JPH06273921A - マスク保護用ペリクル - Google Patents
マスク保護用ペリクルInfo
- Publication number
- JPH06273921A JPH06273921A JP6194993A JP6194993A JPH06273921A JP H06273921 A JPH06273921 A JP H06273921A JP 6194993 A JP6194993 A JP 6194993A JP 6194993 A JP6194993 A JP 6194993A JP H06273921 A JPH06273921 A JP H06273921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- air
- permeable
- prevent
- dust
- Prior art date
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- Withdrawn
Links
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペリクル外部の気圧の変動によるペリクル膜
の形状変化を防止し、信頼性の高いマスク保護用ペリク
ルを提供することである。 【構成】 ペリクル膜12が、通気性を有する。
の形状変化を防止し、信頼性の高いマスク保護用ペリク
ルを提供することである。 【構成】 ペリクル膜12が、通気性を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
のうちのフォトリソグラフィー工程に用いられるマスク
保護用ペリクルに関するものである。
のうちのフォトリソグラフィー工程に用いられるマスク
保護用ペリクルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、フォトマス
クのパターンを半導体ウェーハに転写してパターンを形
成するフォトリソグラフィー工程が必要である。この工
程でフォトマスクのパターン面に塵埃等の異物が付着し
ていると、これがウェーハにも転写され、パターン欠陥
が生じ、結果的に半導体装置の製造歩留りが低下する。
このようなことを防ぐために、従来はマスク保護用ペリ
クルを用いていた。
クのパターンを半導体ウェーハに転写してパターンを形
成するフォトリソグラフィー工程が必要である。この工
程でフォトマスクのパターン面に塵埃等の異物が付着し
ていると、これがウェーハにも転写され、パターン欠陥
が生じ、結果的に半導体装置の製造歩留りが低下する。
このようなことを防ぐために、従来はマスク保護用ペリ
クルを用いていた。
【0003】図2は従来のマスク保護用ペリクルを模式
的に示した斜視図で、21はペリクルフレーム、22は
ペリクル膜、23はフォトマスクである。ペリクルフレ
ーム21の上面には、粘着剤を用いて透光性のペリクル
膜22を張設している。ペリクルフレームの下面にも粘
着剤を塗布し、フォトマスク上にペリクルフレームを装
着している。
的に示した斜視図で、21はペリクルフレーム、22は
ペリクル膜、23はフォトマスクである。ペリクルフレ
ーム21の上面には、粘着剤を用いて透光性のペリクル
膜22を張設している。ペリクルフレームの下面にも粘
着剤を塗布し、フォトマスク上にペリクルフレームを装
着している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図2に示すように従来
のマスク保護用ペリクルは、ペリクル外部の気圧の変動
に応じて、ペリクル膜22が凸状になったり、凹状にな
ったりするので、凸状のペリクル膜22がフォトマスク
のケースに触れて傷ついたり、破れることがあり、フォ
トマスクのパターン面への塵埃等の付着防止というペリ
クル本来の機能を果さなくなるという問題点があった。
のマスク保護用ペリクルは、ペリクル外部の気圧の変動
に応じて、ペリクル膜22が凸状になったり、凹状にな
ったりするので、凸状のペリクル膜22がフォトマスク
のケースに触れて傷ついたり、破れることがあり、フォ
トマスクのパターン面への塵埃等の付着防止というペリ
クル本来の機能を果さなくなるという問題点があった。
【0005】本発明の目的は、ペリクル外部の気圧の変
動によるペリクル膜の形状変化を防止し、信頼性の高い
マスク保護用ペリクルを提供することである。
動によるペリクル膜の形状変化を防止し、信頼性の高い
マスク保護用ペリクルを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明におけるマスク保
護用ペリクルは、ペリクル膜が通気性を有することを特
徴とするものである。
護用ペリクルは、ペリクル膜が通気性を有することを特
徴とするものである。
【0007】
【実施例】図1は、実施例のマスク保護用ペリクルを模
式的に示した斜視図である。
式的に示した斜視図である。
【0008】ペリクルフレーム11へのペリクル膜12
やフォトマスク13の設置方法は、従来例と同様であ
る。
やフォトマスク13の設置方法は、従来例と同様であ
る。
【0009】本実施例が図2の従来例と異なる点は、ペ
リクル膜12の一部に1個あるいは複数個の孔14を設
け、ペリクル膜12に通気性をもたせたことである。こ
こで、孔14の径は特に制限はないが、塵埃等の侵入を
防ぐ意味から1μm以下が望ましい。また、孔14を設
ける場所は、パターン転写に影響がない場所が望まし
い。
リクル膜12の一部に1個あるいは複数個の孔14を設
け、ペリクル膜12に通気性をもたせたことである。こ
こで、孔14の径は特に制限はないが、塵埃等の侵入を
防ぐ意味から1μm以下が望ましい。また、孔14を設
ける場所は、パターン転写に影響がない場所が望まし
い。
【0010】以上のように、ペリクル膜12が通気性を
有するので、ペリクル外部の気圧の変動によるペリクル
膜12の形状変化はない。
有するので、ペリクル外部の気圧の変動によるペリクル
膜12の形状変化はない。
【0011】尚、上記実施例において、ペリクル外部か
らの塵埃等の侵入を防ぐために、さらにフィルターをペ
リクル膜の下部に接するように設けてもよい。
らの塵埃等の侵入を防ぐために、さらにフィルターをペ
リクル膜の下部に接するように設けてもよい。
【0012】また、上記実施例では角形フレームを用い
たが、これに限るものではなく、円形等その他の形状で
もよい。
たが、これに限るものではなく、円形等その他の形状で
もよい。
【0013】さらに、上記実施例ではペリクル膜に孔を
設けたが、ペリクル膜自体を通気性の材料で作製しても
同様の効果が得られる。
設けたが、ペリクル膜自体を通気性の材料で作製しても
同様の効果が得られる。
【0014】
【発明の効果】本発明では、ペリクル膜が通気性を有す
るため、ペリクル外部の気圧の変動によるペリクル膜の
形状変化を防止し、信頼性の高いマスク保護用ペリクル
を提供することができる。
るため、ペリクル外部の気圧の変動によるペリクル膜の
形状変化を防止し、信頼性の高いマスク保護用ペリクル
を提供することができる。
【図1】本発明の実施例のマスク保護用ペリクルを模式
的に示した斜視図である。
的に示した斜視図である。
【図2】従来例を模式的に示した斜視図である。
12………ペリクル膜
Claims (1)
- 【請求項1】 ペリクル膜が通気性を有することを特徴
とするマスク保護用ペリクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194993A JPH06273921A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | マスク保護用ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194993A JPH06273921A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | マスク保護用ペリクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273921A true JPH06273921A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13185963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6194993A Withdrawn JPH06273921A (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | マスク保護用ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06273921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110097691A (ko) * | 2010-02-23 | 2011-08-31 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 및 펠리클막의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP6194993A patent/JPH06273921A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110097691A (ko) * | 2010-02-23 | 2011-08-31 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 펠리클 및 펠리클막의 제조 방법 |
| JP2011175001A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | リソグラフィ用ペリクルおよびペリクル膜の製造方法 |
| TWI470343B (zh) * | 2010-02-23 | 2015-01-21 | 信越化學工業股份有限公司 | Production method of photomask mask film and mask for dust film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |