JPS60200528A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS60200528A JPS60200528A JP59056225A JP5622584A JPS60200528A JP S60200528 A JPS60200528 A JP S60200528A JP 59056225 A JP59056225 A JP 59056225A JP 5622584 A JP5622584 A JP 5622584A JP S60200528 A JPS60200528 A JP S60200528A
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- cathode
- dry etching
- magnetron cathode
- etching
- magnetron
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
する際に用いるドライエッチング装置に関する。
近年，半導体集積回路の微細化は著しく，従来のウエッ
トエッチングでは，この微細パターンを加工することが
困難となシ，これに代って，ドライエッチングによる異
方性エッチングがこれらの集積回路の加工に欠くことの
出来ない技術となっている。この種のドライエッチング
装置には，いくつかの方式があり，例えば、平行平板型
電極を備えたプラズマエツチング方法によれば，高周波
が印加される電極に対向した側に試料を載置して。
トエッチングでは，この微細パターンを加工することが
困難となシ，これに代って，ドライエッチングによる異
方性エッチングがこれらの集積回路の加工に欠くことの
出来ない技術となっている。この種のドライエッチング
装置には，いくつかの方式があり，例えば、平行平板型
電極を備えたプラズマエツチング方法によれば，高周波
が印加される電極に対向した側に試料を載置して。
ＣＦ やＣＣｌ−４等の弗素や塩素等のハロダン化物を
含む反応性ガスの高周波プラズマによシ，アルミニウム
，シリコン酸化膜，ポリシリコンなどをエツチングする
ことができる。また、これ等電極間隔を調整することに
よって，フォトレジストや，下地材料との間にエツチン
グ速度の高い選択性を保持しながらエツチングすること
ができるため，半導体製造のエツチング工程で一般的に
用いられるようになってきた。
含む反応性ガスの高周波プラズマによシ，アルミニウム
，シリコン酸化膜，ポリシリコンなどをエツチングする
ことができる。また、これ等電極間隔を調整することに
よって，フォトレジストや，下地材料との間にエツチン
グ速度の高い選択性を保持しながらエツチングすること
ができるため，半導体製造のエツチング工程で一般的に
用いられるようになってきた。
しかし、このプラズマエツチング装置においても，量産
規模によっては微細加工を行おうとすると種々の問題の
生じることが明らかとなった。例えば、シリコン酸化膜
をＣＨＦ３と０２の混合ガスでエツチングする場合，エ
ツチング速度がたかだか５００νｍｌｎと低いため，５
０００Ｘのシリコン酸化膜をエツチングする場合には追
加エツチングを含めて約１２〜１５分のエツチング時間
が必要である。エツチング速度を上昇させようとして。
規模によっては微細加工を行おうとすると種々の問題の
生じることが明らかとなった。例えば、シリコン酸化膜
をＣＨＦ３と０２の混合ガスでエツチングする場合，エ
ツチング速度がたかだか５００νｍｌｎと低いため，５
０００Ｘのシリコン酸化膜をエツチングする場合には追
加エツチングを含めて約１２〜１５分のエツチング時間
が必要である。エツチング速度を上昇させようとして。
高周波電力を増加すると，ｆラズマ電位が上昇してしま
って反応容器壁面がスパッタされる割合が大きくなシ，
基板表面が反応容器の構成材料である重金属等で汚染さ
れたシ，高エネルギーのイオン衝撃によりデバイス特性
に悪影響を与えたシする。一方，アルミエッチングやポ
リシリコンエツチングの場合にあっても，エツチング速
度が実用レベルでたかだか１ ０ ０ ０ Ｖｍｉｎで
あるため，これを量産装置として用いる場合には，６〜
１０枚程度を同時に処理する，いわゆるパッチ式装置が
コスト・ぐ−フォーマンス上優れていた。ところが。
って反応容器壁面がスパッタされる割合が大きくなシ，
基板表面が反応容器の構成材料である重金属等で汚染さ
れたシ，高エネルギーのイオン衝撃によりデバイス特性
に悪影響を与えたシする。一方，アルミエッチングやポ
リシリコンエツチングの場合にあっても，エツチング速
度が実用レベルでたかだか１ ０ ０ ０ Ｖｍｉｎで
あるため，これを量産装置として用いる場合には，６〜
１０枚程度を同時に処理する，いわゆるパッチ式装置が
コスト・ぐ−フォーマンス上優れていた。ところが。
最近のように，ウェハーの直径が１ ２ ５ ｍｍとか
１５０諭など大口径化して来ると，これを前記パッチ式
処理装置で処理しようとすると，電極面積を大きく取ら
ざるを得す，このために、装置は大型化せざるを得なく
なる。その上，ウエノ・一面内のエツチング速度の均一
性は悪化の傾向を示し通常のパッチ装置では大口径ウェ
ハーの微細加工処理は極めて困難なものとなって来た。
１５０諭など大口径化して来ると，これを前記パッチ式
処理装置で処理しようとすると，電極面積を大きく取ら
ざるを得す，このために、装置は大型化せざるを得なく
なる。その上，ウエノ・一面内のエツチング速度の均一
性は悪化の傾向を示し通常のパッチ装置では大口径ウェ
ハーの微細加工処理は極めて困難なものとなって来た。
これに対して，ウェハー１枚ごとに逐次処理する枚葉処
理装置においては，１μＭｉｎｉｎ程度のエツチング速
度を実現する平行平板型高速エツチング装置が既に考え
られているが，この装置を使って高速でエツチングする
場合には，エツチング加工特性が悪く，殊にイオン衝撃
がデバイスに与える損傷が大きくなるという欠点があっ
て，微細加工では，ｌ／、ず１−もＩａ♀すＡ層性カｘ
ｓｂれていｈい。とれ等の理由により，ダメージを少く
シ，かつ高速エツチングを実現する装置として，最近磁
場を用いて前記の方法よりも１〜２桁圧力の低い領域で
高速エツチングする高速マグネトロンエツチング方式（
例えば、特願昭５６−１５１３９４号参照）が考案され
た。しかし、この方式の装置では，電場と磁場が丁度直
交している部分のみにプラズマが集中する性質があるた
め，マグネットの駆動によシプラズマを頻繁に移動させ
，磁界を変化させることによってウェハー内のエツチン
グ速度分布の均一化を計る必要がある。そのために、マ
グネットの駆動機構に多大な費用がかかるという欠点が
ある。また、更には，エツチングされる基板の側に高い
高周波電圧が印加されるため，イオン衝撃は依然として
大きくなるという問題が残る。
理装置においては，１μＭｉｎｉｎ程度のエツチング速
度を実現する平行平板型高速エツチング装置が既に考え
られているが，この装置を使って高速でエツチングする
場合には，エツチング加工特性が悪く，殊にイオン衝撃
がデバイスに与える損傷が大きくなるという欠点があっ
て，微細加工では，ｌ／、ず１−もＩａ♀すＡ層性カｘ
ｓｂれていｈい。とれ等の理由により，ダメージを少く
シ，かつ高速エツチングを実現する装置として，最近磁
場を用いて前記の方法よりも１〜２桁圧力の低い領域で
高速エツチングする高速マグネトロンエツチング方式（
例えば、特願昭５６−１５１３９４号参照）が考案され
た。しかし、この方式の装置では，電場と磁場が丁度直
交している部分のみにプラズマが集中する性質があるた
め，マグネットの駆動によシプラズマを頻繁に移動させ
，磁界を変化させることによってウェハー内のエツチン
グ速度分布の均一化を計る必要がある。そのために、マ
グネットの駆動機構に多大な費用がかかるという欠点が
ある。また、更には，エツチングされる基板の側に高い
高周波電圧が印加されるため，イオン衝撃は依然として
大きくなるという問題が残る。
本発明の第１の目的は，上記従来の欠点を除去し，試料
面内のエツチング速度の均一性を高め。
面内のエツチング速度の均一性を高め。
かつ高速で試料をエツチングすることのできるドライエ
ツチング装置を提供することにある。
ツチング装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は，プラズマ密度を高めるだめのマ
グネトロン電極に印加される電圧を充分強力にしつつ、
試料に損傷を与えることなく高速エツチングすることの
できるドライエツチング装置を提供することにある。
グネトロン電極に印加される電圧を充分強力にしつつ、
試料に損傷を与えることなく高速エツチングすることの
できるドライエツチング装置を提供することにある。
本発明によれば、電極の内部に設けられた磁石により該
電極の表面の近傍に該表面よシ磁力線を出入するように
発生させる柱状のマグネトロン陰極と、該マグネトロン
陰極の周囲を囲む反応容器の壁等によシ形成される陽極
と、該陽極上の前記マグネトロン陰極の柱面に対向する
位置に設けられ、かつ接地された試料載置台と、前記マ
グネトロン陰極と前記陽極との間に高周波、または直流
電圧を印加して、前記磁力線にほぼ直交する電気力線を
発生する手段と、前記柱状のマグネトロン陰極の軸に平
行な磁界を該マグネトロン陰極と前記試料載置台との間
の空間に発生させる手段とを備え、該試料載置台上に載
置された試料を反応容器中に導入した活性ガスのプラズ
マによシエソチングすることを特徴とするドライエツチ
ング装置が得られる。
電極の表面の近傍に該表面よシ磁力線を出入するように
発生させる柱状のマグネトロン陰極と、該マグネトロン
陰極の周囲を囲む反応容器の壁等によシ形成される陽極
と、該陽極上の前記マグネトロン陰極の柱面に対向する
位置に設けられ、かつ接地された試料載置台と、前記マ
グネトロン陰極と前記陽極との間に高周波、または直流
電圧を印加して、前記磁力線にほぼ直交する電気力線を
発生する手段と、前記柱状のマグネトロン陰極の軸に平
行な磁界を該マグネトロン陰極と前記試料載置台との間
の空間に発生させる手段とを備え、該試料載置台上に載
置された試料を反応容器中に導入した活性ガスのプラズ
マによシエソチングすることを特徴とするドライエツチ
ング装置が得られる。
次に２本発明によるドライエツチング装置について実施
例を挙げ２図面を参照して説明する。
例を挙げ２図面を参照して説明する。
第１図は９本発明による実施例の構成を示す側断面図で
ある。この図において、１は断面が円形。
ある。この図において、１は断面が円形。
矩形、または多角形をした柱状のマグネ）ロン陰極であ
シ、この柱面に対向する位置には試料載置台２が設けら
れている。そして、この試料載置台２の上に試料４が載
置される。柱状の陰極１の内部には磁石３が収容されて
いる。この磁石３は永久磁石でも電磁石でもよい。また
、単数、複数の何れでもよいが、複数のときは、第２図
に見られるように、同極を対向させて収納する。陰極１
は絶縁体５を介して反応容器１０に取付けられている。
シ、この柱面に対向する位置には試料載置台２が設けら
れている。そして、この試料載置台２の上に試料４が載
置される。柱状の陰極１の内部には磁石３が収容されて
いる。この磁石３は永久磁石でも電磁石でもよい。また
、単数、複数の何れでもよいが、複数のときは、第２図
に見られるように、同極を対向させて収納する。陰極１
は絶縁体５を介して反応容器１０に取付けられている。
その構造は、必要に応じてシールド材で被われ、従来技
術により不要の放電が基部などに生じないように配慮さ
れている。陰極１への電源の供給は高周波電源６により
行われる。反応容器１０は排気管１１と排気バルブ１２
を介し、真空Ｉンゾに接続されている。反応ガスはガス
コントローラ１３を通して反応容器中に導入される。電
磁コイル１−４および１５は、柱状の陰極１と試料載置
台２との間の空間に、柱の軸にほぼ平行な磁界を発生さ
せるために設けられている。
術により不要の放電が基部などに生じないように配慮さ
れている。陰極１への電源の供給は高周波電源６により
行われる。反応容器１０は排気管１１と排気バルブ１２
を介し、真空Ｉンゾに接続されている。反応ガスはガス
コントローラ１３を通して反応容器中に導入される。電
磁コイル１−４および１５は、柱状の陰極１と試料載置
台２との間の空間に、柱の軸にほぼ平行な磁界を発生さ
せるために設けられている。
さて、上記のように構成された装置の動作について述べ
ると１反応容器１０を排気管１１を通して＋ １０−３
〜１０−５Ｔｏｒｒ程度の真空に排気した後。
ると１反応容器１０を排気管１１を通して＋ １０−３
〜１０−５Ｔｏｒｒ程度の真空に排気した後。
ガスコントローラー３を通じてＣＦ４やＢＣｌ３等のノ
ーロダン化活性ガスを導入し、真空度を１０〜１０−３
Ｔｏｒｒに保つ。この状態で、高周波電源Ｉにより。
ーロダン化活性ガスを導入し、真空度を１０〜１０−３
Ｔｏｒｒに保つ。この状態で、高周波電源Ｉにより。
高周波電力を柱状の陰極１と９反応容器１０との間に印
加すると、柱状陰極１の周辺にはプラズマが発生する。
加すると、柱状陰極１の周辺にはプラズマが発生する。
柱状陰゛極１とプラズマの間に生じるイオンシース中に
生じる電位勾配、すなわち、電気力線は、磁石３により
発生する磁界の磁力線Ａとほぼ直交するために、電子は
マグネトロ／運動を起こし、柱状陰極１の周辺を回転し
ながら移動する。しかし、その際、電子は柱状の陰極１
−の周辺でらせん運動を起こし、陰極に当ってはね返え
されるという状態が繰シ返されるために１．柱状電極１
の近傍にはプラズマ密度の非常に高い領域を生ずる。こ
のような高い密度のプラズマが生じると。
生じる電位勾配、すなわち、電気力線は、磁石３により
発生する磁界の磁力線Ａとほぼ直交するために、電子は
マグネトロ／運動を起こし、柱状陰極１の周辺を回転し
ながら移動する。しかし、その際、電子は柱状の陰極１
−の周辺でらせん運動を起こし、陰極に当ってはね返え
されるという状態が繰シ返されるために１．柱状電極１
の近傍にはプラズマ密度の非常に高い領域を生ずる。こ
のような高い密度のプラズマが生じると。
プラズマのインピーダンスが低下するため、低電圧で多
大なイオン電流を陰極に流すことが出来る。
大なイオン電流を陰極に流すことが出来る。
このため、柱状陰極１の柱面に対向して置かれた試料４
のエツチング速度は、従来のエツチング方式に比べて飛
躍的に改善される。そればかシでなく、試料４に入射す
るイオンの入射エネルギーを従来のプラズマエッチング
装置に比較して低くとることができ、しかも、集中プラ
ズマを試料載置台２の周辺に置くようにすることができ
るだめ。
のエツチング速度は、従来のエツチング方式に比べて飛
躍的に改善される。そればかシでなく、試料４に入射す
るイオンの入射エネルギーを従来のプラズマエッチング
装置に比較して低くとることができ、しかも、集中プラ
ズマを試料載置台２の周辺に置くようにすることができ
るだめ。
イオン入射や不純物汚染によるダメージの少ない高速エ
ツチングを行うことが可能になる。このとき２反応容器
１０の外周に設けられた電磁コイル１４および１５は磁
界Ｂを発生する。この磁界Ｂは陰極１の近傍に集中して
いるプラズマを試料４の方へ拡散させる働きをする。こ
の拡散の強さは各部材の寸法と配置によシ調整できるほ
か、電磁コイル１４および１５に流す電流を加減するこ
とによっても微細に調節することができる。
ツチングを行うことが可能になる。このとき２反応容器
１０の外周に設けられた電磁コイル１４および１５は磁
界Ｂを発生する。この磁界Ｂは陰極１の近傍に集中して
いるプラズマを試料４の方へ拡散させる働きをする。こ
の拡散の強さは各部材の寸法と配置によシ調整できるほ
か、電磁コイル１４および１５に流す電流を加減するこ
とによっても微細に調節することができる。
試料４を載置する試料載置台２としては、第１図と同様
のものを柱状電極１の周囲に複数個配置することができ
る。試料載置台２の試料４で覆われた部分以外の部分が
広いときは、その露出した部分を石英、有機物、弗素樹
脂等でつくられたカバーグレートで覆い、また柱状陰極
１の内部を水冷・やイゾで冷やすことが好ましい。柱状
陰極１の断面形状は、対向して設備される試料載置台の
数に応じて、それ等に平面状の柱面を対面させるのに都
合のよいように、３角、６角、８角等の多角形にするこ
とが必要である。また、対向柱面を緩やかな凸面、また
は凹面にすることも、エツチングの均一性向上に好影響
をもたらす。当然のことながら、試料載置台の１つの面
上に多くの試料を載置すれば、より多数の枚数のエツチ
ングが同時に可能である。
のものを柱状電極１の周囲に複数個配置することができ
る。試料載置台２の試料４で覆われた部分以外の部分が
広いときは、その露出した部分を石英、有機物、弗素樹
脂等でつくられたカバーグレートで覆い、また柱状陰極
１の内部を水冷・やイゾで冷やすことが好ましい。柱状
陰極１の断面形状は、対向して設備される試料載置台の
数に応じて、それ等に平面状の柱面を対面させるのに都
合のよいように、３角、６角、８角等の多角形にするこ
とが必要である。また、対向柱面を緩やかな凸面、また
は凹面にすることも、エツチングの均一性向上に好影響
をもたらす。当然のことながら、試料載置台の１つの面
上に多くの試料を載置すれば、より多数の枚数のエツチ
ングが同時に可能である。
以上の説明によシ明らかなように２本発明によれば、各
部材の大きさ、距離を適当に選び、磁界Ｂの方向および
大きさを微細に調節することによって、容易に均一な高
密度プラズマを試料面上に生せしめることができるため
、試料に損傷を与えることなく、均一、かつ高速エツチ
ングが可能となる。更に、電源としても電圧、電流およ
び直流。
部材の大きさ、距離を適当に選び、磁界Ｂの方向および
大きさを微細に調節することによって、容易に均一な高
密度プラズマを試料面上に生せしめることができるため
、試料に損傷を与えることなく、均一、かつ高速エツチ
ングが可能となる。更に、電源としても電圧、電流およ
び直流。
高周波の別なく適当に選定することができ、使用の簡便
性と工業的な有用性が高められる点において得られる効
果は大きい。
性と工業的な有用性が高められる点において得られる効
果は大きい。
第１図は本発明によるドライエツチング装置の実施例の
構成を示す側断面図、第２図は、第１図における磁石３
の他の例を示す構成図である。図において、１はマグネ
トロン陰極、２は試料載置台、３は磁石、４は試料、５
は絶縁体、６は高周波電源、１０は反応容器、１１は排
気管、１２は排気バルブ、 １３ハ、＋ｆスコントロー
ラ、１４゜１５は電磁コイルである。 第１図 】 第２図 Ｎ ５５ ＮＮ Ｓ 手続補正書 昭和６０年３月２５日 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第５６２２５号 ２、発明の名称 ドライエツチング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１５、補正
の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁第４行〜第７行にかけて「この図に
おいて、−−ｍ−試料載置台２が設けられている。」と
あるのを次の通り補正する。 ［この図において、１は断面が円形、矩形または、例え
ば３角、４角、６角、８角などの多角形をした柱状のマ
グネトロン陰極であり、この柱面に対向する位置には、
試料載置台２が設けられている。」 よ」甫Ｊ頌する。 （３）特許請求の範囲の欄の記載を別紙の通り補正する
。 ２、特許請求の範囲 １、電極の内部に設けられた磁石により該電極の表面の
近傍に該表面より磁力線を出入するように発生させる柱
状のマグネ１〜ロン陰極と、該マグネ１ヘロン陰極の周
囲を囲む反応容器の壁等により形成される陽極と、該陽
極上の前記マグネ１〜ロン陰極の柱面に対向する位置に
設けられ、かつ接地された試料載置台と、前記マグネト
ロン陰極と前記陽極との間に高周波、または直流電圧を
印加して、前記磁力線にほぼ直交する電気力線を発生す
る手段と、前記柱状のマグネトロン陰極の軸に平行な磁
界を該マグネトロン陰極と前記試料載置台との間の空間
に発生させる手段とを備え、試料載置台上に載置された
試料を反応容器中に導入した活性ガスのプラズマにより
エツチングすることを特徴とするドライエツチング装置
。 （別紙１） ユ、マグネトロン陰極の内部に設けられた磁石が複数個
の永久磁石で構成され、それぞれが互に同極を対向させ
て連結していることを特徴とする皐υ「請ＪリグｘｌＬ
第」扉鬼１１藍９□ドライエツチング装置。 土、マグネトロン陰極の試料載置台に対向する面が平面
５または緩やかな凸状、または凹状の曲面を形成してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２１又は
第３項記載のドライエツチング装置。 旦、試料載置台がマグネトロン陰極の周囲に対向して複
数個置かれていることを特徴とする請求戟立ドライエッ
チング装置。 旦．反応容器の外周に設けられた電磁コイルにより、マ
グネトロン陰極の軸に平行な磁界を発生させることを特
徴とする特許請求の範囲第１工、第２１運、第３１１、
７４１″又は第５椎記載のドライエツチング装置。 （別紙２）
構成を示す側断面図、第２図は、第１図における磁石３
の他の例を示す構成図である。図において、１はマグネ
トロン陰極、２は試料載置台、３は磁石、４は試料、５
は絶縁体、６は高周波電源、１０は反応容器、１１は排
気管、１２は排気バルブ、 １３ハ、＋ｆスコントロー
ラ、１４゜１５は電磁コイルである。 第１図 】 第２図 Ｎ ５５ ＮＮ Ｓ 手続補正書 昭和６０年３月２５日 １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第５６２２５号 ２、発明の名称 ドライエツチング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１５、補正
の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁第４行〜第７行にかけて「この図に
おいて、−−ｍ−試料載置台２が設けられている。」と
あるのを次の通り補正する。 ［この図において、１は断面が円形、矩形または、例え
ば３角、４角、６角、８角などの多角形をした柱状のマ
グネトロン陰極であり、この柱面に対向する位置には、
試料載置台２が設けられている。」 よ」甫Ｊ頌する。 （３）特許請求の範囲の欄の記載を別紙の通り補正する
。 ２、特許請求の範囲 １、電極の内部に設けられた磁石により該電極の表面の
近傍に該表面より磁力線を出入するように発生させる柱
状のマグネ１〜ロン陰極と、該マグネ１ヘロン陰極の周
囲を囲む反応容器の壁等により形成される陽極と、該陽
極上の前記マグネ１〜ロン陰極の柱面に対向する位置に
設けられ、かつ接地された試料載置台と、前記マグネト
ロン陰極と前記陽極との間に高周波、または直流電圧を
印加して、前記磁力線にほぼ直交する電気力線を発生す
る手段と、前記柱状のマグネトロン陰極の軸に平行な磁
界を該マグネトロン陰極と前記試料載置台との間の空間
に発生させる手段とを備え、試料載置台上に載置された
試料を反応容器中に導入した活性ガスのプラズマにより
エツチングすることを特徴とするドライエツチング装置
。 （別紙１） ユ、マグネトロン陰極の内部に設けられた磁石が複数個
の永久磁石で構成され、それぞれが互に同極を対向させ
て連結していることを特徴とする皐υ「請ＪリグｘｌＬ
第」扉鬼１１藍９□ドライエツチング装置。 土、マグネトロン陰極の試料載置台に対向する面が平面
５または緩やかな凸状、または凹状の曲面を形成してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２１又は
第３項記載のドライエツチング装置。 旦、試料載置台がマグネトロン陰極の周囲に対向して複
数個置かれていることを特徴とする請求戟立ドライエッ
チング装置。 旦．反応容器の外周に設けられた電磁コイルにより、マ
グネトロン陰極の軸に平行な磁界を発生させることを特
徴とする特許請求の範囲第１工、第２１運、第３１１、
７４１″又は第５椎記載のドライエツチング装置。 （別紙２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電極の内部に設けられた磁石によシ該電極の表面の
近傍に該表面上シ磁力線を出入するように発生させる柱
状のマグネトロン陰極と、該マグネトロン陰極の周囲を
囲む反応容器の壁等により形成される陽極と、該陽極上
の前記マグネトロン陰極の柱面に対向する位置に設けら
れ、かつ接地された試料載置台と、前記マグネトロン陰
極と前記陽極との間に高周波、または直流電圧を印加し
て、前記磁力線にほぼ直交する電気力線を発生する手段
と、前記柱状のマグネトロン陰極の軸に平置台上に載置
された試料を反応容器中に導入した特徴とするドライエ
ツチング装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載のドライエツチング装
置において、前記マグネトロン陰極の内部に設けられた
磁石が複数個の永久磁石で構成され、それぞれが互に同
極を対向させて連結していることを特徴とするドライエ
ツチング装置。 ３ 特許請求の範囲第１項、または第２項に記載のドラ
イエツチング装置において、前記マグネトロン陰極の前
記試料載置台に対向する面が平面。 または緩やかな凸状、−またけ凹状の曲面を形成してい
ることを特徴とするドライエツチング装置。 ４ 特許請求の範囲第１項、第２項、または第３項に記
載のドライエツチング装置において、前記試料載置台が
前記マグネトロン陰極の周囲に対向して複数個置かれて
いることを特徴とするドライエツチング装置。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項。 または第４項に記載のドライエツチング装置において、
前記反応容器の外周に設けられた電磁コイ＋＋、Ｉｆｆ
？ ｈ ＃ｆ巨戸−ｙ ＆ −）−ｋ ｆｆｌ ｖｋ
ｉ＆６’＋ｍＪＦ平２”Ｆ−ｈＥｌｔ界を発生させるこ
とを特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056225A JPS60200528A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056225A JPS60200528A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200528A true JPS60200528A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13021158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056225A Pending JPS60200528A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343299A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-24 | 理化学研究所 | 電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ発生装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59056225A patent/JPS60200528A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435172A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Anelva Corp | Chemical reactor using electric discharge |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343299A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-24 | 理化学研究所 | 電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ発生装置 |
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