JPS60191065A - セラミツクス焼結体の製造方法 - Google Patents
セラミツクス焼結体の製造方法Info
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- JPS60191065A JPS60191065A JP59047780A JP4778084A JPS60191065A JP S60191065 A JPS60191065 A JP S60191065A JP 59047780 A JP59047780 A JP 59047780A JP 4778084 A JP4778084 A JP 4778084A JP S60191065 A JPS60191065 A JP S60191065A
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- sintering
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)技術分野
この発明は窒化けい素(Si2H4)を主成分とするセ
ラミックス焼結体の製造方法に関するものである。
ラミックス焼結体の製造方法に関するものである。
(ロ)技術背景
Si aN 4の焼結はホットプレス焼結が一般的であ
ったが、焼結助剤の開発に伴い、常圧焼結が実現可能と
なっている。
ったが、焼結助剤の開発に伴い、常圧焼結が実現可能と
なっている。
しかしながら、SL iN 4が焼結に必要な温度域で
は分解昇華するために、緻密化が不十分であるとされて
いた。
は分解昇華するために、緻密化が不十分であるとされて
いた。
そこで上記の欠点を解消するために、加圧窒素ガス焼結
あるいはSL 3N 4粉末中に成形体を埋込み焼結す
る方法(特開昭55−90474号、55−10927
7号)バ憚安−!rηTいス しかしながら、いずれの方法によっても、焼結体密度ど
しては、98%以上を達成できるものの、焼結体表面に
はSL J 4の分解を原因とする変質層が残存して甚
だしい場合、1 mm以上の厚みにわたって分解変質層
が存在する。これは、一般に研削除去されて焼結体とし
て実用に供されているが、研削コストは非常に大きく、
Si3N4焼結体のより広範囲な応用を阻害してきたの
である。
あるいはSL 3N 4粉末中に成形体を埋込み焼結す
る方法(特開昭55−90474号、55−10927
7号)バ憚安−!rηTいス しかしながら、いずれの方法によっても、焼結体密度ど
しては、98%以上を達成できるものの、焼結体表面に
はSL J 4の分解を原因とする変質層が残存して甚
だしい場合、1 mm以上の厚みにわたって分解変質層
が存在する。これは、一般に研削除去されて焼結体とし
て実用に供されているが、研削コストは非常に大きく、
Si3N4焼結体のより広範囲な応用を阻害してきたの
である。
特に、切削工具としての用途においては、コスト面のみ
ならず、チッププレーカニの形成の問題もあり、焼結肌
での実用が望まれているのである。
ならず、チッププレーカニの形成の問題もあり、焼結肌
での実用が望まれているのである。
(ハ)発明の開示
本発明者らは、上記の従来法の欠点に鑑みて焼結肌と焼
結体内部が均一な組成と構造をもつ5LsNや焼結体を
得るために種々の検討を行なつ1=結果、焼結時の窒素
ガス圧を最適化すれば可能なことを見出したものであり
、後述するこの発明の方法によって、従来回避すること
が困難とされていた焼結体表面の変質層のない内外均一
な組成と構造を持つ焼結体が得られることを可能にし、
焼結肌のまま使用可能な窒化けい素糸の切削工具、耐摩
耗工具、耐蝕工具、構造部品などを得ることに成功した
ものである。
結体内部が均一な組成と構造をもつ5LsNや焼結体を
得るために種々の検討を行なつ1=結果、焼結時の窒素
ガス圧を最適化すれば可能なことを見出したものであり
、後述するこの発明の方法によって、従来回避すること
が困難とされていた焼結体表面の変質層のない内外均一
な組成と構造を持つ焼結体が得られることを可能にし、
焼結肌のまま使用可能な窒化けい素糸の切削工具、耐摩
耗工具、耐蝕工具、構造部品などを得ることに成功した
ものである。
即ち、この発明のセラミックス焼結体の製造方法は、焼
結温度を1700〜1900℃とし、この温度内に十分
な緻密化が達成される時間保持するが、昇温途中および
降温途中の1600℃以上から焼結温度までを窒素ガス
圧で10気圧以上の雰囲気下に保持するのである。
結温度を1700〜1900℃とし、この温度内に十分
な緻密化が達成される時間保持するが、昇温途中および
降温途中の1600℃以上から焼結温度までを窒素ガス
圧で10気圧以上の雰囲気下に保持するのである。
なお1600℃以下は10気圧以下の窒素ガス雰囲気、
望ましくは、真空雰囲気中で加熱を行なう。
望ましくは、真空雰囲気中で加熱を行なう。
また1600℃以上で10気圧以下の窒素ガス雰囲気で
は表面変質層が生成するし、1600℃以下で10気圧
以上では、焼結体の焼結が十分に進行しないためである
。
は表面変質層が生成するし、1600℃以下で10気圧
以上では、焼結体の焼結が十分に進行しないためである
。
この発明における原料粉末の配合は、公知の組成で第1
成分として窒化けい素粉末を99〜60重f%、第2成
分としで一1Nまたは/および周期律表ma族元素の酸
化物、窒化物の1種またはそれ以上を40〜1重量%よ
りなるものであり、この第2成分は焼結中に液相を生成
し、焼結助剤として作用する。そしてこれを上記の量と
するのは40重苗%以上では焼結体の強度が低くなり、
また1重量%以下では緻密化が不十分となるためである
。
成分として窒化けい素粉末を99〜60重f%、第2成
分としで一1Nまたは/および周期律表ma族元素の酸
化物、窒化物の1種またはそれ以上を40〜1重量%よ
りなるものであり、この第2成分は焼結中に液相を生成
し、焼結助剤として作用する。そしてこれを上記の量と
するのは40重苗%以上では焼結体の強度が低くなり、
また1重量%以下では緻密化が不十分となるためである
。
なおこの第2成分どしては、上記のばか加熱により容易
に酸化物に転換可能な化合物(例えば炭酸化物)を用い
ても同じ効果が得られる。
に酸化物に転換可能な化合物(例えば炭酸化物)を用い
ても同じ効果が得られる。
かくして第1成分と第2成分よりなる混合粉末は通常の
機械プレスあるいは静水圧プレス等を用いで、500r
lj以上の加圧力で型押成形される。
機械プレスあるいは静水圧プレス等を用いで、500r
lj以上の加圧力で型押成形される。
その後、さぎにのべlc条件(即ち、■空温から160
0℃までは10気圧以下の窒素ガス雰囲気または真空雰
囲気で加熱、■引続いて10気圧以上の窒素ガス雰囲気
で1700〜1900℃まで昇温、保持後冷却)にて焼
結が行なわれるのである。
0℃までは10気圧以下の窒素ガス雰囲気または真空雰
囲気で加熱、■引続いて10気圧以上の窒素ガス雰囲気
で1700〜1900℃まで昇温、保持後冷却)にて焼
結が行なわれるのである。
上記のようなこの発明によれば、成形体表面からのSi
IN4の分解昇華に伴う変質層が存在せず、焼結体内
部と表面が均一な組織、構造を得るのである。ざらにこ
の発明によって、焼結肌のまま、ul 右11 T m
iiJ lli M T M−耐蝕Tfi−m浩Ft
1M品、L−して使用しても、研削加工した物と同等の
性能をもつ5L3N 4焼結体を得ることができるので
ある。
IN4の分解昇華に伴う変質層が存在せず、焼結体内
部と表面が均一な組織、構造を得るのである。ざらにこ
の発明によって、焼結肌のまま、ul 右11 T m
iiJ lli M T M−耐蝕Tfi−m浩Ft
1M品、L−して使用しても、研削加工した物と同等の
性能をもつ5L3N 4焼結体を得ることができるので
ある。
以下、実施例によりこの発明の詳細な説明する。
実施例1
95%以上がα−SL 3N 4からなるSL 3N
4原料粉末に5型組%のMgOを添加し、ボールミルに
て24時間混合したのち、カンツアーを成形助剤どして
添加し、1 tJの圧力で焼結体がCIS規格SNMN
432となるように型押した。
4原料粉末に5型組%のMgOを添加し、ボールミルに
て24時間混合したのち、カンツアーを成形助剤どして
添加し、1 tJの圧力で焼結体がCIS規格SNMN
432となるように型押した。
得られた型押体を第1表に示す焼結雰囲気にて1700
℃×1時間の焼結後 ワーク F’C:25 φ200X 500 Lマシン
池貝鉄工所製 NC旋盤 20kwホルダー FNl
lR−44A にて切削条件 切削速度 500m /分 切込み 2 mm 送り 0.36 mm / reV で切削テストを行なった。
℃×1時間の焼結後 ワーク F’C:25 φ200X 500 Lマシン
池貝鉄工所製 NC旋盤 20kwホルダー FNl
lR−44A にて切削条件 切削速度 500m /分 切込み 2 mm 送り 0.36 mm / reV で切削テストを行なった。
また焼結体断面の組織を観察し、表面変質層の厚みを測
定した。
定した。
第 1 表
実施例2
95%以上がα −5LaN 4からなるSi J 4
原料粉末に第2表に示す種類と量の焼結助剤を添加し、
実施例1ど同様にスローアウェイチップを作成した。
原料粉末に第2表に示す種類と量の焼結助剤を添加し、
実施例1ど同様にスローアウェイチップを作成した。
さらに実施例1と同様の摩耗テストや表面変質層厚の測
定を行なうとともに密度の測定も行なった。その結果は
第2表に示した。
定を行なうとともに密度の測定も行なった。その結果は
第2表に示した。
なお、この実施例2における焼結条件は全て室温〜10
00℃を1気圧のN2中、1000℃以上を50気圧の
N2中とし、焼結温度1800℃で2時間保持し、冷却
は炉冷で行なったものである。
00℃を1気圧のN2中、1000℃以上を50気圧の
N2中とし、焼結温度1800℃で2時間保持し、冷却
は炉冷で行なったものである。
第 2 表
なお比較例は焼結の全工程についてP NP−1気圧で
焼結したものである。
焼結したものである。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代 理 人 弁理士 和 1) 昭
Claims (1)
- (1) (+) 第1成分として窒化けい素粉末99〜
60重世%、第2成分として1、Nまたは/および周期
律表mavA元素の酸化物、窒化物または加熱により容
易に酸化物に転換可能な化合物の1種または2種以上を
合計で酸化物換算で40〜1重隋%混合する工程、 (n) 11られた混合粉を通常の方法で型押しし、所
望の形状を得る工程、 (至) 室温から1600℃まで10気圧以下の窒素ガ
ス雰囲気または真空雰囲気で加熱し、引続いて10気圧
以上の窒素ガス雰囲気で1700〜1900℃まで昇温
し、保持復冷却する工程、 からなり、気孔率が5%以下で、かつ焼結体表面と内部
で組成および構造が均一な焼結体を得ることを特徴とす
るセラミックス焼結体の製造(2)焼結体表面と該焼結
体内部とが組成および特性が均一で焼結肌のまま切削工
具などとして使用できることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のセラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047780A JPS60191065A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047780A JPS60191065A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60191065A true JPS60191065A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12784882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047780A Pending JPS60191065A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | セラミツクス焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60191065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113769A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59047780A patent/JPS60191065A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113769A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
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