JPH0715214A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JPH0715214A JPH0715214A JP15720293A JP15720293A JPH0715214A JP H0715214 A JPH0715214 A JP H0715214A JP 15720293 A JP15720293 A JP 15720293A JP 15720293 A JP15720293 A JP 15720293A JP H0715214 A JPH0715214 A JP H0715214A
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Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 部品点数を低減すると共に中心導体の正確な
交差角度を得られる非可逆回路素子を提供すること。 【構成】 両面の誘電体基板110 に中心導体の一部を構
成する平行導体パターンとコンデンサの電極を構成する
導体パターン111a,111b,111c並びに抵抗体113 を印刷形
成し、その上下にマイクロ波フェライト120 、永久磁石
140 及び導体板130 を配置してシールドケース151,152
に収納してアイソレータ素子を構成する。 【効果】 素子毎の特性のばらつきを少なくすることが
でき、さらに、部品コスト及び製造コストを低減するこ
とができる。
交差角度を得られる非可逆回路素子を提供すること。 【構成】 両面の誘電体基板110 に中心導体の一部を構
成する平行導体パターンとコンデンサの電極を構成する
導体パターン111a,111b,111c並びに抵抗体113 を印刷形
成し、その上下にマイクロ波フェライト120 、永久磁石
140 及び導体板130 を配置してシールドケース151,152
に収納してアイソレータ素子を構成する。 【効果】 素子毎の特性のばらつきを少なくすることが
でき、さらに、部品コスト及び製造コストを低減するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波やミリ波等
の高周波回路において使用されるアイソレータ或いはサ
ーキュレータ等の非可逆回路素子に関するものである。
の高周波回路において使用されるアイソレータ或いはサ
ーキュレータ等の非可逆回路素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーキュレータやアイソレータ等
の非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電
力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。
この特性を利用して、例えば、サーキュレータは送受信
分波器やフィルタ回路と組み合わせた多周波分波器とし
て用いられ、またアイソレータは高周波回路内のインピ
ーダンス整合、増幅器のトランジスタ保護等に使用され
ている。
の非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ電
力を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。
この特性を利用して、例えば、サーキュレータは送受信
分波器やフィルタ回路と組み合わせた多周波分波器とし
て用いられ、またアイソレータは高周波回路内のインピ
ーダンス整合、増幅器のトランジスタ保護等に使用され
ている。
【０００３】集中定数型の非可逆回路素子は、その集中
定数であるインダクタンス及びキャパシタンスを個別に
形成して組み立てられていた。この代表的な構成例とし
ては次の３つが上げられる。
定数であるインダクタンス及びキャパシタンスを個別に
形成して組み立てられていた。この代表的な構成例とし
ては次の３つが上げられる。
【０００４】即ち、第１の構成例としては、図２及び図
３に示すように、フェライト１及び網状の中心導体２を
挿入するための穴３ａのあいた樹脂又はセラミックから
なる基板３を備え、この基板３上に形成された導体パタ
ーン３ｂ，３ｃ，３ｄからなるキャパシタンスと中心導
体２からなるインダクタンスを組み合わせて構成したも
のである。
３に示すように、フェライト１及び網状の中心導体２を
挿入するための穴３ａのあいた樹脂又はセラミックから
なる基板３を備え、この基板３上に形成された導体パタ
ーン３ｂ，３ｃ，３ｄからなるキャパシタンスと中心導
体２からなるインダクタンスを組み合わせて構成したも
のである。
【０００５】この組立において、フェライト１は図３に
示すように中心導体２によって包まれ、この際、１２０
度の角度で交差した中心導体が互いに導通接触しないよ
うに絶縁フィルム４ａ，４ｂが介在される。中心導体２
に包まれたフェライト１は基板３の穴３ａに挿入され、
中心導体２の３つの入出力用電極２ａ〜２ｃは基板３上
のコンデンサ電極となる導体パターン３ｂ〜３ｄに接続
される。さらに、中心導体２の上部に永久磁石５が載置
された状態で、シールドケース６ａ，６ｂに収納され
る。ここで、基板３の裏面には一面に接地用の導体パタ
ーン（図示せず）が形成され、この導体パターンはシー
ルドケース６ｂに接触されている。
示すように中心導体２によって包まれ、この際、１２０
度の角度で交差した中心導体が互いに導通接触しないよ
うに絶縁フィルム４ａ，４ｂが介在される。中心導体２
に包まれたフェライト１は基板３の穴３ａに挿入され、
中心導体２の３つの入出力用電極２ａ〜２ｃは基板３上
のコンデンサ電極となる導体パターン３ｂ〜３ｄに接続
される。さらに、中心導体２の上部に永久磁石５が載置
された状態で、シールドケース６ａ，６ｂに収納され
る。ここで、基板３の裏面には一面に接地用の導体パタ
ーン（図示せず）が形成され、この導体パターンはシー
ルドケース６ｂに接触されている。
【０００６】第２の構成例としては、図４及び図５に示
すように、第１の構成例におけるインダクタンスを構成
する中心導体を、図５の(a)(b)に示すように両面プリン
ト基板７の表面７１及び裏面７２上に導体パターン７ａ
〜７ｊで形成し、キャパシタンスを形成する電極８ｂ〜
８ｄが設けられた穴開き基板８上に組み合わせて構成し
たものである。
すように、第１の構成例におけるインダクタンスを構成
する中心導体を、図５の(a)(b)に示すように両面プリン
ト基板７の表面７１及び裏面７２上に導体パターン７ａ
〜７ｊで形成し、キャパシタンスを形成する電極８ｂ〜
８ｄが設けられた穴開き基板８上に組み合わせて構成し
たものである。
【０００７】この組立において、穴開き基板８はこれと
ほぼ同形状の銅板９上に重ねられ、、さらにこれらは３
つの切り起こし突片１０ａ〜１０ｃが形成された銅板１
０上に重ねられる。ここで、穴開き基板８の裏面一面に
接地用の導体パターン（図示せず）が形成され、この導
体パターンは銅板９に接触されている。穴開き基板８及
び銅板９の穴８ａ，９ａにはフェライト１１ａが挿入配
置され、この上に両面プリント基板７、フェライト１１
ｂ及び銅板１２が重ねられ、これらは銅板１０の突片１
０ａ〜１０ｃによって所定部分が導通接続されると共に
全体が固定される。さらにこの上に永久磁石１３が重ね
られ、これらはプラスチック樹脂ケース１４及びシール
ドケース１５ａ，１５ｂに収納される。
ほぼ同形状の銅板９上に重ねられ、、さらにこれらは３
つの切り起こし突片１０ａ〜１０ｃが形成された銅板１
０上に重ねられる。ここで、穴開き基板８の裏面一面に
接地用の導体パターン（図示せず）が形成され、この導
体パターンは銅板９に接触されている。穴開き基板８及
び銅板９の穴８ａ，９ａにはフェライト１１ａが挿入配
置され、この上に両面プリント基板７、フェライト１１
ｂ及び銅板１２が重ねられ、これらは銅板１０の突片１
０ａ〜１０ｃによって所定部分が導通接続されると共に
全体が固定される。さらにこの上に永久磁石１３が重ね
られ、これらはプラスチック樹脂ケース１４及びシール
ドケース１５ａ，１５ｂに収納される。
【０００８】第３の構成例としては、図６に示すように
第１の構成例におけるキャパシタンス形成用基板にフェ
ライト挿入用の穴を形成しない基板１６を用い、網状の
中心導体２と組み合わせて構成したものである。
第１の構成例におけるキャパシタンス形成用基板にフェ
ライト挿入用の穴を形成しない基板１６を用い、網状の
中心導体２と組み合わせて構成したものである。
【０００９】この組立において、フェライト１及び絶縁
フィルム４ａ，４ｂを包んだ中心導体２の上部に基板１
６が重ねられ、中心導体２の３つの入出力電極２ａ〜２
ｃが基板１６上の電極パターン１６ａ〜１６ｃに接続さ
れる。さらに、基板１６上には絶縁フィルム１７及び入
出力端子が形成されたプラスチック樹脂製の枠体１８が
重ねられ、中心導体２の下部には永久磁石１９が配置さ
れ、これら全体がシールドケース２０ａ〜２０ｃに収納
される。
フィルム４ａ，４ｂを包んだ中心導体２の上部に基板１
６が重ねられ、中心導体２の３つの入出力電極２ａ〜２
ｃが基板１６上の電極パターン１６ａ〜１６ｃに接続さ
れる。さらに、基板１６上には絶縁フィルム１７及び入
出力端子が形成されたプラスチック樹脂製の枠体１８が
重ねられ、中心導体２の下部には永久磁石１９が配置さ
れ、これら全体がシールドケース２０ａ〜２０ｃに収納
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の非可逆回路素子においては、次のような問題点
があった。即ち、第１及び第３の構成例においてはフェ
ライト１を包む際に中心導体２を折り返したときに、そ
の交差角度を正確に１２０度均等に設定することが非常
に困難であり、また中心導体が重なることにより各中心
導体の入出力用電極とフェライトとの間の距離が異なる
ため、素子毎の特性にばらつきが生じる。また、第２の
構成例においては、前述した問題点は解消されるが、部
品点数が多いため、部品コスト及び製造コストが高くな
るという問題点があった。
た従来の非可逆回路素子においては、次のような問題点
があった。即ち、第１及び第３の構成例においてはフェ
ライト１を包む際に中心導体２を折り返したときに、そ
の交差角度を正確に１２０度均等に設定することが非常
に困難であり、また中心導体が重なることにより各中心
導体の入出力用電極とフェライトとの間の距離が異なる
ため、素子毎の特性にばらつきが生じる。また、第２の
構成例においては、前述した問題点は解消されるが、部
品点数が多いため、部品コスト及び製造コストが高くな
るという問題点があった。
【００１１】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、部品
点数を低減すると共に中心導体の正確な交差角度を得ら
れる非可逆回路素子を提供することにある。
点数を低減すると共に中心導体の正確な交差角度を得ら
れる非可逆回路素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、互いに一端が接続され１２０度で交差す
る３つの中心導体と、該中心導体に対面配置された磁性
体と、前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと
を備えた非可逆回路素子において、前記中心導体を構成
する導体パターンと前記コンデンサの電極を構成する導
体パターンが形成された両面基板を設け、前記中心導体
を構成する導体パターンに対面して前記磁性体を配置し
た非可逆回路素子を提案する。
成するために、互いに一端が接続され１２０度で交差す
る３つの中心導体と、該中心導体に対面配置された磁性
体と、前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと
を備えた非可逆回路素子において、前記中心導体を構成
する導体パターンと前記コンデンサの電極を構成する導
体パターンが形成された両面基板を設け、前記中心導体
を構成する導体パターンに対面して前記磁性体を配置し
た非可逆回路素子を提案する。
【００１３】
【作用】本発明によれば、中心導体を構成する導体パタ
ーンと該中心導体の他端に接続されるコンデンサの電極
を構成する導体パターンが両面基板の表裏面に印刷形成
され、前記中心導体を構成する導体パターンに対面して
磁性体が配置されて非可逆回路素子が構成される。これ
により、前記中心導体の交差角度は各素子毎に同一とな
る。
ーンと該中心導体の他端に接続されるコンデンサの電極
を構成する導体パターンが両面基板の表裏面に印刷形成
され、前記中心導体を構成する導体パターンに対面して
磁性体が配置されて非可逆回路素子が構成される。これ
により、前記中心導体の交差角度は各素子毎に同一とな
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例のアイソレータ素子
を示す構成図である。図において、110 はセラミック誘
電体基板（以下、基板と称する）、120 は円盤形状のマ
イクロ波フェライト、130 は導体板、140 は例えばマイ
クロ波フェライトと同面積を有する円盤形状の永久磁
石、151,152 は金属製のシールドケースである。
明する。図１は、本発明の一実施例のアイソレータ素子
を示す構成図である。図において、110 はセラミック誘
電体基板（以下、基板と称する）、120 は円盤形状のマ
イクロ波フェライト、130 は導体板、140 は例えばマイ
クロ波フェライトと同面積を有する円盤形状の永久磁
石、151,152 は金属製のシールドケースである。
【００１５】基板110 は、図７に示すように例えば正方
形状に形成され、その表面には中心部の円形領域110a以
外の部分に３つのコンデンサの電極となる導体パターン
111a,111b,111c及び接地用の導体パターン112 が印刷形
成されると共に、導体パターン111cと導体パターン112
との間に接続された抵抗体113 が印刷形成されている。
ここで、円形領域110aはマイクロ波フェライト120 に対
応した形状に設定されている。
形状に形成され、その表面には中心部の円形領域110a以
外の部分に３つのコンデンサの電極となる導体パターン
111a,111b,111c及び接地用の導体パターン112 が印刷形
成されると共に、導体パターン111cと導体パターン112
との間に接続された抵抗体113 が印刷形成されている。
ここで、円形領域110aはマイクロ波フェライト120 に対
応した形状に設定されている。
【００１６】さらに、基板110 の表面中央部の円形領域
110a内には、中心導体の一部を構成する３組の平行導体
パターン114a,114b,115a,115b,116a,116b が領域内中央
部から半径方向に放射状に形成され、各平行導体パター
ン間の交差角度は１２０度に設定されている。また、各
平行導体パターン114a,114b,115a,115b,116a,116b の一
端側は対応する導体パターン111a,111b,111cに接続され
ている。
110a内には、中心導体の一部を構成する３組の平行導体
パターン114a,114b,115a,115b,116a,116b が領域内中央
部から半径方向に放射状に形成され、各平行導体パター
ン間の交差角度は１２０度に設定されている。また、各
平行導体パターン114a,114b,115a,115b,116a,116b の一
端側は対応する導体パターン111a,111b,111cに接続され
ている。
【００１７】基板110 の裏面においては、表面中央部の
円形領域110aに対応する円形領域外の領域には、全面に
接地用の導体パターン117 が印刷形成されている。ま
た、裏面中央部の円形領域内には、表面の平行導体パタ
ーン114a,114b,115a,115b,116a,116b に続いて同一方向
に延びるように平行導体パターン114c,114d,115c,115d,
116c,116d が印刷形成され、それぞれの一端側は接地用
の導体パターン117 に接続されている。さらに、各平行
導体パターン114c,114d,115c,115d,116c,116d の他端側
は、それぞれスルーホール114e,114f,115e,115f,116e,1
16f を介して対応する平行導体パターン114a,114b,115
a,115b,116a,116b の他端側に接続されている。また、
基板110 裏面の接地用の導体パターン117 は、スルーホ
ール118 を介して表面の接地用の導体パターン112 に接
続され、表面の導体パターン111a,111b,111c にはそれ
ぞれ入出力端子119a,119b が半田付けされている。
円形領域110aに対応する円形領域外の領域には、全面に
接地用の導体パターン117 が印刷形成されている。ま
た、裏面中央部の円形領域内には、表面の平行導体パタ
ーン114a,114b,115a,115b,116a,116b に続いて同一方向
に延びるように平行導体パターン114c,114d,115c,115d,
116c,116d が印刷形成され、それぞれの一端側は接地用
の導体パターン117 に接続されている。さらに、各平行
導体パターン114c,114d,115c,115d,116c,116d の他端側
は、それぞれスルーホール114e,114f,115e,115f,116e,1
16f を介して対応する平行導体パターン114a,114b,115
a,115b,116a,116b の他端側に接続されている。また、
基板110 裏面の接地用の導体パターン117 は、スルーホ
ール118 を介して表面の接地用の導体パターン112 に接
続され、表面の導体パターン111a,111b,111c にはそれ
ぞれ入出力端子119a,119b が半田付けされている。
【００１８】導体板130 は、例えば所定の厚さを有する
銅板からなり、基板110 と同等の形状を有すると共に、
その中央部にはマイクロ波フェライト120 を挿入配置可
能な所定面積の開口部131 が形成されている。
銅板からなり、基板110 と同等の形状を有すると共に、
その中央部にはマイクロ波フェライト120 を挿入配置可
能な所定面積の開口部131 が形成されている。
【００１９】組立に際しては、導体板130 の開口部131
内にマイクロ波フェライト120 が挿入配置された後、こ
の導体板130 上に基板110 が重ねて配置される。これに
より、基板110 裏面の接地用導体パターン117 は導体板
130 に導電接触される。さらに、基板110 の中央部上に
永久磁石140 が配置された状態で、これら全てがシール
ドケース151,152 内に収納され、アイソレータ素子の組
立が完了する。
内にマイクロ波フェライト120 が挿入配置された後、こ
の導体板130 上に基板110 が重ねて配置される。これに
より、基板110 裏面の接地用導体パターン117 は導体板
130 に導電接触される。さらに、基板110 の中央部上に
永久磁石140 が配置された状態で、これら全てがシール
ドケース151,152 内に収納され、アイソレータ素子の組
立が完了する。
【００２０】前述した構成によれば、図８に示す回路図
におけるインダクタＬ１は平行導体パターン114a〜114d
によって、インダクタＬ２は平行導体パターン115a〜11
5dによって、インダクタＬ３は平行導体パターン116a〜
116dによってそれぞれ構成され、コンデンサＣ１は導体
パターン111a,117によって、コンデンサＣ２は導体パタ
ーン111b,117によって、コンデンサＣ３は導体パターン
111c,117によってそれぞれ構成される。
におけるインダクタＬ１は平行導体パターン114a〜114d
によって、インダクタＬ２は平行導体パターン115a〜11
5dによって、インダクタＬ３は平行導体パターン116a〜
116dによってそれぞれ構成され、コンデンサＣ１は導体
パターン111a,117によって、コンデンサＣ２は導体パタ
ーン111b,117によって、コンデンサＣ３は導体パターン
111c,117によってそれぞれ構成される。
【００２１】従って、前述した本実施例によれば、中心
導体は基板110 上に印刷形成された導体パターンによっ
て構成されるので、その交差角度を正確に１２０度均等
に設定することができ、また両面基板の表裏にほぼ同様
の配置で３つの中心導体を形成しているので、各中心導
体とフェライトとの間の距離が等しくなり、素子毎の特
性にばらつきが生じることが少ない。また、従来例に比
べて部品点数が少なくなり、部品コスト及び製造コスト
を低減することができる。
導体は基板110 上に印刷形成された導体パターンによっ
て構成されるので、その交差角度を正確に１２０度均等
に設定することができ、また両面基板の表裏にほぼ同様
の配置で３つの中心導体を形成しているので、各中心導
体とフェライトとの間の距離が等しくなり、素子毎の特
性にばらつきが生じることが少ない。また、従来例に比
べて部品点数が少なくなり、部品コスト及び製造コスト
を低減することができる。
【００２２】尚、本実施例の構成は一例でありこれに限
定されることはない。
定されることはない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、中
心導体を構成する導体パターンと該中心導体の他端に接
続されるコンデンサの電極を構成する導体パターンが両
面基板上に印刷形成され、前記中心導体を構成する導体
パターンに対面して磁性体が配置されて非可逆回路素子
が構成されるので、従来に比べて部品点数を低減するこ
とができ、これによりコストの低減を図ることができ
る。さらに、前記中心導体の交差角度は各素子毎に同一
となるので、素子毎の特性のばらつきを少なくすること
ができ、常に設計値通りの最良の特性を得ることができ
る。
心導体を構成する導体パターンと該中心導体の他端に接
続されるコンデンサの電極を構成する導体パターンが両
面基板上に印刷形成され、前記中心導体を構成する導体
パターンに対面して磁性体が配置されて非可逆回路素子
が構成されるので、従来に比べて部品点数を低減するこ
とができ、これによりコストの低減を図ることができ
る。さらに、前記中心導体の交差角度は各素子毎に同一
となるので、素子毎の特性のばらつきを少なくすること
ができ、常に設計値通りの最良の特性を得ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図
【図２】第１の従来例を示す構成図
【図３】第１の従来例における中心導体とフェライトの
包囲構成を示す図
包囲構成を示す図
【図４】第２の従来例を示す構成図
【図５】第２の従来例における基板を示す構成図
【図６】第３の従来を示す構成図
【図７】本発明の一実施例における基板を示す構成図
【図８】本発明の一実施例のアイソレータ素子を示す回
路図
路図
【符号の説明】 110 …セラミック誘電体基板、111a,111b,111c…導体パ
ターン（コンデンサ用電極）、112 …接地用導体パター
ン、113 …抵抗体、114a〜114d，115a〜115d，116a〜11
6d…平行導体パターン（中心導体）、114e,114f,115e,1
15f,116e,116f,118…スルーホール、117 …接地用導体
パターン、120 …マイクロ波フェライト、130 …導体
板、140 …永久磁石、151,152 …シールドケース。
ターン（コンデンサ用電極）、112 …接地用導体パター
ン、113 …抵抗体、114a〜114d，115a〜115d，116a〜11
6d…平行導体パターン（中心導体）、114e,114f,115e,1
15f,116e,116f,118…スルーホール、117 …接地用導体
パターン、120 …マイクロ波フェライト、130 …導体
板、140 …永久磁石、151,152 …シールドケース。
Claims (1)
- 【請求項１】 互いに一端が接続され１２０度で交差す
る３つの中心導体と、該中心導体に対面配置された磁性
体と、前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサと
を備えた非可逆回路素子において、 前記中心導体を構成する導体パターンと前記コンデンサ
の電極を構成する導体パターンが形成された両面基板を
設け、 前記中心導体を構成する導体パターンに対面して前記磁
性体を配置したことを特徴とする非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15720293A JPH0715214A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15720293A JPH0715214A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715214A true JPH0715214A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15644441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15720293A Withdrawn JPH0715214A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116154438A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-23 | 大连麻利那电子有限公司 | 一种贴片式环形器 |
| WO2023092372A1 (zh) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种环行器、隔离器和通信设备 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15720293A patent/JPH0715214A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023092372A1 (zh) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种环行器、隔离器和通信设备 |
| CN116154438A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-05-23 | 大连麻利那电子有限公司 | 一种贴片式环形器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |