JPS6019603B2 - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
- Publication number
- JPS6019603B2 JPS6019603B2 JP4944582A JP4944582A JPS6019603B2 JP S6019603 B2 JPS6019603 B2 JP S6019603B2 JP 4944582 A JP4944582 A JP 4944582A JP 4944582 A JP4944582 A JP 4944582A JP S6019603 B2 JPS6019603 B2 JP S6019603B2
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- Japan
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- dielectric
- composite dielectric
- composite
- ceramic
- mgtio
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複合誘電体に関し、更に詳しくはＭｇＴｉ０
３−ＣａＴｉ０３系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分
子材料とからなるマイクロ波用複合誘電体や微少容量コ
ンデンサー材料に用いることのできる複合誘電体に関す
るものである。
３−ＣａＴｉ０３系誘電体セラミック粉末と絶縁性高分
子材料とからなるマイクロ波用複合誘電体や微少容量コ
ンデンサー材料に用いることのできる複合誘電体に関す
るものである。
近年、マイクロ波領域における通信の発達に伴ない、マ
イクロ波回路の集積化が図られている。
イクロ波回路の集積化が図られている。
従来、集積化用の基板、いわゆるマイクロ波用基板（Ｍ
ＩＣ基板）には、誘電体材料として四フッ化エチレン樹
脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りしたものが用
いられ、この鋼板にエッチング加工などを行なって回路
を形成していた。そして回路構成の一部として樹脂の誘
電率を利用するケースがある。しかしながら本釆樹脂の
誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成す
るような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターンの
形状を大きくしなければならす、小形化への障害となっ
ていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマイ
クロ波基板の出現が要求されていた。一方、誘電体セラ
ミックのマイクロ波通信機器への応用展開が進み、マイ
クロ波帯で高いＱ値を持ち、かつ温度安定性のすぐれた
材料の開発が行われている。
ＩＣ基板）には、誘電体材料として四フッ化エチレン樹
脂、ポリスチレン樹脂などの両面に銅張りしたものが用
いられ、この鋼板にエッチング加工などを行なって回路
を形成していた。そして回路構成の一部として樹脂の誘
電率を利用するケースがある。しかしながら本釆樹脂の
誘電率が２〜３であるため、たとえば共振回路を形成す
るような場合、樹脂の誘電率が小さいと導電パターンの
形状を大きくしなければならす、小形化への障害となっ
ていた。したがって、さらに大きな誘電率を有するマイ
クロ波基板の出現が要求されていた。一方、誘電体セラ
ミックのマイクロ波通信機器への応用展開が進み、マイ
クロ波帯で高いＱ値を持ち、かつ温度安定性のすぐれた
材料の開発が行われている。
しかしながら、セラミックを穿孔したり、切断したりす
るような加工を施こそうとすると、セラミックがもとも
と硬いため加工が難かしく、また欠けたり、割れさりす
るという欠点がある。したがって、本発明は、樹脂が有
する柔軟性とマイクロ波誘電体セラミックのすぐれた電
気特性を利用した複合誘電体を提供せんとするものであ
る。
るような加工を施こそうとすると、セラミックがもとも
と硬いため加工が難かしく、また欠けたり、割れさりす
るという欠点がある。したがって、本発明は、樹脂が有
する柔軟性とマイクロ波誘電体セラミックのすぐれた電
気特性を利用した複合誘電体を提供せんとするものであ
る。
また本発明は、マイクロ波領域で高いＱ値を持ち、比誘
電率の温度特性が安定で、比誘電率が−般の高分子材料
にくらべて大きい複合誘電体を提供せんとするものであ
る。
電率の温度特性が安定で、比誘電率が−般の高分子材料
にくらべて大きい複合誘電体を提供せんとするものであ
る。
さらに本発明は、マイクロ波誘電体セラミックにくらべ
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有する複合誘電体を提
供せんとするものである。
て柔軟性にすぐれ、加工容易性を有する複合誘電体を提
供せんとするものである。
すなわち、本発明の要旨とするところは、ＭｇＴｉ０３
−ＣａＴｉ０３系誘電体セラミック１０〜７０容量％、
好ましくは３０〜５坤容量％および絶縁性高分子材料９
０〜３咳容量％、好ましくは７０〜５笹容量％からなる
複合誘電体である。
−ＣａＴｉ０３系誘電体セラミック１０〜７０容量％、
好ましくは３０〜５坤容量％および絶縁性高分子材料９
０〜３咳容量％、好ましくは７０〜５笹容量％からなる
複合誘電体である。
本発明の複合譲露体を構成するもののうち、ＭｇＴｉ０
３一ＣａＴｉ０３系材料は、その成分比がＭｇＴｉ０３
８０〜１００モル％およびＣａＴｉ０３０〜２０モル％
のものからなり、７ＧＨｚにおけるＱが３０００〜２０
０００、比誘電率が１７〜２７、比誘電率の温度特性が
−１００〜十１００ｐｐｍ／００のものである。
３一ＣａＴｉ０３系材料は、その成分比がＭｇＴｉ０３
８０〜１００モル％およびＣａＴｉ０３０〜２０モル％
のものからなり、７ＧＨｚにおけるＱが３０００〜２０
０００、比誘電率が１７〜２７、比誘電率の温度特性が
−１００〜十１００ｐｐｍ／００のものである。
このほか、Ｔｉ０２を添加してさらに比誘電率を上昇さ
せることも許される。また、絶縁性高分子材料としては
、四フッ化エチレンの単独または共重合体などの含フッ
素系重合体が特に好ましいが、その他ポリエチレンある
いはポリオレフィン系重合体のような誘電損の４・さし
、重合体を用いることができる。
せることも許される。また、絶縁性高分子材料としては
、四フッ化エチレンの単独または共重合体などの含フッ
素系重合体が特に好ましいが、その他ポリエチレンある
いはポリオレフィン系重合体のような誘電損の４・さし
、重合体を用いることができる。
これらのうちでは、特に四フツ化エチレンの単独重合体
が好ましい。また使用できる共重合体としては、四フツ
化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化プロピレ
ン、フッ化ビニル、フツ化ビニリデン、３フッ化エチレ
ンなどとの共重合体を例示できる。謙蟹体セラミックと
絶縁性高分子材料の混合比は、一般に１０：９０〜７０
：３０の容量比の範囲から選択されるが、かかる範囲が
好ましい理由は次のとおりである。つまり、誘電体セラ
ミックが１伍容量％未満、絶縁性高分子材料が９咳容量
％を越えると、比誘電率の増加が見られず複合化した効
果が得られなくなる。また誘電体セラミックが７餌容量
％を越え、絶縁性高分子材料が３筋容量％未満になると
、誘電体セラミックの量が多くなるため、絶縁性高分子
材料と混合しても均質な複合誘電体が得られなくなる。
したがって柔軟性がなくなり、加工性も悪くなる。本発
明の複合誘電体を製造するには、前記絶縁性高分子材料
および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に混合
した上、高分子材料の成形条件下で成形する。
が好ましい。また使用できる共重合体としては、四フツ
化エチレンとエチレン、プロピレン、６フツ化プロピレ
ン、フッ化ビニル、フツ化ビニリデン、３フッ化エチレ
ンなどとの共重合体を例示できる。謙蟹体セラミックと
絶縁性高分子材料の混合比は、一般に１０：９０〜７０
：３０の容量比の範囲から選択されるが、かかる範囲が
好ましい理由は次のとおりである。つまり、誘電体セラ
ミックが１伍容量％未満、絶縁性高分子材料が９咳容量
％を越えると、比誘電率の増加が見られず複合化した効
果が得られなくなる。また誘電体セラミックが７餌容量
％を越え、絶縁性高分子材料が３筋容量％未満になると
、誘電体セラミックの量が多くなるため、絶縁性高分子
材料と混合しても均質な複合誘電体が得られなくなる。
したがって柔軟性がなくなり、加工性も悪くなる。本発
明の複合誘電体を製造するには、前記絶縁性高分子材料
および誘電体セラミックをいずれも粉末状で均一に混合
した上、高分子材料の成形条件下で成形する。
たとえば、ポリ四フツ化エチレンの場合、混合粉末を約
１００〜７００ｋ９／地に圧力下に圧縮成形した後、約
３３０〜４２０ｑＣの温度で焼成して成形体とする。以
下にこの発明を実施例に従って詳細に説明する。
１００〜７００ｋ９／地に圧力下に圧縮成形した後、約
３３０〜４２０ｑＣの温度で焼成して成形体とする。以
下にこの発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例
ＭｇＴｉＱ９５モル％、ＣａＴｉ０３５モル％からなる
誘電体セラミック粉末（８０メッシュパス）とポリ四フ
ッ化エチレン樹脂粉末を第１畢に示す比率で均一に混合
し、この混合原料を、４００ｋ９／地の圧力下で圧縮成
形後、滋０℃の温度で３時間加熱焼成して、直径５６肋
、高さ８物岬の円柱状複合誘電体を得た。
誘電体セラミック粉末（８０メッシュパス）とポリ四フ
ッ化エチレン樹脂粉末を第１畢に示す比率で均一に混合
し、この混合原料を、４００ｋ９／地の圧力下で圧縮成
形後、滋０℃の温度で３時間加熱焼成して、直径５６肋
、高さ８物岬の円柱状複合誘電体を得た。
得られた複合誘電体について、娘動法による誘電体共振
器法で８．＆Ｈｚにおける比誘電率、Ｑ値を測定し、ま
たＩＭＨｚで比誘電率の温度特性を測定した。
器法で８．＆Ｈｚにおける比誘電率、Ｑ値を測定し、ま
たＩＭＨｚで比誘電率の温度特性を測定した。
測定結果は第１表に合わせて示す。第１表第１表中、試
料番号１はこの発明範囲外のものであり、それ以外はす
べてこの発明範囲内のものである。
料番号１はこの発明範囲外のものであり、それ以外はす
べてこの発明範囲内のものである。
第１表から明らかなように、本発明による複合誘電体は
マイクロ波で大きな比誘電率を有し、Ｑも高い値を示す
。
マイクロ波で大きな比誘電率を有し、Ｑも高い値を示す
。
また比誘電率の温度特性は収ｐｍ／。０を中心とした特
性を示し、温度変化に対して安定した特性を有している
。
性を示し、温度変化に対して安定した特性を有している
。
また、本発明にかかる複合誘電体は柔軟性を有しており
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。
、穿孔加工、切削加工が簡単であり、たとえばマイクロ
波用基板として用いた場合表面と裏面との導通処理も簡
単に行えるという利点を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＭｇＴｉＯ＿３−ＣａＴｉＯ＿３系誘電体セラミツ
ク１０〜７０容量％と絶縁性高分子材料９０〜３０容量
％とからなる複合誘電体。 ２ ＭｇＴｉＯ＿３−ＣａＴｉＯ＿３系誘電体セラミツ
クがＭｇＴｉＯ＿３８０〜１００モル％およびＣａＴｉ
Ｏ＿３０〜２０モル％からなる特許請求の範囲第１項記
載の複合誘電体。 ３ ＭｇＴｉＯ＿３−ＣａＴｉＯ＿３系誘電体セラミツ
クの７ＧＨｚにおけるＱが３０００〜２００００、比誘
電率が１７〜２７、比誘電率の温度特性が−１００〜＋
１００ｐｐｍ／℃である特許請求の範囲第１項または第
２項記載の複合誘電体。 ４ 絶縁性高分子材料が四フツ化エチレンの単独または
共重合体である特許請求の範囲第１項記載の複合誘電体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4944582A JPS6019603B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4944582A JPS6019603B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166605A JPS58166605A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS6019603B2 true JPS6019603B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=12831321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4944582A Expired JPS6019603B2 (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019603B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116207A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハイブリッド回路 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP4944582A patent/JPS6019603B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166605A (ja) | 1983-10-01 |
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