JPS6018939A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6018939A JPS6018939A JP58126080A JP12608083A JPS6018939A JP S6018939 A JPS6018939 A JP S6018939A JP 58126080 A JP58126080 A JP 58126080A JP 12608083 A JP12608083 A JP 12608083A JP S6018939 A JPS6018939 A JP S6018939A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、レジンパッケージ型半導体装置、特に取付板
（ヒートシンク）にヘッダを直接または絶む板を介して
固定する熱放散性の良好なレジンパッケージ型半導体装
め１に関する。
（ヒートシンク）にヘッダを直接または絶む板を介して
固定する熱放散性の良好なレジンパッケージ型半導体装
め１に関する。
レジンパッケージ現半導体装置の一つとして、電子材料
、１９８１年１１月号４２〜４６頁にも記載されている
ように、Ｔｏ−２２０型のパワートランジスタが知られ
ている。こメトランジスタは、第１図および第２図に示
すように、金属製のヘッダ１の一端がレンジパッケージ
２から突出した栴造となっていて、取伺板（ヒートシン
ク）３への実装にあっては、絶縁体であるマイカ板４を
ヘッダ１と取付板３との間に介在させるとともに、ヘッ
ダ１の取付孔５と取付板３の取付孔６とに挿し込んだボ
ルト７とナツト８との締付けによって固定している。ま
た、ボルト７と取付板３との絶縁化を図るために、Ｆ！
縁管（絶縁ワッシャ）９が挿嵌される。なお、レジンパ
ッケージ２からは３本のリード１０が突出している。中
央の１本のリード１０は内端がヘッダ１に接続され、両
側の２本のリード１０の内端は、レジンパッケージ２に
被われたヘッダ１の主面に固定されたチップ（図示せず
）の所定電極とワイヤ（図示せず）を介して接続されて
いる。
、１９８１年１１月号４２〜４６頁にも記載されている
ように、Ｔｏ−２２０型のパワートランジスタが知られ
ている。こメトランジスタは、第１図および第２図に示
すように、金属製のヘッダ１の一端がレンジパッケージ
２から突出した栴造となっていて、取伺板（ヒートシン
ク）３への実装にあっては、絶縁体であるマイカ板４を
ヘッダ１と取付板３との間に介在させるとともに、ヘッ
ダ１の取付孔５と取付板３の取付孔６とに挿し込んだボ
ルト７とナツト８との締付けによって固定している。ま
た、ボルト７と取付板３との絶縁化を図るために、Ｆ！
縁管（絶縁ワッシャ）９が挿嵌される。なお、レジンパ
ッケージ２からは３本のリード１０が突出している。中
央の１本のリード１０は内端がヘッダ１に接続され、両
側の２本のリード１０の内端は、レジンパッケージ２に
被われたヘッダ１の主面に固定されたチップ（図示せず
）の所定電極とワイヤ（図示せず）を介して接続されて
いる。
一方、実装時の工数低減化の目的で、絶於板および絶縁
管を使用しない構造のパワートランジスタが前記文献に
も紹介されているように開発されている。このトランジ
スタは、リードと樹脂厚み規制部以外は、総てレジンパ
ッケージで被われた構造となっている。
管を使用しない構造のパワートランジスタが前記文献に
も紹介されているように開発されている。このトランジ
スタは、リードと樹脂厚み規制部以外は、総てレジンパ
ッケージで被われた構造となっている。
ところで、前記Ｔｏ−２２０型のトランジスタは、実装
時にボルトを強く締付けると、ヘッダ１ハ変形するが、
レジンパッケージ２はヘッダの変形に追従できず、ヘッ
ダ１とレジンパッケージ２との間に隙間ができて耐湿性
が低下したシ、あるいは変形量が大きくてヘッダ１に固
定されたチップにクラックが入シ、電気特性が劣化した
りしてしまう問題が発生するということが本発明者によ
ってあきらかとされた。
時にボルトを強く締付けると、ヘッダ１ハ変形するが、
レジンパッケージ２はヘッダの変形に追従できず、ヘッ
ダ１とレジンパッケージ２との間に隙間ができて耐湿性
が低下したシ、あるいは変形量が大きくてヘッダ１に固
定されたチップにクラックが入シ、電気特性が劣化した
りしてしまう問題が発生するということが本発明者によ
ってあきらかとされた。
また、前記ＴＯ−２”２０瀞ｊランジスタおよびヘッダ
全体をレジンパッケージで被う）・ランジスタは、ヘッ
ダ１の厚さとり一部１０の厚さとは相互に異なる。この
結果、ヘッダ１およびリード１０が一体となった構造の
リードフレームを用いてトランジスタを製造する場合に
は、リードフレーム素材として部分的に厚さの異なる異
形材料を使用しなければならなくなり、製造コストが高
くなるという問題点も本発明者によってあきらかとされ
た。
全体をレジンパッケージで被う）・ランジスタは、ヘッ
ダ１の厚さとり一部１０の厚さとは相互に異なる。この
結果、ヘッダ１およびリード１０が一体となった構造の
リードフレームを用いてトランジスタを製造する場合に
は、リードフレーム素材として部分的に厚さの異なる異
形材料を使用しなければならなくなり、製造コストが高
くなるという問題点も本発明者によってあきらかとされ
た。
本発明者の目的は、実装時耐湿性低下やチップ。
クラックが発生し葆い構造のレジンノくツケージ型半導
体装置を提供することにある。
体装置を提供することにある。
本発明の前記外らびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細会の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細会の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの植装
を簡単に説明すれば、下記のとおυである。
を簡単に説明すれば、下記のとおυである。
すなわち、本発明は取付孔を有するヘッダの主面にチッ
プを固定して力る構造の半導体装置であって、チップ／
８Ｓ、を被うレジンノ（ソケージはヘッダの主面全域お
よび取付孔の内周面を被い、かつ実装時に取付孔に挿入
されるボルトの締付けによる外力がチップに支障を来た
さないように、チップと取付孔との間のヘッダおよびレ
ジンパッケージ部分に応力集中が生じるような潜を設け
、さらにボルトの頭部はチップから遠いレジンパッケー
ジ部分にのみ接触するようにすることによって、実装時
のボルトの締付は力をヘッダおよびレジンパッケージに
設けた溝で吸収することより、チップ近傍のヘッダとレ
ジンパッケージ部分界面の剥離による耐湿性低下および
チップクラックの防止を達成するものである。
プを固定して力る構造の半導体装置であって、チップ／
８Ｓ、を被うレジンノ（ソケージはヘッダの主面全域お
よび取付孔の内周面を被い、かつ実装時に取付孔に挿入
されるボルトの締付けによる外力がチップに支障を来た
さないように、チップと取付孔との間のヘッダおよびレ
ジンパッケージ部分に応力集中が生じるような潜を設け
、さらにボルトの頭部はチップから遠いレジンパッケー
ジ部分にのみ接触するようにすることによって、実装時
のボルトの締付は力をヘッダおよびレジンパッケージに
設けた溝で吸収することより、チップ近傍のヘッダとレ
ジンパッケージ部分界面の剥離による耐湿性低下および
チップクラックの防止を達成するものである。
第３図は、本発明の一実施例によるトランジスタを示す
斜視図。第４図は、同じく実装状態を示す正面図。第５
図（ａ） 、 （ｂ）は、同じくトランジスタの組立例
を示す平面図。第６図は、同じく組立に用いるリードフ
レームの断面図である。
斜視図。第４図は、同じく実装状態を示す正面図。第５
図（ａ） 、 （ｂ）は、同じくトランジスタの組立例
を示す平面図。第６図は、同じく組立に用いるリードフ
レームの断面図である。
この実施例のトランジスタ（レジンパッケージ型半導体
装置）は、第３図に示すように、外観はレジンパッケー
ジ２と、このレジンパッケージ２の一端から突出する３
本のり一部１０と、からなっている。寸だ、レジンパッ
ケージ２の取付孔５を有する部分は、一段低くなり、ボ
ルト取付面１１を形成している。また、レジンパッケー
ジ２０段差部分に沿って活１２が設けられている。この
溝１２は、前記取付孔５の一部に交差するように設けら
れている。寸だ、前記溝１２は、第４図で示すように取
伺版（ヒートシンク）３にマイカ板４を介して重ね合せ
、取付孔に挿し込んだボルト７とこれにＣ合するナツト
８との締付けによって固定（実装）さノ１．た際、ボル
ト締付けによる応力が、この溝１２部分で応力県中によ
って吸収され・テップ１３を蚊う主パッケージ部分１４
には波及しないような役割を果す。才だ、このトランジ
スタは、下面部分をオフ１成するヘッダ１にも応力県中
を生じさせるように溝１５が設けられ、ボルト７の締付
けによるヘッダ１の変形が溝１５部分で吸収されチップ
１３を固定し牟搭載部分１６に波及しないように配広さ
れている。
装置）は、第３図に示すように、外観はレジンパッケー
ジ２と、このレジンパッケージ２の一端から突出する３
本のり一部１０と、からなっている。寸だ、レジンパッ
ケージ２の取付孔５を有する部分は、一段低くなり、ボ
ルト取付面１１を形成している。また、レジンパッケー
ジ２０段差部分に沿って活１２が設けられている。この
溝１２は、前記取付孔５の一部に交差するように設けら
れている。寸だ、前記溝１２は、第４図で示すように取
伺版（ヒートシンク）３にマイカ板４を介して重ね合せ
、取付孔に挿し込んだボルト７とこれにＣ合するナツト
８との締付けによって固定（実装）さノ１．た際、ボル
ト締付けによる応力が、この溝１２部分で応力県中によ
って吸収され・テップ１３を蚊う主パッケージ部分１４
には波及しないような役割を果す。才だ、このトランジ
スタは、下面部分をオフ１成するヘッダ１にも応力県中
を生じさせるように溝１５が設けられ、ボルト７の締付
けによるヘッダ１の変形が溝１５部分で吸収されチップ
１３を固定し牟搭載部分１６に波及しないように配広さ
れている。
つぎに、第５図（ａ） 、 （ｂ）および第６図を参照
しながら、このようなトランジスタの組立について説明
する。
しながら、このようなトランジスタの組立について説明
する。
このトランジスタの組立にあっては、第５図（ａ）およ
び第６図に示すような形状のリードフレーム１７を用意
する。リードフレーム１７は、熱伝導性の良好なたとえ
ば銅系の金属板をプレスによって所望パターンに打ち抜
くとともに、成形して形成される。すなわち、リードフ
レーム１７は第５図（ａ）に示すように、細長の砕片１
８の一側から枠片１８の長手方向に直交する方向に３本
１組のリード１０を突出させている。中央のリード１０
は途中で一段低く折れ曲υ、コレクタリードとなるとと
もに、他のリード１０はエミッタリードおよびベースリ
ードとなっている。中央のリード１０の一段低くなった
先端部分は、幅広となってヘッダ１と呼ぶ支持体となっ
ている。このヘッダ１は枠片１８側にチップ搭載部分１
６を有するとともに、他端側には取付孔５を有している
。この取付孔５は、後述のレジンモールド時に取付孔５
の内周面部分はレジンモールドされてレジンパッケージ
２で彼われることから、ボルト７を挿入する孔よりも大
きな孔となっている。また、この取付孔５は、円形とは
なっていないが、これはへラダ１の長さをできるだけ短
かくするためであり、特に形状は限定さｉｔない。また
、前記他のリードの先端はヘッダ１０周ｌ及部上方に位
置するとともに、屈曲してワイヤ接続部１９を形成して
いる。また、各リード１０は、ダム片２０によって接続
されている。さらに、ヘッダ１には応力り１さ中部を形
成するために７ｆ？ １５が設けられている。この溝１
５は、ｔｉｑ 待時のポル）・７のＦｌ’ｌｔめ付けに
よる応力を応力年中部で吸収して、チップ取付部分には
、応力の波及を低減させる役Ｃｍを果たすために設けら
れるものであり、取付孔５とチップ１３との間を断つよ
うな方向に沿って設けられるのが最も望しいが、この実
り例では、ヘッダ１０幅員方向に沿って全域に亘って１
本人れることが、従来のＴＯ−２２０型の外形寸法と同
一とするにはｉｊｆ、Ｌいことから、ヘッダ１の側部か
ら取付孔５に亘ってそれぞれ設けられている。
び第６図に示すような形状のリードフレーム１７を用意
する。リードフレーム１７は、熱伝導性の良好なたとえ
ば銅系の金属板をプレスによって所望パターンに打ち抜
くとともに、成形して形成される。すなわち、リードフ
レーム１７は第５図（ａ）に示すように、細長の砕片１
８の一側から枠片１８の長手方向に直交する方向に３本
１組のリード１０を突出させている。中央のリード１０
は途中で一段低く折れ曲υ、コレクタリードとなるとと
もに、他のリード１０はエミッタリードおよびベースリ
ードとなっている。中央のリード１０の一段低くなった
先端部分は、幅広となってヘッダ１と呼ぶ支持体となっ
ている。このヘッダ１は枠片１８側にチップ搭載部分１
６を有するとともに、他端側には取付孔５を有している
。この取付孔５は、後述のレジンモールド時に取付孔５
の内周面部分はレジンモールドされてレジンパッケージ
２で彼われることから、ボルト７を挿入する孔よりも大
きな孔となっている。また、この取付孔５は、円形とは
なっていないが、これはへラダ１の長さをできるだけ短
かくするためであり、特に形状は限定さｉｔない。また
、前記他のリードの先端はヘッダ１０周ｌ及部上方に位
置するとともに、屈曲してワイヤ接続部１９を形成して
いる。また、各リード１０は、ダム片２０によって接続
されている。さらに、ヘッダ１には応力り１さ中部を形
成するために７ｆ？ １５が設けられている。この溝１
５は、ｔｉｑ 待時のポル）・７のＦｌ’ｌｔめ付けに
よる応力を応力年中部で吸収して、チップ取付部分には
、応力の波及を低減させる役Ｃｍを果たすために設けら
れるものであり、取付孔５とチップ１３との間を断つよ
うな方向に沿って設けられるのが最も望しいが、この実
り例では、ヘッダ１０幅員方向に沿って全域に亘って１
本人れることが、従来のＴＯ−２２０型の外形寸法と同
一とするにはｉｊｆ、Ｌいことから、ヘッダ１の側部か
ら取付孔５に亘ってそれぞれ設けられている。
つぎに、第５図（ａ）に示すように、ヘッダｌのチップ
搭載部分１６にチップ１３を固定するとともに、このチ
ップ１３０所定電極とエミッタおよびベースとなるリー
ド１０のワイヤ接続部１９をワイヤ２１で接続する。
搭載部分１６にチップ１３を固定するとともに、このチ
ップ１３０所定電極とエミッタおよびベースとなるリー
ド１０のワイヤ接続部１９をワイヤ２１で接続する。
つぎに、第５図（ｂ）で示すように、ヘッダ１の主面全
体およびワイヤ接続部１９等の部分を、レジンモールド
によって封止し、レジンパッケージ２で被う。この際、
ヘッダ１の下面は、レジンパッケージ２から露出するよ
うにモールドされ、かつ取付孔５の中央部分は、ボルト
挿入用として残るようにモールドされる。すなわち、取
伺孔５の内周全域はレジンパッケージ２で被われ、ボル
ト７が取付孔５に挿入された際、ヘッダ１とボルト７と
の絶縁化が図れる。したがって、実装時に従来必要とし
ていた絶縁管は不要となる。また、レジンパッケージ２
は、第３図に示すように、チップ１３、ワイヤ２１等を
被う主パンケージ部分１４と、取付孔５が設けられた補
助パッケージ部分２２と、からなシ、補助パッケージ部
分２２の上面のボルト取伺面１１は主パッケージ部分１
４の上面よりも低く形成されている。これはレジンパッ
ケージ全体が同一高さの面であると、実装時に用いるボ
ルト１１０頭部が、その！！：まレジンパッケージ上面
から突出し、実装時のスペース効率が悪く永ることを防
止するために採用したオフτ造であって、チップ等を被
う必猥のある主パッケージ部分１４よシもボルト７が取
り伺けられる補助パッケージ部分２２のボルト取付部１
１を低くすることによって、第４図に示すように、主パ
ッケージ部分１４の上面からのボルト突出高さａはボル
ト７０頭部の高さｂよりも小さくなり、スペース効率が
向上することになる。
体およびワイヤ接続部１９等の部分を、レジンモールド
によって封止し、レジンパッケージ２で被う。この際、
ヘッダ１の下面は、レジンパッケージ２から露出するよ
うにモールドされ、かつ取付孔５の中央部分は、ボルト
挿入用として残るようにモールドされる。すなわち、取
伺孔５の内周全域はレジンパッケージ２で被われ、ボル
ト７が取付孔５に挿入された際、ヘッダ１とボルト７と
の絶縁化が図れる。したがって、実装時に従来必要とし
ていた絶縁管は不要となる。また、レジンパッケージ２
は、第３図に示すように、チップ１３、ワイヤ２１等を
被う主パンケージ部分１４と、取付孔５が設けられた補
助パッケージ部分２２と、からなシ、補助パッケージ部
分２２の上面のボルト取伺面１１は主パッケージ部分１
４の上面よりも低く形成されている。これはレジンパッ
ケージ全体が同一高さの面であると、実装時に用いるボ
ルト１１０頭部が、その！！：まレジンパッケージ上面
から突出し、実装時のスペース効率が悪く永ることを防
止するために採用したオフτ造であって、チップ等を被
う必猥のある主パッケージ部分１４よシもボルト７が取
り伺けられる補助パッケージ部分２２のボルト取付部１
１を低くすることによって、第４図に示すように、主パ
ッケージ部分１４の上面からのボルト突出高さａはボル
ト７０頭部の高さｂよりも小さくなり、スペース効率が
向上することになる。
まブし、このレジンパッケージ２は、主パッケージ部分
１４と補助パッケージ部分２２との段差部分に亘って溝
１２が設けられている。また、この溝１２は、取伺孔５
に交差している。この結果、第４図にも示すように、実
装時には、ボルト７０頭部は溝１２部分では接触しない
ため、）ルト７の締付は時の締付は力はチップ１３から
遠い補助パッケージ部分２２のボルト取付面１１に加わ
り、チップ１３を被う主パッケージ部分１４には応力は
加わり難い。また、溝１２が設けられたレジンパッケー
ジ部分は、溝１２の存在によって応力集中が起き易い応
力真中部を形成しているため、ボルト７の締付けによる
応力は応力集中部で吸収変形し、主パッケージ部分１４
には加わり難くなる。
１４と補助パッケージ部分２２との段差部分に亘って溝
１２が設けられている。また、この溝１２は、取伺孔５
に交差している。この結果、第４図にも示すように、実
装時には、ボルト７０頭部は溝１２部分では接触しない
ため、）ルト７の締付は時の締付は力はチップ１３から
遠い補助パッケージ部分２２のボルト取付面１１に加わ
り、チップ１３を被う主パッケージ部分１４には応力は
加わり難い。また、溝１２が設けられたレジンパッケー
ジ部分は、溝１２の存在によって応力集中が起き易い応
力真中部を形成しているため、ボルト７の締付けによる
応力は応力集中部で吸収変形し、主パッケージ部分１４
には加わり難くなる。
つぎに、レジンモールドが完了した後は、リードフレー
ム１７の不要となるダム片２０、枠片１８を切断除去し
、第５図（ｂ）および第３図で示すようなトランジスタ
を製造する。
ム１７の不要となるダム片２０、枠片１８を切断除去し
、第５図（ｂ）および第３図で示すようなトランジスタ
を製造する。
（１）、レジンパッケージは、ヘッダの主面全域に亘っ
て設けられていることから、従来のＴＯ−２２０型トラ
ンジスタのようなヘッダに部分的にレジンパッケージが
設けられる構造に比較して、外力に対して強く、レジン
パッケージのヘッダの変形の追従性向上およびヘッダと
の密接性向上が図れる。
て設けられていることから、従来のＴＯ−２２０型トラ
ンジスタのようなヘッダに部分的にレジンパッケージが
設けられる構造に比較して、外力に対して強く、レジン
パッケージのヘッダの変形の追従性向上およびヘッダと
の密接性向上が図れる。
（２）、実装時のボルトによる締付は力はチップ位置か
ら遠い補助パッケージ部分に加わる構造となっているこ
とから、ヘッダの変形があってもチップ搭載部分での応
力は小さくなる。
ら遠い補助パッケージ部分に加わる構造となっているこ
とから、ヘッダの変形があってもチップ搭載部分での応
力は小さくなる。
（３）、ボルトｈｌ’ｒ刊部分とチップとの間にはチッ
プに加わる応力の低減を図るために、ヘッダおよびレジ
ンパッケージには溝が設けられて応力集中部が形成され
ている。このため、チップ部分に加わる応力はＩ」・さ
く、チップクラックやヘッダからのレジンパッケージの
ｆｌｌ ｍｌは生じなくなる。
プに加わる応力の低減を図るために、ヘッダおよびレジ
ンパッケージには溝が設けられて応力集中部が形成され
ている。このため、チップ部分に加わる応力はＩ」・さ
く、チップクラックやヘッダからのレジンパッケージの
ｆｌｌ ｍｌは生じなくなる。
（４）、上記（１）〜（３）によって、ヘッダからのレ
ジンパッケージのｉｔげ）ｉＬが生じないことによる耐
湿性の向上および応力低減によるチップクラックの防止
によって品質か儂れかつ信頼性の高いトランジスタを提
供することができるという相乗効果が得られる。
ジンパッケージのｉｔげ）ｉＬが生じないことによる耐
湿性の向上および応力低減によるチップクラックの防止
によって品質か儂れかつ信頼性の高いトランジスタを提
供することができるという相乗効果が得られる。
（５）、上記（１）〜（４）に示すように、実装時ヘッ
ダは変形しひくなることから、ヘッダの厚さを従来の１
．２問程度からリードの厚さとなる０７門程度の厚さに
してもレジンパッケージの剥離やチップクラックの発生
は充分防止することができる。したがって、実施例のよ
うにヘッダとリードが同一の厚さで、一体に形成された
薄くて安価なリードフレームを用いてトランジスタを製
造することができるようになり、トランジスタ製造コス
トの低減化が図れる。
ダは変形しひくなることから、ヘッダの厚さを従来の１
．２問程度からリードの厚さとなる０７門程度の厚さに
してもレジンパッケージの剥離やチップクラックの発生
は充分防止することができる。したがって、実施例のよ
うにヘッダとリードが同一の厚さで、一体に形成された
薄くて安価なリードフレームを用いてトランジスタを製
造することができるようになり、トランジスタ製造コス
トの低減化が図れる。
（６）、レジンパッケージのボルト取付部は、一段低い
構造となっていることから、実装高さが低くでき、実装
時のスペース効率の向上が図れる。
構造となっていることから、実装高さが低くでき、実装
時のスペース効率の向上が図れる。
（７）、ボルトを挿入する取付孔の内周面全域は、絶縁
体であるレジンパッケージで被われているため、ボルト
を直接取付孔に挿入してもヘッダとボルトとの絶縁化が
図れることから、従来実装時に必要としていた取付孔に
挿入していた絶縁管は、工費となシ、部品点数の低減か
ら実装工数の低減化が図れる。 ゛ 以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうま−でもない。
体であるレジンパッケージで被われているため、ボルト
を直接取付孔に挿入してもヘッダとボルトとの絶縁化が
図れることから、従来実装時に必要としていた取付孔に
挿入していた絶縁管は、工費となシ、部品点数の低減か
ら実装工数の低減化が図れる。 ゛ 以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうま−でもない。
たとえば、前記実施例では、ボルトの取付孔がヘッダの
−ＪｌｉＨ部にある例について説明したが、取付孔が細
長のヘッダの両端部にそれぞれ設けられた構造のトラン
ジスタにあっても、ヘッダおよびレジンパッケージ部分
への応力真中部の採用、補助パッケージ部分の採用、取
付孔内周面の絶縁構造の採用は同様に適用でき、前記実
施例と同様の効果を得ることができる。
−ＪｌｉＨ部にある例について説明したが、取付孔が細
長のヘッダの両端部にそれぞれ設けられた構造のトラン
ジスタにあっても、ヘッダおよびレジンパッケージ部分
への応力真中部の採用、補助パッケージ部分の採用、取
付孔内周面の絶縁構造の採用は同様に適用でき、前記実
施例と同様の効果を得ることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるトランジスタ製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、ＩＣ等の他の半導体装置に
も適用でき、同様の効果を得ることができる。
をその背景となった利用分野であるトランジスタ製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、ＩＣ等の他の半導体装置に
も適用でき、同様の効果を得ることができる。
第１図は、従来のトランジスタの実装状態を示す平面図
である。 第２図は、従来のトランジスタの実装状態を示す断面図
である。 第３図は、本発明の一集施例によるトランジスタを示す
斜視図である。 第４図は、本発明の一実施例によるトランジスタの実装
状態を示す正面図である。 第５図（ａ）は、本発明の一実施例によるトランジスタ
の組立に用いるリードフレームの平面図。 第５図（ｂ）は、本発明の一実施例によるトランジスタ
の組立例を示す平面図である。 第６図は、本発明の一実施例によるトランジスタの組立
に用いるリードフレームの断面図である。 １・・・ヘッダ、２・・・レジンパッケージ、３川取付
板（ヒートシンク）、４・・・マイカ板、５，６・・・
取付孔、７・・・ボルト、８・・・ナンド、９・・・絶
縁管（絶縁ワッシャ）、１０・・・リード、１１・・・
ボルト取付面、１２・・・溝、１３・・・チップ、１４
・・・主パッケージ部分、１５・・・溝、１６・・・搭
載部分、１７・・・、リードフレーム、１８・・・枠片
、１９・・・ワイヤ接続部、２０・・・ダム片、２１・
・・ワイヤ、２２・・・補助パッケージ部分。 第 １ 図 第 ３ 図
である。 第２図は、従来のトランジスタの実装状態を示す断面図
である。 第３図は、本発明の一集施例によるトランジスタを示す
斜視図である。 第４図は、本発明の一実施例によるトランジスタの実装
状態を示す正面図である。 第５図（ａ）は、本発明の一実施例によるトランジスタ
の組立に用いるリードフレームの平面図。 第５図（ｂ）は、本発明の一実施例によるトランジスタ
の組立例を示す平面図である。 第６図は、本発明の一実施例によるトランジスタの組立
に用いるリードフレームの断面図である。 １・・・ヘッダ、２・・・レジンパッケージ、３川取付
板（ヒートシンク）、４・・・マイカ板、５，６・・・
取付孔、７・・・ボルト、８・・・ナンド、９・・・絶
縁管（絶縁ワッシャ）、１０・・・リード、１１・・・
ボルト取付面、１２・・・溝、１３・・・チップ、１４
・・・主パッケージ部分、１５・・・溝、１６・・・搭
載部分、１７・・・、リードフレーム、１８・・・枠片
、１９・・・ワイヤ接続部、２０・・・ダム片、２１・
・・ワイヤ、２２・・・補助パッケージ部分。 第 １ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、取付孔を有し、かつ主面にチップを固定したヘッダ
と、前記ヘッダの主面全体および取付孔の内周面を被う
樹脂封止体と、を有する樹脂封止型半導体装置であって
、前記取付孔とチップとの間のヘッダおよびまたは樹脂
封止体には応力集中部が形成されていることをｆｉ−徴
とする樹脂封止型半導体装置。 ２、前記ヘッダとリードの一部は、一体でかつ同一厚さ
となっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126080A JPS6018939A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126080A JPS6018939A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018939A true JPS6018939A (ja) | 1985-01-31 |
| JPH0522391B2 JPH0522391B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=14926110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58126080A Granted JPS6018939A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018939A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234058A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63110045U (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | ||
| JPS6484651A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585046A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58126080A patent/JPS6018939A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585046A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234058A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63110045U (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | ||
| JPS6484651A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522391B2 (ja) | 1993-03-29 |
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