JPS60194845A - 光送受信回路 - Google Patents
光送受信回路Info
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- JPS60194845A JPS60194845A JP59051637A JP5163784A JPS60194845A JP S60194845 A JPS60194845 A JP S60194845A JP 59051637 A JP59051637 A JP 59051637A JP 5163784 A JP5163784 A JP 5163784A JP S60194845 A JPS60194845 A JP S60194845A
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- Japan
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- light emitting
- power supply
- circuit
- turned
- driving
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2589—Bidirectional transmission
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は、双方向光通信に適した光送受信回路に関す
る。
る。
第6図は、従来の光送受信回路の一例を示している。こ
の光送受信回路では、発光ダイオード(2)およびフォ
トダイオード(3)が集積された発光受光素子(1)が
用いられている。
の光送受信回路では、発光ダイオード(2)およびフォ
トダイオード(3)が集積された発光受光素子(1)が
用いられている。
この発光受光素子(1)は、コンパクトにするためやコ
ストを低くするために発光ダイオード(2)およびフォ
トダイオード(3)のカソード電極が共通電極(K)で
形成されている。光送受信回路は、発光受光素子(1)
の他、発光ダイオード(2)の電流制限抵抗(4)、フ
ォトダイオード(3)の出力を増幅する増幅回路(5)
、送受信の切換および送信データの送出の制御を行なう
ためのスイッチング・トランジスタ(6)(7)、スイ
ッチング・トランジスタ(6)(7)の制御回路(8)
、ならびに上記各部の駆動電圧を供給する電1(正極端
子をPで示し、電源電圧をVとする)を備えている。
ストを低くするために発光ダイオード(2)およびフォ
トダイオード(3)のカソード電極が共通電極(K)で
形成されている。光送受信回路は、発光受光素子(1)
の他、発光ダイオード(2)の電流制限抵抗(4)、フ
ォトダイオード(3)の出力を増幅する増幅回路(5)
、送受信の切換および送信データの送出の制御を行なう
ためのスイッチング・トランジスタ(6)(7)、スイ
ッチング・トランジスタ(6)(7)の制御回路(8)
、ならびに上記各部の駆動電圧を供給する電1(正極端
子をPで示し、電源電圧をVとする)を備えている。
制御回路(8)には、送受信切換信号aおよび送信デー
タを現わすビット信号すが入力される。制御回路(8)
からは、スイッチング・トランジスタ(6)(7)の制
御信号Cおよびdが出力される。
タを現わすビット信号すが入力される。制御回路(8)
からは、スイッチング・トランジスタ(6)(7)の制
御信号Cおよびdが出力される。
送信時には、送受信切換信号aがHレベルになるととも
にビット信号すが入力される。ビット信号がHレベルの
ときには、出力信号CがLレベルとなり、出力信号dが
Hレベルとなる。
にビット信号すが入力される。ビット信号がHレベルの
ときには、出力信号CがLレベルとなり、出力信号dが
Hレベルとなる。
したがってトランジスタ(6)がオフ、トランジスタ(
7)がオンとなり、電源端子(P)から発光ダイオード
(2)に駆動電流が流れ、発光ダイオード(2)が発光
する。ビット信号すがLレベルのときには、信号CがH
レベル、信号dがLレベルとなり、トランジスタ(6)
がオン、トランジスタ(7)がオフとなる。この場合に
は、電流はほとんどトランジスタ(6)に流されてしま
い発光ダイオード(2)に駆動電流が流れないから、発
光ダイオード(2)は発光しない。このようにして送信
データに応じた光信号が発光ダイオード(2)から出力
される。
7)がオンとなり、電源端子(P)から発光ダイオード
(2)に駆動電流が流れ、発光ダイオード(2)が発光
する。ビット信号すがLレベルのときには、信号CがH
レベル、信号dがLレベルとなり、トランジスタ(6)
がオン、トランジスタ(7)がオフとなる。この場合に
は、電流はほとんどトランジスタ(6)に流されてしま
い発光ダイオード(2)に駆動電流が流れないから、発
光ダイオード(2)は発光しない。このようにして送信
データに応じた光信号が発光ダイオード(2)から出力
される。
受信時には、送受信切換信号aおよびビット信号すがと
もにLレベルとなる。すると信号CがHレベル、信号d
がLレベルとなり、トランジスタ(6)がオン、トラン
ジスタ(7)がオフとなるから電源電圧(V)によって
フォトダイオード(3)が逆バイアスされる。したがっ
て、たとえば光ファイバ(図示路)によって光信号が送
られてくると、光信号に応じた受光信号がフォトダイオ
ード(3)から出力される。
もにLレベルとなる。すると信号CがHレベル、信号d
がLレベルとなり、トランジスタ(6)がオン、トラン
ジスタ(7)がオフとなるから電源電圧(V)によって
フォトダイオード(3)が逆バイアスされる。したがっ
て、たとえば光ファイバ(図示路)によって光信号が送
られてくると、光信号に応じた受光信号がフォトダイオ
ード(3)から出力される。
この受光信号は増幅回路(5)によって増幅される。
電源は、デジタル回路である制御回路(8)の電源とし
ても用いられているから、ノイズが発生しやすい。受信
時には電源電圧(V)がフォトダイオード(3)に印加
されるので、電源で発生したノイズがフォトダイオード
(3)の出力に現われる。フォトダイオード(3)の出
力電流は数10μAという微小電流であるため、SN比
が非常に大きくなり、正確な受信を行なえないというお
それがある。
ても用いられているから、ノイズが発生しやすい。受信
時には電源電圧(V)がフォトダイオード(3)に印加
されるので、電源で発生したノイズがフォトダイオード
(3)の出力に現われる。フォトダイオード(3)の出
力電流は数10μAという微小電流であるため、SN比
が非常に大きくなり、正確な受信を行なえないというお
それがある。
発明の概要
この発明は、発光素子駆動用電源が制御回路のようなデ
ジタル回路の電源としても用いられても、受信時におけ
る受光素子の動作に発光素子駆動用電源に発生したノイ
ズの影響を及ぼすことのない光送受信回路を提供するこ
とを目的とする。
ジタル回路の電源としても用いられても、受信時におけ
る受光素子の動作に発光素子駆動用電源に発生したノイ
ズの影響を及ぼすことのない光送受信回路を提供するこ
とを目的とする。
この発明による光送受信回路は、発光素子、受光素子、
発光素子に直列に接続された第1のスイッチング素子、
受光素子に直列に接続された第2のスイッチング素子お
よびスイッチング素子を制御する制御回路を備え、発光
素子の1つの電極と受光素子の1つの電極とが接続され
ている光送受信回路において、発光素子駆動用電源とは
別に受光素子駆動用電源が設けられ、発光素子と第1の
スイッチング素子との直列回路が発光素子駆動用電源に
並列に接続され、受光素子と第2のスイッチング素子と
の直列回路が受光素子駆動用電源に並列に接続されてお
り、受信時に制御回路によって第1のスイッチング素子
がオフ、第2のスイッチング素子がオンとなるように制
御されることを特徴とする。
発光素子に直列に接続された第1のスイッチング素子、
受光素子に直列に接続された第2のスイッチング素子お
よびスイッチング素子を制御する制御回路を備え、発光
素子の1つの電極と受光素子の1つの電極とが接続され
ている光送受信回路において、発光素子駆動用電源とは
別に受光素子駆動用電源が設けられ、発光素子と第1の
スイッチング素子との直列回路が発光素子駆動用電源に
並列に接続され、受光素子と第2のスイッチング素子と
の直列回路が受光素子駆動用電源に並列に接続されてお
り、受信時に制御回路によって第1のスイッチング素子
がオフ、第2のスイッチング素子がオンとなるように制
御されることを特徴とする。
この発明による光送受信回路では、受信時に制御回路に
よって第1のスイッチング素子がオフにされるので発光
素子と受光素子との接続点が発光素子駆動用電源から切
り離された状態となる。したがって、受信時においては
、発光素子駆動用電源に発生したノイズの影響が受光素
子の動作に及ばなくなる。この結果、正確な受信を行な
えるようになる。
よって第1のスイッチング素子がオフにされるので発光
素子と受光素子との接続点が発光素子駆動用電源から切
り離された状態となる。したがって、受信時においては
、発光素子駆動用電源に発生したノイズの影響が受光素
子の動作に及ばなくなる。この結果、正確な受信を行な
えるようになる。
実施例の説明
第1図はこの発明の第1実施例を示している。
第6図と同じものには同じ符号をつけて説明を省略する
。この光送受信回路では、主電源(正極端子をPlで示
し、電源電圧をVlとする)とは別にフォトダイオード
駆動用電源(正極端子をP2で示し、電源電圧を■2と
する)が設けられている。フォトダイオード駆動用電源
の正極端子(P2)は、スイッチング・トランジスタ(
PNP形)(9)を介して、発光ダイオード(2)とフ
ォトダイオード(3)との共通電極(カソード)(K)
に接続されている。スイッチング・トランジスタ(9)
のベースには、制御回路(8)から制御信号eが抵抗(
11)を介して送られる。
。この光送受信回路では、主電源(正極端子をPlで示
し、電源電圧をVlとする)とは別にフォトダイオード
駆動用電源(正極端子をP2で示し、電源電圧を■2と
する)が設けられている。フォトダイオード駆動用電源
の正極端子(P2)は、スイッチング・トランジスタ(
PNP形)(9)を介して、発光ダイオード(2)とフ
ォトダイオード(3)との共通電極(カソード)(K)
に接続されている。スイッチング・トランジスタ(9)
のベースには、制御回路(8)から制御信号eが抵抗(
11)を介して送られる。
送信時には、制御信号eはHレベルとなり、スイッチン
グ・トランジスタ(9)がオフとなる。したがってフォ
トダイオード駆動用電源端子(P2)は、共通電極(K
)から切り離される。送信時における他の動作は、上述
した第6図に示すものと同じである。
グ・トランジスタ(9)がオフとなる。したがってフォ
トダイオード駆動用電源端子(P2)は、共通電極(K
)から切り離される。送信時における他の動作は、上述
した第6図に示すものと同じである。
受信時においては、信号Cと信号dとがLレベルとなり
、スイッチング・トランジスタ(6)(7)が共にオフ
となる。また信号eがLレベルとなり、スイッチング・
トランジスタ(9)がオンとなる。したがって主電源端
子(Pl)は抵抗(4)と発光ダイオード(2)との直
列回路を介して共通電極(K)に接続され、フォトダイ
オード駆動用電源端子(P2)はトランジスタ(9)を
介して共通電極(K)に接続される。しかしながら、ト
ランジスタ(9)のインピーダンスは抵抗(4)と発光
ダイオード(2)との直列回路のインピーダンスに較べ
て非常に小さいので、主電源がフォトダイオード(3)
と切り離された状態となり、フォトダイオード駆動用電
源電圧(v2)によってフォトダイオード(3)が逆バ
イアスされる。このためフォトダイオード(3)は主電
源で発生したノイズの影響を受けなくなる。
、スイッチング・トランジスタ(6)(7)が共にオフ
となる。また信号eがLレベルとなり、スイッチング・
トランジスタ(9)がオンとなる。したがって主電源端
子(Pl)は抵抗(4)と発光ダイオード(2)との直
列回路を介して共通電極(K)に接続され、フォトダイ
オード駆動用電源端子(P2)はトランジスタ(9)を
介して共通電極(K)に接続される。しかしながら、ト
ランジスタ(9)のインピーダンスは抵抗(4)と発光
ダイオード(2)との直列回路のインピーダンスに較べ
て非常に小さいので、主電源がフォトダイオード(3)
と切り離された状態となり、フォトダイオード駆動用電
源電圧(v2)によってフォトダイオード(3)が逆バ
イアスされる。このためフォトダイオード(3)は主電
源で発生したノイズの影響を受けなくなる。
第2図(A)〜(C)に示すように、主電源に平滑回路
(21A) 、(21B) 、(2IC)を接続し、平
滑回路(21A) 、(21B) 、(21C)の出力
をフォト・ダイオード駆動用電源として用いてもよい。
(21A) 、(21B) 、(2IC)を接続し、平
滑回路(21A) 、(21B) 、(21C)の出力
をフォト・ダイオード駆動用電源として用いてもよい。
第3図は、この発明の第2実施例を示している。この光
送受信回路では、スイッチング・トランジスタ(9)と
してNPN形のものが用いられている。トランジスタ(
9)のエミッタが共通電極(K)に接続されているとと
もに抵抗(12)を介してフォトダイオード駆動用電源
の負極側(GND2)に接地されている。この抵抗(1
2)はトランジスタ(9)のエミッタ電流の変動による
ベース、エミッタ間電圧の変動を減少させるものである
。フォトダイオード駆動用電源端子(P2)とトランジ
スタ(9)のベースとの間には、第1のバイアス抵抗(
10)と第2のバイアス抵抗(13)との直列回路が接
続されている。第2のバイアス抵抗(13)は、第1の
バイアス抵抗(10)よりも抵抗値が十分小さい。第1
のバイアス抵抗(10)には、バイパス用ショットキー
ダイオード(14)が順方向に並列に接続されている。
送受信回路では、スイッチング・トランジスタ(9)と
してNPN形のものが用いられている。トランジスタ(
9)のエミッタが共通電極(K)に接続されているとと
もに抵抗(12)を介してフォトダイオード駆動用電源
の負極側(GND2)に接地されている。この抵抗(1
2)はトランジスタ(9)のエミッタ電流の変動による
ベース、エミッタ間電圧の変動を減少させるものである
。フォトダイオード駆動用電源端子(P2)とトランジ
スタ(9)のベースとの間には、第1のバイアス抵抗(
10)と第2のバイアス抵抗(13)との直列回路が接
続されている。第2のバイアス抵抗(13)は、第1の
バイアス抵抗(10)よりも抵抗値が十分小さい。第1
のバイアス抵抗(10)には、バイパス用ショットキー
ダイオード(14)が順方向に並列に接続されている。
また第1のバイアス抵抗(10)と第2のバイアス抵抗
(13)の接続点と、接地(GND2)間には平滑コン
デンサ(15)が接続されている。
(13)の接続点と、接地(GND2)間には平滑コン
デンサ(15)が接続されている。
トランジスタ(9)のベースは、スイッチング・トラン
ジスタ(16)を介して接地されている。
ジスタ(16)を介して接地されている。
このトランジスタ(16)のベースには、制御回路(8
)から信号eが抵抗(11)を介して送られる。
)から信号eが抵抗(11)を介して送られる。
送信時においては、信号eがHレベルとなり、トランジ
スタ(16)がオンとなる。したがってフォトダイオー
ド駆動用電源端子(P2)から電流がダイオード(14
)、抵抗(13)およびトランジスタ(16)を通って
接地(GND2)側に流れ、トランジスタ(9)のベー
スには電流が流れない。この結果、トランジスタ(9)
はオフとなり、フォトダイオード駆動用電源端子(P2
)が共通電極(K)から切り離された状態となる。
スタ(16)がオンとなる。したがってフォトダイオー
ド駆動用電源端子(P2)から電流がダイオード(14
)、抵抗(13)およびトランジスタ(16)を通って
接地(GND2)側に流れ、トランジスタ(9)のベー
スには電流が流れない。この結果、トランジスタ(9)
はオフとなり、フォトダイオード駆動用電源端子(P2
)が共通電極(K)から切り離された状態となる。
受信時においては、信号CおよびdがLレベルとなり、
トランジスタ(6)(7)がオフとなる。また信号eが
Lレベルとなり、トランジスタ(16)がオフとなる。
トランジスタ(6)(7)がオフとなる。また信号eが
Lレベルとなり、トランジスタ(16)がオフとなる。
したがって電源端子(P2)から電流が抵抗(1o)お
よびコンデンサ(15)からなる平滑回路ならびに抵抗
(13)を通ってトランジスタ(9)のベースに流れ、
トランジスタ(9)がオンとなる。この結果、フォトダ
イオード(3)は、フォトダイオード駆動用電源電圧(
■2)によって逆バイアスされる。
よびコンデンサ(15)からなる平滑回路ならびに抵抗
(13)を通ってトランジスタ(9)のベースに流れ、
トランジスタ(9)がオンとなる。この結果、フォトダ
イオード(3)は、フォトダイオード駆動用電源電圧(
■2)によって逆バイアスされる。
受信時においては、抵抗(10)に流れる電流は数μA
という微小電流であるため、抵抗(1o)の抵抗値が数
10にΩという大きなものでも、抵抗(10)の電圧降
下が0.1V程度となり、ダイオード(14)はオンし
ない。
という微小電流であるため、抵抗(1o)の抵抗値が数
10にΩという大きなものでも、抵抗(10)の電圧降
下が0.1V程度となり、ダイオード(14)はオンし
ない。
この実施例では、フォトダイオード駆動用電源端子(P
2)とトランジスタ(9)のベースとの間に抵抗(10
)とコンデンサ(15)からなる平滑回路が設けられて
おり、受信時には、電源電圧(■2)がこの平滑回路を
介してトランジスタ(9)のベースに印加されるので、
フォトダイオード駆動用電源電圧(■2)にノイズがた
とえ発生したとしても、ノイズのフォトダイオード(3
)への影響を低減することができるという利点がある。
2)とトランジスタ(9)のベースとの間に抵抗(10
)とコンデンサ(15)からなる平滑回路が設けられて
おり、受信時には、電源電圧(■2)がこの平滑回路を
介してトランジスタ(9)のベースに印加されるので、
フォトダイオード駆動用電源電圧(■2)にノイズがた
とえ発生したとしても、ノイズのフォトダイオード(3
)への影響を低減することができるという利点がある。
第4図は、この発明の第3実施例を示している。この光
送受信回路は、第1実施例(第1図参照)のものとほぼ
同様であるが、スイッチング・トランジスタ(6)が設
けられていない点、発光受光素子(1)の受光素子とし
てフォトトランジスタ(3A)が用いられている点、お
よびスイッチング・トランジスタ(9)がNPNである
点で第1実施例のものと異なっている。この光送受信回
路は、低速伝送用として用いられるものであり、このた
め応答速度がフォトダイオードよりも遅いフォトトラン
ジスタが用いられている。また発光ダイオードも高速駆
動が要求されないので、スイッチング・トランジスタ(
6)が省略されている。
送受信回路は、第1実施例(第1図参照)のものとほぼ
同様であるが、スイッチング・トランジスタ(6)が設
けられていない点、発光受光素子(1)の受光素子とし
てフォトトランジスタ(3A)が用いられている点、お
よびスイッチング・トランジスタ(9)がNPNである
点で第1実施例のものと異なっている。この光送受信回
路は、低速伝送用として用いられるものであり、このた
め応答速度がフォトダイオードよりも遅いフォトトラン
ジスタが用いられている。また発光ダイオードも高速駆
動が要求されないので、スイッチング・トランジスタ(
6)が省略されている。
第5図はこの発明の第4実施例を示している。
この光送受信回路では、発光ダイオード(2)とフォト
ダイオード(3)のアノード電極が共通電極(A)とし
て形成されている発光受光素子(1)が用いられている
。そして共通電極(A>はスイッチング・トランジスタ
(9)を介してフォトダイオード駆動用電源の負極側(
GND2)に接地されている。
ダイオード(3)のアノード電極が共通電極(A)とし
て形成されている発光受光素子(1)が用いられている
。そして共通電極(A>はスイッチング・トランジスタ
(9)を介してフォトダイオード駆動用電源の負極側(
GND2)に接地されている。
受信時においては、信号CおよびdがLレベルとなり、
信号eがHレベルとなる。したがってトランジスタ(6
)(8)がオフ、トランジスタ(9)がオンとなる。こ
の結果、フォトダイオード(3)はフォトダイオード駆
動用電源電圧によって逆バイアスされる。
信号eがHレベルとなる。したがってトランジスタ(6
)(8)がオフ、トランジスタ(9)がオンとなる。こ
の結果、フォトダイオード(3)はフォトダイオード駆
動用電源電圧によって逆バイアスされる。
第1および第2実施例ならびに第4実施例(第1図、第
3図、第5図参照)において、フォトダイオード(3)
に代えてフォトトランジスタを用いることができる。ま
た第3実施例(第4図参照)においてフォトトランジス
タに代えてフォトダイオードを用いることができる。
3図、第5図参照)において、フォトダイオード(3)
に代えてフォトトランジスタを用いることができる。ま
た第3実施例(第4図参照)においてフォトトランジス
タに代えてフォトダイオードを用いることができる。
この発明は、発光素子の一つの電極と受光素子の一つの
電極とが共通電極で形成されている発光受光素子を備え
た光送受信回路に好適であるが、発光素子と受光素子と
が別々に設けられ、発光素子の一つの電極と受光素子の
一つの電極とが接続される光送受信回路にも適用するこ
とができるのはもちろんである。
電極とが共通電極で形成されている発光受光素子を備え
た光送受信回路に好適であるが、発光素子と受光素子と
が別々に設けられ、発光素子の一つの電極と受光素子の
一つの電極とが接続される光送受信回路にも適用するこ
とができるのはもちろんである。
第1図はこの発明の第1実施例を示す電気回路図、第2
図は各種平滑回路を示す電気回路図、第3図はこの発明
の第2実施例を示す電気回路図、第4図はこの発明の第
3実施例を示す電気回路図、第5図はこの発明の第4実
施例を示す電気回路図、第6図は従来の光送受信回路を
示す電気回路図である。 (1)・・・発光受光素子、(2)・・・発光ダイオー
ド、(3)・・・フォトダイオード、(3A)・・・フ
ォトトランジスタ、(7)・・・第1のスイッチング・
トランジスタ、(8)・・・制御1回路、(9)・・・
第2のスイッチング・トランジスタ。 以上 特許出願人 立石電機株式会社
図は各種平滑回路を示す電気回路図、第3図はこの発明
の第2実施例を示す電気回路図、第4図はこの発明の第
3実施例を示す電気回路図、第5図はこの発明の第4実
施例を示す電気回路図、第6図は従来の光送受信回路を
示す電気回路図である。 (1)・・・発光受光素子、(2)・・・発光ダイオー
ド、(3)・・・フォトダイオード、(3A)・・・フ
ォトトランジスタ、(7)・・・第1のスイッチング・
トランジスタ、(8)・・・制御1回路、(9)・・・
第2のスイッチング・トランジスタ。 以上 特許出願人 立石電機株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 発光素子、受光素子、発光素子に直列に接続さ
れた第1のスイッチング素子、受光素子に直列に接続さ
れた第2のスイッチング素子およびスイッチング素子を
制御する制御回路を備え、発光素子の1つの電極と受光
素子の1つの電極とが接続されている光送受信回路にお
いて、発光素子駆動用電源とは別に受光素子駆動用電源
が設けられ、発光素子と第1のスイッチング素子との直
列回路が発光素子駆動用電源に並列に接続され、受光素
子と第2のスイッチング素子との直列回路が受光素子駆
動用電源に並列に接続されており、受信時に制御回路に
よって第1のスイッチング素子がオフ、第2のスイッチ
ング素子がオンとなるように制御される光送受信回路。 (2〉 発光素子駆動用電源に平滑回路が接続され、こ
の平滑回路の出力が受光素子駆動用型・源として用いら
れる特許請求の範囲第(1)項記載の光送受信回路。 (3) 発光素子と受光素子とが一基板上に集積されか
つ発光素子の一つの電極と受光素子の一つの電極とが共
通電極で形成されている特許請求の範囲第(1)項記載
の光送受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051637A JPS60194845A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光送受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051637A JPS60194845A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光送受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194845A true JPS60194845A (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=12892359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051637A Pending JPS60194845A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光送受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194845A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826187A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | 株式会社竹中工務店 | 地中穴掘削形成用逸泥防止工法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP59051637A patent/JPS60194845A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826187A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | 株式会社竹中工務店 | 地中穴掘削形成用逸泥防止工法 |
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