JPS6019666B2 - 樹脂封止半導体の半田付装置 - Google Patents
樹脂封止半導体の半田付装置Info
- Publication number
- JPS6019666B2 JPS6019666B2 JP54168531A JP16853179A JPS6019666B2 JP S6019666 B2 JPS6019666 B2 JP S6019666B2 JP 54168531 A JP54168531 A JP 54168531A JP 16853179 A JP16853179 A JP 16853179A JP S6019666 B2 JPS6019666 B2 JP S6019666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealed
- solder
- soldering
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、DIP(DuallminePackbag
e)型樹脂封止半導体の外部リードに半田付けする樹脂
封止半導体の半田付装置に関する。
e)型樹脂封止半導体の外部リードに半田付けする樹脂
封止半導体の半田付装置に関する。
一般に半導体素子をェポキシ樹脂等で封止して樹脂封止
体を形成し、この樹脂封止体の両側部から外部リードを
対向するように並列に突設した所謂DIP型樹脂封止半
導体(以下、単に樹脂封止半導体と託す。
体を形成し、この樹脂封止体の両側部から外部リードを
対向するように並列に突設した所謂DIP型樹脂封止半
導体(以下、単に樹脂封止半導体と託す。
)は、外部リードーこ錫メッキ或は半田付けを施して保
護されている。就中、近年では自動化の容易な半田付け
によって外部リードを保護する手段が採用されている。
護されている。就中、近年では自動化の容易な半田付け
によって外部リードを保護する手段が採用されている。
而して、樹脂封止半導体は、外部IJ−ドが樹脂封止体
の両側部から突出されているため、第1図に示す如く半
田槽1の開□部2から常時熔融した半田3を噴流せしめ
るようにした半田付装置4を用いてその閉口部2の半田
噴流に樹脂封止体5の下部半分を浸薄することにより外
部リード6に半田付を施していた。このためこのような
半田付装置4では、外部リード6に半田付を施す際に樹
脂封止体5の下部半分が200〜300ooに保持され
た半田噴流に浸潰されるため、樹脂封止体5に歪が生じ
たり或はクラックが発生し、樹脂封止半導体7の特性を
劣化させる問題があった。
の両側部から突出されているため、第1図に示す如く半
田槽1の開□部2から常時熔融した半田3を噴流せしめ
るようにした半田付装置4を用いてその閉口部2の半田
噴流に樹脂封止体5の下部半分を浸薄することにより外
部リード6に半田付を施していた。このためこのような
半田付装置4では、外部リード6に半田付を施す際に樹
脂封止体5の下部半分が200〜300ooに保持され
た半田噴流に浸潰されるため、樹脂封止体5に歪が生じ
たり或はクラックが発生し、樹脂封止半導体7の特性を
劣化させる問題があった。
また、第2図に示す如く、上述の半田付装置4を用いて
その関口部2の半田噴流に樹脂封止半導体7の片側の外
部リード6だけを浸潰して半田付けした後、これを18
0o反転して他方の外部リード6を再び半田暖流に浸潰
して半田付けすることも行われている。
その関口部2の半田噴流に樹脂封止半導体7の片側の外
部リード6だけを浸潰して半田付けした後、これを18
0o反転して他方の外部リード6を再び半田暖流に浸潰
して半田付けすることも行われている。
しかしながら、反転操作によって両側部の外部リード6
に半田付けを施す手段では極めて作業性が悪い。
に半田付けを施す手段では極めて作業性が悪い。
また、樹脂封止体5を形成する樹脂の熱分解が200o
o以上で急激に進行するとともに、そのガラス転位点が
170qo前後にあるため、上述の半田付装置4を用い
て反転操作によって外部リード6に半田付を施すように
しても依然半田付け時に樹脂封止体5に歪或はクラツク
が発生するのを完全には防ぐことができない問題があっ
た。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、
半田付け時に樹脂封止体に歪やクラックが発生するのを
防止して外部リード‘こ容易に半田付を施すことができ
る樹脂封止半導体の半田付装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
o以上で急激に進行するとともに、そのガラス転位点が
170qo前後にあるため、上述の半田付装置4を用い
て反転操作によって外部リード6に半田付を施すように
しても依然半田付け時に樹脂封止体5に歪或はクラツク
が発生するのを完全には防ぐことができない問題があっ
た。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、
半田付け時に樹脂封止体に歪やクラックが発生するのを
防止して外部リード‘こ容易に半田付を施すことができ
る樹脂封止半導体の半田付装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第3図は、本発明の一実施例の平面図であり、第4図は
、同実施例のW−N線に沿う断面図である。
、同実施例のW−N線に沿う断面図である。
図中1川ま、半田槽であり、半田槽10の関口部11か
らは溶融した半田12が外部に噴流している。半田槽1
0の開口綾部11aには、開口縁部1 18と略同形状
の枠体13に断面凹形のボート14を複数個架設した樹
脂封止半導体15の保持臭16が載架されている。ボー
ト14には複数個の樹脂封止半導体15が取付けられて
いる。保持具16を形成するボート14及び枠体13の
材質としては、熱伝導率の低いステンレス、或はテフロ
ン等を使用するのが望ましい。ボート14の大きさは、
取付ける樹脂封止半導体15の大きさ及び数に応じて設
定し、特にボート14の長手方向に沿う側壁14aの縁
部で樹脂封止半導体15の鏡斜した側面15a部を支持
して、樹脂封止半導体15の下面15bとボート14の
底面14bとの間に空隙部14cを形成するように設定
されている。
らは溶融した半田12が外部に噴流している。半田槽1
0の開口綾部11aには、開口縁部1 18と略同形状
の枠体13に断面凹形のボート14を複数個架設した樹
脂封止半導体15の保持臭16が載架されている。ボー
ト14には複数個の樹脂封止半導体15が取付けられて
いる。保持具16を形成するボート14及び枠体13の
材質としては、熱伝導率の低いステンレス、或はテフロ
ン等を使用するのが望ましい。ボート14の大きさは、
取付ける樹脂封止半導体15の大きさ及び数に応じて設
定し、特にボート14の長手方向に沿う側壁14aの縁
部で樹脂封止半導体15の鏡斜した側面15a部を支持
して、樹脂封止半導体15の下面15bとボート14の
底面14bとの間に空隙部14cを形成するように設定
されている。
枠体13は、半田槽10の閉口部11の形状と略等しい
形状を有し、関口縁部11aに着脱自在に戦架できるよ
うに組立てられている。
形状を有し、関口縁部11aに着脱自在に戦架できるよ
うに組立てられている。
また、枠体13には、枠体13を関口緑部11aに萩架
した際に、ボート14の下面が開口部11の半田噴流を
第5図に示す如く、2個の山形に押し分けてこの半田噴
流の山形部12aに樹脂封止半導体15の外部リード1
5aが浸薄するようにして各々のボート14が架設され
ている。而して、このように構成された樹脂封止半導体
の半田付装置17では、樹脂封止半導体15の複数個を
保持具16のボート14に取付けて、この保持臭16を
数秒間(通常3〜6秒)半田槽10の関口縁部11aに
載架すると、保持臭16全体の自重によって半田噴流は
第5図に示す如くボート14の両側部で山形状に盛り上
り、この山形部12aに外部リード18が浸潰されて半
田付けが施される。
した際に、ボート14の下面が開口部11の半田噴流を
第5図に示す如く、2個の山形に押し分けてこの半田噴
流の山形部12aに樹脂封止半導体15の外部リード1
5aが浸薄するようにして各々のボート14が架設され
ている。而して、このように構成された樹脂封止半導体
の半田付装置17では、樹脂封止半導体15の複数個を
保持具16のボート14に取付けて、この保持臭16を
数秒間(通常3〜6秒)半田槽10の関口縁部11aに
載架すると、保持臭16全体の自重によって半田噴流は
第5図に示す如くボート14の両側部で山形状に盛り上
り、この山形部12aに外部リード18が浸潰されて半
田付けが施される。
このようにこの樹脂封止半導体の半田付装置17によれ
ば、半田噴流に接触するのはほとんど外部リード18の
部分であり、突発的に樹脂封止体19の側面部分が接触
してもその面積は樹脂封止体19の全表面積の極一部分
である。
ば、半田噴流に接触するのはほとんど外部リード18の
部分であり、突発的に樹脂封止体19の側面部分が接触
してもその面積は樹脂封止体19の全表面積の極一部分
である。
よって、数秒間の接触では半田噴流の温度が250qo
位の場合には、樹脂封止体19内の温度は130qo以
下に保つことができる。つまり、外部リード18の半田
付けの際に樹脂封止半導体15の内部温度が上昇する原
因は、半田噴流と接触した外部リード18からの熱伝達
よりも半田噴流と接触した樹脂封止体15からの熱伝達
による方が大きく、この樹脂封止半導体の半田付装置1
7によればこの樹脂封止体19からの熱伝達を著しく抑
えて樹脂封止体19内の温度上昇を抑制することができ
るものである。
位の場合には、樹脂封止体19内の温度は130qo以
下に保つことができる。つまり、外部リード18の半田
付けの際に樹脂封止半導体15の内部温度が上昇する原
因は、半田噴流と接触した外部リード18からの熱伝達
よりも半田噴流と接触した樹脂封止体15からの熱伝達
による方が大きく、この樹脂封止半導体の半田付装置1
7によればこの樹脂封止体19からの熱伝達を著しく抑
えて樹脂封止体19内の温度上昇を抑制することができ
るものである。
この作用は、ボート14と樹脂封止体19との間に空気
が流通する空隙部が設けられているので更に助長される
。また、樹脂封止体19を形成するェポキシ樹脂等の熱
応力Sは、次式で表わされる。
が流通する空隙部が設けられているので更に助長される
。また、樹脂封止体19を形成するェポキシ樹脂等の熱
応力Sは、次式で表わされる。
S=ノ法EくQ.−Q2)dT
但し、 S:熱り6力
E:樹脂のヤング率
Q,:樹脂の線膨張係数
Q2:樹脂で封止された半導体素子の
線膨張係数
t,一to:半田付けの前後における樹脂の温度変化而
して、この樹脂封止半導体の半田付装置17によれば、
樹脂封止体19内の温度は樹脂のガラス転移点(Tg、
約200q0前後)よりも遥かに低い温度に保つことが
できるので、樹脂の線膨張係数Q,は、2〜2.5×1
0‐5/℃程度に保たれる。
して、この樹脂封止半導体の半田付装置17によれば、
樹脂封止体19内の温度は樹脂のガラス転移点(Tg、
約200q0前後)よりも遥かに低い温度に保つことが
できるので、樹脂の線膨張係数Q,は、2〜2.5×1
0‐5/℃程度に保たれる。
ガラス転移点Tgを越えると線膨張係数Q,は、6〜8
×10‐5/℃となる。つまり、樹脂封止体19の内部
温度がガラス転移点より遥かに低い値に保たれるので樹
脂の対応力Sはガラス転移点Tgを越えた場合に比べて
極めて4・さな値となる。その結果、半田付け時に樹脂
封止体19に歪或はクラツクが発生するのを阻止するこ
とができる。上述の如くしてこの樹脂封止半導体の半田
付装置17によって約10の固の樹脂封止半導体1 5
の外部リード18に半田付けを施し、リーク電流が10
‐8Am以上になった不良品の数を調べたところ0.7
%以下であった。また、樹脂封止体19内の素子に取付
けられたワイヤが切断したものは全くなかつた。同様の
試験を第1図及び第2図に示す従来の半田付装置4で半
田付を施された樹脂封止半導体15のION卸こついて
行ったところ、リーク電流が10‐8Am以上になった
不良品の数は65%であり、樹脂封止体5内の素子に取
付けられたワイヤが切断したものの数は4%であった。
×10‐5/℃となる。つまり、樹脂封止体19の内部
温度がガラス転移点より遥かに低い値に保たれるので樹
脂の対応力Sはガラス転移点Tgを越えた場合に比べて
極めて4・さな値となる。その結果、半田付け時に樹脂
封止体19に歪或はクラツクが発生するのを阻止するこ
とができる。上述の如くしてこの樹脂封止半導体の半田
付装置17によって約10の固の樹脂封止半導体1 5
の外部リード18に半田付けを施し、リーク電流が10
‐8Am以上になった不良品の数を調べたところ0.7
%以下であった。また、樹脂封止体19内の素子に取付
けられたワイヤが切断したものは全くなかつた。同様の
試験を第1図及び第2図に示す従来の半田付装置4で半
田付を施された樹脂封止半導体15のION卸こついて
行ったところ、リーク電流が10‐8Am以上になった
不良品の数は65%であり、樹脂封止体5内の素子に取
付けられたワイヤが切断したものの数は4%であった。
以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止半導体の半田
付装置によれば、ボートに樹脂封止半導体を取付けて樹
脂封止体と半田噴流とが接触するのを防止して外部リー
ドの半田付けを行うようにしたので、半田付け時におけ
る歪やクラックの発生を防止して極めて高品質の樹脂封
止半導体を容易に製造することができる等顕著な効果を
有するものである。
付装置によれば、ボートに樹脂封止半導体を取付けて樹
脂封止体と半田噴流とが接触するのを防止して外部リー
ドの半田付けを行うようにしたので、半田付け時におけ
る歪やクラックの発生を防止して極めて高品質の樹脂封
止半導体を容易に製造することができる等顕著な効果を
有するものである。
第1図及び第2図は、従来の半田付装置で樹脂封止半導
体装置の外部リー日こ半田付けを行っている状態を示す
説明図、第3図は、本発明の一実施例の平面図、第4図
は、同実施例の第3図のW一W線に沿う断面図、第5図
は、同実施例のボートの作用を示す説明図である。 10……半田槽、11・・・・・・関口部、12・・・
・・・半田、14……ボート、15・・・…樹脂封止半
導体、17・・・・・・樹脂封止半導体の半田付装置。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図
体装置の外部リー日こ半田付けを行っている状態を示す
説明図、第3図は、本発明の一実施例の平面図、第4図
は、同実施例の第3図のW一W線に沿う断面図、第5図
は、同実施例のボートの作用を示す説明図である。 10……半田槽、11・・・・・・関口部、12・・・
・・・半田、14……ボート、15・・・…樹脂封止半
導体、17・・・・・・樹脂封止半導体の半田付装置。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 1 樹脂封止体の両側部に外部リードを突設したDIP
型樹脂封止半導体を、該樹脂封止体の下部で保持する断
面凹形のボートと、該ボートが着脱自在に載架される開
口部を有し、且つ半田を注入せる半田槽とを具備してな
り、前記開口部から噴流する溶融半田で前記外部リード
に半田付けせしめるようにしてなることを特徴とする樹
脂封止半導体の半田付装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54168531A JPS6019666B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 樹脂封止半導体の半田付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54168531A JPS6019666B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 樹脂封止半導体の半田付装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5691456A JPS5691456A (en) | 1981-07-24 |
| JPS6019666B2 true JPS6019666B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=15869743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54168531A Expired JPS6019666B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | 樹脂封止半導体の半田付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019666B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158993A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の半田処理方法および装置 |
| JPS58158992A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | 株式会社日立製作所 | 半田処理方法 |
-
1979
- 1979-12-25 JP JP54168531A patent/JPS6019666B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5691456A (en) | 1981-07-24 |
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