JPS60187675A - 高周波プラズマ発生装置 - Google Patents
高周波プラズマ発生装置Info
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- JPS60187675A JPS60187675A JP59044484A JP4448484A JPS60187675A JP S60187675 A JPS60187675 A JP S60187675A JP 59044484 A JP59044484 A JP 59044484A JP 4448484 A JP4448484 A JP 4448484A JP S60187675 A JPS60187675 A JP S60187675A
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- frequency plasma
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、イオンブレーティング装置等の蒸着室内で高
周波プラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置に関
し、更に詳しくは、プラズマ放電強度を常に一定に保持
することができる高周波プラズマ発生装置に関する。
周波プラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置に関
し、更に詳しくは、プラズマ放電強度を常に一定に保持
することができる高周波プラズマ発生装置に関する。
（従来技術〉
高真空中に対向して配された加速用電極間にその放電電
極が配置され、該放電電極と前記加速用電極の一端との
間に高周波を印加づることにより高周波プラズマを発生
させるように構成された高周波プラズマ発生装置は、直
流グロー放電に比べて高真空で行えること、又、イオン
化のための高周波プラズマ放電の行われる放電空間がコ
イル状に形成されたｔｌｉ電電極電極囲する、略トロイ
ダル空間に限定されること、直流グロー放電に比べて放
電制御が容易であること等から、例えば、第１図に示ず
にうなイオンブレーティング装置にも用いられている。
極が配置され、該放電電極と前記加速用電極の一端との
間に高周波を印加づることにより高周波プラズマを発生
させるように構成された高周波プラズマ発生装置は、直
流グロー放電に比べて高真空で行えること、又、イオン
化のための高周波プラズマ放電の行われる放電空間がコ
イル状に形成されたｔｌｉ電電極電極囲する、略トロイ
ダル空間に限定されること、直流グロー放電に比べて放
電制御が容易であること等から、例えば、第１図に示ず
にうなイオンブレーティング装置にも用いられている。
第１図において、底面板１と、ペルジャー２とは蒸着室
を構成しており、該蒸着室下部には底面板１を気密に貫
通する支柱兼用の導電体３，３により蒸発源を構成する
ボート４が支持されている。
を構成しており、該蒸着室下部には底面板１を気密に貫
通する支柱兼用の導電体３，３により蒸発源を構成する
ボート４が支持されている。
又、上部には、同じく底面板１を気密に貫通り゛る支柱
兼用の絶縁導体５により加速電極兼用の基板ボルダ６が
支持されている。導体３．３の蒸発室外端部には蒸発源
を加熱するための加熱用電源７が接続され、又、導体３
の何れか一方は加速用直流電源８の正端子に、導体５の
蒸発室外の端はその負端子にそれぞれ接続される。更に
、蒸発室内のボート４近傍には底板１を気密に貫通し支
柱を兼ねる絶縁導体９によってボート４の中心を通り、
該ボート４に対向する基板面に垂直な軸を中心とする１
巻回又は複数巻のコイル状高周波電極（以下放電電極と
いう）を支持させである。絶縁導体９と加速用電源８の
正端子に接続した導体３とは高周波電源１１の出力端子
に接続され、ボート４と放電電極１０との間には高周波
が印加されている。１２．１３はシールドを、１４は基
板をそれぞれ示している。このように構成された装置の
動作を概説すれば、以下の通りである。
兼用の絶縁導体５により加速電極兼用の基板ボルダ６が
支持されている。導体３．３の蒸発室外端部には蒸発源
を加熱するための加熱用電源７が接続され、又、導体３
の何れか一方は加速用直流電源８の正端子に、導体５の
蒸発室外の端はその負端子にそれぞれ接続される。更に
、蒸発室内のボート４近傍には底板１を気密に貫通し支
柱を兼ねる絶縁導体９によってボート４の中心を通り、
該ボート４に対向する基板面に垂直な軸を中心とする１
巻回又は複数巻のコイル状高周波電極（以下放電電極と
いう）を支持させである。絶縁導体９と加速用電源８の
正端子に接続した導体３とは高周波電源１１の出力端子
に接続され、ボート４と放電電極１０との間には高周波
が印加されている。１２．１３はシールドを、１４は基
板をそれぞれ示している。このように構成された装置の
動作を概説すれば、以下の通りである。
ボート４と放電電極１０との間に高周波が印加されると
、該放電電極１０の近傍には高周波プラズマ放電領域が
形成され、ここを通過する蒸発粒子はイオン化され、基
板１４にブレーティングされる。このようにして、イオ
ン化されＩζ蒸発粒子は加速電極兼用の基板ホルダ６に
よる電界加速作用を受けるから、基板１４に対づる付着
強度は増大する。又、この装置は、イオン化を高周波プ
ラズマ放電によっているので、蒸着室内は前述の直流グ
ロー放電による装置に比して１０−’〜１０’Ｔ ｏｒ
ｒといった高真空でよいから、不純物の介在による被膜
の質の劣化が少なく、この結果、試料には良質の被膜が
得られる。更に、イオン化のための高周波プラズマ放電
の行われる空間は、放電電極１０のコイルを包囲づ−る
略トロイダルな空間に限定され、基板１４は高周波プラ
ズマ放電領域外にあるため、不必要に荷電粒子の衝撃を
受けることはなく、温度上界、逆スパツタを最小限度に
抑えることができる。
、該放電電極１０の近傍には高周波プラズマ放電領域が
形成され、ここを通過する蒸発粒子はイオン化され、基
板１４にブレーティングされる。このようにして、イオ
ン化されＩζ蒸発粒子は加速電極兼用の基板ホルダ６に
よる電界加速作用を受けるから、基板１４に対づる付着
強度は増大する。又、この装置は、イオン化を高周波プ
ラズマ放電によっているので、蒸着室内は前述の直流グ
ロー放電による装置に比して１０−’〜１０’Ｔ ｏｒ
ｒといった高真空でよいから、不純物の介在による被膜
の質の劣化が少なく、この結果、試料には良質の被膜が
得られる。更に、イオン化のための高周波プラズマ放電
の行われる空間は、放電電極１０のコイルを包囲づ−る
略トロイダルな空間に限定され、基板１４は高周波プラ
ズマ放電領域外にあるため、不必要に荷電粒子の衝撃を
受けることはなく、温度上界、逆スパツタを最小限度に
抑えることができる。
更に、イオン化されるのは高周波プラズマ放電領域内で
あるから、放電状態の制御は前述の直流グロー放電より
容易であり、又、この＠置によれば、基板１４の温度上
昇はほと／ｕどないから、熱により破壊されるような基
板、例えば写真フィルムベース、プラスデックシートの
ような有機物質、木材等の試料にもイオンブレーティン
グを施し得る。
あるから、放電状態の制御は前述の直流グロー放電より
容易であり、又、この＠置によれば、基板１４の温度上
昇はほと／ｕどないから、熱により破壊されるような基
板、例えば写真フィルムベース、プラスデックシートの
ような有機物質、木材等の試料にもイオンブレーティン
グを施し得る。
ところで、このような装置では、スリットの開閉動作時
に生じるシャッターを開閉する時のような瞬間的な負荷
の変動や熱的な長時間の変動等により高周波プラズマ放
電のマツチングがずれて反射電力が大きくなることがあ
り、その度毎にかなり繁雑な操作を行ってマツチング調
整をしなければならない。
に生じるシャッターを開閉する時のような瞬間的な負荷
の変動や熱的な長時間の変動等により高周波プラズマ放
電のマツチングがずれて反射電力が大きくなることがあ
り、その度毎にかなり繁雑な操作を行ってマツチング調
整をしなければならない。
そこで、このような繁雑な高周波プラズマ放電のマツチ
ングのずれを検出してバリコンを［−夕により回転させ
、マツチング調整を行う装置が実用化されている。
ングのずれを検出してバリコンを［−夕により回転させ
、マツチング調整を行う装置が実用化されている。
しかし、このような自動調整装置によれば、検出回路の
複雑さ、モータ回路等によりコストが高くなると共に、
モータの機械的な運動が制御系に入るために応答が遅く
なる笠の欠点がある。
複雑さ、モータ回路等によりコストが高くなると共に、
モータの機械的な運動が制御系に入るために応答が遅く
なる笠の欠点がある。
（発明の目的）
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、電気的な信号の処理のみで、低コストで応答の
早い高周波プラズマ放電強度の安定化が行える高周波プ
ラズマ発生装置を提供づることにある。
目的は、電気的な信号の処理のみで、低コストで応答の
早い高周波プラズマ放電強度の安定化が行える高周波プ
ラズマ発生装置を提供づることにある。
（発明の構成）
この目的を達成する本発明は、高真空中に対向して配さ
れた加速用電極間にその放電電極が配置され、該放電電
極と前記加速用電極の一端との間に高周波を印加づるこ
とにより高周波プラズマを発生させるように構成された
高周波プラズマ発生装置において、発生する高周波プラ
ズマの放電強度に関連した信号を検出する検出手段と、
該検出手段により検出された検出信号が所定の値になる
ように前記高周波発生用電源の出力を制御覆る手段とを
設けたことを特徴とりるものである。
れた加速用電極間にその放電電極が配置され、該放電電
極と前記加速用電極の一端との間に高周波を印加づるこ
とにより高周波プラズマを発生させるように構成された
高周波プラズマ発生装置において、発生する高周波プラ
ズマの放電強度に関連した信号を検出する検出手段と、
該検出手段により検出された検出信号が所定の値になる
ように前記高周波発生用電源の出力を制御覆る手段とを
設けたことを特徴とりるものである。
（実施例）
以下、図面を参照し本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示づ電気的構成図である。
第２図においで、演算増幅器Ｕ１は高周波電源ＲＦ（第
１図の１１に同じ）の出力を制御するものであり、その
入力端子には高周波電源ＲＦの出力を設定づる可変抵抗
器ＶＲ１の設定信号。
１図の１１に同じ）の出力を制御するものであり、その
入力端子には高周波電源ＲＦの出力を設定づる可変抵抗
器ＶＲ１の設定信号。
高周波電源ＲＦの出力の大きさを検出づ−る検出回路Ｄ
Ｅ丁の検出信号が帰還信号として加えられると共にトラ
ンジスタＱを介しＣ接地され、その出力端子は高周波電
源ＲＦに接続されている。高周波電源ＲＦの出力信号は
検出回路ＤＥＴ及びマツチングボックスＭＢを介して図
示しない放電電極（第１図の１０参照）に加えられる。
Ｅ丁の検出信号が帰還信号として加えられると共にトラ
ンジスタＱを介しＣ接地され、その出力端子は高周波電
源ＲＦに接続されている。高周波電源ＲＦの出力信号は
検出回路ＤＥＴ及びマツチングボックスＭＢを介して図
示しない放電電極（第１図の１０参照）に加えられる。
演算増幅器Ｕ２はＵ＋と同様、高周波電源Ｒ「の出力を
制御するものであり、その入力端子には放電電極の直流
バイアス信号の大ぎさを設定づる可変抵抗器ＶＲ２の設
定信号及びマツチングボックスＭＢから出力される実際
の直流バイアス信号が加えられ、その出力端子はトラン
ジスタＱのベースに接続されている。ここで、放電電極
の直流バイアス（Ｕ号について説明り−る。第１図に示
づイオンブレーティング装置においては、放電電極１０
は直流的に浮いた状態になっている。このにうな構成で
は放電電極１０は電子とイオンの速度差によるチャージ
アップで負にバイアスされる。この結果、放電電極１０
がイＡンスバッタされる。しかしながら、イオンブレー
ティング装置の場合、他の物質を蒸発させ、これを蒸着
膜とすへので、放電電極がスパッタされ不純物として膜
に付着することは好ましくない。そこで、第１図には示
されていないが、実際は第３図に示すように放電電極１
０を直流電位にバイアスしている。図において、２０は
底面板１とベルジｔシー２（図示せず）とで構成される
蒸着室、２１は可変コンデンサ、Ｃ，，Ｃ２及びチョー
クコイルＬ１とで構成され、特定の周波数成分のみを通
過させるフィルタ回路、Ｌ２は高周波侵入阻止用チョー
クコイル、２２は該チョークコイルＬ２に接続されたバ
イアス設定用直流電源、２３は該直流電源２２に接続さ
れた電流計である。
制御するものであり、その入力端子には放電電極の直流
バイアス信号の大ぎさを設定づる可変抵抗器ＶＲ２の設
定信号及びマツチングボックスＭＢから出力される実際
の直流バイアス信号が加えられ、その出力端子はトラン
ジスタＱのベースに接続されている。ここで、放電電極
の直流バイアス（Ｕ号について説明り−る。第１図に示
づイオンブレーティング装置においては、放電電極１０
は直流的に浮いた状態になっている。このにうな構成で
は放電電極１０は電子とイオンの速度差によるチャージ
アップで負にバイアスされる。この結果、放電電極１０
がイＡンスバッタされる。しかしながら、イオンブレー
ティング装置の場合、他の物質を蒸発させ、これを蒸着
膜とすへので、放電電極がスパッタされ不純物として膜
に付着することは好ましくない。そこで、第１図には示
されていないが、実際は第３図に示すように放電電極１
０を直流電位にバイアスしている。図において、２０は
底面板１とベルジｔシー２（図示せず）とで構成される
蒸着室、２１は可変コンデンサ、Ｃ，，Ｃ２及びチョー
クコイルＬ１とで構成され、特定の周波数成分のみを通
過させるフィルタ回路、Ｌ２は高周波侵入阻止用チョー
クコイル、２２は該チョークコイルＬ２に接続されたバ
イアス設定用直流電源、２３は該直流電源２２に接続さ
れた電流計である。
チョークコイルＬ２の他端は、高周波電源１１の出力部
（フィルタ回路２１の出力部）に接続され、電流１１２
３の他端は接地されている。チョークコイルＬ２と直流
電源２２とで、放電電極１０に直流バイアスを与えるバ
イアス設定回路３０を構成している。
（フィルタ回路２１の出力部）に接続され、電流１１２
３の他端は接地されている。チョークコイルＬ２と直流
電源２２とで、放電電極１０に直流バイアスを与えるバ
イアス設定回路３０を構成している。
ここで、蒸着室２０内で高周波プラズマ放電が発生して
いる状態においては、放′Ｒ電極１０にはバイアス設定
回路３０を介して直流電流が流れるが、この直流電流が
放電電極１０の直流バイアス信号となる。そして、この
直流バイアス信号の大きさは、高周波プラズマ放電強度
と対応したものとなっている。従って、この直流バイア
ス信号の大ぎさをプラズマ放電強度の指標とづることが
できる。そして、この直流バイアス信号は電流ｉｔ ２
３により検出することができる。第２図に示づ本発明装
置は、このような点に鑑み、直流バイアス信号をマツチ
ングボックスＭＢから取出し、該直流バイアス信号が一
定となるような制御を高周波電源ＲＦに加えて、高周波
プラズマ放電強度が一定となるようにしたものである。
いる状態においては、放′Ｒ電極１０にはバイアス設定
回路３０を介して直流電流が流れるが、この直流電流が
放電電極１０の直流バイアス信号となる。そして、この
直流バイアス信号の大きさは、高周波プラズマ放電強度
と対応したものとなっている。従って、この直流バイア
ス信号の大ぎさをプラズマ放電強度の指標とづることが
できる。そして、この直流バイアス信号は電流ｉｔ ２
３により検出することができる。第２図に示づ本発明装
置は、このような点に鑑み、直流バイアス信号をマツチ
ングボックスＭＢから取出し、該直流バイアス信号が一
定となるような制御を高周波電源ＲＦに加えて、高周波
プラズマ放電強度が一定となるようにしたものである。
このように構成された回路の動作を以下に説明する。
まず、トランジスタＱ及び演算増幅器Ｕ２がイリ加され
ていない状態では、高周波電源Ｒ［の出力は可変抵抗器
ＶＲ１で設定された設定値になるように演算増幅器Ｕ＋
により制御される〈通常の高周波電源制御回路となる）
。
ていない状態では、高周波電源Ｒ［の出力は可変抵抗器
ＶＲ１で設定された設定値になるように演算増幅器Ｕ＋
により制御される〈通常の高周波電源制御回路となる）
。
次に、トランジスタＱ及び演算増幅器ＵＺを付加するこ
とにより、高周波電源ＲＦの出力は直流バイアス信号に
よっても制御されることになる。
とにより、高周波電源ＲＦの出力は直流バイアス信号に
よっても制御されることになる。
即ち、直流バイアス信号が大きくなって可変抵抗器ＶＲ
２で設定された設定値を越えようとづると、演算増幅器
Ｕｚの出力も大きくなってトランジスタＱはオン状態に
なる。トランジスタＱがオンになると可変＋１（抗器Ｖ
Ｒ１で設定された設定値に基づく電流の一部は該トラン
ジスタＱを分流し、その結果、等価的に設定値は小さく
なり演算増幅器Ｕ！の出力も減少し高周波電源ＲＦの出
力も小さくなる。そして、直流バイアス信号と可変抵抗
器ＶＲ２で設定された設定値とが等しくなった状態で回
路は安定化づる。この状態で、可変抵抗器ＶＲ１の設定
値を大きくしても高周波電源ＲＦの出力は増大しない。
２で設定された設定値を越えようとづると、演算増幅器
Ｕｚの出力も大きくなってトランジスタＱはオン状態に
なる。トランジスタＱがオンになると可変＋１（抗器Ｖ
Ｒ１で設定された設定値に基づく電流の一部は該トラン
ジスタＱを分流し、その結果、等価的に設定値は小さく
なり演算増幅器Ｕ！の出力も減少し高周波電源ＲＦの出
力も小さくなる。そして、直流バイアス信号と可変抵抗
器ＶＲ２で設定された設定値とが等しくなった状態で回
路は安定化づる。この状態で、可変抵抗器ＶＲ１の設定
値を大きくしても高周波電源ＲＦの出力は増大しない。
これに対し、マツチングがずれてプラズマ放電強度が低
下し直流バイアス信号が小さくなろうとすると、演算増
幅器Ｕ２の出力も減少し１〜ランジスタＱのコレクタ電
流が減少して可変抵抗器ＶＲ１で設定され１．：８９定
値の減少の程度は小さくなり、高周波電源ＲＦの出力は
増大する。これにより、直流バイアス信号は可変抵抗器
ＶＲ２で設定された設定値と等しい値に保たれることに
なる。
下し直流バイアス信号が小さくなろうとすると、演算増
幅器Ｕ２の出力も減少し１〜ランジスタＱのコレクタ電
流が減少して可変抵抗器ＶＲ１で設定され１．：８９定
値の減少の程度は小さくなり、高周波電源ＲＦの出力は
増大する。これにより、直流バイアス信号は可変抵抗器
ＶＲ２で設定された設定値と等しい値に保たれることに
なる。
即ち、第２図の構成によれば、高周波電源ＲＦの出力容
量に余裕がある範囲において、直流バイアス信号は一定
となって放電プラズマ強度も一定となり、従来のような
マツチング調整は不要になる。又、全て電気信号により
処理しているので、応答速度も速い。
量に余裕がある範囲において、直流バイアス信号は一定
となって放電プラズマ強度も一定となり、従来のような
マツチング調整は不要になる。又、全て電気信号により
処理しているので、応答速度も速い。
尚、上記実施例では、直流バイアス信号をＭ ９［１す
る例について説明したが、究極的にはプラズマに加える
高周波信号の電力の安定化を図ればよく、放電プラズマ
の強度に関連した他の信号（例えば高周波発生用電源の
ピーク出力や高周波プラズマの発光量等）を検出し該検
出信号が所定の値になるように高周波電源ＲＦの出力を
制御してもよい。
る例について説明したが、究極的にはプラズマに加える
高周波信号の電力の安定化を図ればよく、放電プラズマ
の強度に関連した他の信号（例えば高周波発生用電源の
ピーク出力や高周波プラズマの発光量等）を検出し該検
出信号が所定の値になるように高周波電源ＲＦの出力を
制御してもよい。
高周波プラズマの発光量をプラズマ放電強度の指標とす
る場合、発光を受けてこれを電気信号に変換する光電変
換手段が必要となる。
る場合、発光を受けてこれを電気信号に変換する光電変
換手段が必要となる。
又、上記実施例では、高周波プラズマ発生装置を用いた
例としてイオンプレーティング装置について説明したが
、これに限るものではなく、各種の装置にも用いること
ができる。
例としてイオンプレーティング装置について説明したが
、これに限るものではなく、各種の装置にも用いること
ができる。
（発明の効宋）
以上説明したように、本発明によれば、比較的簡単な回
路構成による電気的な信号の処理のみでプラズマ放電強
度の安定化を図ることができ、低コストで応答の早い出
力制御が行える高周波プラズマ発生装置が実現できる。
路構成による電気的な信号の処理のみでプラズマ放電強
度の安定化を図ることができ、低コストで応答の早い出
力制御が行える高周波プラズマ発生装置が実現できる。
第１図は高周波プラズマ発生装置を用いた装置の一例を
示す構成図、第２図は本発明の一実施例を示？Ｉ電気的
構成図、第３図は放電電極の直流バイ枦ス状態を示す図
である。 １・・・底面板 ２・・・ペルジャー ３・・・導電体 ４・・・ボート ５．９・・・絶縁導体 ６・・・基板ホルダ〈加速電極） ７・・・加熱用電源 ８・・・加速用直流電源１０・・
・放電電極 １１・・・高周波電源１２．１３・・・シ
ールド １４・・・基板 ２１・・・フィルタ回路２２・・・直
流電源 ２３・・・電流泪３０・・・バイアス設定回路 Ｕ＋ 、Ｕ２・・・演算増幅器 Ｑ・・・トランジスタ ＶＲｌ、Ｒ２・・・可変抵抗器 ＲＦ・・・高周波電源 ＤＥＴ・・・検出器ＭＢ・・・
マッヂングボックス ＣＩ、Ｃ２・・・コンデンＩす Ｌ＋ 、Ｌ２・・・チョークコイル 特許出願人 日本電子株式会社 代 理 人 弁理士 井島藤冶 外１名
示す構成図、第２図は本発明の一実施例を示？Ｉ電気的
構成図、第３図は放電電極の直流バイ枦ス状態を示す図
である。 １・・・底面板 ２・・・ペルジャー ３・・・導電体 ４・・・ボート ５．９・・・絶縁導体 ６・・・基板ホルダ〈加速電極） ７・・・加熱用電源 ８・・・加速用直流電源１０・・
・放電電極 １１・・・高周波電源１２．１３・・・シ
ールド １４・・・基板 ２１・・・フィルタ回路２２・・・直
流電源 ２３・・・電流泪３０・・・バイアス設定回路 Ｕ＋ 、Ｕ２・・・演算増幅器 Ｑ・・・トランジスタ ＶＲｌ、Ｒ２・・・可変抵抗器 ＲＦ・・・高周波電源 ＤＥＴ・・・検出器ＭＢ・・・
マッヂングボックス ＣＩ、Ｃ２・・・コンデンＩす Ｌ＋ 、Ｌ２・・・チョークコイル 特許出願人 日本電子株式会社 代 理 人 弁理士 井島藤冶 外１名
Claims (4)
- （１）高真空中に対向して配された加速用電極間にその
放電電極が配置され、該放電電極と前記加速用電極の一
端との間に高周波を印加することにより高周波プラズマ
を発生させるように構成された高周波プラズマ発生装置
において、発生ずる高周波プラズマの放電強度に関連し
た信号を検出する検出手段と、該検出手段にＪ：り検出
された検出信号が所定の値になるように前記高周波発生
用電源の出力を制御する手段とを設けたことを特徴とづ
る高周波プラズマ発生装置。 - （２）前記高周波プラズマの放電強度に関連した信号と
して、前記放電電極の直流バイアス信号を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波プラズマ
発生装置。 - （３）前記高周波プラズマの放電強度に関連した信号と
して、前記高周波発生用電源のピーク出力を用いたこと
を特徴とする特許−透水の範囲第１項記載の高周波プラ
ズマ発生装置。 - （４）前記高周波プラズマの放電強度に関連した信号と
して、高周波放電プラズマの発光ｍを用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高周波プラズマ発生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044484A JPS60187675A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高周波プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59044484A JPS60187675A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高周波プラズマ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187675A true JPS60187675A (ja) | 1985-09-25 |
| JPH0210862B2 JPH0210862B2 (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=12692812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59044484A Granted JPS60187675A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 高周波プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262458A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Shinko Electric Co Ltd | 直流電源装置 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59044484A patent/JPS60187675A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262458A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Shinko Electric Co Ltd | 直流電源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210862B2 (ja) | 1990-03-09 |
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