JPS60200577A - 光電変換半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光電変換素子またはセル（以下単にセルと
いう）を絶縁表面を有する可曲性の基板上に複合化する
に関し、隣合ったセル間の切断線（開溝）を肉眼では十
分見分けに（い１００μ以下好ましくは１０〜５０μと
し、装置全体としての視覚的商品価値を向上させること
を目的としている。

この発明は、ステンレス基板等のり曲性基板上に絶縁表
面を有する薄膜、例えば有機樹脂薄膜を設け、かかる絶
縁表面を有する基板↓に第１の電極ラステンレス、クロ
ムまたはクロムを主成分とする耐熱性金属（以下単にク
ロムという）薄膜、アルミニュームのごとき反射性金属
とその上面の酸化スズのごとき透光性導電）挨とよりな
る複合電極により設りたものとである。かかる第１の電
極練性薄膜例えば自機樹脂筒１３にまった＜　ｔｉ傷を
与えることのない条件が実験的に存在することを見いだ
し、この事実を利用して半導体装置特に光電変換装置を
作製せんとしたものである。

このため、本発明においては、活性領域に設けられたセ
ルにおける有機樹脂薄膜（以下ＯＦという）の基板上に
、第１の電極と、この電極上に光照射により光起電力を
発生ずる非単結晶半導体と、該半導体上の第２の電極と
よりなる複数の素子を直列接続して配設するに関し、隣
合った素子間の電気的連結を活性領域の内部に開孔また
は開／ａＳ（以下単に開ｆしという）を設け、この開イ
しによりコンタクトを設けて成就したことを特長とする
。

光電変換装置の安価、多量生産のための基板として絶縁
表面を有する可曲性の薄膜の使用がめられてきた。

本発明はこのため、カールまたは熱処理により延び、縮
のないステンレス薄膜（厚さ５０〜１５０μ）とその上
にポリイミド樹脂（不透明であってよい）の耐熱性ＯＦ
を設けたものを基板とし、安価かつ安定性のよい可曲性
基板とした。

本発明はかかるＯＦと、その上の昇華性を有する導？ｌ
ｉ股特にクロムを生成分とする金属、酸化インジューム
または酸化スズを生成分とする導電性酸化膜に対して、
レーザ光を照射した時、この叶をｔｒＪ化せずにその上
の導電性薄膜を選択的に除去することができる条件を実
験的に検討したところ、そのレーザ光を１つの場所に長
時間（数十ｍ秒以上）照射することなく、また走査（ス
キャン）スピードを適切化することにより、この電極用
導電月料のみを除去することが可能であることを見いだ
した。

即ち、レーザ光の照射により叶は熱伝導率が小さい（一
般には１〜７　Ｘ　１Ｏ−４Ｃａｌ　／　ｓｅｃ　／　
ｃａ！　／　℃／ｃｍ）ため、同し位置に繰り返しレー
ザパルスを加えると、この有機樹脂内に熱が曹積され、
この熱で樹脂が炭化され切断されてしまう。しかしその
繰り返しを１回または数回とすると、この叶の熱伝導率
が導電性薄膜（以下ＣＦという）例えばクロムまたはア
ルミニュームとＣＴＦとの複合膜の１／１０〕であるた
め、逆にＣＦのみを選択的にレーザ光の照射された場所
のみ除去することができることを見いだした。

従来、非単結晶半導体特にアモルファスシＩ／コンを含
む非単結晶シリコンを主成分としたＰＩＮ接合により、
光起電力を光照射により発生させんとしていた。しかし
かがる接合を有する半導体の上下の電極は直列接続をす
るため、１つのセルの下側電極と隣のセルの上側電極と
の電気的連結を活性領域のＦ外側Ｊでさせなければなら
ず、かつ各セル間は互いに電気的にアイソレイトされて
いることを必要な条件としていた。

第１図は従来構造の代表的な例を示している。

第１図（Ａ）は光電変換装置（１）を透光性のガラス基
板（２）を下側にした背面より見た平面図である。

図面において、光照射により光起電力を発律する活性領
域（１４）と、各セル（１１）、＜１３）を連結する連
結部（１２）を有する非活性領域（１５）とを有する。

第１図（Ａ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’の縦断面図を対応さ
せて（Ｂ　＞、＜　Ｃ）に示していることより明らかな
ごとく、活性領域において各セル（１１）、（１３）は
ガラス基板（２）上の第１の電極の透光性導電ｎ’＝　
（ＣＴＦ　＞の（３）は各セル間で互いに分離されてい
る。また半導体（４）は各セル間にて互いに連結されて
いる・。また非活性領域において、セル（１３）の上側
電極は、セル（１１）の′Ｆ側電極と連結部（６）ｔ（
７）でのコンタクト（１８）で連結し、これを繰り返し
５つのセルを外部電極（８）４（９）間にて直列接続を
させている。

しかしこの従来構造は一見半導体（４）が１枚であるた
め製造歩留りが高いように見える。しかし実際には３種
類（第１の導電膜のパターニング用の第１のマスク、非
活性領域形成のための第２のマスク、第２の導電膜のパ
ターニング用の第３のマスク）のマスクを用いるが、そ
のマスクにおいて第１のマスクと第３のマスクとがセル
ファライン方式でないため、マスクずれを起こしやすい
。

このずれ（即ち金属マスクにおいては０．３〜１ｍｍの
ずれはごく当然である）により、セルの有効面積が１０
〜２０％も実質的に減少してしまうことが判明した。

さらにマスクを用いるため、第１図（Ｂ）の活性領域で
の電極間の開溝であるアイソレイション領域（２２）は
、０．２〜１ｍｍ例えば０．５　ｍｍを有するため、セ
ル中を１０ｍｍとする時、２ｎ＋ｍずれるとするとセル
中（１１）は８＋ｎｍとなり、アイソレイション中（２
２）は２．５ｍｍ　となってしまい、２０％近くも有効
面積が減少してしまう。またセルの外枠（１０）の占め
る面積も５〜７％もある。

このため上下の電極の組合せをセルフレジストレイジョ
ン化することがその効率の向上のために強くめられてい
た。

また第１図の従来例においては、基板に非活性領域（１
５）が設けられ、この非活性領域は基板全体における２
０〜３０％も占めてしまう。このためプロセス上の効率
が低くなり、ひいては製造コストの低下を図ることがで
きない。

このため非活性領域が存在しない光電変換装置を作るこ
とがきわめて重要であった。

さらに基板がガラス基板であるため、機械ストレスによ
り破ｍしやすい。このため基板として可曲性の厚さ５０
〜２００μの薄さの金属薄膜上に絶縁表面を有せしめる
ための叶を形成し、低価格化、耐機械破損防止を成就し
たものである。

即ち本発明においては、その代表例を第２図に示すが、
光照射（１０）面側からは複数の第２の電極の分離用の
肉眼では見えない中の開溝（ＩＩＪＩＯ〜７０μ代表的
には２０〜３０μ）（第２図（２０）　）が存在するの
みである。さらに第１図（Ａ）における領域（１５）の
ごとき非活性領域がまったく存在せず、連結部が即ち各
セルのアイソレイション領域を構成せしめている。加え
てＬＳを用い、かっレーザ光を単に直線状に走査するの
みでのマスクレスプロセスである。ため、第１の開溝を
テレヒモニターで積Ｊｉシて、その開溝を基準として所
定の位置に光学的にパターニングを行ういわゆるコンピ
ュータ・エイデツド・セルフレジストレイジョン方式を
採用することが可能になった。

また第１のセルの第１の電極と、第２のセルの第２の電
極との連結部のコンタクトは、基板の半導体「内部」　
（この第２図では中央部）に設け、従来例の半導体の外
側でのコンタクトとはその位置がまったく異なる。

さらにこの内部コンタクトにより、透光性導電膜の光電
変換装置に与える直列抵抗を小さくできる。この結果、
連結部をセルの外側に設けなかったことにより、著しく
その自効面積の効率の向上を図ることができた。

さらにこのコンタクトが隣合う′（・セル間の半導体を
すべて切断する構造で開講を作るのではなく、その開溝
（２０〜９０μφ）を１つまたは複数個不連続に円形状
または長円形状（開溝）に設げる（即ち、この開溝の端
部はそれぞれのセルを構成する半導体が連続している）
ことにより、この開講を実質的に肉眼で見い出し得す、
商品的にスクライブラインが目障りにならないようにで
きたという他の特長を有する。

またコンタクトが開孔であるため、その孔の側周辺のす
べての側面が第１の電極と第２の電極との連結部のコン
タクトを構成させることができ、この部分での接触抵抗
を３Ω以下に下げることができた。

本発明はかかる多（の特長を有するものであって、以下
に図面に従って°その詳細を記す。

第２図は本発明の光電変換装置の製造工程および装置を
示すものである。

図面において、Ｐｌさ１００μのステンレス薄膜（２′
）上にポリイミド樹脂または＋１４５　（住人ヘークラ
イト社型スミライト）（連続使用温度１５０〜３００℃
、熱伝導率　３−７　Ｘｌ０）Ｃａｌ　／ｓｅｃ　／ｃ
ｒＡ／’Ｃ／ｃｍ）（２つを１〜ｌＯμの厚さに形−成
し、これをして絶縁表面を有する基板（２）（例えば厚
さ１００μ、長さく図面では左右方向）　６０ｃｍ、１
１１２０ｃｍ）として用いた。

この針上に電子ビーム蒸′４法またはマグネトスパッタ
法にて耐熱性を有し、かつ昇華性を有する金属であるク
ロム（厚さ２０００人）または反射性金属であるアルミ
ニューム（１０００人）とその上にスパッタ法にてＳｎ
Ｏを１１００人の厚さに形成させ、知合の導電性薄膜を
用いた。するとそのソート抵抗は３．５Ω／口を有して
いた。

この図面は４つのセルを直列接続せしめた場合である。

即ち本発明の光電変換装置は、活性領域（１４）を同一
基板に１００〜２０００ケ同時に有するより大きい２０
ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍ（７）基体を用いた。

各セルでは、第１の導電膜を基体全面に形成した。さら
にこの導電膜を所定の形状にし〜ザ（ここでは１．０６
μまたは０．５３μの波長のＹＡＧ　レーザ）スクライ
ブをマイクロコンピュータにより記憶され制御されたバ
クーンに従って行って第１の開講（１６）を形成した。

さらにセルの外側でのリークを除去するため、分別用開
溝（２Ｇ＞、（２６’＞を形成させた。そしてセル領域
（１１人（１３）および外部接続用電極部（８＞、＜　
９　）を形成させた。

即ち、ここにＹＡＧ　レーザ（発光波長０．５３μ、焦
点距離５０ｍｍ、光（￥２０μ）を照射した。その条件
として、繰り返し同時に（ｉＫｌｌｚ、平均出力０．２
Ｗ、スキャンスピード（走査速度、以下ＳＳという）　
３０ｃｍ／分とした。

スクライビングにより形成された開？ｔ！１（１６）は
巾約２５μ、長さ２０ｃｍ　（図面では１　ｃｍ）、深
さは針上それぞれの第１の電極を完全に切断分離した。

第１の素子（１１）および第２の素子（１３）を構成す
る中は１０ｍｍとした。

この時電子顕微鏡にて調べた範囲では、畦表面には何等
のｔｎ傷もまた部分的な劣化も見られなかった。このレ
ーザ光は１６００℃以上の温度を有すると推察されるが
、連続使用上限温度が１８０°Ｃ程度の低い耐熱性しか
有さない叶に何等損傷を与えなかった。

即ち、０１＋上のＣＦに対し、選択的に開溝（１６）を
作製することができることがわかった。その上、２つの
プローブ間にはＩＭΩ以上の抵抗（中は１ｃｍとする）
を得ることができた。

第３図はレーザ光の繰り返し周波数をａＪ変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。

Ｍ面において、スキャンスピード３０ｃｍ／分、平均出
力０．２１光径２５μのＹＡＧ　（波長０．５３μ）レ
ーザを用いた。するとその周波数を】υ旧１ｚより士げ
てゆくと、曲線（４５）は７Ｋｌｌｚ以下で不連続にＩ
ＭΩ以上（４５’）となって電気的にアイソレイション
を行うことができるようになったことが判明した。

しかしこの周波数が４ＫＩＩｚＥ下ではこのＣＦに加え
て下地のＯＦをもその中心部（ガウス分布のエネルギ密
度の最も高い領域）でｔｏ傷してしまった。

このことにより、針上のＣＦのＬＳ　（レーザスクライ
ブ）には（４４）に示す範囲が通していた。

さらに、この下地のＯＦｌこｔｎ（ＩＡを与えることな
く導電性薄膜のみを除去する領域を調べたところ、第４
図を得た。

即ち、ＳＳを０〜１２０ｃｍＺ分、平均出力０〜０．５
ｔＶ、繰り返し周波数６ＫＩＩｚ、波長０２５３μ、レ
ーザ光の直ｉ￥２１μのＹＡＧ　レーザとすると、領域
（４９）即ち点Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる範囲
はＯＦの損傷がなく金属を一部または全部にをする薄膜
（ＣＦ）を選択的に除去することができた。

さらに領域（４７）ばこの薄膜ずらも除去することがで
きない領域であり、領域（４６）はパルス光が０１・上
で連続せず、また残存物を多量に開講に残してしまった
。領域（４８）はＣ’ＴＦのみならず下地の叶に対して
も損傷を与えてしまった領域であった。

このことにより下地のＯＦに対して損傷を与えることな
く、ＣＦのみを選択的に開溝として除去することのでき
る領域（１９）があることがわかった。

第２図（Ａ）の平面図またＡ−Ａ’、Ｆ−Ｆ”における
縦断面図を（Ａ−ＩＯ（Ａ−２）にそれぞれ示す。

次に第２図（Ｂ）の平面図に示すごとく、光擦躬により
光起電力を発生ずる水素または弗素が添加された非単結
晶半導体を、この電極（３）、開講（１６）のすべての
上面に均質の膜厚に形成させる。

この半導体（４）は例えば５ｉｘＣ＋−ｘ　（０〈Ｘ　
＜　１一般にはｘ　＝０．７〜０．８　）のＰ型を約１
５０人の厚さに、さらに１型の水素またはハロゲン元素
が添加された珪素を主成分とする半導体を０．４〜０．
８μの厚さに、さらにＮ型の微結晶化した珪素またはＮ
型のＳｉｘＣ１−ｘ　（０＜　ｘ　＜　１　ｘ　〜０．
９　）を主成分とする半導体の門Ｎ接合構造とした。も
らろんこれをＰ　（ＳｉｘＣ１−ｘ　ｘ＝０．７〜０．
８　）　Ｉ　（Ｓｉ）−Ｎ　（、ＵＣＳｉ　）　Ｐ　（
ＳｉｘＣ＋−ｘ　ｘ＝０．７〜０．８　）−Ｉ　（Ｓｉ
ｘＧｅ　ｌ−Ｘ　Ｘ　＝０．６〜０．８　）　−Ｎ　（
微結晶化（ｉｉｓｉ　または５ｉｘＣ１−ＸＯ＜ｘ＜１
）といった自ＮＰＩＮ構造のタンデム構造としてもよい
。

さらに第２の開孔（１５）をレーザ光により形成させ、
第２図（Ｂ）におけるＢ−Ｂ’　、（、−Ｃ’の縦断面
図を（Ｂ−１）、（Ｂ−２）に対応して示している。

かくして第２の開化（■５）は叶の表面にはｔｉ傷を与
えずに第１の電極の側面（１７）を露出させた。

この時、導電性薄膜の」二端部をＯ〜５μのＩで露呈さ
セる結果、連結は導電性薄膜（３）の側面および上面が
連結部のコンタクトを構成した。また出力を少なくする
とレーザ光の０．５３μの波長は珪素の高い吸収係数の
ため珪素のみを除去することができる。この場合は上面
のコンタクトとすることができる。

この第２の開孔（１５）の形成条件は、第１の開溝を形
成する条件とレーザ光をパルスを不連続に（１５）の位
置のみに加える以外は同一である。即も、半導体の存在
は実質的に無視しても差支えなく、第３図、第４図の特
性を用いることができた。

次に第２図（Ｃ）のパターンを形成させた。第２図（Ｃ
）のＤ−Ｄ’　、　Ｅ−Ｅ’　、　Ｇ−Ｇ’に対応した
縦断面図を（Ｃ−２）、（Ｃ−３＞、＜　Ｃ−１）に示
している。

即ち、半導体（４）上に第２の電極を電子ビーム蒸着法
によりＩＴＯを４００〜１０００人例えば７００人のＩ
！Ｊ：さに形成させた。

すると、開口（１５）において、第１の導電膜（３）の
側面または上面（１７）に対し、ＩＴＯの導電性酸化物
がコンタクトし、オーム接触をさせることができた。

このコンタクトは第１の電極を構成する連成として酸化
して絶縁膜を作りやすい。アルミニュームのみではコン
タクト部で長期使用においてアルミナが形成され、その
接触抵抗が３０Ω以上となり好ましくなかった。このた
めアルミニュームを用いる場合に必ずその上面に酸化物
である酸化スズまたはＩＴＯが必要である。かかるため
、第２の電極を構成するＩＴＯを酸化物としてコンタク
トを構成するため、長期使用に対し接触抵抗は３０以下
で変化がなく、好ましかった。さらに他の構造としては
、第１の電極を耐熱性のクロム、ステンレス等の酸化物
絶縁物を作らない金泥が用いられた。

特にレーザ加工にはクロムが接触抵抗も少なく、かつレ
ーザ加工性に優れ、好ましかった。

さらに第２の電極がＩＴＯのみよりなるため、レーザ光
が透過し、第３の開溝はＩＴＯとその下の半導体とを実
質的にスクライブしてしまった。

この後、第２図（Ｃ）においてレーザスクライブ（１９
）を行った。これはＹＡＧ　レーザ（ｔｇＬ長０．５３
μ）をテレビモニターにて第１の開溝をモニターしつつ
、それより５０〜２００μ第２のセル側（１３）にはい
った位置にて開溝を作った。レーザ光の平均出力０．１
〜０．鵠とし、ビーム径１０〜３０μφ、ビーム走査ス
ピード０．１　＝１ｍ／分、一般には０．３ｍ／めで大
きい０．６μ以下の波長即ち０．５３μのＱ−スイッチ
がかけられたレーザ光が特に優れていた。

かくするとＳｉ　（水素またはハロゲン元素が添加され
た０、５μ以上の厚さを有する半導体）が本来昇華性で
あり、かつ０．５３μの波長の吸収係数が大きいためレ
ーザ光により速やかに昇温し、半導体とその上のＩＴＯ
とを同時に気化して除去させることができた。

かくして、連結部（１２）において、セル（１３）の第
１の電極（２３’）と、セル（１１）の第２の電極（２
５）とが酸化物コンタクトによりオーム接触を第２の開
溝（１８）を介してしている。特に連結部（１２）にお
けるコンタクｌ−（１７）は、第２の開化（１５）によ
り作られた第１の電極の側面または側面と０〜５μの中
の第１の電極の上端面とで成就され、いわゆるサイトコ
ンタクト構造をイＪしている。即も２つのセルはわずか
１０〜７０μφの第２の開化のサイＩ−コンククｉ−で
１−分であり、この部分に第２の電極を構成する祠料を
密接させて電気的に直列接続をさせている。（Ｃ−１＞
、＜　Ｃ−２）の縦Ｗ１面図より明らかなごとく、半導
体（４）上に第２の電極（５）が形成されているにすぎ
ない。

そしてこの第３の開溝（２０）はその下の半導体とを除
去し、開溝を設け、さらに第１の電極をえくることな（
各素子の第２の電極間を電気的にアイソレイトさせるこ
とができた。

さらにｆｆ１２図（Ｃ）において、これらの上面に透光
性有機樹脂（２８）を２Ｐプロセス（特に昇温させるこ
となく紫外光により硬化する液体を用いて透光性絶縁膜
をはりつりるプロセス）によりコーティングして完成さ
せている。

その結果、１ｃｍ　Ｘ５ｃｍの光電変換装置を金属薄膜
上の絶縁表面を有する針上に１つ作るのではなく　、２
０ｃｍｘ２０ｃｍまたは２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは
４０ｃｍ　Ｘ　４０ｃｍの大きな基板上に一度に多数の
光電変換装置を作ることがβＪ能とな−、た。

そして最後にこれらを（７０）の境界で裁ＩＩｉ法によ
り切Ｌ４１ｉＬ、それぞれの光電変換装置Ｇこした。こ
のためには、従来より知られた光電変換装置のごとく活
性領域と非活性領域とを作るのではなく、すべて実質的
に活性領域とし、かつレーザ光による開溝をα１１１１
から端まで作り、レーザ光の走査スビー１′を大きなＯ
Ｆ上で當に一定にさせていることが重要である。さもな
いと、ＳＳが遅い部分では叶に損傷がおきてしまうから
である。

第２図（Ｃ）での開溝（２０）、（２７）、＜２７　’
）がα１１１１から端まで直線状走査されているのは、
ｖ産性を考えた時車間である。特にレーザ光の装置のし
始め、し終わりの走査スピードの変化している領域では
照射部におＩＪるエネルギ密度が人きくな−、でしまう
。このため一定速度領域のみを用いζＬＳを行うことが
必要となり、そのため、直線的なしＳによる開溝形成は
きわめて重要なプロセスである。もらろんこれらの開溝
は入射光側からはま−２た（見られないため、ｔｌ」商
晶価値化を妨げない。

また第２図（Ｃ）において明らかなごとく、セルの有効
面積は連結部（１２）のｌＯ〜３００　μ中のきわめて
わＪ゛かな部分を除いて他のすｍ：でが自助であり、実
りＪ面積は９２％以上を得ることかでき、従来例の８０
％に比べ不発ツ］構造は格段に優れたものであった。

これらのことを考慮すると、本発明は以ト″の大きな特
長を有することが判明した。

即ち、本発明は（１）絶縁表面をｆｒする大面積基板に
同時に多数の光電変換装置を作り、これを分割して各基
板上に１つの光電変換装置を作る方式を採用することが
ｉ＝Ｊ能となった。このため、従来の１／３〜１１５の
価格での製造がＩＪ能である。

〔２〕第１の開溝と第２の開孔、第３の開溝とがコンピ
ュータにより制御されたセルフレシストレインヨン方式
のため、セルの有効面積が大きく、かつその間−ハノチ
で作られた各光電変換装置間のバラツキが少ない〔３〕
直線走査方式のＬＳによるマスクレス工程であるため、
製造歩留りがＩＪい〔４〕各セル間分別の第１、第３の
開溝のスクライブラインの中が１０〜７０μときわめて
小さく、かつ第２の開（’Ｌも１０〜５０μψときわめ
て小さく、また第１の開溝は光照射面側からはま−２た
く見えない。その結果肉眼によりハイブリノ１−化がさ
れていることを確認され得す、尚付加前品（ＩｌｌＩ値
を与えることができた。

第２図において、第２の開イしく１５）は１つのみを半
導体内部の特に中央付近に存在させた。しかしこの開孔
は、複数ケ（２〜４ケ）を破線的にまたは長円構造をさ
せＹ方向に第１および第３の開溝の間に作製しても、ま
た櫛目形状に半導体（３）の内部に第１の開溝（１６）
にそって形成させてもよい。

以上の説明は本発明の第２図のパターンには限定されな
い。セルの数、大きさはその設ａ１仕様によって定めら
れるものである。また半導体はプラズマＣＶＤ法、減圧
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法または光プラズマＣＶＤ法を用い
た。

非単結晶シリコンを主成分とするＰＩＮ接合、ヘテロ接
合、クンデム接合のめに限らず多くの構造への応用が可
能である。

なお本発明は有機樹脂上に集積化さ一已た構造を示した
。しかし本発明は、金属薄股上に窒化珪素、酸化珪素ま
たは酸化クロム等の絶縁膜を３００〜３０００人の厚さ
にバリア１−として形成し、または基体自体が絶縁表面
（非透光性でよい）であってその上に第１の電極用の導
電性薄膜を形成してもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の平面図および縦断面図
を製造工程に従って示したものである。 第３図は本発明のステンレス草根上の有機樹脂上の導電
性薄膜をレーザスクライブした時のレーザスクライブに
よる電気抵抗の変化を示す。 第４図は本発明の有機樹脂表面上に導電性薄膜を設け、
この薄膜にレーザスフライフした時のレーザスクライブ
の可能な領域を示す。 特許出願人 輩／／辺 ２Ｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、絶縁表面を有する基板上に配列された複数の第１の
   電極、該第１の電極および該電極間の開溝上に設けられ
   た光照射により光起電力を発生させる非単結晶半導体、
   およびｉｉＩ記第１の電極に対応して前記半導体上に設
   けられた複数−０）第２の電極とを有する複数の光電変
   換素子を備え、隣合う素子の第１および第２の電極は前
   記非単結晶半導体内部に設けられた開孔または開溝によ
   り電気的に直列に連結した連結部を有することを特徴と
   する光電変換半導体装置。 ２、絶縁表面を自する基板上に配列された反射性金属電
   極と該電極上の酸化物導電膜とよりなる複数の第１の電
   極、該第１の電極および該電極間の開溝上に設けられた
   光照射により光起電力を発生させる非単結晶半導体、お
   よび前記第１の電極に対応して前記半導体上に設けられ
   た透光性酸化物導電膜とよりなる複数の第２の電極とを
   有する複数の光電変換素子を備え、隣合う素子の第１お
   よび第２の電極は前記非単結晶半導体内部に設げられた
   開孔またば開溝にて酸化物導電膜同志により電気的に連
   結した連結部を有することを特徴とする光電変換半導体
   装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、連結
   部は非単結晶半導体に設けられた開孔または開溝と前記
   開孔または開溝下の絶縁物表面を露呈して概略同一形状
   の開孔または開溝が第１の導電性電極に設けられ、該第
   １の電極の上部、側部または側部と上部とに第２の電極
   を構成する導電性酸化物材料が密接して設けられたこと
   を特徴とする光電変換半導体装置。