JPS60189746A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS60189746A
JPS60189746A JP59044834A JP4483484A JPS60189746A JP S60189746 A JPS60189746 A JP S60189746A JP 59044834 A JP59044834 A JP 59044834A JP 4483484 A JP4483484 A JP 4483484A JP S60189746 A JPS60189746 A JP S60189746A
Authority
JP
Japan
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mask
wafer
glass
contact
holder
Prior art date
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Pending
Application number
JP59044834A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinkichi Deguchi
出口 信吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59044834A priority Critical patent/JPS60189746A/ja
Publication of JPS60189746A publication Critical patent/JPS60189746A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、半導体露光装置、特に2つの物体を密着また
は近接させて露光する密着または近接露光装置に関する
。
〈従来技術〉 従来、この種の装置では、第1図に示すようにマスク1
とウェハー3等の2つの物体間に、伸縮可能な閉空間6
を形成し、そこを真空にすることにより、マスク1の背
面に大気圧を働かせ、マスク1をウェハー3側に曲げる
ことによって両者を密着させていた。この際、従来のこ
の種の装置では、マスクドウェハー3間の真空圧をOか
ら所望の密着度が得られる高真空圧へと急激に変化させ
ていたため、次に述べるような欠点があった。
まず第1に密着性の劣化である。従来では、マスク1と
ウェハー3は全面がほぼ同時に密着を開始する。すると
、ウェハー3中央付近にあったガスは逃げ場がなくなり
、その部分に閉じ込められてしまう。この傾向は、半導
体プロセスの工程が進み平面度の悪化したウェハー3に
於て顕著に見受けられる。このようにガスが閉じ込めら
れることにより、密着性は劣化する。そして、密着性が
劣化すると、マスク1とウェハー3の間に不均一に生じ
た「微小な・すきま」部分で光の回折が起こり解像力が
低下してしまう。つまり、上述したような密着露光装置
においては、密着性の劣化は即、焼付性能の劣化につな
がるのである。また閉じ込められたガスを抜くために、
従来は、コンタクト後しばらく時間をおいて焼付を行な
っていたが、これは単位時間当りの処理可能なウェハ一
枚数すなわちスループットの向上を妨げる一因となって
いた。
第2にピッチエラーの劣化である。従来この種の装置で
は、マスク1とウェハー3を密着させる際、両者を適当
な間隔に保持した後、両者間に形成された閉じた空間6
内を真空にし、マスク1の背面に大気圧を働かせること
により、マスク1をウェハー3側に曲げ、両者を密着さ
せていた。この際、初期に設定するマスク1とウェハー
3間のギャップ量は、両者の密着性に多大な影響を及ぼ
していた。
すなわち、ギャップ量を小さくとった場合、マスク1の
たわみ量(彎曲量)が小さいため、周辺部での密着性は
良(、いわゆるピッチエラー(マスク1の彎曲によりマ
スク1のパターン面が伸びた状態となり、ウェハー3上
において、マスクパターンが本来転写されるべき位置か
らずれた所に焼付けられる現象)も少ない。しかし前述
した通りウェハー3の中央付近の密着性は劣化する。
一方、第2図に示す様に、ギャップ量を大きくとった場
合、マスク1が太き(彎曲することにより、ウェハー3
に対してマスク1は中央部付近の小さな領域から密着を
開始し、真空度の上昇により、この領域が除々に周辺に
拡がる傾向が認められ、これにより密着時にマスク、ウ
ェハの中央部付近にガスが閉じ込められる上述の現象が
緩和され中央部での密着性は向上する。しかし、この場
合マスク1が、大きくウェハー3側に引き込まれ彎曲し
、大きなピッチエラーを生じることになる。
上述したように従来の密着露光装置は、マスク及びウェ
ハー等の2物体間の密着性を良くするためにギャップ量
を大きく設定すると、ピッチエラーが生じてしまい、逆
にピッチエラーをなくすためにギャップ量を小さくとれ
ば、密着性が悪くなってしまうという、相互に矛盾する
問題点を抱えていた。
また、この種の装置では、ウェハーのセツティング、マ
スクとウニ・・−の位置合せ等の各工程が空気中で行わ
れている。このため空気中に浮遊しているゴミ等がマス
クやウェハーに付着し、ゴミの像をパターニングしてし
まったり、マスクやウェハーダメージの原因になるとい
う問題もあった。
く目的〉 本発明の目的は、上述した従来例の欠点を除去する、す
なわちピッチエラーの増大を抑制し、かつ中央部でガス
閉じ込め現象のない良好な密着状態を実現しつつ、ゴミ
等によるマスク、ウェハーダメージ及びパターニング欠
陥を減少させる密着または近接露光装置を提供すること
にある。
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、真空化
の可能な密封された部屋を具備しており、該部屋・を真
空にし、該真空雰囲気中にて、情報を有する第1の物体
(たとえばマスク等)と、該情報を記録するための第2
の物体(たとえばウェハー等)とを対向させ、密着又は
近接させて露光するようにしたものである。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第3〜第5図に本発明の一実施例を示す。第3図で、1
は情報を有するマスク、2はマスク1を保持するマスク
ホルダー、3はマスク1の情報を記録するだめのウェハ
ー、4はウェハー3を載置するためのウェハーチャック
である。ウェハーチャック4は静電引力によりウエノ・
−3を強固に保持するものであり、また不図示の駆動手
段により上下可能であるが、駆動時以外は機械的に固定
されて静止状態を維持する。5はマスク押えであり、マ
スク1をマスクホルダー2上に保持する。6はマスクホ
ルダー2を下方から支持するマスクホルダー支持部材で
ある。7はウニ・・−チャック支持部材であり、上記不
図示の駆動手段によりウェハーチャック4を支持しなが
ら上下動する。8は露光用の紫外線を透過するガラス様
部材である。9はガラス様部材8をマスク1の上方に支
持するガラス様部材ホルダーで、接合部はシールしであ
る。
10はベース部材で、その上面にマスクホルダー支持部
材6及びガラス様部材ホルダー9を固定する。ベース部
材10とガラス様部材ホルダー9との接合部はシールし
である。ここで、ガラス様部材8、ガラス様部材ホルダ
ー9及びベース部材10により、ひとつの密封された部
屋が形成される。
該部屋の内部は、マスク1、マスクホルダー2及びマス
クホルダー支持部材6により仕切られて、2つの空間1
1及び12を形成するが、雨空間11.1.2は互いに
連通している。14は空間11、’12を同時に真空に
するための真空ラインである。
本実施例は上記のような構成を有しており、該装置を用
いて露光する場合の操作について以下1)〜111)に
説明する。
1)まず、真空ライン14を通じて空間11.12を真
空に引く。この状態を所定時間維持することにより、マ
スク1及びウエハ−3の周辺雰囲気は実用的に十分なほ
どガス及びゴミが排除される。この時、大気圧はガラス
様部材8とガラス様部材ホルダー9にて吸収されるので
、マスク1等、各部材8,9.10で囲まれた系には大
気圧の影響はなく、何ら力が加わることがな(ゝO つまり、マスク1の平面性を保ったまま、密着不良及び
ゴミの原因であるガスを除去したのである。
11)次に、マスク1とウエノ為−3とを不図示の手段
により所定の位置にセットする。続いてマスク1とウェ
ハー3とを不図示のXYθステージで位置合せする。こ
れが完了した後、マスク1とウェハー3とを不図示の手
段により、第4図に示したように所定の間隔に離間(近
接)配置する。そして、予め設定された離間量だけウェ
ハーチャック4を上昇させ、第5図に示したようにマス
ク1とウエノ1−3を密着又は近接させる。このように
上記操作を行うことにより、密着又は近接状態が実現さ
れる。またこの場合、マスク1及びウェハー3の彎曲は
ほとんどなく、ピッチエラーが発生することはない。
111)上記1)及び11)の過程を経て、マスク1と
ウニ・・−3を密着あるいは近接させ、位置合せ精度が
目標内であれば、不図示の周知(特開昭50−1039
76号)の露光照明系により可視。
紫外、遠紫外光を与え文ウニ・・−3を露光する。
以上1)〜111)の操作を行うことにより、密着また
は近接露光が完了する。
次に、第6図に本発明の他の実施例を示す。同図では第
3〜第5図におけるマスク1とウェハー3を加圧する手
段を更に設けたものである。ここで15はガラス様部材
であり、ガラス様部材ホルダー16によって、マスク1
とガラス様部材8との間に固定されている。ガラス様部
材15とガラス様部材ホルダー16との接合部は密封し
である。
ガラス様部材ホルダー16はマスクホルダー2上に固定
されている。17はガラス様部材ホルダー16とマスク
ホルダー2との接合部に形成された空気漏れ防止材であ
る。従って、マスク1、マスクホルダー2、ガラス様部
材15及びガラス様部材ホルダー16等によって包囲さ
れ、密封された空間18が形成される。19は密封され
た空間18を真空にしたり、又は大気圧にしたりするた
めの真空ラインである。上記構成がマスク1及びウェハ
ー3の加圧手段として作用する。
以下、その作用について説明する。まず真空ライン14
−.19によって、空間1.1,12.18を真空にす
る。この状態で前述実施例と同様の手段により、マスク
1とウニ・・−3とを近接あるいは接触する位置に配置
する。その後ライン19を通じて空間18を真空から大
気圧に切換える。すなわち、マスク1の上面に大気圧を
加えて、マスク1をウェハー3に押しつげて密着する。
このように加圧手段を設ければ、ウェハー3の平面性が
悪くても、その周囲にガスが存在しない為、マスクは容
易にウェハーになじみ良好な密着状態を実現することが
できる。
尚、上述の実施例でウエノ1−チャック4に静電吸着型
のチャックを使用していたが、周囲に比して高い真空度
を達成させられるならば、真空吸着型のチャックを使用
しても良い。
く効果〉 以上説明したように、本発明の露光装置は、マスク及び
ウエノ・−等の両物体の周辺雰囲気を真空にして密着又
は近接露光を行なうことのできる空間を形成したことに
より、ピッチエラーの増大を抑制し、かつ中央部でガス
閉じ込め現象のない良好な密着状態を実現でき、更には
ゴミ等によるマスク、ウェハー等のダメージ及びパター
ニング欠陥を減少させることができるという非常に優れ
た効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の密着露光装置の縦断面図、第
3〜第5図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第6図
は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ■・・・マスク 2・・マスクホルダー3・・・ウェハ
ー 4・・・ウエノ1−チャック8・・・ガラス様部材
 9・・・ガラス様部材ホルダー10・・・ペース部材
 11 +’ 12・・・空間14・・・真空ライン 
15・・・ガラス様部材16・・・ガラス様部材ホルダ
ー 18・・・空間 19・・・真空ライン。 第2図 第3図 第5図 第6図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)情報を有する第1の物体と、該情報を記録するた
    めの第2の物体とを密着又は近接させて露光する装置に
    おいて、真空化可能な密封された部屋を具備し、該部屋
    内で前記両物体の密着又は近接を行うようにしたことを
    特徴とする露光装置。
  2. (2)前記物体のうち少なくとも一方を他方へ向けて加
    圧する手段を有し、該手段により前記密着又は近接を行
    うようにした特許請求の範囲第1項に記載の露光装置。
JP59044834A 1984-03-10 1984-03-10 露光装置 Pending JPS60189746A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59044834A JPS60189746A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59044834A JPS60189746A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 露光装置

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Publication Number Publication Date
JPS60189746A true JPS60189746A (ja) 1985-09-27

Family

ID=12702493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59044834A Pending JPS60189746A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 露光装置

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JP (1) JPS60189746A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01136156A (ja) * 1987-11-24 1989-05-29 Konica Corp 明室操作可能な密着走査露光装置
JPH01161353A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Konica Corp カラープルーフ作成装置
CN102012642A (zh) * 2010-12-27 2011-04-13 中国科学院光电技术研究所 一种光刻机真空曝光装置
JP2015038981A (ja) * 2013-07-18 2015-02-26 Nskテクノロジー株式会社 密着露光装置

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CN102012642A (zh) * 2010-12-27 2011-04-13 中国科学院光电技术研究所 一种光刻机真空曝光装置
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