列手段12
8は、更にカセット110.111の下に位置づけられ
た平坦面176を有する要素174を含んでも良い。要
素174は、平坦面176がウェーハ112と接触する
整列位置まで上方に移動可能であり且つ引込み位置まで
下方に移動可能である。要素】74は、空気シリンダの
ような作動手段178によって上方及び下方に移動させ
られる、第2図において図示される自動ウェー・・移送
装置に関して更に熟知するために、バーチル(Hert
el )等の「ウェーハ移送装置」を参照されたい。
第5図を参照すれば、ウェーハ取扱い手段120の断面
図が図示されている。チェンバドア134は、プラテン
146を含む。プラテン146は、凸状に湾曲可能であ
って、柔軟な熱伝導性物質で被覆可能であシウエーハ1
22とプラテン146との間の接触を改良する。このこ
とは、1981年8月11日にファレトラ(F”are
tra )に対して発行された米国特許第4,282,
924号において説明されている。チェンバドア134
もまた、冷却液の循環のだめの通路200を含む。0リ
ング202がチェンバドア134の周縁に設けられて、
ウェーハ処理チェンバ114の入口に対してチェンバド
アを密閉する。チェンバドア134は更に、真空チャッ
ク138が通過するブツシュ204を設けられている。
図が図示されている。チェンバドア134は、プラテン
146を含む。プラテン146は、凸状に湾曲可能であ
って、柔軟な熱伝導性物質で被覆可能であシウエーハ1
22とプラテン146との間の接触を改良する。このこ
とは、1981年8月11日にファレトラ(F”are
tra )に対して発行された米国特許第4,282,
924号において説明されている。チェンバドア134
もまた、冷却液の循環のだめの通路200を含む。0リ
ング202がチェンバドア134の周縁に設けられて、
ウェーハ処理チェンバ114の入口に対してチェンバド
アを密閉する。チェンバドア134は更に、真空チャッ
ク138が通過するブツシュ204を設けられている。
ブツシュ204は、チェンバドア134に対してOリン
グ206によって気密され、真空チャック138に対し
て一対のOIJソング08によって気密される。真空チ
ャック138は、空気が吸気されて吸引力をもたらす中
空シリングである。ハウ・ジンク140は、チェンバr
ア134の背面に取シ付けられている。チェンバドア1
34を移動するための手段136は、静止ハウジング2
09及び可動部材212を含む。静止ハウジング209
は固定フレーム部材210に取り付けられておす、可動
部材212はハウジング140の背面に取り付けられて
いる。手段136は、代表的に、第2図で示される位置
と第4図で示される位置との間でチェノ・々ドア134
を移動するように作動し得るエアシリンダである。
グ206によって気密され、真空チャック138に対し
て一対のOIJソング08によって気密される。真空チ
ャック138は、空気が吸気されて吸引力をもたらす中
空シリングである。ハウ・ジンク140は、チェンバr
ア134の背面に取シ付けられている。チェンバドア1
34を移動するための手段136は、静止ハウジング2
09及び可動部材212を含む。静止ハウジング209
は固定フレーム部材210に取り付けられておす、可動
部材212はハウジング140の背面に取り付けられて
いる。手段136は、代表的に、第2図で示される位置
と第4図で示される位置との間でチェノ・々ドア134
を移動するように作動し得るエアシリンダである。
変形的に、いくつかの場合において、チェンバドア13
4におけるウェーハ122の冷却を必要としないという
ことが理解されるであろう。例えば、処理は大きな動力
を使用しなくとも良く、或いはウェーハ122はチェン
バドアから処理用処理チェンバ114内の他の位置へ移
送されても良い。このことは、米国特許第4,311,
427号において示されている。この場合において、プ
ラテン146及び冷却通路200は、チェンバドア13
4内に含まれない。
4におけるウェーハ122の冷却を必要としないという
ことが理解されるであろう。例えば、処理は大きな動力
を使用しなくとも良く、或いはウェーハ122はチェン
バドアから処理用処理チェンバ114内の他の位置へ移
送されても良い。このことは、米国特許第4,311,
427号において示されている。この場合において、プ
ラテン146及び冷却通路200は、チェンバドア13
4内に含まれない。
サブハウジング220が、ハウジング140内部でチェ
ンバドア134の背面に取付けられている。ウェーハ受
は取シ位置と引込み位置との間で真空チャック138を
移動するための手段222が、真空チャック138の直
接裏側のサブハウジング220に取シ付けられて、エア
シリンダとな#)得る。タイミング滑車224、ス/?
−ギア226及び真空チャック138がエアシリンダ2
22の回転可能なシャフトに取シ付けられている。エア
シリンダ222の作動は、第2図で示されるウェーハ受
は取シ位置と第3図で示される引込み位置との間に真空
チャック138の移動をもたらすっ真空チャック138
を回転するための手段は、サブハウジング220に取シ
付けられているモータ142を含む。モータ142は、
代表的に可逆直流モータであって、留め継ぎギアセット
のうちの1つのギア230をそのモータ142のシャフ
トに取シ付けている。留め継ぎギアセットの歯合ギア2
32は回転可能なシャフト234に取り付けられていて
、シャ7)234はモータ142のシャフトに直角に位
置づけられ且つ真空チャック138に平行である。シャ
フト234は、ゾール村アリングセット236によって
支持されている。
ンバドア134の背面に取付けられている。ウェーハ受
は取シ位置と引込み位置との間で真空チャック138を
移動するための手段222が、真空チャック138の直
接裏側のサブハウジング220に取シ付けられて、エア
シリンダとな#)得る。タイミング滑車224、ス/?
−ギア226及び真空チャック138がエアシリンダ2
22の回転可能なシャフトに取シ付けられている。エア
シリンダ222の作動は、第2図で示されるウェーハ受
は取シ位置と第3図で示される引込み位置との間に真空
チャック138の移動をもたらすっ真空チャック138
を回転するための手段は、サブハウジング220に取シ
付けられているモータ142を含む。モータ142は、
代表的に可逆直流モータであって、留め継ぎギアセット
のうちの1つのギア230をそのモータ142のシャフ
トに取シ付けている。留め継ぎギアセットの歯合ギア2
32は回転可能なシャフト234に取り付けられていて
、シャ7)234はモータ142のシャフトに直角に位
置づけられ且つ真空チャック138に平行である。シャ
フト234は、ゾール村アリングセット236によって
支持されている。
また、ビニオンギア240がシャフト234に取り付け
られていて、ス/4’−1’7226の破線位置及び真
空チャック138の引込み位置によって指示されるよう
な、2つのウェーハ受は取シ位置においてス・母−ギア
226と歯合するように位置づけられている。
られていて、ス/4’−1’7226の破線位置及び真
空チャック138の引込み位置によって指示されるよう
な、2つのウェーハ受は取シ位置においてス・母−ギア
226と歯合するように位置づけられている。
プログラム可能なコントロール手段144はハウジング
に取シ付けられていて、真空チャック138の回転を感
知し且つモータ142の動作を制御するように動作する
。第6図において、プログラム可能なコントロール手段
144を含む、ウェーハ取扱い手段120の背面図が、
図示されている。取付はプレート246は、ハウジング
140に連結されている。セレクタ組立体248が取付
ケプレート246に取シ付けられていて、セレクタ組立
体248はダイアルプレート250及びセレクタフレー
ム252を含む。回転可能なシャフト254が、セレク
タフレーム252内で一対のゴールベアリング256に
よって支持されている。
に取シ付けられていて、真空チャック138の回転を感
知し且つモータ142の動作を制御するように動作する
。第6図において、プログラム可能なコントロール手段
144を含む、ウェーハ取扱い手段120の背面図が、
図示されている。取付はプレート246は、ハウジング
140に連結されている。セレクタ組立体248が取付
ケプレート246に取シ付けられていて、セレクタ組立
体248はダイアルプレート250及びセレクタフレー
ム252を含む。回転可能なシャフト254が、セレク
タフレーム252内で一対のゴールベアリング256に
よって支持されている。
タイミング滑車258がシャフト254に取り付けられ
ていて、タイミング滑車224にタイミングベルト26
0によって回転可能に連結されている。タイミング滑車
224,258及びタイミングベル)260tJ、シャ
フト254が真空チャック138と同量だけ回転するこ
とを保証する歯を有する。シャフト254は、シャフト
の周辺上の1つの角度位置において突起262を設けら
れている。スイッチ264はスイッチブラケット266
に取シ付けられていて、スイッチプラケット266はま
たセレクタフレーム252に取り付けられている。スイ
ッチ264は、スイッチ264及び突起262の角度位
置が同一であるとき突起262によって作動されるよう
に、取シ付けられている。
ていて、タイミング滑車224にタイミングベルト26
0によって回転可能に連結されている。タイミング滑車
224,258及びタイミングベル)260tJ、シャ
フト254が真空チャック138と同量だけ回転するこ
とを保証する歯を有する。シャフト254は、シャフト
の周辺上の1つの角度位置において突起262を設けら
れている。スイッチ264はスイッチブラケット266
に取シ付けられていて、スイッチプラケット266はま
たセレクタフレーム252に取り付けられている。スイ
ッチ264は、スイッチ264及び突起262の角度位
置が同一であるとき突起262によって作動されるよう
に、取シ付けられている。
ダイアルプレート250及びセレクタフレーム252は
一対の弓状スロット27oを含み、弓状スロット270
はセレクタ組立体248を取付け7’L/−ト246に
取シ付けるためにRシト2フ2を通過させる。弓状スロ
ット27oは、取付はデレート246における一連の穴
と結合して、スイッチ264を含むセレクタ組立体全体
を予め選択されたすべての角度まで回転させることを可
能にする。スイッチ264は、180°回転後の第5及
び6図における破線によって図示されている。第2のス
イッチ276が、取付はプレー)246に取り付けられ
た取付はブラケッ) 278によって固定位置において
支持されている。スイッチ276及び突起262の角度
位置が同一であるとき、スイッチ276は突起262に
よって作動するように位置つけられる。スイッチ264
及び276の電気的接続は、以下に記述されるようにモ
ータ142を付勢し且つ消勢するように連結される。
一対の弓状スロット27oを含み、弓状スロット270
はセレクタ組立体248を取付け7’L/−ト246に
取シ付けるためにRシト2フ2を通過させる。弓状スロ
ット27oは、取付はデレート246における一連の穴
と結合して、スイッチ264を含むセレクタ組立体全体
を予め選択されたすべての角度まで回転させることを可
能にする。スイッチ264は、180°回転後の第5及
び6図における破線によって図示されている。第2のス
イッチ276が、取付はプレー)246に取り付けられ
た取付はブラケッ) 278によって固定位置において
支持されている。スイッチ276及び突起262の角度
位置が同一であるとき、スイッチ276は突起262に
よって作動するように位置つけられる。スイッチ264
及び276の電気的接続は、以下に記述されるようにモ
ータ142を付勢し且つ消勢するように連結される。
上述したウェーハ移送装置の操作を、第2図乃至第6図
を参照にして説明する。ここで説明するウェーハ移送装
置の自動操作は、指定時刻に指定間隔で各機構を起動す
る装置制御装置(図示されていない)によって制御され
ることが理解されるであろう。その制御装置は、専用(
dedicated )電子制御装置でも良く、或いは
適切なインターフェイス回路を通じて動作するコンピュ
ータであっても良い。
を参照にして説明する。ここで説明するウェーハ移送装
置の自動操作は、指定時刻に指定間隔で各機構を起動す
る装置制御装置(図示されていない)によって制御され
ることが理解されるであろう。その制御装置は、専用(
dedicated )電子制御装置でも良く、或いは
適切なインターフェイス回路を通じて動作するコンピュ
ータであっても良い。
最初に、操作者が、カセット搬送手段126の右端(第
2図)に位置したカセットホルダ160内にカセット1
10.111を配置して、装置の動作を開始する。カセ
ット110は、ゾール反転シャフト162及び駆動手段
164の動作によってローラ170より上の位置まで移
動される。ローラ170は、整列位置まで上方に移動し
、回転する。ローラ170の回転は、ウエーノ5112
の案内フラットがカセット110の底部においてローラ
170と接するまで、ウエーノh112の各々を回転す
る。次に、ローラ170は引込み、カセット110は要
素174より上の位置まで移動され、次に要素174は
整列位置まで上方に移動する。平坦面176は、ウエー
ノ5112の各々を僅かに持ち上げ、次に下げ、かくし
てウェー・・112の各々の案内フラットをカセット1
10の底部に正確に位置づける。要素174の動作は、
ローラ170の動作後における微小な変化を取り除き、
案内フラットの整列を保つ。
2図)に位置したカセットホルダ160内にカセット1
10.111を配置して、装置の動作を開始する。カセ
ット110は、ゾール反転シャフト162及び駆動手段
164の動作によってローラ170より上の位置まで移
動される。ローラ170は、整列位置まで上方に移動し
、回転する。ローラ170の回転は、ウエーノ5112
の案内フラットがカセット110の底部においてローラ
170と接するまで、ウエーノh112の各々を回転す
る。次に、ローラ170は引込み、カセット110は要
素174より上の位置まで移動され、次に要素174は
整列位置まで上方に移動する。平坦面176は、ウエー
ノ5112の各々を僅かに持ち上げ、次に下げ、かくし
てウェー・・112の各々の案内フラットをカセット1
10の底部に正確に位置づける。要素174の動作は、
ローラ170の動作後における微小な変化を取り除き、
案内フラットの整列を保つ。
カセット110は次に、ウェーハ112の1つが昇降ブ
レード150の真上の位置にくるまで、カセット搬送手
段126によって移動される。そのブレード150は、
それがウェーハ122と下から接し、溝156内でウェ
ーハ122の端と係合するまで、駆動手段152及びク
ランク手段154の動作で上昇する。ブレード150は
カセット110を貫通して移動し、第2図に示すように
開いたチェンバドア134の近傍の位置までウェーハ1
22をもち上げる。真空チャック138は、チェンバド
ア134からウェーハ収納位置まで外に向って伸び、ウ
ェーハ122の裏面を真空吸引動作によシウエーハ12
2を保持する。次に、昇降ブレード150は下降する。
レード150の真上の位置にくるまで、カセット搬送手
段126によって移動される。そのブレード150は、
それがウェーハ122と下から接し、溝156内でウェ
ーハ122の端と係合するまで、駆動手段152及びク
ランク手段154の動作で上昇する。ブレード150は
カセット110を貫通して移動し、第2図に示すように
開いたチェンバドア134の近傍の位置までウェーハ1
22をもち上げる。真空チャック138は、チェンバド
ア134からウェーハ収納位置まで外に向って伸び、ウ
ェーハ122の裏面を真空吸引動作によシウエーハ12
2を保持する。次に、昇降ブレード150は下降する。
第2図は、ウェーハ122が真空チャック138へと移
されるところの動作を図示している。
されるところの動作を図示している。
真空チャック138が引込む前、又はチェ7・マドア1
34が密閉位置まで動く前に、ウェーハ122は所望の
方向に回転する。ウェーハがカセット110内で予めそ
ろえられているので、所定の角度変位まで真空チャック
138を回転することでどの方向にも望み通り行い得る
。第6図を参照すれば、操作者は、装置の操作を開始す
る前に、ボルト272を除去し、セレクタ組立体248
を真空チャック138の回転の所望の角度に相当する角
度まで手動で回転して、ボルト272を取り替える。第
6図で図示する装置において、真空チャック138及び
シャフト254の最初の位置は、頂点又は12時におい
て突起262を有する。かくして、ウェーハ122を1
80°の角度だけ右回シに回転することが所望されるな
らば、セレクタ組立体248は右回シ方向に180°だ
け回転して、?シト2フ2は締められる。かくして、ス
イッチ264が、破線によって指示されるように突起2
62の最初の位置から1800の角度において位置づけ
られる。
34が密閉位置まで動く前に、ウェーハ122は所望の
方向に回転する。ウェーハがカセット110内で予めそ
ろえられているので、所定の角度変位まで真空チャック
138を回転することでどの方向にも望み通り行い得る
。第6図を参照すれば、操作者は、装置の操作を開始す
る前に、ボルト272を除去し、セレクタ組立体248
を真空チャック138の回転の所望の角度に相当する角
度まで手動で回転して、ボルト272を取り替える。第
6図で図示する装置において、真空チャック138及び
シャフト254の最初の位置は、頂点又は12時におい
て突起262を有する。かくして、ウェーハ122を1
80°の角度だけ右回シに回転することが所望されるな
らば、セレクタ組立体248は右回シ方向に180°だ
け回転して、?シト2フ2は締められる。かくして、ス
イッチ264が、破線によって指示されるように突起2
62の最初の位置から1800の角度において位置づけ
られる。
ウェーハ122が真空チャック138によって受は取ら
れたとき、昇降ブレード150は下げられ、モータ14
2は付勢されて留め継ぎギア230を介してシャフト2
34を回転する。ビニオンギア240は回転してスi!
−ギア226、真壁チャック138及びタイミング滑車
224の回転を生じさせる。タイミング滑車224の回
転は、タイミングベルト260を通じてタイミング滑車
258に伝達されて、シャフト254の回転を生じさせ
る。シャフト254が180°だけ回転したとき、突起
262はスイッチ264を作動して、スイッチ264は
電気的に接続されてモータ142を消勢してウェーハ1
22の回転を止める。従って、ウェーハ122は、スイ
ッチ264の位置によって決定される量だけ回転してい
る。
れたとき、昇降ブレード150は下げられ、モータ14
2は付勢されて留め継ぎギア230を介してシャフト2
34を回転する。ビニオンギア240は回転してスi!
−ギア226、真壁チャック138及びタイミング滑車
224の回転を生じさせる。タイミング滑車224の回
転は、タイミングベルト260を通じてタイミング滑車
258に伝達されて、シャフト254の回転を生じさせ
る。シャフト254が180°だけ回転したとき、突起
262はスイッチ264を作動して、スイッチ264は
電気的に接続されてモータ142を消勢してウェーハ1
22の回転を止める。従って、ウェーハ122は、スイ
ッチ264の位置によって決定される量だけ回転してい
る。
真空チャック138の回転によるウェーハ122の配向
の後、真空チャック138は、第3及び5図において図
示されるように、空気シリンダ222の配向によってチ
ェンバドア内に引込められる。
の後、真空チャック138は、第3及び5図において図
示されるように、空気シリンダ222の配向によってチ
ェンバドア内に引込められる。
真空チャック138を連続的に真空にすることによって
、真空チャック138がチェンバドア134内に引込め
られた後でさえ、気密がOl)ング208によって維持
されるので、ウニ+−ノ・122はプラテン146に対
して保持される。真空チャック138は引込められた後
、次のウェーハを受は取るのに備えてそ・の最初の位置
まで回転後退可能である。モータ142は付勢されて、
上述したように真空チャック138を回転し且つシャフ
ト254に対して回転を伝達する。真空チャック138
及びシャフト254が最初の位置まで回転後退したとき
、突起262はモ、−夕142を消勢するように電気的
に接続されているスイッチ276を作動する。
、真空チャック138がチェンバドア134内に引込め
られた後でさえ、気密がOl)ング208によって維持
されるので、ウニ+−ノ・122はプラテン146に対
して保持される。真空チャック138は引込められた後
、次のウェーハを受は取るのに備えてそ・の最初の位置
まで回転後退可能である。モータ142は付勢されて、
上述したように真空チャック138を回転し且つシャフ
ト254に対して回転を伝達する。真空チャック138
及びシャフト254が最初の位置まで回転後退したとき
、突起262はモ、−夕142を消勢するように電気的
に接続されているスイッチ276を作動する。
次に、第4及び5図で示されるように、を気シl) 7
ダ136は、チェンバドア134を密閉位置まで移動す
るように作動する。0リング202は、ウェーハ処理チ
ャンバ114の気密を提供する。
ダ136は、チェンバドア134を密閉位置まで移動す
るように作動する。0リング202は、ウェーハ処理チ
ャンバ114の気密を提供する。
チェンバドア134近傍のエアロツクが、チェンバドア
134が開くとき真空グートノクルブ280によって処
理チェンバの主要部から代表的に分離する。エアロツク
は、チェンバドア134が気密された後に真空排気され
ることが必要とされる量を最小にする。チェンバドア1
34を密閉した彼、エアロツクは排気され、真空ダート
バルブ2780は開かれてウェーハの処理が続く。ウェ
ーハ122は、その周縁でプラテン146に対してバネ
荷重ウェーハクランピングリング282によってしつか
りクランプ固定される。ウェーハ122の周縁上クラン
ピングは、ウェーハ122とプラテン146との間の良
好な熱接触を保証する。本発明の例において、ウェーハ
122の処理は、一様な反復的パターンにおいてウェー
ハ表面に亘る集束イオンビームの走査を伴い、半導体ウ
ェー・・122の材料内に不純物の既定の一様な適用量
を供給する。
134が開くとき真空グートノクルブ280によって処
理チェンバの主要部から代表的に分離する。エアロツク
は、チェンバドア134が気密された後に真空排気され
ることが必要とされる量を最小にする。チェンバドア1
34を密閉した彼、エアロツクは排気され、真空ダート
バルブ2780は開かれてウェーハの処理が続く。ウェ
ーハ122は、その周縁でプラテン146に対してバネ
荷重ウェーハクランピングリング282によってしつか
りクランプ固定される。ウェーハ122の周縁上クラン
ピングは、ウェーハ122とプラテン146との間の良
好な熱接触を保証する。本発明の例において、ウェーハ
122の処理は、一様な反復的パターンにおいてウェー
ハ表面に亘る集束イオンビームの走査を伴い、半導体ウ
ェー・・122の材料内に不純物の既定の一様な適用量
を供給する。
ウェーハ122の処理が達成されたとき、真空ダートパ
ルプ280は閉じられて、チェンバドア134は空気シ
リンダ136の作動によって開かれる。次に、真空チャ
ック138は、空気シリンダ222の動作によって回転
することなく伸ばされる。昇降ブレード150は、溝1
56がウェー−122と係合するまで上昇する。この時
、真空チャック138はウェーハ122を解放して、チ
ェンバドア134内に引込められる。昇降ブレード15
0は、ウェーハ122が最初に位置したカセット110
内の同一位置にウェー、−122を下げる。昇降ブレー
ド150はカセツ)110より下のその下げられた位置
まで移動して、カセット110はカセット搬送手段12
6によって次のウェーハ位置へと割り出される。昇降ブ
レード150は次のウェーハをチェンバドア134まで
持ち上け、処理は上述したように繰り返される。カセッ
ト110.111内のウェーハ112の各々がこの手順
に従って進められたとき、カセット110゜111は、
カセット搬送手段126によって右方に戻されて操作者
によって取り除かれる。
ルプ280は閉じられて、チェンバドア134は空気シ
リンダ136の作動によって開かれる。次に、真空チャ
ック138は、空気シリンダ222の動作によって回転
することなく伸ばされる。昇降ブレード150は、溝1
56がウェー−122と係合するまで上昇する。この時
、真空チャック138はウェーハ122を解放して、チ
ェンバドア134内に引込められる。昇降ブレード15
0は、ウェーハ122が最初に位置したカセット110
内の同一位置にウェー、−122を下げる。昇降ブレー
ド150はカセツ)110より下のその下げられた位置
まで移動して、カセット110はカセット搬送手段12
6によって次のウェーハ位置へと割り出される。昇降ブ
レード150は次のウェーハをチェンバドア134まで
持ち上け、処理は上述したように繰り返される。カセッ
ト110.111内のウェーハ112の各々がこの手順
に従って進められたとき、カセット110゜111は、
カセット搬送手段126によって右方に戻されて操作者
によって取り除かれる。
本発明の他の形状において、プログラム可能な制御手段
144又はモータ142は、真空チャック138のシャ
フトに直接に連結可能である。更に、変形的プログラム
可能な制御手段を使用し得る。例えば、モータ142の
速度は既知であるので、モータ142を既定時間の間付
勢可能であって、それによって真空チャック138の既
知の回転を生じる。真空チャック138は如何なる適切
なウェーハ移送機構からもウェー・・を受は取り可能で
あることが、当業者によって理解されるであろう。かく
して、処理前のイオンビームに関して予め選択された配
向に半導体ウェーハを回転する装置が、本発明により提
供される。その装置は、ウェーハ処理チェンバの入口近
くに位置したウェーハ取扱い手段に付設されている。そ
の装置は、簡単、廉価、精密且つ高速作動であって、自
動ウェーハ移送装置における使用に適している。
144又はモータ142は、真空チャック138のシャ
フトに直接に連結可能である。更に、変形的プログラム
可能な制御手段を使用し得る。例えば、モータ142の
速度は既知であるので、モータ142を既定時間の間付
勢可能であって、それによって真空チャック138の既
知の回転を生じる。真空チャック138は如何なる適切
なウェーハ移送機構からもウェー・・を受は取り可能で
あることが、当業者によって理解されるであろう。かく
して、処理前のイオンビームに関して予め選択された配
向に半導体ウェーハを回転する装置が、本発明により提
供される。その装置は、ウェーハ処理チェンバの入口近
くに位置したウェーハ取扱い手段に付設されている。そ
の装置は、簡単、廉価、精密且つ高速作動であって、自
動ウェーハ移送装置における使用に適している。
目下考えられたいろいろな好適実施例が示されているけ
れども、当業者であれば、特許請求の範囲に基づ〈発明
の思想から逸脱することなくいろいろな変形及び変更が
おこなえることは明らかである。
れども、当業者であれば、特許請求の範囲に基づ〈発明
の思想から逸脱することなくいろいろな変形及び変更が
おこなえることは明らかである。
第1図は、イオン注入装置の平面概略図である。
第2図は、本発明に従う自動ウェー・・移送装置の簡略
側面図である。 第3図は、真空チャックが引込められた第2図の装置の
一部の簡略図である。 第4図は、気密位置におけるチェンバドアを示す第2図
の装置の一部の簡略図である。 第5図は、本発明に従うチェンバドア及びウェーハ回転
手段の断面図である。 第6図は、本発明に従うチェンバドア及びウェーハ回転
手段の背面図である。 〔主要符号の説明〕 110.111・・・カセット 114・・・処理チ
ェンバ120・・・ウェーハ取扱い手段 126・・・
カセット搬送手段128・・・整列手段 1
34・・・チェンバドア136・・・空気シリンダ
138・・・真空チャック142・・・モータ
144・・・制御手段146・・・プラテン
150・・・昇降ブレード162・・・ぎ
−ル反転器 164・・・駆動手段170・・・
ローラ 202・・・OIJソング22
・・・空気シリンダ 248・・・セレクタ組立
体254・・・シャフト 262・・・突
起280・・・真空ダートパルプ
側面図である。 第3図は、真空チャックが引込められた第2図の装置の
一部の簡略図である。 第4図は、気密位置におけるチェンバドアを示す第2図
の装置の一部の簡略図である。 第5図は、本発明に従うチェンバドア及びウェーハ回転
手段の断面図である。 第6図は、本発明に従うチェンバドア及びウェーハ回転
手段の背面図である。 〔主要符号の説明〕 110.111・・・カセット 114・・・処理チ
ェンバ120・・・ウェーハ取扱い手段 126・・・
カセット搬送手段128・・・整列手段 1
34・・・チェンバドア136・・・空気シリンダ
138・・・真空チャック142・・・モータ
144・・・制御手段146・・・プラテン
150・・・昇降ブレード162・・・ぎ
−ル反転器 164・・・駆動手段170・・・
ローラ 202・・・OIJソング22
・・・空気シリンダ 248・・・セレクタ組立
体254・・・シャフト 262・・・突
起280・・・真空ダートパルプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、処理に先立ちほぼ円形のウエーノ・をウェー・・処
理チェンバ内に位置づけるための装置であって: a) 前記ウェー・・処理チェンバへの入口に付設さ
れて前記ウェーハを受は取ってウエーノ・を前記処理チ
ェンバ内に移動させるためのウェーハ取扱い手段; b)前記ウェー・・取扱い手段に付設されて前記ウェー
ハと係合して任意の予め選択された角度変位だけ前記ウ
ェー/・を回転させる手段;並びに C)前記ウェーハを前記ウェーハ取扱い手段に送達する
だめの手段; から成る装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載された装置であって; 前記ウェーハ取シ扱い手段が; a)前記ウェーハを受は取る開放位置と前記ウェーハを
前記ウェーハ処理チェンバ内に気密する気密位置との間
で可動の処理チェンバドアであって; 前記ウェーハが処理の間保持されるウェーハ受は取り面
を有するプラテン; を含むチェンバドア; b)前記ウェーハ受は取り面を付設されている前記ウェ
ーハと係合して同じく回転する前記手段;並びに C)前記チェンバドアを前記開放位置と前記気密位置と
の間で移動させるだめの手段:を含むところの装置。 3、特許請求の範囲第2項に記載された装置であって: 前記ウェーハと係合して同じく回転する前゛記手段が; a)前記ウェーハ受は取り面から、前記ウェーハを受は
取って回転させるウェーハ受は取り位置まで外方に延び
て、前記ウェーハを前記ウェーハ受は取り面に対して保
持し且つ処理する引込み位置まで前記プラテン内に引込
み可能である回転可能な真空チャック; b)前記真空チャック及び前記ウェーハを予め選択され
た角度変位だけ回転させるだめの手段;並びに C)前記真空チャックを前記ウェーハ受は携り位置と前
記引込み位置との間に移動するだめの手段; を含むところの装置。 4、特許請求の範囲第3項に記載された装置であって: 前記真空チャック及び前記ウェーハを回転させる前記手
段が; &)前記真空チャックを回転させるモーター並びに b)前記真空チャックを予め選択された角度変位だけ回
転したことを感知してその結果、前記モータを消勢する
だめのプログラム可能な制御手段; を含むところの装置。 5、特許請求の範囲第4項に記載された装置であ、
つて: 前記プログラム可能な制御手段が; a)前記真空チャックとともに回転し且つ該真空チャッ
ク上に予め選択された角度位置において設置された突起
を含むところのシャフト;並びに b)予め選択された量だけの前記突起からの角度変位に
よってプログラムされ、前記突起を感知することによっ
て予め選択された前記量だけ前記シャフトの回転を感知
して、次に前記モータを消勢するところの感知手段;を
含むところの装置。 6、特許請求の範囲第3項に記載された装置であって: 前記真空チャック及び前記ウェーハを回転させるための
前記手段が; a)前記真空チャックを回転させるだめのモータ;並び
に b)予め選択された前記角度変位だけの前記真空チャッ
クの回転に相当する既定時間の間前記モータを付勢する
だめの手段; を含むところの装置。 7、 特許請求の範囲第1項に記載された装置であって
: 前記ウェーハ取扱い手段が: a)前記ウエーノ・を受は取る開放位置と前記ウェー・
・を前記ウェー/・処理チェノ・マ内に気密する気密位
置との間で可動の処理チェノ・々ドア: b)前記チェンバドアの内面から延びて、前記チェンバ
ドアが前記開放位置にあるとき前記ウエーノ・を受は取
るだめの回転可能な真空チャック; C)前記真空チャック及び前記ウェー・・を予め選択さ
れた角度変位だけ回転させるだめの手段;並びに d)前記チェンバドアを前′記開放位置と前記気密位置
との間で移動するだめの手段: を含むところの装置。 8.1度に1つ、複数のウェーハを保持するカセットト
ウエーハ処理チェンバとの間で、はぼ円形のウェーハを
自動移送するための装置において、処理の前にウェーハ
の各々にすべての予め選択された配向をもたらすだめの
装置であって:a)前記処理チェンバの入口に付設され
て、ウェーハを受は取り該ウェーハを該処理チェンバ内
に移動するウェーハ取扱い手段□であって;1)前記ウ
ェーハと係合して予め選択された角度変位と同じだけ回
転する手段; を含むウェーハ取扱い手段; b)前記ウェーハを前記カセットと前記ウェーハ取扱い
手段との間に輸送するための移送手段; C)前記移送手段に関して前記カセットを位置づけるだ
めのカセット搬送手段;並びにd)案内フラットを前記
カセット内の前記複数のウェーハの各々の上に予め整列
させるための手段; から成るところの装置。 9、特許請求の範囲第8項に記載された装置であって: 前記ウェーハ取扱い手段が; a)前記ウェーハを受は取る開放位置と前記ウェーハを
前記ウェーハ処理チェンバ内に気密する気密位置との間
で可動の処理チェンバドアであって: 前記ウェーハが処理の間保持されるウェーハ受は取シ面
を有するプラテン; を含むチェノ・ぐドア; b)前記ウェーハ受は取シ面を付設されている前記ウェ
ーハと係合して同じく回転する前記手段:並びに C)前記チェンバドアを前記開放位置と前記気密位置と
の間で移動させるだめの手段;を含むところの装置。 10、 特許請求の範囲第9項に記載でれた装置であっ
て: 前記ウェーハと係合して同じに回転するだめの前記手段
が; a)前記ウェーハ受は取シ面から、前記ウェーハを受は
取って回転させるウェーハ受は取υ位置へ外方に延びる
ことが可能であって、前記ウェーハを前記ウェーハ受は
取り面に対して保持し且つ処理する引込み位置まで前記
チェンバドアに引込み可能である回転可能な真空チャッ
ク; b)前記真空チャック及び前記ウェーハを予め選択され
た角度変位対は回転させるだめの手段:並びに C)前記真空チャックを前記ウェーハ受は取り位置と前
記引込み位置との間に移動するだめの手段; を含むところの装置。 11、特許請求の範囲第11項に記載された装置であっ
て: 前記真空チャック及び前記ウェーハを回転させる前記手
段が; a)前記真空チャックを回転させるモータ;並びに b)前記真空チャックを予め選択された角度変位だけ回
転したことを感知してその結果、前記モータを消勢する
だめのプログラム可能な制御手段: を含むところの装置。 12、特許請求の範囲第11項に記載された装置であっ
て: 前記プログラム可能な制御手段が; a)前記真空チャックとともに回転し且つ該真空チャッ
ク上に予め選択された角度位置において設置された突起
を含むところのシャフト;並びに b)予め選択された量だけの前記突起からの角度変位に
よってプログラムされ、前記突起を感知することによっ
て予め選択された前記量だケ前記シャフトの回転を感知
して、次に前記モータを消勢するところの感知手段;を
含むところの装置。 13、特許請求の範囲第8項に記載された装置であって
: 前記ウェーハ取扱い手段が; a)前記ウェーハを受は取る開放位置と前記ウェーハを
前記ウェーハ処理チェンバ内に気密する気密位置との間
で可動の処理チェンバドア2、− b) d、記チェンバドアの内面から延びて、前記チ
ェンバドアが前記開放位置にあるとき前記ウェーハを受
は取るだめの回転可能な真空チャック; C)前記真空チャック及び前記ウェーハを予め選択され
た角度変位だけ回転させるだめの手段;並びに d)前記チェンバドアを前記開放位置と前記気密位置と
の間で移動するだめの手段; を含むところの装置。 14、特許請求の範囲第8項に記載された装置であって
: 前記案内フラットを前記複数のウェーハの各々の上に予
め整列させるための前記手段が:a)前記カセット搬送
手段を付設されて、前記複数のウェー・・の端部に接触
するように位置づけられたローラであって、回転される
とき、前記案内フラットが該ローラに接して位置するま
で前記複数のウエーノ・の各々を回転するところのロー
ラ; を含むところの装置。 15、%許請求の範囲第14項に記載された装置であっ
て: 前記ローラが前記複数のウェーハの下に位置して、前記
案内フラットを前記複数のウェーハの各々に予め整列す
るための前記手段が更に;a)前記複数のウェーハの下
に位置づけられた平担面を有して、前記ローラの動作の
後に、前記複数のウェー・・の前記案内フラットと接触
して上方に移動可能であって、以て前記複数のウェーハ
が正確に予め整列されるところの要素: を含むところの装置。 16、特許請求の範囲第15項に記載された装置であっ
て: 前記移送手段が; a)アーチ状先端を有する垂直移動可能な昇降ブレード
であって、該アーチ状先端は、前記カセット内のウェー
ハと下から端と端を接して係合して該ウェーハを前記ウ
ェーハ取り扱い手段まで持ち上げるようにされている溝
を設けられたところの昇降グレード; を含むところの装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/381,286 US4498833A (en) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | Wafer orientation system |
| US381286 | 1982-05-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214261A true JPS58214261A (ja) | 1983-12-13 |
| JPH0232745B2 JPH0232745B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=23504445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089336A Granted JPS58214261A (ja) | 1982-05-24 | 1983-05-23 | ウエ−ハ配向装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4498833A (ja) |
| EP (1) | EP0095370B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58214261A (ja) |
| DE (1) | DE3378391D1 (ja) |
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