JPS60190233A - 不斉水添触媒の製造方法 - Google Patents

不斉水添触媒の製造方法

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JPS60190233A
JPS60190233A JP59047377A JP4737784A JPS60190233A JP S60190233 A JPS60190233 A JP S60190233A JP 59047377 A JP59047377 A JP 59047377A JP 4737784 A JP4737784 A JP 4737784A JP S60190233 A JPS60190233 A JP S60190233A
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JP
Japan
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phosphine
general formula
derivative
diop
hydrogen
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JP59047377A
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English (en)
Inventor
Kyoji Yamamoto
山本 経二
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Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
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Publication date
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、不斉水添触媒の製造方法に関し、更に訝しく
はロノツl、錯体の有効なキラルホスフイン配位了とし
て知られるCy−Diopおよびその類餞木を製造口′
?を短縮釘ることにより高い光学純度を有して容易に製
造できるようにしたものである。
(・1々の遷移金属ホスフィン111体による炭素−炭
素二ITItl′1合の均・系触媒水素化反応について
は広く研究されているか、カルボニル基の二重結合に−
)いては殆どii: IJされておらず、文献にもあま
りみられない。、二の中で、(−)−Cy−1)iop
 [(t<+R)−2,3−インプロピリデン−2,3
−シ゛ヒドロキシー1,4−ビス(7シクロヘキシルホ
久フイノ)ブタン1は、カルボニル基の水素化に刻して
極めて活性な触媒として知られている。このCy−1)
ioHの製造方法としては従来L(+)−酒石酸を原料
とするものが提案されているが、製造工程が長く煩雑で
、特殊な工程を含む等の問題があった。
本発明者は上記問題に着目して、少ない製造]二重で光
学純度の高いCy−DiopおよびそのM似1体を1υ
るべく鋭意研究を重ねた結果、一般式((Ia)式中1
り1とR2とが共になってインピリデンケタール基(X
’oつ又は脂環式基を形成することを示す。)で示され
るホスフィン誘導体を不活性溶媒中酸化して、一般式 で′小されるホスフィンオキシト誘導体とナシ、これを
這移金属触U、の存在下フェニル環を水素化して、一般
式 でボされるシンクロヘキシルホスフィンオキシト誘導体
とし、これをアルキルアミンの存在下ト1ルクロロシラ
ンて゛還元することにより、目的のGyl) i+Jl
+(Id)t;よび類似、体を高い光学純度を有して容
易に製造し1uることを見出し、本発明を完成した。
本発明によれば、Diopの1.酸化、2.フェニル環
の水素化および3.還元の僅かに三工程で1−1的とす
るCy−Diopを高い光学純度で11することができ
る。また、この三工程で他の官能基が変化を受けない限
り、既往のビス(シ゛フェニルホスフィノ)アルカン型
のホスフィン誘導体を対応するビス(ジシクロヘキシル
ホスフィ/)アルカンに変換する最も簡便な方法である
。例えば、一般式(lla)((Ila)式中R3及び
R4は夫々水素、アルキル基、アルコキシ基又は脂環式
基を示し、R3とR4とが共になって環を形成していて
もよい。但し、I(3とr<4が共に水素であることは
ない)で示される(S、S)の絶対配置で結合している
ジホスフィ7エタン誘導体も、Diopの場合と同様に
して(nbl (IIc、) (ndl の五工程で一般式(lid)で示されるGy−CI+i
ra −1山0!;とすることができる。このCy −
CII i rapbosは上記Cy −1) i o
l+と同様に、カルボニル基の水素化に月L′〔活性で
あり、光学活性α−オキシ酸の合成のみなす各種試桑の
合成や合成中間水の合成に極めて有効である。
本発明の出発j;j料である一般式(1a)式中、置換
基1<1.1<2はjl、になってインビリデンケター
ル基又はシクロ7タン、シクロペンクン、シクロヘキサ
ン等の脂環式基を形成することを示す。又、一般式(l
la)中、置換i!:月く3.1り4は水素、;メチル
、エチル等のアルキルJ、にメトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ等のアルコキシ基;シクロブチル。
シクロペンチル、シクロヘキシル等の脂環式基のIJ!
、R3R4とが共になって環を形成していてもよい。
しかし、R3とR4とが共に水素であることはない。
出発原料(1a)又は(Ila)は(R,R)又は(S
、S)の絶対配置で結合しているンホスフイノフタン誘
導体又はジホスフイ7エタン誘導体で゛、反応]二重(
酸化−環元)で影響されない置換基であればどの位置に
あってもよい。代表的な化合物を例示すれば次に示す通
りである。
(R,R)−DIOP (R,R)−C4DIOP(S
、 5)−CHIRAPHO8 (R)−PRC)PHO9(R)−CYPHOS本発明
に1史用するロノウム化・作物の例としては、l<1l
CL+ ・ Xl+ 20、 l Rh(()COC1
13)212、 [Rb(C,II 、)、ell、、
11<h(1,5−ヘキサジエン)CI]2、lRI+
(1,S−シクロオクタンエン)C1]2、l RIt
(フルボルナジエン)ell、、Rb(アセチルアセト
ナート)(1,5−シクロオクタジエン)、RMアスチ
ルアセトナート)(フルボルナジエン)、Rb(7゜セ
チルアセトナート)3などが挙げられる。
本発明に係るCy I)iopを製造するには、文献記
載の方法で・合成して得られ、且つ市販のDiop(I
n)をアセ1ン等の4;活性溶媒中過酸化水素で酸化し
て!、’) iol+ (’、) (lb)とし、これ
を遷移金属触媒のU右下、メタノール、テトラヒドロ7
ラン、シクロヘキサン等の有(筬溶媒中水素圧10〜1
00K)+/elo”、好ましくは30−80 Kg/
eta2でフェニル環を水素化し、Cy 1)iol+
−0(Ic)とする。遷移金属としては、t’LO,、
Rb/ C(5%)、Ru/C(5%)等が挙げられる
が、収率の点からはRu/C(5%)が好ましい。最後
に、Cy−Diop−0(Ic)をトリエチルアミン、
トリブチルアミン等のフルキルアミンの存在下、トリク
ロロシランを用いて還元することにより高い光学収率で
Cy−1)iop(ld)を得ることができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
本実施例において、合成および測定に使用した溶剤はす
べて適宜乾燥、脱気してアルゴン中でストックした。ま
た、ロノウム化合物としては文献記載の方法により、R
hCl、・31−1 、0と 1,5−シクロオクタジ
エン(COD)、フルボルナジエン(NBD)から、そ
れぞれ[RI+(COD)Cl3.と1. Rh(NB
D)C112を調製した。
旋光度はOR−5(、) Y anaco自動旋光自動
測光計た、NMRとIRスペクトルは、それぞれ1<=
24A 目立またはFX 90Q FT JeolとJ
ascoIR−2に記録した。GLCの測定は、PEG
−20M充填カラム(3+ll+nX 3 m)付の島
津GC−4Cで行った。
実施例(Cy Diopの合成) ℃→二尖十■@酵北 () −Diop (2+611101)をアセトン2
0+nlに溶角了腰 4・−5℃テ’151j4十りな
;/+’う3t、)%+1,02(11111)を徐7
ノに添加した。間もなく白色の沈)殿が生ずるが、室温
で2〜・・1時間撹拌を続けた。減圧蒸留により溶媒を
留去して18られな生成物を乾燥タイルで乾・))ジコ
した。収9)・覧!J8.G%、旋光度[α125=+
I 4 、!J’ (c= 2 、クロロホルム)。
7エそル」;(の−)19−素化 < )l)iol+ U(tl、5τ+llI’01 
)を81111のドライメタ/−ルに溶1’lil’腰
5(l bl lのオートクレーブに容れた。Ru、C
(5%+ l 2 (1+nB)を溶液に添加して、水
素〔・′・1回パージ゛した。水素化は室)131で水
素)1.“7flKHバ: m ” ト”・・目;時間
で行った。触媒はセライ1ベン1で・濾別上乾燥メタノ
ールで洗浄した。
濾液と洗7争欣を一緒にして、減圧下蒸発乾固し白色粉
末か1:1られた。NMRスペクlル分41iの結果、
フェニル環は完全にシクロヘキシルに転化したことが1
′リリな。()−Cy−Dial+−0収率91膨う、
IJ’i10度t a+%5 == 、 、 1°(c
= t) 、 5 、ヘンゼ/)。
雇−ル () Cy−1)io1+−0(0,25+nmol)
を3mlのドライベンゼンに溶1’lイし、これにトリ
エチルアミン(2、5mmol )を添加した。この混
合溶液に等モル比(10倍)のトリクロロシランを4〜
5°Cで極めてゆっくり添加した。反応混合物を90°
Cで2時間加熱した。反応は0〜5℃で!)0%Na0
11を添加して停止した。有機層をベンゼンで数回抽出
し、抽出物はブライン(食塩水)で洗い硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。減圧下溶媒を留去してcy−1)iop
が収率7(、)%で1υられな。
旋光度[α]L5 22.8°(c=0.90.ベンゼン)。
N、MR(ppm) ; (1,,251,80br+Cy+C)I2]”+48
H1l[1,38s、(C)−13)zC<+6H]1
.L3.81J Ct−10,2H] ’:−ノCy Diopは通常過剰のC82中でC82
付加物として貯蔵する。フリーのcy I)iopか必
要なときは、C82イτ1加物(20’(:でC82か
ら赤色針状結晶として再結晶する)をエタノール中にお
いて加熱5?II’f L、エタノールを少し蒸発させ
て発生した(′、8 を除去すればよい。残ったエタノ
ール11ね((を;i8、ψ几て蒸発さぜると白色の結
晶性物質が1:jられる、。
なI;、〈b−(二hi+a++l+o!1(lld)
のイ障反tこつぃても1−記と同様の操1′1て′イj
ったか、Cb i ral+l+os酸化物(llb)
の水素比は水素1.L: Ll OKS7(!m:′、
+2+1’C151−1の条1’lとした。
旋光度:1α17(クロロホルム) C11ira1+11o!+21 ] ’ (c= 1
 、5 )C11iraj山():、−U + 3G、
!J” (c= 1.5 )Cy−Cb i ra1山
as−0 +15.0’ (c=:(,1,132)Cy Cll
1rul+hos +17.(1” (c=(1,2)
NIVIR(m11) [(1,7ji2.24 1)r、 (、y 十CH3
,5(l l1112 、U ハl、 2 II 1 次に、本発明の1:香水系触媒を用いてペンソイルギ酸
講導木およびケトパントイルラクトン等の水素添加反応
を行った。
水素化はステンレス製のミクロオートクレー7中、水素
圧15 Kg/ can2、室温で行なった。オートク
レー7は水素化の曲に通常水素で4回パージ゛する。次
に一般的な水素化方法を示す。
ミクロオートクレーブ中の空気をアルゴンで置換し、所
望量の[R1+(COI))C1]2とJI算jjLの
Cy I)iopおよび31n1の溶媒(エタノール:
ベンゼン=1:3)を容れ、この溶液を水素(20Kg
/ch、:)で3回パージして、さらに水素圧20Kg
7cm2.1時間室温で予め触媒を活性化しておく。次
いで、この触媒溶液に所望量の基体(触媒5+no1%
)を添加した。再びオートクレーブを水素で満たし、こ
の混合物を水素圧15 Kg/c+n2下、室温で一夜
撹拌した。反応の転化率はG L C分4’f’+によ
りn1算した。
還元生成物をカラムクロマトグラフィーまたは蒸留によ
り精製して、旋光度を測定した。その結果を表1に示し
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 キラルホスフィンを配位子とするロジウム錯体よりなる
    イ・斉水添触媒の製造方法において、該ホスフィンが一
    般式 %式%() ((Ia)式中1り1とR2とが共になってインピリデ
    ンケタールiJ:(x、ol)又は脂環式基を形成する
    ことを示し、(Ila)式中[く3及び1テ4は夫々水
    素、アルキル基、アルコキシ基又は脂環式基を示し、R
    3と1<1とが共になって環を形成していてもよい。但
    し !く3と1<4カリ(に水素であることはない。)
    で示されるホ又フィン誘導体を不活性溶媒中酸化して、
    一般式 %式%() ([<1〜R4は前記と同じ意義を有する。)で示され
    るホスフィンオキシト誘導体となし、これを遷移金属触
    媒の存在下フェニル環を水素化して、一般式 〇 (Ic) (Jlc) (R’〜R4は前記と同じ意義を有する。)で示される
    ジシクロヘキシルホスフィンオキシド誘導体とし、これ
    をアルキルアミンの存在下トリクロロシランで還元し一
    般式 (Id) ([[d) (l<1−Rllj: +iij記と同し意義を有する
    。)で示されるホスフィン1.秀導木とすることを特徴
    とする不斉水添触媒の製造方法。
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