JPH0510373Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0510373Y2 JPH0510373Y2 JP1985069468U JP6946885U JPH0510373Y2 JP H0510373 Y2 JPH0510373 Y2 JP H0510373Y2 JP 1985069468 U JP1985069468 U JP 1985069468U JP 6946885 U JP6946885 U JP 6946885U JP H0510373 Y2 JPH0510373 Y2 JP H0510373Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- electrode
- disk
- laser
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、レーザ光軸方向を極めて薄くした
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
第２図は、半導体レーザ装置の従来例を示す図
である。図において、２０は導電性の円盤、２
１，２２はそれぞれ一端が前記円盤の表面から突
出するように絶縁体２３，２４を介して貫通固定
した導電性のリード棒、２５は前記円盤２０と一
体形成された導電性のリード棒、２６は前記円盤
２０の表面に固着された六面体の銀ブロツクで、
この側面に半導体レーザ２７がSiサブマウント２
８を介して固着されている。２９はこの半導体レ
ーザ２７と前記リード棒２１の端部とを接続する
ための電極ワイヤー、３０はフオトダイオード
で、前記半導体レーザ２７から前記円盤２０の軸
線と平行に放射されるレーザ光３１，３２のうち
レーザ光３２を検出する。３３はこのフオトダイ
オード３０とリード棒２２の端部とを接続するた
めの電極ワイヤーである。
である。図において、２０は導電性の円盤、２
１，２２はそれぞれ一端が前記円盤の表面から突
出するように絶縁体２３，２４を介して貫通固定
した導電性のリード棒、２５は前記円盤２０と一
体形成された導電性のリード棒、２６は前記円盤
２０の表面に固着された六面体の銀ブロツクで、
この側面に半導体レーザ２７がSiサブマウント２
８を介して固着されている。２９はこの半導体レ
ーザ２７と前記リード棒２１の端部とを接続する
ための電極ワイヤー、３０はフオトダイオード
で、前記半導体レーザ２７から前記円盤２０の軸
線と平行に放射されるレーザ光３１，３２のうち
レーザ光３２を検出する。３３はこのフオトダイ
オード３０とリード棒２２の端部とを接続するた
めの電極ワイヤーである。
ところで、半導体レーザ２７に順方向バイアス
を印加すると、所定のしきい値レベルに達したと
ころで、前記半導体レーザ２７の活性領域におい
てレーザ発振が生じ、共振器面からレーザ光３
１，３２が第２図に示すように円盤２０の軸線と
平行に放射される。レーザ光３１の出力制御は、
フオトダイオード３０により、前記レーザ光３２
を検出して行なつている。
を印加すると、所定のしきい値レベルに達したと
ころで、前記半導体レーザ２７の活性領域におい
てレーザ発振が生じ、共振器面からレーザ光３
１，３２が第２図に示すように円盤２０の軸線と
平行に放射される。レーザ光３１の出力制御は、
フオトダイオード３０により、前記レーザ光３２
を検出して行なつている。
近年、このような半導体レーザの応用分野は、
高度情報処理機器に拡大されており、光デイスク
等のデイスク面にレーザ光を入射させ、このデイ
スク面からの反射光を情報として読み取とること
がおこなわれている。
高度情報処理機器に拡大されており、光デイスク
等のデイスク面にレーザ光を入射させ、このデイ
スク面からの反射光を情報として読み取とること
がおこなわれている。
このような情報の読み取りに用いる光学系は、
第３図に示すようなものが一般的である。これは
レーザ光軸がデイスクＤの中心線と直角をなす位
置に前記半導体レーザ装置２７を配設し、このレ
ーザ装置２７からのレーザ光３１をコリメートレ
ンズCLにより平行にし、ついで、ビームスプリ
ツタBSに導いて直角に曲げた後、レンズLEを介
してデイスクＤ面上に入射するように構成されて
いる。
第３図に示すようなものが一般的である。これは
レーザ光軸がデイスクＤの中心線と直角をなす位
置に前記半導体レーザ装置２７を配設し、このレ
ーザ装置２７からのレーザ光３１をコリメートレ
ンズCLにより平行にし、ついで、ビームスプリ
ツタBSに導いて直角に曲げた後、レンズLEを介
してデイスクＤ面上に入射するように構成されて
いる。
この光学系は、半導体レーザ２７からのレーザ
光３１をコリメートレンズCLで平行にした後、
ビームスプリツタBSにより、デイスクＤ面に曲
げているため、非常にコストが高くなり、また、
位置合せがむずかしいという問題がある。
光３１をコリメートレンズCLで平行にした後、
ビームスプリツタBSにより、デイスクＤ面に曲
げているため、非常にコストが高くなり、また、
位置合せがむずかしいという問題がある。
このため、第４図に示すように、半導体レーザ
２７からのレーザ光３１をコリメートレンズCL
およびレンズLEを通して直接デイスクＤ面に入
射させ、このデイスクＤからの反射光を情報とし
て読み取る方式が考えられている。
２７からのレーザ光３１をコリメートレンズCL
およびレンズLEを通して直接デイスクＤ面に入
射させ、このデイスクＤからの反射光を情報とし
て読み取る方式が考えられている。
しかし、第４図のように半導体レーザ装置（パ
ツケージを含む）を周辺回路に組み込んで、光ピ
ツクアツプとして用いると、前記半導体レーザ装
置の組み込みスペースが問題となる。例えば、半
導体レーザ装置を光ピツクアツプ用に用い、車に
搭載する場合、搭載容量に限度があるため、半導
体レーザ装置において最も突出しているリード棒
先端から発光位置までの距離Ｌが長いと、収納す
るのに困難という問題点がある。
ツケージを含む）を周辺回路に組み込んで、光ピ
ツクアツプとして用いると、前記半導体レーザ装
置の組み込みスペースが問題となる。例えば、半
導体レーザ装置を光ピツクアツプ用に用い、車に
搭載する場合、搭載容量に限度があるため、半導
体レーザ装置において最も突出しているリード棒
先端から発光位置までの距離Ｌが長いと、収納す
るのに困難という問題点がある。
この発明は、上記の問題点を解決するためにな
されたもので、半導体レーザ装置を光軸方向に極
めて薄くすることを目的としており、導電性の基
体に収納部を設け、この収納部に半導体レーザ本
体を取り付けるとともに絶縁体を介して電極を一
体形成するようにしている。
されたもので、半導体レーザ装置を光軸方向に極
めて薄くすることを目的としており、導電性の基
体に収納部を設け、この収納部に半導体レーザ本
体を取り付けるとともに絶縁体を介して電極を一
体形成するようにしている。
この考案の一実施例を第１図に基づいて説明す
る。図において、１は半導体レーザ本体で、半導
体レーザ１ａ、Siサブマウント１ｂに形成された
フオトダイオード１ｃ、銀ブロツク１ｄより構成
されている。前記フオトダイオード１ｃは半導体
レーザ１ａからのレーザ光La，Lbのうちレーザ
光Laを受光するために前記半導体レーザ１ａに
可及的に接近させてある。２は円盤状をした導電
性の基体で、この外形線から前記半導体レーザ本
体１が突出しないように収納するため、この実施
例では、収納部として一部に切欠部２ａを設けて
いる。なお、前記半導体レーザ本体１ａを基体２
の外形線から突出しないように収納すればよいか
ら、基体２内に孔を設け、収納部としてもよい。
３ａ，３ｂは電極で、前記基体２の外形線から突
出しないように、それぞれ絶縁体４を介して前記
収納部２ａに一体形成されている。この絶縁体４
も前記基体２の外形線から突出しないように設け
られていることは勿論である。この一方の電極３
ａは電極ワイヤーWaを介して前記半導体レーザ
１ａに、他方の電極３ｂは電極ワイヤーWbを介
してフオトダイオード１ｃに接続されている。
る。図において、１は半導体レーザ本体で、半導
体レーザ１ａ、Siサブマウント１ｂに形成された
フオトダイオード１ｃ、銀ブロツク１ｄより構成
されている。前記フオトダイオード１ｃは半導体
レーザ１ａからのレーザ光La，Lbのうちレーザ
光Laを受光するために前記半導体レーザ１ａに
可及的に接近させてある。２は円盤状をした導電
性の基体で、この外形線から前記半導体レーザ本
体１が突出しないように収納するため、この実施
例では、収納部として一部に切欠部２ａを設けて
いる。なお、前記半導体レーザ本体１ａを基体２
の外形線から突出しないように収納すればよいか
ら、基体２内に孔を設け、収納部としてもよい。
３ａ，３ｂは電極で、前記基体２の外形線から突
出しないように、それぞれ絶縁体４を介して前記
収納部２ａに一体形成されている。この絶縁体４
も前記基体２の外形線から突出しないように設け
られていることは勿論である。この一方の電極３
ａは電極ワイヤーWaを介して前記半導体レーザ
１ａに、他方の電極３ｂは電極ワイヤーWbを介
してフオトダイオード１ｃに接続されている。
ところで、上記のように構成された半導体レー
ザ装置においては、半導体レーザ本体１、電極３
ａ，３ｂおよび絶縁体４がそれぞれ基体２の外形
線から突出しないことになる。従つて、前記半導
体装置の厚さは、３mm程度に薄くでき、しかも、
前記半導体レーザ１ａの発光位置から基体２の表
面２ｂまでの距離を約２mmと極めて短くすること
ができる。
ザ装置においては、半導体レーザ本体１、電極３
ａ，３ｂおよび絶縁体４がそれぞれ基体２の外形
線から突出しないことになる。従つて、前記半導
体装置の厚さは、３mm程度に薄くでき、しかも、
前記半導体レーザ１ａの発光位置から基体２の表
面２ｂまでの距離を約２mmと極めて短くすること
ができる。
この考案は、以上説明したように、この考案に
よれば、半導体レーザ本体を、板状の導電性基体
の切欠きまたは孔の内部の面に設けると共に、電
極を板状の基体に垂直でかつ一部露出した状態で
貫通させ、基体に絶縁体を介して一体に形成し、
かつ基体の板面と面一にし、この電極と半導体レ
ーザ本体を切欠きまたは孔の内部で電極ワイヤで
結線するように構成したため、半導体レーザ装置
を光軸方向に極めて薄くでき、組込みスペースが
小さくできる。
よれば、半導体レーザ本体を、板状の導電性基体
の切欠きまたは孔の内部の面に設けると共に、電
極を板状の基体に垂直でかつ一部露出した状態で
貫通させ、基体に絶縁体を介して一体に形成し、
かつ基体の板面と面一にし、この電極と半導体レ
ーザ本体を切欠きまたは孔の内部で電極ワイヤで
結線するように構成したため、半導体レーザ装置
を光軸方向に極めて薄くでき、組込みスペースが
小さくできる。
第１図はこの考案の一実施例を示す斜視図、第
２図は従来例を示す図、第３，４図はそれぞれ半
導体レーザ装置等から構成される光学系の一例を
示す図である。 図において、１は半導体レーザ本体、２は基
体、２ａは切欠部、３ａ，３ｂは電極、４は絶縁
体である。
２図は従来例を示す図、第３，４図はそれぞれ半
導体レーザ装置等から構成される光学系の一例を
示す図である。 図において、１は半導体レーザ本体、２は基
体、２ａは切欠部、３ａ，３ｂは電極、４は絶縁
体である。
Claims (1)
- 切欠きまたは孔を有する導電性基体と、前記切
欠きの内部の面または前記孔の内部の面に設けた
半導体レーザ本体と、前記板状の導電性基体を、
その板面に垂直でかつ前記内部の面に一部露出し
た状態で貫通し、この導電性基体と絶縁体を介し
て一体に形成されかつ導電性基体の板面と面一に
構成された電極と、この電極と前記半導体レーザ
本体とを前記切欠き内または前記孔内で結線する
電極ワイヤとを備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985069468U JPH0510373Y2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985069468U JPH0510373Y2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186263U JPS61186263U (ja) | 1986-11-20 |
| JPH0510373Y2 true JPH0510373Y2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=30605171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985069468U Expired - Lifetime JPH0510373Y2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510373Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134585A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-19 | Int Standard Electric Corp | Injection laser mount |
| JPS5532088A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photo mask forming method |
| JPS5922381A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-04 | Canon Inc | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-05-09 JP JP1985069468U patent/JPH0510373Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61186263U (ja) | 1986-11-20 |
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