JPS60193392A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPS60193392A
JPS60193392A JP59048161A JP4816184A JPS60193392A JP S60193392 A JPS60193392 A JP S60193392A JP 59048161 A JP59048161 A JP 59048161A JP 4816184 A JP4816184 A JP 4816184A JP S60193392 A JPS60193392 A JP S60193392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
cylindrical lens
laser device
laser equipment
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59048161A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumiko Tajiri
田尻 文子
Takeshi Hamada
健 浜田
Masahiro Kume
雅博 粂
Kunio Ito
国雄 伊藤
Masaru Wada
優 和田
Yuichi Shimizu
裕一 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59048161A priority Critical patent/JPS60193392A/ja
Publication of JPS60193392A publication Critical patent/JPS60193392A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体レーザ装置に関するものである。
(従来例の構成とその問題点) 近年、ビデオディスクやコンパクトディスクのピックア
ップに半導体レーザ装置が用いられている。しかし、半
導体レーザ装置から出るレーザ光のパターンは活性層に
水平な方向に短く垂直な方向には細長い楕円形である。
このため半導体レーザ装置の使用に際しては、従来では
半導体レーザ装置の前面にシリンドリカルレンズを配置
して楕円率を1に近づけていた。
第1図は、従来の半導体レーザ装置の一例を示したもの
であり、ヒートシンクを兼ねるベース板l上に半導体レ
ーザ素子2が設けられており、さらに半導体レーザ素子
2を保護するために、吸収率の小さい平板ガラス3を備
えたキャップ4が半導体レーザ素子2を覆っている。こ
の構成では、半導体レーザ装置から発振した光は、外部
に設置したシリンドリカルレンズで楕円率を1に近づけ
なければならなかった。
(発明の目的) 本発明は、上記欠点に鑑み、出射するレーザ光の楕円率
を1に近づけるようにした半導体レーザ装置を提供する
ものである。
(発明の構成) この目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、シリンドリカルレンズを、キャップのビーム出射面
に設ける。この構成によって、発振した光は、一体化さ
れたシリンドリカルレンズを通過して垂直方向に収束さ
れ、楕円率が1に近づくこととなる。
(実施例の説明) 第2図は、本発明の一実施例の半導体レーザ装置を示し
たものであり、ヒートシンクを兼ねるベース板lに半導
体レーザ素子2を設け、その上から、シリンドリカルレ
ンズ5を備えたキャップ6を被せている。キャップ6の
形は直方体でもよいし円柱にしてシリンドリカルレンズ
をつけてもよい。半導体レーザ素子2から発振した光は
シリンドリカルレンズ5によって楕円率1に近づけるこ
とができる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザ素
子とシリンドリカルレンズを一体的に組み合わせること
により、外部にシリンドリカルレンズを備える必要がな
くなり、光の損失を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来例の構成図、第2図は、本発明の一実施
例の構成図である。 1 ・・・ベース板、 2 ・・・半導体レーザ素子、
5 ・・・シリンドリカルレンズ、 6 ・・・シリン
ドリカルレンズを設けたキャッス 特許出願人 松下電器産業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザ素子が封入された容器のレーザ光出射面に
    シリンドリカルレンズを備えていることを特徴とする半
    導体レーザ装置。
JP59048161A 1984-03-15 1984-03-15 半導体レ−ザ装置 Pending JPS60193392A (ja)

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JP59048161A JPS60193392A (ja) 1984-03-15 1984-03-15 半導体レ−ザ装置

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JPS60193392A true JPS60193392A (ja) 1985-10-01

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JP (1) JPS60193392A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02125687A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
US8910807B2 (en) 2009-05-20 2014-12-16 Manitowoc Crane Companies, Llc Compressible stop member for use on a crane

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02125687A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
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