JPS60194801A - 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ - Google Patents
集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タInfo
- Publication number
- JPS60194801A JPS60194801A JP5046184A JP5046184A JPS60194801A JP S60194801 A JPS60194801 A JP S60194801A JP 5046184 A JP5046184 A JP 5046184A JP 5046184 A JP5046184 A JP 5046184A JP S60194801 A JPS60194801 A JP S60194801A
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- Japan
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- electrodes
- capacitor
- isolator
- lumped constant
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集中定数型のサーキュレータおよびアイソレ
ータの改良に関するものである。
ータの改良に関するものである。
従来の集中定数型アイソレータの中心導体周辺の構造を
第１図に示す。フエライトコ１５及びシールド板６内に
、互いに電気的絶縁状態で中心導体４ａ、４ｂ、４ｃが
配列されている。この中心導体には、それぞれ、非可逆
性インダクタとの並列共振用コンデンサ５ａ、５ｂ、５
８及び直列共振用として誘導性リアクタンス素子１ａ、
１ｂ、１ｃとコンデンサ２ａ、２ｂ、２ｃさらには、ダ
ミー負荷抵抗７が半田付あるいは溶接により接続されて
いる。
第１図に示す。フエライトコ１５及びシールド板６内に
、互いに電気的絶縁状態で中心導体４ａ、４ｂ、４ｃが
配列されている。この中心導体には、それぞれ、非可逆
性インダクタとの並列共振用コンデンサ５ａ、５ｂ、５
８及び直列共振用として誘導性リアクタンス素子１ａ、
１ｂ、１ｃとコンデンサ２ａ、２ｂ、２ｃさらには、ダ
ミー負荷抵抗７が半田付あるいは溶接により接続されて
いる。
また、この従来例の等価回路を第２図に示す。
上記した様に・、従来の集中定数型アイソレータは、コ
ンデンサの点数が多く、組立製作時に、多大の工数を要
し、各コンデンサを高精度に取付けることが難しく、更
に、調整には、熟練及び工数が必要であった。この欠点
は、従来の集中定数型サーキュレータについても同様で
あった。
ンデンサの点数が多く、組立製作時に、多大の工数を要
し、各コンデンサを高精度に取付けることが難しく、更
に、調整には、熟練及び工数が必要であった。この欠点
は、従来の集中定数型サーキュレータについても同様で
あった。
本発明は、上記の欠点を解消し、組立製作及び調整を簡
素化したサーキュレータおよびアイソレータを得ること
を目的とするものである。
素化したサーキュレータおよびアイソレータを得ること
を目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成する為に、共振用コンデン
サを誘導体基板の両面に電極を形成することにより、構
成させるものである。例えば、Ｍを主成分としたセラミ
ック基板にＡｔあるいはＡＩ？−Ｐｄを電極として１０
０μｍの膜厚に印刷し、非可逆性インダクタとの並列共
振用のコンデンサを一つの基板で構成し、また、同様に
他の一つの基板に直列素子の誘導性リアクタンス素子と
の直列共振用のコンデンサを構成させるものである。
サを誘導体基板の両面に電極を形成することにより、構
成させるものである。例えば、Ｍを主成分としたセラミ
ック基板にＡｔあるいはＡＩ？−Ｐｄを電極として１０
０μｍの膜厚に印刷し、非可逆性インダクタとの並列共
振用のコンデンサを一つの基板で構成し、また、同様に
他の一つの基板に直列素子の誘導性リアクタンス素子と
の直列共振用のコンデンサを構成させるものである。
以下、実施例により詳細に説明する。
第５図は本発明に係る一実施例に関し、（イ）は、非可
逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを構成するセ
ラミック基板の平面図であり、（ロ）は、その下面図で
あり、（ハ）は、誘導性リアクタンス素子との直列共振
用コンデンサを構成するセラミック基板の平面図であり
、（ニ）は、その下面図である・。
逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを構成するセ
ラミック基板の平面図であり、（ロ）は、その下面図で
あり、（ハ）は、誘導性リアクタンス素子との直列共振
用コンデンサを構成するセラミック基板の平面図であり
、（ニ）は、その下面図である・。
図に示す様に、並列共振用セラミック基板９０両面には
、Ａｔ又はＡＰ −Ｐｄを電極として印刷しである。そ
して、電極１０ａと１ｏｄとの間で第１図に示したコン
デンサ５ａを構成し、同様に電極１０ｂと１０ｄとの間
で第１図に示したコンデンサ５ｂ、及び電極１ｏｃと１
０ｄとの間で第１図に示したコンデンサ６Ｃを構成する
ものである。また、酸化ルテニウムによりダミー負荷、
抵抗７を構成し、このダミー負荷抵抗７は、スルーホー
ル１４により電極１０ｄに接続されている。また、電極
１５ａ、 １ ｓｂ、 １５ｃ、 １ ｓａは端子固定
用である。また、この並列共振用セラミック基板９の中
央には、配列された中心導体を保持するフェライトコア
な覆うシールド板が挿入可能な孔１１ａが設けである。
、Ａｔ又はＡＰ −Ｐｄを電極として印刷しである。そ
して、電極１０ａと１ｏｄとの間で第１図に示したコン
デンサ５ａを構成し、同様に電極１０ｂと１０ｄとの間
で第１図に示したコンデンサ５ｂ、及び電極１ｏｃと１
０ｄとの間で第１図に示したコンデンサ６Ｃを構成する
ものである。また、酸化ルテニウムによりダミー負荷、
抵抗７を構成し、このダミー負荷抵抗７は、スルーホー
ル１４により電極１０ｄに接続されている。また、電極
１５ａ、 １ ｓｂ、 １５ｃ、 １ ｓａは端子固定
用である。また、この並列共振用セラミック基板９の中
央には、配列された中心導体を保持するフェライトコア
な覆うシールド板が挿入可能な孔１１ａが設けである。
また、直列共振用セラミック基板１５も同様に、両面に
電極が印刷されている。そして、電極１０ｅと１ｏｈと
の間で第１図に示したコンデンサ２ａ、電極１０ｆと１
０ｊとの間でコンデンサ２ｂ、電極１０ｇと１０ｉとの
間でコンデンサ２Ｃを構成するものである。
電極が印刷されている。そして、電極１０ｅと１ｏｈと
の間で第１図に示したコンデンサ２ａ、電極１０ｆと１
０ｊとの間でコンデンサ２ｂ、電極１０ｇと１０ｉとの
間でコンデンサ２Ｃを構成するものである。
そして、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄ ＆’！、端
子取付用の孔であり、中央には、配列された中心導体を
保持するフェライトコアを覆５“シールド板が挿入可能
な孔１１ｂが設けである。
子取付用の孔であり、中央には、配列された中心導体を
保持するフェライトコアを覆５“シールド板が挿入可能
な孔１１ｂが設けである。
この第３図で示した並列共振用セラミック基板９及び直
列共振用セラミック基板１５を使用した本発明に係る一
実施例の集中定数型広帯域アイソレータのケース内の分
解斜視図を第４図に示す。また、第４図に示した本発明
に係る一実施例のＡ−Ａ断面図を第５図に示す。
列共振用セラミック基板１５を使用した本発明に係る一
実施例の集中定数型広帯域アイソレータのケース内の分
解斜視図を第４図に示す。また、第４図に示した本発明
に係る一実施例のＡ−Ａ断面図を第５図に示す。
この実施例は、電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列
された中心導体４ａ、４ｂ、４ｃの上下にフェライトコ
ア５を装荷し、更にその周囲をシールド板６で覆い、こ
れが並列共振用セラミック基板の孔１１ａに挿入されて
いる。この際、中心導体の非接地側片を電極１０ａ、１
０ｂ、１０ｃ面上に位置させである。また、直列共振用
セラミック基板１５は、端子取付用の孔’＋２ａ、１２
ｂ、１２Ｃ，１２ｄ Ｉｃ端子８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
を取り付け、更に電極１０ｅ、１０ｆ、１０７と端子８
ａ、８ｂ、８ｃトノ間ニ銹導性リアクタンス１８ａ、１
８ｂ、１８ｃを接続する。そして、この両セラミック基
板９，１５を重ね、各部の接続には、クリーム状あるい
はペースト状半田（融点１００〜２００℃）を用い、加
熱処理を施す。まＬケース１７と電極１０ｄとの接続、
及びケース１７とシールド板６との接続も同様に行う。
された中心導体４ａ、４ｂ、４ｃの上下にフェライトコ
ア５を装荷し、更にその周囲をシールド板６で覆い、こ
れが並列共振用セラミック基板の孔１１ａに挿入されて
いる。この際、中心導体の非接地側片を電極１０ａ、１
０ｂ、１０ｃ面上に位置させである。また、直列共振用
セラミック基板１５は、端子取付用の孔’＋２ａ、１２
ｂ、１２Ｃ，１２ｄ Ｉｃ端子８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
を取り付け、更に電極１０ｅ、１０ｆ、１０７と端子８
ａ、８ｂ、８ｃトノ間ニ銹導性リアクタンス１８ａ、１
８ｂ、１８ｃを接続する。そして、この両セラミック基
板９，１５を重ね、各部の接続には、クリーム状あるい
はペースト状半田（融点１００〜２００℃）を用い、加
熱処理を施す。まＬケース１７と電極１０ｄとの接続、
及びケース１７とシールド板６との接続も同様に行う。
また、シールド板６の上部には、永久磁石１６を配置さ
れている。
れている。
上記の様な構造のアイソレータ又は、サーキユレータに
おいて、中心周波数、帯域幅は、各セラミク基板に印刷
する電極の形、面積の設定の仕方により調整することが
できる。また、各方向の必要減衰量は、広帯域化の効果
と合せ、一定の直流磁界のもとで、誘導性リアクタンス
のインピーダンスを加減し、容易に満足できる。
おいて、中心周波数、帯域幅は、各セラミク基板に印刷
する電極の形、面積の設定の仕方により調整することが
できる。また、各方向の必要減衰量は、広帯域化の効果
と合せ、一定の直流磁界のもとで、誘導性リアクタンス
のインピーダンスを加減し、容易に満足できる。
なお、本発明は、集中定数型広帯域アイソレータを例に
説明したが、集中定数型広帯域サーキユレータについて
も同様の効果を得るものであり、また集中定数型狭帯域
アイソレータ及びサーキユレータにおいても同様の効果
を得ることができる。
説明したが、集中定数型広帯域サーキユレータについて
も同様の効果を得るものであり、また集中定数型狭帯域
アイソレータ及びサーキユレータにおいても同様の効果
を得ることができる。
また、電極を形成させるには、印刷以外でも、塗布また
はその他の方法を用いてもよい。
はその他の方法を用いてもよい。
また、誘電体基板についても、セラミック基板以外の誘
電体基板を用いても良い。
電体基板を用いても良い。
以上詳記した如く、本発明によるアイソレータ及びサー
キユレータは従来中心導体に数多く接続されていたコン
デンサな→すべでセラミック基板で構成することにより
、組立製作の工数及び組立精度の大幅な改善を得ること
ができ、またこのことにより、調整も一定の直流磁界の
もとで誘導性リアクタンス素子のインピーダンスのみを
加減することによって満足でき、コスト低減、生産性の
向上に極めて有効なものである。
キユレータは従来中心導体に数多く接続されていたコン
デンサな→すべでセラミック基板で構成することにより
、組立製作の工数及び組立精度の大幅な改善を得ること
ができ、またこのことにより、調整も一定の直流磁界の
もとで誘導性リアクタンス素子のインピーダンスのみを
加減することによって満足でき、コスト低減、生産性の
向上に極めて有効なものである。
第１図は、従来の集中定数型アイソレータの構造図であ
り、第２図は、第１図の等価回路であり、第５図は、本
発明に係る一実施例の並列共振用セラミック基板の平面
図（イ）及び下面図（ロ）と、直列共振用セラミック基
板の平面図（ハ）及び下面図（ニ）であり、第４図は、
本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域Ｌイソレータ
のケース内の分解斜視図であり、舘５図は、第４図のア
イソレータ組立製作後のＡ−Ａ断面図である。 １ａ、１ｂ、１ｃ、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ・・・誘導
性リアクタンス、２ａ、２ｂ、２ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃ
ｍ：１７ ｙデンサ、４ａ、４ｂ、４ｃｍ・・中心導体
、５・・・フェライトコア、６・・・シールド板、７・
・・ダミー負荷抵抗、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ・・・端
子、９・・・並列共振用セラミック基板、１０ａ、１０
ｂ、１０Ｃ，１０ｄ。 １ｏｅ、１０ｆ、１０ｙ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１
５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ −・・電極、１１ａ、
１１ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄ ・＝孔、１
５ ・・・直列共振用セラミック蕎板、１４・・・スル
ーホール、１６・・・永代理人梶原弘二◎ 第４肥 第５Ｚ 手続補正書輸発〕 特許庁長官殿 昭和５９年 特許願第 ５０４６１、 発明の名称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都ＭＩｎ×１ｒｆＹ−２５−ｘ名 称 ｉ
ｌｒｇフェライト株式会社 管財人 値勤 姑１ 管財人 父ＩＮ勿 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」と「発明の詳細な説明」の
欄補正の内容 別紙のとおり 補正の内容 １、明細書の特許請求の範囲を次の通り補正する。 ［中央部に電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列され
た中心導体を有し、該中心導体の上下にはフェライトコ
ア及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコ
ア及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極
を形成しコンデンサを構成すＪ電体基板を複数具備する
ことを特徴とする集中定数型サーキュレータおよびアイ
ソレータ。」 ２、明細書第６頁第１６行目の１コンデンサを→すべで
」を［コンデンサをすべて」に訂正する。 以上
り、第２図は、第１図の等価回路であり、第５図は、本
発明に係る一実施例の並列共振用セラミック基板の平面
図（イ）及び下面図（ロ）と、直列共振用セラミック基
板の平面図（ハ）及び下面図（ニ）であり、第４図は、
本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域Ｌイソレータ
のケース内の分解斜視図であり、舘５図は、第４図のア
イソレータ組立製作後のＡ−Ａ断面図である。 １ａ、１ｂ、１ｃ、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ・・・誘導
性リアクタンス、２ａ、２ｂ、２ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃ
ｍ：１７ ｙデンサ、４ａ、４ｂ、４ｃｍ・・中心導体
、５・・・フェライトコア、６・・・シールド板、７・
・・ダミー負荷抵抗、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ・・・端
子、９・・・並列共振用セラミック基板、１０ａ、１０
ｂ、１０Ｃ，１０ｄ。 １ｏｅ、１０ｆ、１０ｙ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１
５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ −・・電極、１１ａ、
１１ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄ ・＝孔、１
５ ・・・直列共振用セラミック蕎板、１４・・・スル
ーホール、１６・・・永代理人梶原弘二◎ 第４肥 第５Ｚ 手続補正書輸発〕 特許庁長官殿 昭和５９年 特許願第 ５０４６１、 発明の名称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都ＭＩｎ×１ｒｆＹ−２５−ｘ名 称 ｉ
ｌｒｇフェライト株式会社 管財人 値勤 姑１ 管財人 父ＩＮ勿 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」と「発明の詳細な説明」の
欄補正の内容 別紙のとおり 補正の内容 １、明細書の特許請求の範囲を次の通り補正する。 ［中央部に電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列され
た中心導体を有し、該中心導体の上下にはフェライトコ
ア及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコ
ア及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極
を形成しコンデンサを構成すＪ電体基板を複数具備する
ことを特徴とする集中定数型サーキュレータおよびアイ
ソレータ。」 ２、明細書第６頁第１６行目の１コンデンサを→すべで
」を［コンデンサをすべて」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 中央部に電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列された
中心導体を有し、該中心導体の上下にはフェライトコア
及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキユレ
ータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコア
及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極を
形成しコンデンサを構成する→誘導体基板を複数具備す
ることを特徴とする集中定数型サーキュレータおよびア
イソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046184A JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046184A JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194801A true JPS60194801A (ja) | 1985-10-03 |
| JPH0223081B2 JPH0223081B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=12859508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046184A Granted JPS60194801A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194801A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195601U (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-05 | ||
| JPS6286706U (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | ||
| CN107623160A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 上海馥莱电子有限公司 | 一种宽带隔离器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950462A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
| JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5046184A patent/JPS60194801A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950462A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
| JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195601U (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-05 | ||
| JPS6286706U (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | ||
| CN107623160A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 上海馥莱电子有限公司 | 一种宽带隔离器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223081B2 (ja) | 1990-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |