JPS60189807A - 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケ−ブル及びその製造方法 - Google Patents
剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケ−ブル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS60189807A JPS60189807A JP4608384A JP4608384A JPS60189807A JP S60189807 A JPS60189807 A JP S60189807A JP 4608384 A JP4608384 A JP 4608384A JP 4608384 A JP4608384 A JP 4608384A JP S60189807 A JPS60189807 A JP S60189807A
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- Japan
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- polyethylene cable
- polyethylene
- layer
- semiconductive
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は、利殖容易な外部半導４＋￥’にＪを有する架
橋ポリエチレンケーブル及びその製造方法に１￥１する
ものである。
橋ポリエチレンケーブル及びその製造方法に１￥１する
ものである。
〈発明の背景〉
従来、外部半導電ＪＧを有する架橋ポリエチレンケーブ
ルにおいて、その外部半導ｉｆ１層を架橋ポリエチレン
ジ会５督）ｊ１’ｉから８易に＃、ｌＩ ｌ’ｊｉｑで
きるような本のとする場合に（、−、Ｌ 、外？）（−
半湾、電Ｊ惰圧は、ポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、塩素化ポリエチレン−酢酸ビニル共重合体等にカー
ボンブラック等の導？ｉｌ、性伺与ｊ′ｉ１１を配合し
た混合物が使用されてきた。
ルにおいて、その外部半導ｉｆ１層を架橋ポリエチレン
ジ会５督）ｊ１’ｉから８易に＃、ｌＩ ｌ’ｊｉｑで
きるような本のとする場合に（、−、Ｌ 、外？）（−
半湾、電Ｊ惰圧は、ポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、塩素化ポリエチレン−酢酸ビニル共重合体等にカー
ボンブラック等の導？ｉｌ、性伺与ｊ′ｉ１１を配合し
た混合物が使用されてきた。
しかし、上記の 従来の混和物を使用した外部半２、う
１重層は、２００℃以下の温度で架橋した」ぢ合には７
ｉ８に足できる剥Ｈｒｇ性を有するが、それ以上の温度
例えば２３０°０１′、１．上で架橋した場合には、満
足でｎる剥ｔｓｒｔ・性を有していなかった。その原因
は明確でｔよないが、り１部半導電層の材料が熱分）ｊ
′：Ｉにより劣化し、その引Ｉｊｆ４り破断力が剥離力
に対して相対的に低下する７ｃめと考えられている。
１重層は、２００℃以下の温度で架橋した」ぢ合には７
ｉ８に足できる剥Ｈｒｇ性を有するが、それ以上の温度
例えば２３０°０１′、１．上で架橋した場合には、満
足でｎる剥ｔｓｒｔ・性を有していなかった。その原因
は明確でｔよないが、り１部半導電層の材料が熱分）ｊ
′：Ｉにより劣化し、その引Ｉｊｆ４り破断力が剥離力
に対して相対的に低下する７ｃめと考えられている。
そのため架４．′３温度を２３０℃以上に高め°〔、製
スｊ（６四１を上げることができず、生腕性に限度があ
った。
スｊ（６四１を上げることができず、生腕性に限度があ
った。
〈発明の目的及び（４トマ成〉
本発明は、上記の現状に鑑みてなされたもので、２００
℃以上の温度で架橋しても＃、ｌＩ ＩＵｆ容易な外部
牛導’ｌｊ ）Ｆｉを有する架橋ポリエチレンケーブル
及びその製造する方法を提供することを目的とする。
℃以上の温度で架橋しても＃、ｌＩ ＩＵｆ容易な外部
牛導’ｌｊ ）Ｆｉを有する架橋ポリエチレンケーブル
及びその製造する方法を提供することを目的とする。
５５チのエチレン酢酸ビニル
１０〜９０ 」＋を置部
Ｈ，有極性ポリマー ９０〜１０ｉ民−叶ｔ°グ８より
なる混和物を生材イ、１（脂とし、これに導’＋５１：
性伺与剤を配合してなる半導電性混和物を用いることに
より達成される。
なる混和物を生材イ、１（脂とし、これに導’＋５１：
性伺与剤を配合してなる半導電性混和物を用いることに
より達成される。
上記主材樹脂混和物中のエチレン酢ｈ２ビニルの酢ビ景
が３５〜５５チの範囲でなければならない。
が３５〜５５チの範囲でなければならない。
酢と量が３５１未満の場合には、２００℃以上、例えば
２３０℃で架橋した場合には、召）られる半導電層は架
橋ポリエチレン絶縁ＪθからのＩＩＩぬ′）、がＩ４〕
難で、直ぐ破断してし′まい、剥離容易な半導電層を得
ることができず、又５５チを越る場合には、伸びが２０
０チを割ってしまいケーブルにした一Ｃｊ合、屈曲性を
考ｊ１．′・するとり」ｊできない。
２３０℃で架橋した場合には、召）られる半導電層は架
橋ポリエチレン絶縁ＪθからのＩＩＩぬ′）、がＩ４〕
難で、直ぐ破断してし′まい、剥離容易な半導電層を得
ることができず、又５５チを越る場合には、伸びが２０
０チを割ってしまいケーブルにした一Ｃｊ合、屈曲性を
考ｊ１．′・するとり」ｊできない。
ｎｌ：ビニー°が３５〜５５チのものであれば、如何な
る駅造粟者のエチレン酢ｒ々ビニルであっても、支障な
く使用し得る。−ｆ１′ｊ：市販品とし”Ｃは、例えば
、三井ポリケミカル社製エバフレックス４５×（酢と、
ｔｊ、４５ ＊ ）、エバフレックス４０（酢ビ、ｌ衾
４１チ）等を挙げることができる。
る駅造粟者のエチレン酢ｒ々ビニルであっても、支障な
く使用し得る。−ｆ１′ｊ：市販品とし”Ｃは、例えば
、三井ポリケミカル社製エバフレックス４５×（酢と、
ｔｊ、４５ ＊ ）、エバフレックス４０（酢ビ、ｌ衾
４１チ）等を挙げることができる。
上記主材（０，１脂混第１１物中の有極性ポリマーとは
、アミド基、エステル基金有するポリマーをいい、具体
的には、ポリアミドとして、三菱化成社製ツバミツド１
０１０、ヘンケル日本社製マクロメルト６０３０等を挙
げることができ、また、ポリニスデルとしては、東洋紡
社製パイロンＧＭ９００、東亜合成化学社ｉ５ ｐ ｐ
： ｓ １１０ ＩＩ等を挙げることができる。 ゛ 前記主材（１７１脂に配合される導電性付与剤としては
、金属粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等
を浄げることができるが、混和の容易性、経済性の点か
ら導電性カーボンブラックが最も−Ｆｊｕ的に使用され
る。導電性付与剤の配合Ｍは、その種類にもよるが、架
橋ポリエチレンケーブルの外部半導電層として必要な４
１０１度をイ（ＩるＫは、例えば導電性カーボンブラッ
クであるＪｈ、、１合には１０〜１００重景部で足る。
、アミド基、エステル基金有するポリマーをいい、具体
的には、ポリアミドとして、三菱化成社製ツバミツド１
０１０、ヘンケル日本社製マクロメルト６０３０等を挙
げることができ、また、ポリニスデルとしては、東洋紡
社製パイロンＧＭ９００、東亜合成化学社ｉ５ ｐ ｐ
： ｓ １１０ ＩＩ等を挙げることができる。 ゛ 前記主材（１７１脂に配合される導電性付与剤としては
、金属粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等
を浄げることができるが、混和の容易性、経済性の点か
ら導電性カーボンブラックが最も−Ｆｊｕ的に使用され
る。導電性付与剤の配合Ｍは、その種類にもよるが、架
橋ポリエチレンケーブルの外部半導電層として必要な４
１０１度をイ（ＩるＫは、例えば導電性カーボンブラッ
クであるＪｈ、、１合には１０〜１００重景部で足る。
本発明による剥離容易な外部半導’ｄ１．層を有する架
橋ポリエチレンケーブルは、嶋１体の外側に、内部半導
電層と未架橋ポリエチレン組成物による絶＃ｉ層と本発
明の前記半導′１υ、性混和物による外部半導電層とを
それぞれ順次Ｋ又はそれらの２月以上を同時に押出被俊
したのち、２３０℃以上に加熱することにより製造する
ことができる。
橋ポリエチレンケーブルは、嶋１体の外側に、内部半導
電層と未架橋ポリエチレン組成物による絶＃ｉ層と本発
明の前記半導′１υ、性混和物による外部半導電層とを
それぞれ順次Ｋ又はそれらの２月以上を同時に押出被俊
したのち、２３０℃以上に加熱することにより製造する
ことができる。
なお、加熱雰囲気は、不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気
であってもなくてもよい。゛また、加熱類は水蒸気、赤
外Ｍａｌ加熱加熱シリコンマあってもよい。
であってもなくてもよい。゛また、加熱類は水蒸気、赤
外Ｍａｌ加熱加熱シリコンマあってもよい。
次に１本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの構造を
請１回により説明する。
請１回により説明する。
第１図において、１は導体である。導体１は通常銅やア
ルミニウム又はこれらの合金製の素線の複数本を撚り合
せたものである。
ルミニウム又はこれらの合金製の素線の複数本を撚り合
せたものである。
導体１の外（１すには、内部半導型１ト２を介し又は介
すととなく直接４１′４イ烏ポリエチレン具のＰ！３祿
層３が設けられている。なお、上記内部半導電層２は、
１１−：ｆに比較的高’＋（１，１Ｆ（６ｘ ｖ以上）
に使用されルモのに設けられるノ゛２１合が多い。内部
半導電層２は従来から広く使用されている公知の半導電
性混和物により形成して本よいし、本発明に係る外部半
導電１（１−混和物によってもよい。
すととなく直接４１′４イ烏ポリエチレン具のＰ！３祿
層３が設けられている。なお、上記内部半導電層２は、
１１−：ｆに比較的高’＋（１，１Ｆ（６ｘ ｖ以上）
に使用されルモのに設けられるノ゛２１合が多い。内部
半導電層２は従来から広く使用されている公知の半導電
性混和物により形成して本よいし、本発明に係る外部半
導電１（１−混和物によってもよい。
′ｆた、絶縁Ｈイ３を構成する架イ喬ポリエチレンは、
架儲剤（例えばジクミルパーオキサイド０゜５〜５重〕
６１１部）を配合したポリエチレン混和物を高温（通常
１５０℃以上）に加熱することにより得ることができる
。
架儲剤（例えばジクミルパーオキサイド０゜５〜５重〕
６１１部）を配合したポリエチレン混和物を高温（通常
１５０℃以上）に加熱することにより得ることができる
。
架橋ポリエチレン絶縁層３の外側には外部半導１ｉｔ、
Ｉ白４が設けられる。この外部半専雉１層ＪＦｉ木発Ｅ
！ＡＫ係る半導電性混和物により形成されなければなら
ない。この半導電性混和物には架橋剤（例えばジクミル
パーオキサイド０．３〜３重周部）を添加してもよい。
Ｉ白４が設けられる。この外部半専雉１層ＪＦｉ木発Ｅ
！ＡＫ係る半導電性混和物により形成されなければなら
ない。この半導電性混和物には架橋剤（例えばジクミル
パーオキサイド０．３〜３重周部）を添加してもよい。
なお、；＋７１常、外部半導電層４の外側には％ 槻４
４ｆｌ＋的、化学的損障を防ぐため、必要に応じシース
（保護波＆）５を設けることがある。
４ｆｌ＋的、化学的損障を防ぐため、必要に応じシース
（保護波＆）５を設けることがある。
〈実施例〉
下記の第１表に示した配合の半導°ｉｉｉ、（Ｊｊｊ混
和物を厚さ１ ｒｔｒｍのシートに成形し、別途用意し
た厚さ２維の未架橋ポリエチレンシートにそれぞれ声ね
合せて所定の架橋条件（２００°Ｃ，２３０℃、２５０
℃）で加熱して貼り合せ試料とした。
和物を厚さ１ ｒｔｒｍのシートに成形し、別途用意し
た厚さ２維の未架橋ポリエチレンシートにそれぞれ声ね
合せて所定の架橋条件（２００°Ｃ，２３０℃、２５０
℃）で加熱して貼り合せ試料とした。
それらについて、テンシロン１成Ｑｊ躬こより引りｊ（
速度５００闘／分で剥離刃を測定した。なお、試料中は
１２．ｊ脇とした。
速度５００闘／分で剥離刃を測定した。なお、試料中は
１２．ｊ脇とした。
〈発明の効果〉
第】表から明らかなように酢ビ景が３５〜５５メのエチ
レン酢酸ビニルと有檎性ポリマーを主材や゛、ｊ脂とす
る本発明の半導電性混和物は、２００℃′？ｉ−越る高
温（例えば２３０℃以上）で架橋しても！ｅ＋Ｉ Ｐ＝
ｉｆ簀易であるが、エチレン酢酸ビニル中の酢ビｊｉｔ
が３５〜５５％の範囲外のものを生材樹脂に使用したも
のは２３０℃以上で架橋すると、剥離のＬ：・破断し、
刷部できない結果となった。
レン酢酸ビニルと有檎性ポリマーを主材や゛、ｊ脂とす
る本発明の半導電性混和物は、２００℃′？ｉ−越る高
温（例えば２３０℃以上）で架橋しても！ｅ＋Ｉ Ｐ＝
ｉｆ簀易であるが、エチレン酢酸ビニル中の酢ビｊｉｔ
が３５〜５５％の範囲外のものを生材樹脂に使用したも
のは２３０℃以上で架橋すると、剥離のＬ：・破断し、
刷部できない結果となった。
第２表
壕だ、本発明の方法を実施すれば、上記第２表に示すと
おり、従来よりも高い架橋温度（２３０℃）以上で、剥
１ｔｆｌｌ性の優れた外部半導電層を有する架上・搦ポ
リエチレンケーブルを製造するととができ、その温度の
高いだけ製造速度を上げることができ、工業的釦有利と
なり、しかも、ｒｆられるケーブルは、その接続部・終
端部の作成も容易で工事能率上も優れてｌる。
おり、従来よりも高い架橋温度（２３０℃）以上で、剥
１ｔｆｌｌ性の優れた外部半導電層を有する架上・搦ポ
リエチレンケーブルを製造するととができ、その温度の
高いだけ製造速度を上げることができ、工業的釦有利と
なり、しかも、ｒｆられるケーブルは、その接続部・終
端部の作成も容易で工事能率上も優れてｌる。
第１図は本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの断面
函である。 １・・−導体、２ＩＩ＠・内部半導１ｉ１εノｔフ、３
１１・φ架橋ポリエチレン絶縁層、 ４拳φ・外部半導
電層、５・・ψシース。 特許出願人 藤倉電線株式会社
函である。 １・・−導体、２ＩＩ＠・内部半導１ｉ１εノｔフ、３
１１・φ架橋ポリエチレン絶縁層、 ４拳φ・外部半導
電層、５・・ψシース。 特許出願人 藤倉電線株式会社
Claims (4)
- （１）、導体の外ｔ１すに、内部半導電層を介して又は
介さず直接に床架（１１９ポリ工チレン絶縁層、外部半
導電層をＩｍ ｉ次設けてなる架１ｉＫポリエチレンケ
ーブルにおいて、上記外部半導電Ｆｆ）に ！、ｒＪ’＋・酸ビニル含１；１°３５〜５５俤のエチ
レン酢酸ビニル １０〜９０重七１：部 １１、有椿性ポリマー ９０〜１０．重セ；・部よりな
る温和物を工材４ＮＪ ＪＩＩＹとし、これに１９．電
性付与剤なる半導電性混和物を用いることを特徴とする
架＋１１’ｄポリエチレンケーブル。 - （２）、有ｐｌ性ポリマーとしてポリアミドを用いるｊ
（！： ’ｒ： ４’ｌ’ ｔ＋ンとする’ｉ；Ｊ１
′ｌ’ 請求の範囲第１項の架橋ポリエチレンケーブル
。 - （３）、有枯仇ポリマーとしてポリエステルを用いるこ
とを特徴とする特許績求の範囲第１項６架橋ポリエチレ
ンケーブル。 - （４）、導体の外側に、内部半導電層、床架・８ポリ工
チレン組成物による絶縁層及び外部半導’ｊ＋：ｌ’、
Ｈψ１ｊ全１ｊヲ又はそれらの２以上を同時に押田被
庁”４１シたのち、架橋加熱する架１．４ポリエチレン
ケーブルのｙＶ造方法において、上記外部半導電層に下
記生別電性混和物を用い、上記架橋加熱として２３０℃
以上に加熱することを特徴とする架’ｊ１１ｒｌポリエ
チレンケーブルの製造方法。 ｉ、酢酸ビニル合せ３５〜５５チのエチレン酢酸１３ル
１０〜９０爪Ｊ３；：部 ｉｉ１ボリアぜド又はポリエステル ９０〜１０３！＜新郎 よりなる混和物を主材樹脂とし、これにｌζ２．’ｔ！
Ｈ：性伺与剤を配合してなる半導電性混第１物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608384A JPS60189807A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケ−ブル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608384A JPS60189807A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケ−ブル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189807A true JPS60189807A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH0430685B2 JPH0430685B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=12737090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608384A Granted JPS60189807A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケ−ブル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189807A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325885A (en) * | 1976-08-21 | 1978-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Bridged polyolefine insulat ing hightension cable having outer semiconductor layers which can be treated of f easily |
| JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
-
1984
- 1984-03-10 JP JP4608384A patent/JPS60189807A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325885A (en) * | 1976-08-21 | 1978-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Bridged polyolefine insulat ing hightension cable having outer semiconductor layers which can be treated of f easily |
| JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430685B2 (ja) | 1992-05-22 |
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