JPS6018811A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は分解能の良い磁気抵抗効果ヘッドに関するもの
である。
である。
近年、磁気記録の高密度化に併ないＮｉＦｅ。
ＮｌＣｏ、ｔｃどの異常磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）が実用化されよ
うとしている。ＭＲヘッドは再生専用ヘッドとして高い
再生効率を有し、高記録密度化に併なう記録媒体の薄膜
化および、高トラツク密度化による再生磁束の減少に対
し十分なＳ／Ｎを確保できるヘッドとして有望視されて
いる。
抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）が実用化されよ
うとしている。ＭＲヘッドは再生専用ヘッドとして高い
再生効率を有し、高記録密度化に併なう記録媒体の薄膜
化および、高トラツク密度化による再生磁束の減少に対
し十分なＳ／Ｎを確保できるヘッドとして有望視されて
いる。
しカルながら、ＭＲヘッドは磁界□の強度を抵抗変化に
変換するため、単独で使用した場合には高い分解能を得
ることができない。第１図は記録密は高記録密匠の場合
である。第１図において１は再生出力電圧の大きさが極
端に異なる。
変換するため、単独で使用した場合には高い分解能を得
ることができない。第１図は記録密は高記録密匠の場合
である。第１図において１は再生出力電圧の大きさが極
端に異なる。
第２図は記録密度による再生出力電圧の大きさは第１図
←−溶−鞠塙記録密度の場合の再生波形である。縄記録
密度での再生波形６は低記録密度での再生波形５に比較
して電圧のビータ値が著しく小さく従って分解能が悪い
。そのため、このへ、ドを高ｉｌ′［ｌ！録密度まで使
用した場合にはパターンピークシフトが増大し、ノイズ
マージンを低下さく６） せていた。
←−溶−鞠塙記録密度の場合の再生波形である。縄記録
密度での再生波形６は低記録密度での再生波形５に比較
して電圧のビータ値が著しく小さく従って分解能が悪い
。そのため、このへ、ドを高ｉｌ′［ｌ！録密度まで使
用した場合にはパターンピークシフトが増大し、ノイズ
マージンを低下さく６） せていた。
このよう４膜欠点を補ない、分解能を高めるためにシー
ルド付Ｍｌ（、ヘッドが提案された。このヘッドは磁気
抵抗効果膜をパーマロイなどのシールドで挾み込み、低
記録密度における再生磁界の一部を吸収することｌこよ
って半値幅を減少させ、分解能を高めたものである。し
かしながらシールド付ＭＲヘッドにおいては、シールド
間隔で分解能が決まるため、分解能を高めるためにはシ
ールド間隔を狭くせざるを得ないが、−万、磁気抵抗効
果膜に対するバイアス磁界の印加をシールドの外側から
行なうことはきわめて田畔であるため、シールド間ζこ
バイアス磁界印加菓子を設けなければならないという欠
点を有しでいる。そのため、バイアス印加手段が著しく
制限され、ヘッドの設計を困難にしていた。
ルド付Ｍｌ（、ヘッドが提案された。このヘッドは磁気
抵抗効果膜をパーマロイなどのシールドで挾み込み、低
記録密度における再生磁界の一部を吸収することｌこよ
って半値幅を減少させ、分解能を高めたものである。し
かしながらシールド付ＭＲヘッドにおいては、シールド
間隔で分解能が決まるため、分解能を高めるためにはシ
ールド間隔を狭くせざるを得ないが、−万、磁気抵抗効
果膜に対するバイアス磁界の印加をシールドの外側から
行なうことはきわめて田畔であるため、シールド間ζこ
バイアス磁界印加菓子を設けなければならないという欠
点を有しでいる。そのため、バイアス印加手段が著しく
制限され、ヘッドの設計を困難にしていた。
本発明の目的は前記欠点を有するシールドを用いすに高
い分解能の得られるＭ）ｔヘッドを提供することにある
。
い分解能の得られるＭ）ｔヘッドを提供することにある
。
本発明によれは、磁気抵抗効果を有する薄膜が絶縁層を
介して３要具上積層され、並列あるいは直列に接続され
ており、前記薄膜が隣接する各層で逆方向にバイアスさ
オ］ている分解能の高いＭ）ｌ。
介して３要具上積層され、並列あるいは直列に接続され
ており、前記薄膜が隣接する各層で逆方向にバイアスさ
オ］ている分解能の高いＭ）ｌ。
ヘッドｆｊ：得ることかできる。
以下、実施例に従い、不発明について詳細に説明する。
第３図は本発明の謁１の実施例を示すＭｌ′ｔヘッドの
斜視図であり、７は基板、８．９および１０は磁気抵抗
効果を有する４膜（以下Ｍ Ｒ膜と呼ぶ）、１１は検出
ｍ流の導体、１２はバイアス電流の導体、１３はＭ Ｒ
側８．９および１０の間隔、１４は録俸対面面、１０１
は検出゛電流、１０２ばバイアス電流、１０３はバイア
ス電流により発生するバイアス磁界のＭＲＲＩに８．９
および１０に８ける印加方向、１０４はＭＲ几膜、９お
よび１０の＋ｈ化である。第３図に２いてｆ’ｖｌＲｉ
８．９：Ｊ６よび１０はパーマロイ薄膜であり、λ４Ｒ
４几膜８び１０の組成は、１’ｖｌＲ，膜９と比較して
鉄組成が多く、抵抗変化率がＭｌ（膜９より小さい。菫
た、ＭＲ几膜、９および１０の磁化方向１０４は、ＭＨ
Ｊｄ自才の形状異方性と、バイアス電流１０２の発生す
るバイアス磁界１０３により、Ｍ孔膜の長手方向に対し
て４５°煩いており、ＭＲ几膜および１０に印加される
バイアス磁ＪｉｌｉＬ１０３の向きとＭＲ几膜にＩ：ｌ
］加きれるバイアス磁界１０３の向きは逆であるため、
磁化１０４の向きは反転しており、媒体からの信号＠ｎ
に対して、ＭＲ几膜および１０の抵抗変化はＭｌ膜９の
抵抗変化と逆相になる。第３図のＭｌ−ｔヘッドに検出
電流１０１を電流源より供給すると、Ｍｌ−１８，９お
よび１０は並列ｌこ接続されているため、ＭＲ几膜、９
および１０には全抵抗に対する各Ｍｌ（、膜の抵抗の比
に反比例した電流か流れる。いまＭｌ（膜８の抵抗をｒ
ｓ、ＭＲ几膜の抵抗をｒ、、Ｍ几膜ＩＯの抵抗をｒ、。
斜視図であり、７は基板、８．９および１０は磁気抵抗
効果を有する４膜（以下Ｍ Ｒ膜と呼ぶ）、１１は検出
ｍ流の導体、１２はバイアス電流の導体、１３はＭ Ｒ
側８．９および１０の間隔、１４は録俸対面面、１０１
は検出゛電流、１０２ばバイアス電流、１０３はバイア
ス電流により発生するバイアス磁界のＭＲＲＩに８．９
および１０に８ける印加方向、１０４はＭＲ几膜、９お
よび１０の＋ｈ化である。第３図に２いてｆ’ｖｌＲｉ
８．９：Ｊ６よび１０はパーマロイ薄膜であり、λ４Ｒ
４几膜８び１０の組成は、１’ｖｌＲ，膜９と比較して
鉄組成が多く、抵抗変化率がＭｌ（膜９より小さい。菫
た、ＭＲ几膜、９および１０の磁化方向１０４は、ＭＨ
Ｊｄ自才の形状異方性と、バイアス電流１０２の発生す
るバイアス磁界１０３により、Ｍ孔膜の長手方向に対し
て４５°煩いており、ＭＲ几膜および１０に印加される
バイアス磁ＪｉｌｉＬ１０３の向きとＭＲ几膜にＩ：ｌ
］加きれるバイアス磁界１０３の向きは逆であるため、
磁化１０４の向きは反転しており、媒体からの信号＠ｎ
に対して、ＭＲ几膜および１０の抵抗変化はＭｌ膜９の
抵抗変化と逆相になる。第３図のＭｌ−ｔヘッドに検出
電流１０１を電流源より供給すると、Ｍｌ−１８，９お
よび１０は並列ｌこ接続されているため、ＭＲ几膜、９
および１０には全抵抗に対する各Ｍｌ（、膜の抵抗の比
に反比例した電流か流れる。いまＭｌ（膜８の抵抗をｒ
ｓ、ＭＲ几膜の抵抗をｒ、、Ｍ几膜ＩＯの抵抗をｒ、。
、全体の抵抗をＲとし、信号磁界による抵抗の変化量を
それぞれ△ｒ＠、△ｒ８、△ｒｌＧ とすると、全検出
電流Ｉに対し再生出力電圧ｅは すなわちｅ＝（−Δｒ＠／ｒｇ十△ｒ ＠ ／ ｒ ＠
−△ｒｔｏ／％ｏ ）ＲＩとなる。
それぞれ△ｒ＠、△ｒ８、△ｒｌＧ とすると、全検出
電流Ｉに対し再生出力電圧ｅは すなわちｅ＝（−Δｒ＠／ｒｇ十△ｒ ＠ ／ ｒ ＠
−△ｒｔｏ／％ｏ ）ＲＩとなる。
（？）
第４図は、ＭＲ，膜８．９および１０に誘起される再生
出力波形であり、１０５はＭＲ几膜に誘起される再生出
力波形、１０６はＭＲ几膜に誘起される再生出力波形、
１０７はＭＲ几膜０４こ誘起さｉする再生出力波形、１
０８は再生出力波形１０５．１０６および１０７を合成
した再生出力波形、１０９は再生出力波形１０６の半値
幅、１１０は再生出力波形１０８の半値幅、縦軸は電圧
、横軸は時間である。Ｍ Ｒ膜８および１０の抵抗変化
率はＭＲ験９に比較して小さく、信号磁界に苅する抵抗
変化の位相は逆転しており、かつ、ＭＴＬ膜８．９およ
び１０は間隔１３で配置されているので、合成された再
生出力波形１０Ｂの半値幅１１０はＭＲ几膜独での再生
出力電圧１０６の半値幅１０９に比較して狭くなり、従
ってより高記録密度の信号を再生することができる。
出力波形であり、１０５はＭＲ几膜に誘起される再生出
力波形、１０６はＭＲ几膜に誘起される再生出力波形、
１０７はＭＲ几膜０４こ誘起さｉする再生出力波形、１
０８は再生出力波形１０５．１０６および１０７を合成
した再生出力波形、１０９は再生出力波形１０６の半値
幅、１１０は再生出力波形１０８の半値幅、縦軸は電圧
、横軸は時間である。Ｍ Ｒ膜８および１０の抵抗変化
率はＭＲ験９に比較して小さく、信号磁界に苅する抵抗
変化の位相は逆転しており、かつ、ＭＴＬ膜８．９およ
び１０は間隔１３で配置されているので、合成された再
生出力波形１０Ｂの半値幅１１０はＭＲ几膜独での再生
出力電圧１０６の半値幅１０９に比較して狭くなり、従
ってより高記録密度の信号を再生することができる。
第４図に示したＭ Ｒヘッド実施例１の再生出力波形１
０８の分解能を決定するパラメータとしては、第３図１
こおいて、ＭＲ几膜および１０とＭ Ｉ（、Ｍ９の抵抗
変化率の比、ざらにＭＲ几膜、９および１０の間隔１３
があり、使用する装置に合わせた設計が可（１：０ ） 能である。すなわち、第５図に示すように、再生出力波
形１０８のサイドドロップを許容する場合においては、
ＭＴ（、膜８．９および１０の間隔１３を記録媒体の最
小磁化反転間隔に設定し、Ｍ ）Ｌ膜８および１０とＭ
ｌｌ膜９の抵抗変化率の比を小さくすることが望ましい
。
０８の分解能を決定するパラメータとしては、第３図１
こおいて、ＭＲ几膜および１０とＭ Ｉ（、Ｍ９の抵抗
変化率の比、ざらにＭＲ几膜、９および１０の間隔１３
があり、使用する装置に合わせた設計が可（１：０ ） 能である。すなわち、第５図に示すように、再生出力波
形１０８のサイドドロップを許容する場合においては、
ＭＴ（、膜８．９および１０の間隔１３を記録媒体の最
小磁化反転間隔に設定し、Ｍ ）Ｌ膜８および１０とＭ
ｌｌ膜９の抵抗変化率の比を小さくすることが望ましい
。
２１！６図は再生出力波形１０８のサイドドロップを許
容しない場合のＭＲ，Ｊｌｌの抵抗変化率の比とＭＲ。
容しない場合のＭＲ，Ｊｌｌの抵抗変化率の比とＭＲ。
膜の間隔お再生量″力波形の半値幅の関係を示したグラ
フであり、１５はＭＲ障８および１０とＮ ｌ’ｌ、膜
９の抵抗変化率の比、１６は合成した再生出力波形の半
値＠ １１０をＭＲ・Ｐ蛍独での半値幅１０９で規格化
したものであり、ＭＲ・膜の間隔１４も半値１１Ａ１０
９で規格化しである。第６図により、目的とする再生出
力波形の半値幅より、ＭＲ・康８．９および１０の間隔
１４と、Ｍ ＲＩＱ ８および１０とλ４Ｒ膜９の抵抗
変化率の比を得ること力Ｓできる。
フであり、１５はＭＲ障８および１０とＮ ｌ’ｌ、膜
９の抵抗変化率の比、１６は合成した再生出力波形の半
値＠ １１０をＭＲ・Ｐ蛍独での半値幅１０９で規格化
したものであり、ＭＲ・膜の間隔１４も半値１１Ａ１０
９で規格化しである。第６図により、目的とする再生出
力波形の半値幅より、ＭＲ・康８．９および１０の間隔
１４と、Ｍ ＲＩＱ ８および１０とλ４Ｒ膜９の抵抗
変化率の比を得ること力Ｓできる。
第７図は本発明の第２の実施例を示すＭ Ｉｔヘッドの
斜神図である。第７図においてＭＲ膜８．９および１０
は直列に接続させており、ＭＢ、膜８および１０の膜厚
がＭＴＬＴｅＯ２厚より厚い。ＭＲ，膜８．９および１
０は、Ｒ４Ｒ膜自身の形状異方性とバイアス電流１０２
によるバイアス磁界１０３により、ＭＲ。
斜神図である。第７図においてＭＲ膜８．９および１０
は直列に接続させており、ＭＢ、膜８および１０の膜厚
がＭＴＬＴｅＯ２厚より厚い。ＭＲ，膜８．９および１
０は、Ｒ４Ｒ膜自身の形状異方性とバイアス電流１０２
によるバイアス磁界１０３により、ＭＲ。
膜の長手方向に対して磁化が４５°傾いている。才た、
信号磁界により、’Ｍｌ（膜８および１０とＭＲ膜９の
抵抗変化は逆相である。＠７図の第２の実施例のＭＲヘ
ッドに検出電流■を供給すると、信号磁界による再生出
力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ８＋△ｒ９−△ｒｔｏ）Ｉとなる。ここで
、ＭＲ膜８．９および１０の抵抗変化率を等しくすると
、Δｒ＠、△ｒ６およびΔｒｌＯはＭＲ，膜の抵抗値に
比例下る。従って、膜厚が厚く、抵抗が小さいＭＲ膜８
および１０に誘起される再生出力電圧は、ＭＲ膜９に比
較して小さくなる。また、ＭＲＪ［８および１０とＭＲ
膜９の抵抗変化が逆相であるので、誘起される再生出力
電圧の位相も逆相になり、かつＭＲ膜８．９および１０
は間隔１３で配量しであるので、合成された再生出力波
形はｍ４図に示した例と同様の再生出力波形１０８とな
る。再生出力波形１０８の半値＄１１１０はＭＲ膜単独
での再生出力波形１０６の半値幅１０９に比較して狭く
なり、従ってより高記録密度の信号を再生することがで
きる。
信号磁界により、’Ｍｌ（膜８および１０とＭＲ膜９の
抵抗変化は逆相である。＠７図の第２の実施例のＭＲヘ
ッドに検出電流■を供給すると、信号磁界による再生出
力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ８＋△ｒ９−△ｒｔｏ）Ｉとなる。ここで
、ＭＲ膜８．９および１０の抵抗変化率を等しくすると
、Δｒ＠、△ｒ６およびΔｒｌＯはＭＲ，膜の抵抗値に
比例下る。従って、膜厚が厚く、抵抗が小さいＭＲ膜８
および１０に誘起される再生出力電圧は、ＭＲ膜９に比
較して小さくなる。また、ＭＲＪ［８および１０とＭＲ
膜９の抵抗変化が逆相であるので、誘起される再生出力
電圧の位相も逆相になり、かつＭＲ膜８．９および１０
は間隔１３で配量しであるので、合成された再生出力波
形はｍ４図に示した例と同様の再生出力波形１０８とな
る。再生出力波形１０８の半値＄１１１０はＭＲ膜単独
での再生出力波形１０６の半値幅１０９に比較して狭く
なり、従ってより高記録密度の信号を再生することがで
きる。
第８図は本発明の第３の実施例を示すＭｌ（、ヘッドの
斜視図であり、１７は永久磁石、１１１は永久磁石１７
より発するバイアス磁界である。第８図において、ＭＲ
，膜８．９および１０は並列に接続されており、ＭＲ膜
８および１０の抵抗変化率がＭＲ膜９より小さい。また
、Ｍ Ｒ膜８．９および１０の長手方向に対して４５°
の角度を有する導体１１のストライプパターンがＭＩＪ
Ｊ８．９および１０上に形成され、いわゆるバーバーポ
ールバイアスが加わっている。さらに、ＭＲ膜８および
１０上の導体１１のストライプとＭＲ膜９上の導体１１
のストライプは直交しており、永久磁石１７より発する
バイアス磁界１１１によりＭＲ膜８．９および１０の磁
化１０４は同一方向を向いているので、信号磁界による
ＭＲ，膜８およびｌＯとＭＲ膜９の抵抗変化の位相は逆
になる。第８図に示したｗ、３の実施例のＭＲへ、ドに
検出電流■を流すと再生出力電圧ｅは （１３） ｅ＝（−△ｒＢ／ｒ＠＋△ｒ、、／ｒ＠−△ｒｒｎ ／
ｒ ｌｏ ） ＲＩとなり、第４図に示した例と同様
の合成された再生出力波形１０８を得ることができる。
斜視図であり、１７は永久磁石、１１１は永久磁石１７
より発するバイアス磁界である。第８図において、ＭＲ
，膜８．９および１０は並列に接続されており、ＭＲ膜
８および１０の抵抗変化率がＭＲ膜９より小さい。また
、Ｍ Ｒ膜８．９および１０の長手方向に対して４５°
の角度を有する導体１１のストライプパターンがＭＩＪ
Ｊ８．９および１０上に形成され、いわゆるバーバーポ
ールバイアスが加わっている。さらに、ＭＲ膜８および
１０上の導体１１のストライプとＭＲ膜９上の導体１１
のストライプは直交しており、永久磁石１７より発する
バイアス磁界１１１によりＭＲ膜８．９および１０の磁
化１０４は同一方向を向いているので、信号磁界による
ＭＲ，膜８およびｌＯとＭＲ膜９の抵抗変化の位相は逆
になる。第８図に示したｗ、３の実施例のＭＲへ、ドに
検出電流■を流すと再生出力電圧ｅは （１３） ｅ＝（−△ｒＢ／ｒ＠＋△ｒ、、／ｒ＠−△ｒｒｎ ／
ｒ ｌｏ ） ＲＩとなり、第４図に示した例と同様
の合成された再生出力波形１０８を得ることができる。
従って、合成された再生出力波形１０８の半値幅１１０
はＭＲ膜単独での再生出力波形１０６の半値幅１０９に
比較して狭くなり、より高記録密度の信号を再生するこ
とかできる。
はＭＲ膜単独での再生出力波形１０６の半値幅１０９に
比較して狭くなり、より高記録密度の信号を再生するこ
とかできる。
なお、第３の実施例ではＭＲ膜８．９および１０の抵抗
変化率が異なる場合を示したが、ＭＲ膜８．９および１
０の膜厚や抵抗率を変化させた場合、もしくは導体１１
のストライプ間隔を変化させた場合にも、同様の効果が
得られる。
変化率が異なる場合を示したが、ＭＲ膜８．９および１
０の膜厚や抵抗率を変化させた場合、もしくは導体１１
のストライプ間隔を変化させた場合にも、同様の効果が
得られる。
第９図は、第４の実施例を示すＭＲヘッドの斜視図であ
り、１８はシャントバイアス膜、１１２ハシヤントバイ
アス膜によるバイアス磁界の向きである。第９図におい
て、ＭＲ膜８．９および１０は直列に接続されており、
ＭＲ膜８．９および１０の膜厚、抵抗変化率は等しい。
り、１８はシャントバイアス膜、１１２ハシヤントバイ
アス膜によるバイアス磁界の向きである。第９図におい
て、ＭＲ膜８．９および１０は直列に接続されており、
ＭＲ膜８．９および１０の膜厚、抵抗変化率は等しい。
またＭＲ，膜８およびｌＯはシャントバイアス膜１８を
流れる電流により同一方向のバイアス磁界１１２を受け
、ＭＲ蕨９はＭＲ（ｌヰ） 膜８および１０のシャントバイアス膜１８を流れる電流
により、ＭＲ膜８および１０と逆方向のバイアス磁界１
１２を受ける。さらに、永久磁界１５の発生するバイア
ス磁界１１１によりＭＲ膜８．９および１０は同一の長
手方向にもバイアスされるので、磁化１０４の向きは、
ＭＦＬ膜８および１０か同一方向で、ＭＲ膜９がそれと
９０°異なる方向となり、信号磁界ｌこ対する抵抗変化
はＭＲ膜８および１０とＭＲ膜９で逆位相となる。第９
図に示す第４の実施例のＭＲヘッドに検出電流工を供給
よると、信号磁界による再生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ８＋△ｒＱ−△ｒｘｏ）Ｉとなる。ここで
ＭＲ，膜８′ｊ６よび１０の抵抗は、シャントバイアス
膜１８と並列になるためＭＲ，膜９の抵抗値より小さく
なり、従って、ΔｒａｇよびΔｒｔ。
流れる電流により同一方向のバイアス磁界１１２を受け
、ＭＲ蕨９はＭＲ（ｌヰ） 膜８および１０のシャントバイアス膜１８を流れる電流
により、ＭＲ膜８および１０と逆方向のバイアス磁界１
１２を受ける。さらに、永久磁界１５の発生するバイア
ス磁界１１１によりＭＲ膜８．９および１０は同一の長
手方向にもバイアスされるので、磁化１０４の向きは、
ＭＦＬ膜８および１０か同一方向で、ＭＲ膜９がそれと
９０°異なる方向となり、信号磁界ｌこ対する抵抗変化
はＭＲ膜８および１０とＭＲ膜９で逆位相となる。第９
図に示す第４の実施例のＭＲヘッドに検出電流工を供給
よると、信号磁界による再生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ８＋△ｒＱ−△ｒｘｏ）Ｉとなる。ここで
ＭＲ，膜８′ｊ６よび１０の抵抗は、シャントバイアス
膜１８と並列になるためＭＲ，膜９の抵抗値より小さく
なり、従って、ΔｒａｇよびΔｒｔ。
は△ｒ、より小さくなる。従って、得られる再生出力波
形は第４図の再生出力波形１０８と同様となり、ＭＩ（
、膜単独の場合より、半値幅１１０を低減することがで
き、より高密度の信ｇを再生することができる。
形は第４図の再生出力波形１０８と同様となり、ＭＩ（
、膜単独の場合より、半値幅１１０を低減することがで
き、より高密度の信ｇを再生することができる。
第１０図は、本発明の第５の実施例を示ｙＭＲヘッドの
斜視図である。第１０図において、ＭＲ膜８．９および
１０は直列に接続されており、ＭＲ膜８および１０の抵
抗変化率はＭＲ膜９の抵抗変化率に比較して小さい。ま
た、ＭＩ’を膜８．９および１０はシャントバイアス膜
１８により、長手方向に直交する方向のバイアス磁界１
０３を受けており、その向きは、ＭＲＦ８および１０と
ＭＲ膜９で逆である。さらに、ＭＲ膜８．９および１０
の間隔が小さい場合には、ＭＲ膜８．９および１０の間
で静磁結合があり、Ｍ）を膜８および１０とｌ５ｆＨＬ
膜９の磁化方向１０４は逆になる。従って、信号磁界に
対しての抵抗変化はＭＲ膜８および１０とＭＲ膜９で逆
相となる。
斜視図である。第１０図において、ＭＲ膜８．９および
１０は直列に接続されており、ＭＲ膜８および１０の抵
抗変化率はＭＲ膜９の抵抗変化率に比較して小さい。ま
た、ＭＩ’を膜８．９および１０はシャントバイアス膜
１８により、長手方向に直交する方向のバイアス磁界１
０３を受けており、その向きは、ＭＲＦ８および１０と
ＭＲ膜９で逆である。さらに、ＭＲ膜８．９および１０
の間隔が小さい場合には、ＭＲ膜８．９および１０の間
で静磁結合があり、Ｍ）を膜８および１０とｌ５ｆＨＬ
膜９の磁化方向１０４は逆になる。従って、信号磁界に
対しての抵抗変化はＭＲ膜８および１０とＭＲ膜９で逆
相となる。
第４の実施例のＭＲ，ヘッドに検出電流Ｉを流すと、再
生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ、＋△ｒ９−Δｒｔｏ）Ｉとなり、ＭＲ膜
８″！６よび１０の抵抗変化率はＭｆ（、膜９の抵抗変
化率より小さいので、△ｒ８および△ｒｌ。
生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒ、＋△ｒ９−Δｒｔｏ）Ｉとなり、ＭＲ膜
８″！６よび１０の抵抗変化率はＭｆ（、膜９の抵抗変
化率より小さいので、△ｒ８および△ｒｌ。
は△ｒ、に比較して小さくなる。従って得られる再生出
力波形は第４図の再生出力波形１０８と同一となり、Ｍ
Ｒ膜単独の場合より半値＠１１０を低減することができ
、より高密度の信号を再生することができる。
力波形は第４図の再生出力波形１０８と同一となり、Ｍ
Ｒ膜単独の場合より半値＠１１０を低減することができ
、より高密度の信号を再生することができる。
なお、第５の実施例においては、ＭＲ膜８．９および１
０の抵抗変化率が異なる場合を示したが、ＭＲ膜８．９
および１０の膜厚あるいは抵抗率が異なる場合、シャン
トバイアス膜１８の膜厚あるいは抵抗率が異なる場合に
おいても同様の効果が得られる。
０の抵抗変化率が異なる場合を示したが、ＭＲ膜８．９
および１０の膜厚あるいは抵抗率が異なる場合、シャン
トバイアス膜１８の膜厚あるいは抵抗率が異なる場合に
おいても同様の効果が得られる。
第１１図は、本発明による第６の実施例を示Ｔ斜視図で
あり、ＭＲ膜８．９および１０は並列に接続されており
、ＭＲ膜８．９および１０の膜厚、抵抗変化率は等しく
、ＭＲ膜８および１０は、媒体対向面１４より離れてい
る。また、ＭＲ膜８．９および１０には、バイアス用導
体１２を流れるバイアス電流１０２により、媒体対向面
１４に垂直方向のバイアス磁界１０３を受け、その向き
はＭＲ膜８と１０が同じで、ＭＲ膜９が逆である。さら
に、ＭＲ膜８．９（１ｑ） および１０の形状異方性と、隣接するＭＲ膜間の静磁結
合により、ＭＲ・膜８．９および１０のｓ化の向きは、
Ｍ Ｒ，ｐｊ ８と１０が同じでＭＲ膜９が逆であり、
方向はＭＲ膜の長手方向に対して４５°煩いでいる。
あり、ＭＲ膜８．９および１０は並列に接続されており
、ＭＲ膜８．９および１０の膜厚、抵抗変化率は等しく
、ＭＲ膜８および１０は、媒体対向面１４より離れてい
る。また、ＭＲ膜８．９および１０には、バイアス用導
体１２を流れるバイアス電流１０２により、媒体対向面
１４に垂直方向のバイアス磁界１０３を受け、その向き
はＭＲ膜８と１０が同じで、ＭＲ膜９が逆である。さら
に、ＭＲ膜８．９（１ｑ） および１０の形状異方性と、隣接するＭＲ膜間の静磁結
合により、ＭＲ・膜８．９および１０のｓ化の向きは、
Ｍ Ｒ，ｐｊ ８と１０が同じでＭＲ膜９が逆であり、
方向はＭＲ膜の長手方向に対して４５°煩いでいる。
第６の実施例のＭＲ，ヘッドｌこ検出宵、流■を流すと
、再生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒＢ／ｒ、＋△ｒ９ ／ｒ、、−△ｒ＋ｏ
／ｒ１ｎ ）ＲＩとなる。ＭＲ膜８および１０は媒体対
抗面１４から離れているため、信号磁界の強度が減少す
るので、△ｒｓおよび△ｒｌｏは△ｒ・より小さくなる
。従って、得られる再生出力波形は第４図に示した合成
した再生出力波形１０８と同一となり、半値幅１１０−
ｐ）Ｌ膜が単独の場合の半値幅１０９より低減すること
ができるので、高記録密度の信号を再生するこ七ができ
る。
、再生出力電圧ｅは ｅ＝（−△ｒＢ／ｒ、＋△ｒ９ ／ｒ、、−△ｒ＋ｏ
／ｒ１ｎ ）ＲＩとなる。ＭＲ膜８および１０は媒体対
抗面１４から離れているため、信号磁界の強度が減少す
るので、△ｒｓおよび△ｒｌｏは△ｒ・より小さくなる
。従って、得られる再生出力波形は第４図に示した合成
した再生出力波形１０８と同一となり、半値幅１１０−
ｐ）Ｌ膜が単独の場合の半値幅１０９より低減すること
ができるので、高記録密度の信号を再生するこ七ができ
る。
以上のように第１の実施例から第６の実施例に示した本
発明によるＭ）（へ、ドを用いれは、再生出力波形の半
値幅を低減できるので、高記録密度の信号を再生するこ
とができ、記憶装置の小型化、（凄） 低価格化に貢献する。
発明によるＭ）（へ、ドを用いれは、再生出力波形の半
値幅を低減できるので、高記録密度の信号を再生するこ
とができ、記憶装置の小型化、（凄） 低価格化に貢献する。
また、第１の実施例から第６の実施例では、ＭＲ膜が３
層の場合を示したが、５層以上の場合には、さらに大き
な効果をもたらすことができる。
層の場合を示したが、５層以上の場合には、さらに大き
な効果をもたらすことができる。
第１図＠＝Ｆ＠は記録密度による記録媒体からの磁界と
ＭＲヘッドの磁区を示す断面図、第２図は記録密度によ
る再生出力電圧の大きさの違いを示す再生波形図、第３
図は本発明による第１の実施、例を示す斜視図、Ｍ４図
は、ＭＲ・膜に誘起される再生出力波形図、第５図は、
サイドドロップを許容する場合の再生出力波形図、第６
図は再生出力波形のサイドドロップを許容しない場合の
ＭＲ膜の抵抗変化率の比とＭＲ膜の間隔と再生出力波形
の半値幅の関係を示したグラフ、第７図は米発明による
第２の実施例を示す斜視図、第８図は本発明による第３
の実施例を示す斜視図、第９図は本発明による第４の実
施例を示す斜視図、第１０図は本発明による第５の実施
例を示す斜視図、第１１図は本発明による第６の実施例
を示す斜視図であり、１・・・・・・ＭＲ，ヘッド、２
・・・・・・記録媒体、３・・・・・・記録磁化、４１
０１９０．再生磁界、５・川・・低記録＠度の場合の再
生波形、６・・・・・・高記録密度の場合の再生波形、
７・・・・・・基板、８．９．１０・・・・・・Ｍｎ２
膜、１１・・・・・・検出電流の導体、１２・・・・・
・バイアス電流の導体、１３・・・・・・ＭＲ膜の間隔
、１４・・・・・・媒体対向面、１５・・・・・・Ｍ
ｌ（、膜の抵抗変化率の比、１６・・・・・・規格化し
た半値幅、１７・・・・・・永久磁石、１８・・・・・
・シャントバイアス膜、１ｏ１・・・・・・検出電流、
１０２・・・・・・バイアス電流、１０３・・・・・・
バイアス磁界、１０４・・・・・・ＭＴＬ膜の磁化、１
０５．１０６゜１０７・°・・・・Ｍ）Ｌ膜に誘起され
る再生出力波形、１０８・・・・・・合成した再生出力
波形、１０９・・・・・・再生出方波形１０６の半値幅
、１１０・・・・・・再生出力波形１０８の半７１−１
図 Φ ７１−２ 図 オ ３ 図 オ ４ 図 ７Ｉ−５図 時間 ７Ｉ−６図 オフ図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ ＭＲ膜の間隔 ７１−８ 図 ７９ 図 オ １０ 図 １ 図
ＭＲヘッドの磁区を示す断面図、第２図は記録密度によ
る再生出力電圧の大きさの違いを示す再生波形図、第３
図は本発明による第１の実施、例を示す斜視図、Ｍ４図
は、ＭＲ・膜に誘起される再生出力波形図、第５図は、
サイドドロップを許容する場合の再生出力波形図、第６
図は再生出力波形のサイドドロップを許容しない場合の
ＭＲ膜の抵抗変化率の比とＭＲ膜の間隔と再生出力波形
の半値幅の関係を示したグラフ、第７図は米発明による
第２の実施例を示す斜視図、第８図は本発明による第３
の実施例を示す斜視図、第９図は本発明による第４の実
施例を示す斜視図、第１０図は本発明による第５の実施
例を示す斜視図、第１１図は本発明による第６の実施例
を示す斜視図であり、１・・・・・・ＭＲ，ヘッド、２
・・・・・・記録媒体、３・・・・・・記録磁化、４１
０１９０．再生磁界、５・川・・低記録＠度の場合の再
生波形、６・・・・・・高記録密度の場合の再生波形、
７・・・・・・基板、８．９．１０・・・・・・Ｍｎ２
膜、１１・・・・・・検出電流の導体、１２・・・・・
・バイアス電流の導体、１３・・・・・・ＭＲ膜の間隔
、１４・・・・・・媒体対向面、１５・・・・・・Ｍ
ｌ（、膜の抵抗変化率の比、１６・・・・・・規格化し
た半値幅、１７・・・・・・永久磁石、１８・・・・・
・シャントバイアス膜、１ｏ１・・・・・・検出電流、
１０２・・・・・・バイアス電流、１０３・・・・・・
バイアス磁界、１０４・・・・・・ＭＴＬ膜の磁化、１
０５．１０６゜１０７・°・・・・Ｍ）Ｌ膜に誘起され
る再生出力波形、１０８・・・・・・合成した再生出力
波形、１０９・・・・・・再生出方波形１０６の半値幅
、１１０・・・・・・再生出力波形１０８の半７１−１
図 Φ ７１−２ 図 オ ３ 図 オ ４ 図 ７Ｉ−５図 時間 ７Ｉ−６図 オフ図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ ＭＲ膜の間隔 ７１−８ 図 ７９ 図 オ １０ 図 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気抵抗効果を有する薄膜が絶縁層を介して３層
以上積層され、並列に接続されており、前記薄膜が隣接
する各層で互いに逆方向にバイアスされていることを特
徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 （２）３層以上積層された磁気抵抗効果を有する薄膜の
抵抗変化率が各層ごとに異な、′ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の磁気抵抗効果ヘッド・ （３）３層以上積層された磁気抵抗、効果を有する薄膜
の記録媒体との距離が各層ごとに異なることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 （４）バイアス印加手段が、バーバポール型であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項
、に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （５）バイアス印加手段がシャントバイアス型であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、又は第
３項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （６）バイアス印加手段が、隣接する薄膜間に設けられ
た導体を流れる電流により発生する磁界であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、又は第３項に
記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （７）バイアス印加手段として、永久磁石を併用したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項、第５項、または
第６項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （８）バイアス印加手段として、隣接する薄膜の磁気的
結合を併用したことを特徴とする特許請求の範囲第４′
ｆＡ、第５項、または第６項に記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 （９） 磁気抵抗効果を有する薄膜が絶縁層を介して３
層以上積層され、直列に接続されており、前記薄膜が隣
接する各層で互いに逆方向にバイアスされていることを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 （１０３層以上積層された磁気抵抗効果を有する薄膜の
抵抗変化率が各層ごとに異なることを特徴とする特許請
求の範囲第９項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （１１）３Ｒ以上積層された磁気抵抗効果を有する薄膜
の抵抗値が基層ごとに異なることを特徴とする特許請求
の範囲第９項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （（２）３Ｊｉ！以上積層された磁気抵抗効果を有する
薄膜の記録媒体との距離が各層ごとに異なることを特徴
とする特許請求の範囲第９項または第１０項に記載の磁
気抵抗効果ヘッド。 Ｑｑ） ／Ｚイ７ス印加手段が、バーバポール型である
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項、第１０項、第
１１′ｆｆｉ又は第１２項に記載の磁気抵抗効果ヘッド
。 （１４）バイアス印加手段がシャントバイアス型である
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項、第１０項、第
１１項又は第１２項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （２）バイアス印加手段が、隣接する薄膜間に設けられ
た導体を流れる電流により発生する磁界であることを特
徴とする特許請求の範囲第９項、第１０項、９１１項又
は館１２項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 ０６）バイアス印加手段として、永久磁石を併用したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１３項、第１４項また
は第１５項に記載の磁気抵抗効果ヘッド。 （１つ バイアス印加手段として、瞬接する薄膜の磁気
的結合を併用したことを特徴とする特許請求の範囲第１
３項、第１４項、または第１５項に記載の磁気抵抗効果
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12448883A JPS6018811A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12448883A JPS6018811A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018811A true JPS6018811A (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=14886748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12448883A Pending JPS6018811A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573155A3 (en) * | 1992-06-05 | 1994-11-02 | Hewlett Packard Co | Conductor arrangement of a magnetoresistive transducer. |
| US5748415A (en) * | 1994-12-16 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12448883A patent/JPS6018811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573155A3 (en) * | 1992-06-05 | 1994-11-02 | Hewlett Packard Co | Conductor arrangement of a magnetoresistive transducer. |
| US5748415A (en) * | 1994-12-16 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
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