JPS5980930A - ウエ−ハ整合方法 - Google Patents

ウエ−ハ整合方法

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Publication number
JPS5980930A
JPS5980930A JP58157805A JP15780583A JPS5980930A JP S5980930 A JPS5980930 A JP S5980930A JP 58157805 A JP58157805 A JP 58157805A JP 15780583 A JP15780583 A JP 15780583A JP S5980930 A JPS5980930 A JP S5980930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
air
section
mounting table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58157805A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Komoriya
進 小森谷
Kiyoshi Yoshida
清 吉田
Hiroshi Nishizuka
西塚 弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58157805A priority Critical patent/JPS5980930A/ja
Publication of JPS5980930A publication Critical patent/JPS5980930A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェー八に所定のパターンを有するマス
クを位置合せするためのウェーハ整合に関するものであ
る。
この種のウェーハ整合においてはウェーハ載置台の上に
表面にホトレジスト層を有する半導体ウ −エバを載置
し、さらKこのウェハ上に所定のパターンを有するマス
クを配置し、両者を密着してマスクのパターンをウェー
ハ上のホトレジスト層に焼付ける。この際、ウェハとマ
スクの中間に存在する空気が部分的に密封状態となって
、両者を所定の関係位置に保持しつつ密着状態にするの
に時間がかかり、また逆に、良好に密着したマスクをウ
ェハから引離す場合、両者の間に空気が入り込みにくい
ので、その引離しにも時間がかかる。この引離しの困難
さは特にクロム製マスクを使用し、かつ真空密着方式と
した場合において著しいものである。
本発明の目的は、ウェハ載置台上に載置されたウェハと
マスクとの密着およびその引離しの容易なウェハ整合方
法を提供することにある。
この目的を達成するため本発明によるウェーハ整合方法
は、中央部に空気吹出し口を有し、周辺部に空気吸込み
口を有するウェハ載置台と、このウェハ載置台上に載置
されたウェハの上に配置されるマスクと、前記空気吹出
し口から空気を吹出させる手段と、前記空気吸込み口か
ら空気を吸込ませる手段とを準備し、前記ウェハ載置台
上に載置されたウェハは、前記空気吹出し口からの空気
吹出し作用により中央部が盛上げられ、かつ前記空気吸
込み口からの空気吸込み作用により周辺部が前記ウェハ
載置台上に吸着される。これにより前記ウェハそりを生
じさせることにより、ウェハとマスクとの相互の密着作
業を行なうものである。
第1図及び第2図において11は本発明の実施に供する
ウェハ載置台である。このウェハ載置台11には中央部
に適当間隔で複数個の空気吹出し口12が設けられ、ま
た周辺部にほぼ等間隔に周方向に分布して空気吸込み口
13が設けられている。各空気吹出し口12は環状の連
通孔14を介して相互に連通しており、しかも載置台1
1の側面に開口する連通孔16を介して圧縮空気板に接
続される。また各空気吸込み口13は環状の連通孔17
を介して相互に連通され、上記と同様に載置台11の側
面に開口する連通孔18を介して真空装置に接続される
ウェハ載置台11の上に表面にホトレジスト層を有する
ウェハ21が載置され、さらKその上にマスク22が配
置される。ウェハ21は例えば半導体ウェハであり、マ
スク22は例えばクロムマスクでありうる。そしてウェ
ハ21およびマスク22は真空チャックないし真空ピン
セットを用いてウェハ載置台11上に持ってきたり、そ
こから持っていったりすることが、できる。
さて、ウェーハとマスクの整合が完了した後、ウェハと
マスクを密着するときには、空気吹出し口12からの空
気吹出し、および空気吸込み口13からの空気吸込みを
行って、ウェハ21を図示のごとく中央部は上方に盛上
がらせ、周辺部はウェハ載置台11上に吸着させる。こ
のようにして、ウェハ21をそらせておいて、マスク2
2をウェハ21の上に載置すると両者はウェハ21の中
央盛上がり部のみで当接し、両者の間に空気が密封状態
となることはないので、マスク22をウエノ・21上の
所定位置に容易罠位置させることができる。この後、空
気吹出しおよび空気吸込みを中止してウェハ21の盛上
がり変形を解除すれば、ウェハ21とマスク22とは中
央部から周辺部へと容易に密着状態へと移行することに
なる。
以上述べたように本発明によれば、ウェハ載置台上に載
置されたウェハとマスクとの密着の容易なウェーハ整合
方法を提供することができる。
また、本発明の方法によれば、ウェハとマスクの密着面
すなわち、レジスト面にガスが残留するコ〉カないので
、精度のよい露光を行なうことができる。
また、残留ガスがないので、露光中にガスが移動して密
着状態が変化する等の問題もおこらない。
さらに、本発明ではウニへのソリを利用して無理なく残
留ガスを排除するので、レジスト・パターンの変形等が
おこることもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に供するウェーハ整合装置の一例
を示す縦断面図、第2図は第1図の■、−■線から見た
平面図である。 符号の説明 11・・・ウェハ載置台、12・・・空気吹出し口、1
3・・・空気吸込み口、14.16,17.18・・・
連通孔、21・・・ウェハ、22・・・マスク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)  ウェハ及びマスクの相対位置を合せる工
    程(b)  上記ウェハ及びマスクの面間距離を減少さ
    せる工程 (C)  吸着された上記ウニへの中央部を突出させて
    上記マスクに接触させる工程 (d)  上記ウェハの中央部から周辺部に上記マスク
    との密着面が広がるように徐々にウェハを平坦化する工
    程 よりなるウェハ整合方法。
JP58157805A 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法 Pending JPS5980930A (ja)

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JP58157805A JPS5980930A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法

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JP58157805A JPS5980930A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法

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JP51146522A Division JPS6053464B2 (ja) 1976-12-08 1976-12-08 ウエ−ハ整合装置

Publications (1)

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JPS5980930A true JPS5980930A (ja) 1984-05-10

Family

ID=15657669

Family Applications (1)

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JP58157805A Pending JPS5980930A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 ウエ−ハ整合方法

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JP (1) JPS5980930A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066585A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Ushio Inc 光照射装置
JP2007036101A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Printing Co Ltd 露光機のワークステージ及び露光方法
JP2009237442A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Ushio Inc 光照射装置及び光照射装置におけるマスクの取り外し方法

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