JPS6046058A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6046058A
JPS6046058A JP58154554A JP15455483A JPS6046058A JP S6046058 A JPS6046058 A JP S6046058A JP 58154554 A JP58154554 A JP 58154554A JP 15455483 A JP15455483 A JP 15455483A JP S6046058 A JPS6046058 A JP S6046058A
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JP
Japan
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leads
lead
resin
support
semiconductor element
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JP58154554A
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Takayuki Uno
宇野　隆行
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係シ、特に樹脂封止型の半導体装
置の構造に関するものである。
樹脂封止型半導体装置はセラミック封止品と比して安価
であシ、大量生産向きという理由から、現在の主流のパ
ッケージング方式となりてし１右。
しかしながら樹脂封止型半導体装置は上記のような利点
はあるものの耐湿性が劣るという欠点があシ、この問題
は依然として解決されていない。
また近年パッケージの小屋化、薄型化の要求が高まシ、
半田浸し等の熱ストレスによる耐湿性劣化問題が顕著に
なってきた。
上記半田浸しによる耐湿性劣化は、半田浸しの熱ストレ
スによシ半導体素子やリードフレームと封止樹脂との界
面で剥離が起こシ、水分や活性不純物が容易に侵入でき
る経路が生じることが原因と考えられる。
特に従来技術においては半導体素子を載置するタブ部の
支持リードがリードフレーム外枠に連結されており、個
々の半導体装置に分離する時に連結部をプレスにて切断
する方法がとられている。
そのため半田浸しを行なった際の熱ストレスによシ、該
支持リードの連結部における切断箇所付近から界面剥離
を生じた場合には、該支持リードと封止樹脂との界面を
フラックス等の活性な不純物が容易に半導体素子近傍に
達し、Ａ７電極または配線が腐食不良を起こすという欠
点があった。
本発明の目的は上述の半田浸しによる耐湿性劣化を生じ
ない昼信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するため本発明の要旨は、半導体素子な
載ｔ４するタブ部の支持リードが、他の内部リードと有
機接着剤を介して支持材にて連結、固定され、かつ該タ
ブ部の支持リードが封止樹脂内部に埋め込まれているこ
とを％敵とする。
本発明によれば、タブ部の支持リードが封止樹脂内に完
全に埋め込まれていることにより、半田浸しを行なって
も従来品のような不純物の侵入経路が生じない。
またタブ部の支持リードと内部リードとを支持材にて連
結、固着するのに有機接着剤層を用いるととＫよシ、封
止樹脂との膨張差に基く剥離が生じないため、内部リー
ドと封止樹脂界面から不純物や水が侵入しても、該有機
接着剤層で止めることができる。
以上の様に半田浸し時のストレスに起因する外部からの
不純物や水分の主なる侵入経路を本発明を用いて遮断す
ることが可能となシ、半田浸し後の耐湿性劣化の無い冒
信頼性をイ」する樹脂封止型半導体装置が実現でさる。
次に本発明につい１実施例を用いで説明する。
従来の半導体装置を通常のプーアルインラインパッケー
ジ（ＤＩＰ）で胱鴨すると第１ＵＡ（司及び（ｂ）で示
すように、螢や銀メッキ等の施ぜれた半導体素子を載置
するタブ部１ａ及び該タブ部の支持リード２ａ’（ｒ有
するリードフレームに半導体素子３ａを金属ロー材４ａ
等で該タブ部１ａに固着し、該半導体素子と複数の内部
リード５ａとを導体であるボンディングワイヤー６ａで
接続した後に、モールド樹脂７ａＫよシ封止されていた
。
その後各内部リード−Ｊの連結部（タイバー）８ａと、
リードフレームの外枠９ａとタブ部の支持リード２ａと
の連結部１０ａ　とを切断して１個１個のモールドＩＣ
になる。このような構造の場合、半田浸し等の急激な熱
ストレスに、ｌ：！＋熱膨張係数が異なシ、密着力に乏
しい支持リード２ａや　１内部リード５ａとモールド樹
脂との界面で剥離が生じ、特に支持リード２ａからは直
接半導体素子３ａの近傍に不純物が侵入することＫなシ
、耐湿性劣化は免れない。
これに対して本発明の実施例は第２図（ａ）及び（１）
）に示すようにタブ部１ｂの支持リード２ｂは有機接着
剤１１ｂを介して支持材１２ｂにて内部リード５ｂに連
結、固定されている。
また該支持リード２ｂはモールド樹脂７ｂの封止範囲内
に入るように予め切断されている。このような構造をと
ったことによシ、半田浸し等の急激な熱ストレスを与え
ても外部からの不純物や水分の主な侵入経路が遮断され
ているため、耐湿性劣化が生じない。
なおこの場合、有機接着剤１１ｂの材質としては後に半
導体素子をマムント、ボンディングする工程での加熱条
件に耐えられるものを用いるのは言うまでもなく、中で
もポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、テフロン
系、ポリブタジェン系の樹脂が有効であるが限定される
ものではない。
また熱膨張係数や熱伝導率、耐熱性を改善するため一般
に充填剤を混入した方がよシ好ましい結果が得られるこ
とがわかった。例としては絶縁性接着剤では５０〜９０
ｗｔ％のシリカ（Ｓｉｆｔ）を添加したもの、導電性接
着剤では銀等の戴ｈ４粉末を６０〜９０ｗｔ％硲加した
ものが効果があったが、これも特に限定されるものでは
ない。
またタブ部の支持リードと内部リードとの連結固定用の
支持材としては耐熱性、剛性の旨いものがマウント、ボ
ンディング工程での取扱い上好ましいものである。例と
して４２＠金、鋼合金等の金属、アルミノ等の無機酸化
物、ポリイミド系。
エポキシ系、シリコーン系等のＭ機樹脂材料などがある
。これらの支持材と上述の有機接着剤の材質の組合せは
タブ部の内部リードとの導通の必要性の有無によシ使い
分ければ良い。
なお該支持材の形状としては短冊状、コの字状。
口の字状等が好ましいが特に限定されるものではない。
次に本発明の一実施例の一実楕例のリードフレームの製
造方法としてはまず従来形状のリードフレーム、すなわ
ちタブ部の支持リードがリードフレームの外枠等と連結
されているリードフレームな作成した後、イｆ重接着剤
を介して支持材をタブ部の支持リードと内部リードとに
連結、固定する。
その後タブ部の支持リードとリードフレームの外枠との
連結部をプレス、エツチング等ＫＪＩＩ７切断すれば良
い。
以上詳述したように本発明によれば半田浸しによる耐湿
性劣化の問題を解消し、高信頼性で商品価値の高い半導
体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図ｆａ）は従来の半導体装置の上面図であり、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）のｌ−／’線における断面図で
ある。また第２図（ａ）は本発明による一実施例の半導
体装置の上面図であシ、第２図中）は第２１伸）の、、
／線における断面図である。 なお図において、ｌａ、ｌｂ・・・・・・タブ部、２ａ
。 ２ｂ・・・・・・タブ部の支持リード、３ａ、３ｂ・・
・・・・半導体素子、４ａ、４ｂ・・・・・・ロー材、
５ａ、５ｂ・・・・・・内部リード、６ａ、６ｂ・・・
・・・ボンディングワイヤー、７ａ、７ｂ・・・・・・
モールド樹脂％　８ａ＃８ｂ・・・・・・タイバー＝、
、ｇａ、ｇｂ・・・・・・リードフレームの外枠、１０
ａ・・・・−・タブ部の支持リードと外枠との連結部、
ｌｌｂ・・・・・・絶縁性有機接着剤、１２ｂ・・・・
・・支持材、である。 代理人　弁理士　内　原　２・　“°０゛ｂｉｉ、’　
〜ハ 叉・−・シ」二、ノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を載置するタブ部の支持リードが、他の内部
    リードと有機接着剤を介して支持材にて連結、固定され
    、かつ該タブ部の支持リードが封止樹脂内部に埋め込ま
    れていることを４１！徴とする半導体装置。
JP58154554A 1983-08-24 1983-08-24 半導体装置 Pending JPS6046058A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58154554A JPS6046058A (ja) 1983-08-24 1983-08-24 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58154554A JPS6046058A (ja) 1983-08-24 1983-08-24 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS6046058A true JPS6046058A (ja) 1985-03-12

Family

ID=15586785

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58154554A Pending JPS6046058A (ja) 1983-08-24 1983-08-24 半導体装置

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JP (1) JPS6046058A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS629656A (ja) * 1985-07-08 1987-01-17 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ム
US4788583A (en) * 1986-07-25 1988-11-29 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS629656A (ja) * 1985-07-08 1987-01-17 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ム
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