JPS6019098B2 - 六硼化ランタン熱陰極の製造法 - Google Patents
六硼化ランタン熱陰極の製造法Info
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- JPS6019098B2 JPS6019098B2 JP52116874A JP11687477A JPS6019098B2 JP S6019098 B2 JPS6019098 B2 JP S6019098B2 JP 52116874 A JP52116874 A JP 52116874A JP 11687477 A JP11687477 A JP 11687477A JP S6019098 B2 JPS6019098 B2 JP S6019098B2
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- lanthanum
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は六棚化ランタンゥェハーより熱陰極の製造法に
関するものである。
関するものである。
六棚化ランタンは、熱陰極としてタングステンより優れ
た特性があり、その実用化力ま要望されている。
た特性があり、その実用化力ま要望されている。
その理由は、タングステンよりも、仕事関数が小さく、
低温で使用可能であり、輝度が高く、長時間使用できる
というによるものである。しかし、六棚化ランタンは高
温で支持金属であるタングステン線、タンタル線などの
難融性金属との反応が激しく実用化にあたってはさまざ
まな工夫がなされている。例えば、黒鉛との反応が少な
いことを利用して黒鉛ではさみ込む、あるいは六郷化ラ
ンタンと支持金属との間に障壁層を介在させるなどであ
る。一方、単結晶六棚化ランタン熱陰極は、これまでの
多結晶焼給体熱陰極に比べさらに長寿命、高輝度をもつ
こと「 また電流安定度、雰囲気安定化ていることから
、単繕晶六棚化ランタンを熱陰極として用いることによ
り熱陰極としての性能が上がるとが期待される。
低温で使用可能であり、輝度が高く、長時間使用できる
というによるものである。しかし、六棚化ランタンは高
温で支持金属であるタングステン線、タンタル線などの
難融性金属との反応が激しく実用化にあたってはさまざ
まな工夫がなされている。例えば、黒鉛との反応が少な
いことを利用して黒鉛ではさみ込む、あるいは六郷化ラ
ンタンと支持金属との間に障壁層を介在させるなどであ
る。一方、単結晶六棚化ランタン熱陰極は、これまでの
多結晶焼給体熱陰極に比べさらに長寿命、高輝度をもつ
こと「 また電流安定度、雰囲気安定化ていることから
、単繕晶六棚化ランタンを熱陰極として用いることによ
り熱陰極としての性能が上がるとが期待される。
しかし、単結晶六棚化ランタンを熱陰極として用いてい
る例はまだ殆んどなく、単結晶を用いた熱陰極の製造法
、支持法にはまだ解決しなければならない問題点が残さ
れている。本発明は単結晶六棚化ランタン熱陰極の製造
法を提供することを目的とするものである。
る例はまだ殆んどなく、単結晶を用いた熱陰極の製造法
、支持法にはまだ解決しなければならない問題点が残さ
れている。本発明は単結晶六棚化ランタン熱陰極の製造
法を提供することを目的とするものである。
本発明は、単結晶六棚化ランタンのウェハー表面に障壁
層を被覆し、さらにその上に難融性属を被覆した後これ
をチップ状に切断し、チップ先端を研磨して円錐状とし
、これにタングステン線等の支持導線をつけて熱陰極と
するものである。
層を被覆し、さらにその上に難融性属を被覆した後これ
をチップ状に切断し、チップ先端を研磨して円錐状とし
、これにタングステン線等の支持導線をつけて熱陰極と
するものである。
以下図面に従い本発明の製造法をさらに詳しく説明する
。第１図は本発明法による熱陰極の製造法の工程を示す
説明図である。
。第１図は本発明法による熱陰極の製造法の工程を示す
説明図である。
第１工程は熱陰極に適合した厚さの六棚化ランタンの単
結晶からなるウェハー−１を出発原料とし、これに障壁
層を被覆したウェハー２とし、第２工程でウェハー２に
さらに雛触性金属を被覆したウェハー３とし、第３工程
でウェハー３をチップ４とし、第４工程でチップ４を先
端加工したチップ５とし、第５工程で支持導線を熔接し
て熱陰タ極とする。
結晶からなるウェハー−１を出発原料とし、これに障壁
層を被覆したウェハー２とし、第２工程でウェハー２に
さらに雛触性金属を被覆したウェハー３とし、第３工程
でウェハー３をチップ４とし、第４工程でチップ４を先
端加工したチップ５とし、第５工程で支持導線を熔接し
て熱陰タ極とする。
第２図は本発明法によって得た熱陰極を示したものであ
る。
る。
単結晶六棚化ランタンウェハー１上に障壁層及び灘融性
金属を被覆させ、障壁層材料としてはＷａ族、またはＶ
ａ族金属の二棚化物の一つまたはこれらの混合物を使用
し、繁融性金属は、タングステン、タンタル、モリブデ
ン、ニオブ、レニウムの一つまたはこれらの混合物を使
用する。
金属を被覆させ、障壁層材料としてはＷａ族、またはＶ
ａ族金属の二棚化物の一つまたはこれらの混合物を使用
し、繁融性金属は、タングステン、タンタル、モリブデ
ン、ニオブ、レニウムの一つまたはこれらの混合物を使
用する。
被覆方法としては塗布法、スパッタリング、気相化学メ
ッキ法（ＣＶＤ），イオンプレーティングなどを用いて
、障壁層を被覆したウェハ−２とし、さらに、その上に
繁融金属を被覆したウェハ−３とする。ウェハー３には
超音波加工、または放電加工などによりチップ状に切断
してチップ４とする。これにより平行した面に障壁層及
び簸融性金属が被覆された直方体状のチップが出釆る。
該チップの先端を機械研磨により円錐状にして先端角度
Ａ５０〜１０び、先端の曲率半径Ｒ５０〜１００＃に研
磨した後、さらに電解研磨によって先端の曲率半径を１
０〜５０山とする。最後に被覆された面にタングステン
線、タンタル線などをスポットウェルディングなどによ
り接着さ、熱陰極とする。本発明によれば、チップの１
個ずつに被覆する方法に比べ一度に多量のチップが作成
されるのでコスト的にも安くなるし、また技術的にもは
るかにプロセスが簡略になる。
ッキ法（ＣＶＤ），イオンプレーティングなどを用いて
、障壁層を被覆したウェハ−２とし、さらに、その上に
繁融金属を被覆したウェハ−３とする。ウェハー３には
超音波加工、または放電加工などによりチップ状に切断
してチップ４とする。これにより平行した面に障壁層及
び簸融性金属が被覆された直方体状のチップが出釆る。
該チップの先端を機械研磨により円錐状にして先端角度
Ａ５０〜１０び、先端の曲率半径Ｒ５０〜１００＃に研
磨した後、さらに電解研磨によって先端の曲率半径を１
０〜５０山とする。最後に被覆された面にタングステン
線、タンタル線などをスポットウェルディングなどによ
り接着さ、熱陰極とする。本発明によれば、チップの１
個ずつに被覆する方法に比べ一度に多量のチップが作成
されるのでコスト的にも安くなるし、また技術的にもは
るかにプロセスが簡略になる。
第１図は本発明による熱陰極の製造工程を示す説明図、
第２図は本発明による熱陰極を示す断面図である。 １は単結晶六棚化ランタンウェハー、２は１に障壁層を
被覆したもの、３は２に雛融性金属を被覆したもの、４
はチップ状に切断したもの、５は先端加工を施したもの
、６はチップに支持導線をつけた熱陰極、Ｒは先端の曲
線半径、Ａは先端角度、７は単結晶六棚化ランタン、８
は障壁層、９は鰹融性金属の被膜で、１０は支持導線で
ある。 多１図多２図
第２図は本発明による熱陰極を示す断面図である。 １は単結晶六棚化ランタンウェハー、２は１に障壁層を
被覆したもの、３は２に雛融性金属を被覆したもの、４
はチップ状に切断したもの、５は先端加工を施したもの
、６はチップに支持導線をつけた熱陰極、Ｒは先端の曲
線半径、Ａは先端角度、７は単結晶六棚化ランタン、８
は障壁層、９は鰹融性金属の被膜で、１０は支持導線で
ある。 多１図多２図
Claims (1)
- １ 単結晶六硼化ランタンウエハーの上下両面に障壁層
を被覆し、さらにその上に難融性金属を被覆し、これを
熱陰極チツプの大きさに切り取り、先端加工を施し、支
持金属を接着させることを特徴とする六硼化ランタン熱
陰極の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52116874A JPS6019098B2 (ja) | 1977-09-30 | 1977-09-30 | 六硼化ランタン熱陰極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52116874A JPS6019098B2 (ja) | 1977-09-30 | 1977-09-30 | 六硼化ランタン熱陰極の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5451470A JPS5451470A (en) | 1979-04-23 |
| JPS6019098B2 true JPS6019098B2 (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=14697760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52116874A Expired JPS6019098B2 (ja) | 1977-09-30 | 1977-09-30 | 六硼化ランタン熱陰極の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019098B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201098U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-16 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760639A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Heat megative electrode consisting of single crystal of hexaboromide |
| CN100349687C (zh) * | 2004-08-08 | 2007-11-21 | 湖北汽车工业学院 | 点焊电极表面电火花熔敷涂层用的熔敷棒及其制备方法 |
| EP1858047B1 (en) * | 2005-01-14 | 2012-06-27 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electron source manufacturing method |
-
1977
- 1977-09-30 JP JP52116874A patent/JPS6019098B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201098U (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5451470A (en) | 1979-04-23 |
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