JPS60194332U - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例による装置の概要断面図、第
２図はマスクとウェーハが密着している時の概要断面図
、第３図は装置及びその他が異常−なためマスクとウェ
ーハが中央から密着せず、外周から密着したため中央部
に空気がトラップされた状態を示す概要断面図、第４図
は真空度コント　　　　　。 ロールの別な方法による実施例の概要を示す断面図であ
る。 １・・・・・・感光性樹脂膜、２・・・・・・半導体基
板、３・・・・・・ウェーハ架台、４・・・・・・マス
ク、５・・・・・・マスク固定板、６・・・・・・真空
、７・・・・・・非接触型距離測定器、８・・・・・・
センサー、９．　９’・・・・・・マスク中央部とセン
サ一端部間の距離、１０・・・・・・ニードルバルブコ
ントローラー、１１・・・・・・ニードルバルブ、１２
・・・・・・トラップされた空気、１３・・・・・・不
活性ガス、１４・・・・・・ガス流量コントローラー。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 回路パターンを描画したマスクと感光性樹脂膜を被着し
   た半導体基板とを減圧することにより密着させ露光を行
   ない、マスクパターンを転写させる密着式露光装置にお
   いて、マスクの中央上部に非接触型の距離測定器を有し
   、露光する際に上記距離測定器によりマスクのたわみ量
   を検出し、さらにこのたわみ量をある一定値になるよう
   に減圧量を調節し、露光時のマスクのたわみ量を制御す
   ることを特徴とする半導体製造装置。