JPS60200844A - グロ−放電による光学材料の脱水処理方法 - Google Patents
グロ−放電による光学材料の脱水処理方法Info
- Publication number
- JPS60200844A JPS60200844A JP59057312A JP5731284A JPS60200844A JP S60200844 A JPS60200844 A JP S60200844A JP 59057312 A JP59057312 A JP 59057312A JP 5731284 A JP5731284 A JP 5731284A JP S60200844 A JPS60200844 A JP S60200844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow discharge
- group
- optical material
- contg
- dehydration treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0085—Drying; Dehydroxylation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/007—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/60—Silica-free oxide glasses
- C03B2201/78—Silica-free oxide glasses containing germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/82—Fluoride glasses, e.g. ZBLAN glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/84—Halide glasses other than fluoride glasses, i.e. Cl, Br or I glasses, e.g. AgCl-AgBr "glass"
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/86—Chalcogenide glasses, i.e. S, Se or Te glasses
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は光学材料の脱水処理方法に係わり、特に、グロ
ー放電を用いた脱水処理方法に関するものである。
ー放電を用いた脱水処理方法に関するものである。
（従来技術）
光通信は広帯域伝送が可能であシ、かつ低損失化が図れ
るため、近年特に脚光を浴びている。この光通信の伝送
媒体としては低損失の石英ガラスファイバが主に用いら
れているが、その伝送損失はほぼ理論限界値′に達した
ため、新しいファイバ材料の開発が進められている。そ
の中で、フン化物ガラスファイバは、３〜４μｍの波長
帯域において石英ガラスファイバの伝送損失の百分の一
程度になると推定され、次世代のファイバとして最も有
望視されている。また、この波長近傍の赤外線領域にお
いて、高い光の透過性があるＫＢｒ 、 ＫＣｔ。
るため、近年特に脚光を浴びている。この光通信の伝送
媒体としては低損失の石英ガラスファイバが主に用いら
れているが、その伝送損失はほぼ理論限界値′に達した
ため、新しいファイバ材料の開発が進められている。そ
の中で、フン化物ガラスファイバは、３〜４μｍの波長
帯域において石英ガラスファイバの伝送損失の百分の一
程度になると推定され、次世代のファイバとして最も有
望視されている。また、この波長近傍の赤外線領域にお
いて、高い光の透過性があるＫＢｒ 、 ＫＣｔ。
ＣａＦ２等の結晶を用いたレンズやプリズムとして光計
測器等の光部品として使用されている。
測器等の光部品として使用されている。
しかし、これらの光学材料に極微量の８２０分子やＯＨ
基が不純物として混入すると、８２０分子やＯＨ基の分
子振動により近赤外線領域の光を吸収し、光の透過性を
著しく劣化させることが知られている。従って、低損失
の光通信システムあるいは光学部品を構築するには、使
用する光学材料から８２０分子やＯＲ基を除去する方法
が非常に重要となってくる。このように、光学材料から
Ｈ２０分子やＯＨ基を化学的に除去する方法は化学的脱
水処理法と呼ばれている。
基が不純物として混入すると、８２０分子やＯＨ基の分
子振動により近赤外線領域の光を吸収し、光の透過性を
著しく劣化させることが知られている。従って、低損失
の光通信システムあるいは光学部品を構築するには、使
用する光学材料から８２０分子やＯＲ基を除去する方法
が非常に重要となってくる。このように、光学材料から
Ｈ２０分子やＯＨ基を化学的に除去する方法は化学的脱
水処理法と呼ばれている。
第１図は、従来の化学的脱水処理法を用いた装置の基本
構成図である。同図の化学的脱水処理法は、液相中のＨ
２０分子またはＯＨ基とノ・ロ″ゲン元素との置換反応
を利用したものであり、１はＨｅやＡｒ等の不活性ガス
の導入口、２はフッ素、塩素あるいは臭素等のノ・ロゲ
フ化剤の導入口、３は反応管、４は加熱用ヒータ、５は
脱水処理が行われる被処理物、６は排気口である。導入
口２から供給されたハロゲン化剤と導入口１かも供給さ
れた不活性ガスとが混合されて反応管３の内へ導かれ、
加熱ヒータ４により所望の温度に加熱さＪする。所望の
温度に加熱された不活性ガスとノ・ロゲフ化剤のうち、
例えばフッ素ガス（Ｆ２）の如きノ・ロゲフ化剤は熱エ
ネルギーにより分子状態（Ｆ２）から極めて反応性の大
きい原子状態（２Ｆ）（以下、この状態を「発生期状態
」という）に解離される。この解なされたハロゲン原子
（Ｆ）は被処理物５に含まれているＯＨ基と置換する。
構成図である。同図の化学的脱水処理法は、液相中のＨ
２０分子またはＯＨ基とノ・ロ″ゲン元素との置換反応
を利用したものであり、１はＨｅやＡｒ等の不活性ガス
の導入口、２はフッ素、塩素あるいは臭素等のノ・ロゲ
フ化剤の導入口、３は反応管、４は加熱用ヒータ、５は
脱水処理が行われる被処理物、６は排気口である。導入
口２から供給されたハロゲン化剤と導入口１かも供給さ
れた不活性ガスとが混合されて反応管３の内へ導かれ、
加熱ヒータ４により所望の温度に加熱さＪする。所望の
温度に加熱された不活性ガスとノ・ロゲフ化剤のうち、
例えばフッ素ガス（Ｆ２）の如きノ・ロゲフ化剤は熱エ
ネルギーにより分子状態（Ｆ２）から極めて反応性の大
きい原子状態（２Ｆ）（以下、この状態を「発生期状態
」という）に解離される。この解なされたハロゲン原子
（Ｆ）は被処理物５に含まれているＯＨ基と置換する。
その置換されたＯＨ基は更に遊泳しているノ・ロゲン原
子（Ｆ）に反応し、ハロゲン化水素（Ｉ（Ｆ）とＨ２０
分子とになり、不活性ガスと共に排気口６から排出され
る。
子（Ｆ）に反応し、ハロゲン化水素（Ｉ（Ｆ）とＨ２０
分子とになり、不活性ガスと共に排気口６から排出され
る。
このように、従来技術では、加熱ヒータ４などから成る
熱源で７・ロゲン化剤を所望の温度に加熱することによ
り、反応性の大きい発生期状態の・・ロゲン原子に解離
して、被処理物５に含まれているＯＨ基と置換する方法
をとっていた。従って、この化学的脱水処理法は単に被
処理物質を７・ロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を
行うだけでよく、広く一般に用いられている。
熱源で７・ロゲン化剤を所望の温度に加熱することによ
り、反応性の大きい発生期状態の・・ロゲン原子に解離
して、被処理物５に含まれているＯＨ基と置換する方法
をとっていた。従って、この化学的脱水処理法は単に被
処理物質を７・ロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を
行うだけでよく、広く一般に用いられている。
しかし、フッ素ガスなどのノ・ロゲンガスを加熱処理で
発生期状態の原子に解離する従来の化学的脱水処理法で
は、定常状態のノ・ロゲンガスは分子間の結合力が大き
いため、約１２００度以上の高温にする必要がある。従
って、ノ・ロゲンガスを解離するための加熱温度では、
低融点の光学材料が蒸発してしまい、低融点の光学材料
の脱水処理が不可能であった。
発生期状態の原子に解離する従来の化学的脱水処理法で
は、定常状態のノ・ロゲンガスは分子間の結合力が大き
いため、約１２００度以上の高温にする必要がある。従
って、ノ・ロゲンガスを解離するための加熱温度では、
低融点の光学材料が蒸発してしまい、低融点の光学材料
の脱水処理が不可能であった。
また、低融点の光学材料の従来の脱水処理ではフッ素ガ
スなどのハロゲンガスの代りに、四塩化炭素などのハロ
ゲン化メタンガスを用いていた。
スなどのハロゲンガスの代りに、四塩化炭素などのハロ
ゲン化メタンガスを用いていた。
四塩化炭素（ＣＣｔ４）などのハロゲン化メタンガスは
、加熱温度が約３００度程度でも発生期状態の塩素（Ｃ
ｔ）に解離することが可能であり、脱水処理効果も上が
る。
、加熱温度が約３００度程度でも発生期状態の塩素（Ｃ
ｔ）に解離することが可能であり、脱水処理効果も上が
る。
しかし、熱分解反応によシ分子を解離する際に、塩素原
子（ｃｇを１個解離する反応（ＣＣｔ４→ＣＣｔ３十Ｃ
ｔ）以外に２個以上の塩素を同時に解離して炭素原子を
遊離する反応（ＣＣｔ４→Ｃ＋２Ｃｔ２）も起り、炭素
原子（Ｃ）が不純物として被処理物に混入する欠点があ
った。また、四塩化炭素などの・・ロゲン化メタンは脱
水反応の過程で炭酸ガスを発生し、大部分は不活性ガス
と共に排気されるが、一部はフッ化物のように反応性の
高い被処理物５と反応し、炭素を遊離して新たな不純物
源を生成する欠点があった。
子（ｃｇを１個解離する反応（ＣＣｔ４→ＣＣｔ３十Ｃ
ｔ）以外に２個以上の塩素を同時に解離して炭素原子を
遊離する反応（ＣＣｔ４→Ｃ＋２Ｃｔ２）も起り、炭素
原子（Ｃ）が不純物として被処理物に混入する欠点があ
った。また、四塩化炭素などの・・ロゲン化メタンは脱
水反応の過程で炭酸ガスを発生し、大部分は不活性ガス
と共に排気されるが、一部はフッ化物のように反応性の
高い被処理物５と反応し、炭素を遊離して新たな不純物
源を生成する欠点があった。
以上のように、従来技術では低融点の光学材料に不純物
を含まず脱水処理を行うことは不可能であった。
を含まず脱水処理を行うことは不可能であった。
（発明の目的）
本発明は、上述した従来技術の欠点に鑑みなされたもの
で、低融点および高融点の光学材料に適用でき、かつ不
純物を含まず脱水可能なグロー放電による光学材料の脱
水処理方法を提供することを目的とする。
で、低融点および高融点の光学材料に適用でき、かつ不
純物を含まず脱水可能なグロー放電による光学材料の脱
水処理方法を提供することを目的とする。
（発明の構成および作用）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明による脱水処理方法の原理を説明するた
めの模式図であり、グロー放電により反応管内にプラズ
マが生じる様子を示している。同図において、７はハロ
ゲン化剤と不活性ガスとを供給する気体導入口、３は反
応管、８はグロー放電を起こすための高周波コイル、９
はグロー放電が生じている部分を示している。気体導入
ロアから供給される例えばフッ素ガス（Ｆ）は、周囲温
度に関係なくグロー放電により解離され、発生期状態の
Ｆ原子を含んだプラズマ９が高周波コイル８の内側にほ
ぼ均一に形成、される。一方、被処理物５は高周波コイ
ル８を流れる高周波電流の渦電流によシ加熱され、化学
反応に必要な熱エネルギーが与えられる。このように、
グロー放電によシ発生期状態に解離されたＦ原子は加熱
された被処理物のＯＨ基と置換し、更にＦ原子と反応し
てハロゲン化水素とＨ２０分子となり、不活性ガスと共
に排気口６から排気される。また、不純物の■（２０分
子も被処理物５を加熱することにより、蒸発して排気口
６から排気される。
めの模式図であり、グロー放電により反応管内にプラズ
マが生じる様子を示している。同図において、７はハロ
ゲン化剤と不活性ガスとを供給する気体導入口、３は反
応管、８はグロー放電を起こすための高周波コイル、９
はグロー放電が生じている部分を示している。気体導入
ロアから供給される例えばフッ素ガス（Ｆ）は、周囲温
度に関係なくグロー放電により解離され、発生期状態の
Ｆ原子を含んだプラズマ９が高周波コイル８の内側にほ
ぼ均一に形成、される。一方、被処理物５は高周波コイ
ル８を流れる高周波電流の渦電流によシ加熱され、化学
反応に必要な熱エネルギーが与えられる。このように、
グロー放電によシ発生期状態に解離されたＦ原子は加熱
された被処理物のＯＨ基と置換し、更にＦ原子と反応し
てハロゲン化水素とＨ２０分子となり、不活性ガスと共
に排気口６から排気される。また、不純物の■（２０分
子も被処理物５を加熱することにより、蒸発して排気口
６から排気される。
以上のように、グロー放電されている雰囲気中にハロゲ
ン化剤を供給すると、ハロゲン化剤は温度に関係なく高
濃度の発生期状態の原子に解離され、被処理物に応じた
温度、すなわち固体の被処理物が化学反応できる温度で
かつ熱で蒸発しない温度にすることにより、被処理物の
ＯＨ基と置換し除去するものである。従って、この処理
方法は、ハロゲンガスを熱分解反応で解離しＯＨ基と反
応させる従来方法では出来なかったフッ化物ガラスある
いは酸化ゲルマニー−ムファイバ等の低融点の光学材料
にも適用することができる。なお、表１は主な光学材料
が化学反応するに必要な温度を示したものである。
ン化剤を供給すると、ハロゲン化剤は温度に関係なく高
濃度の発生期状態の原子に解離され、被処理物に応じた
温度、すなわち固体の被処理物が化学反応できる温度で
かつ熱で蒸発しない温度にすることにより、被処理物の
ＯＨ基と置換し除去するものである。従って、この処理
方法は、ハロゲンガスを熱分解反応で解離しＯＨ基と反
応させる従来方法では出来なかったフッ化物ガラスある
いは酸化ゲルマニー−ムファイバ等の低融点の光学材料
にも適用することができる。なお、表１は主な光学材料
が化学反応するに必要な温度を示したものである。
表 １
第３図は本発明による脱水処理方法を実施するための装
置の具体例である。同図において、１０は石英ガラスま
たはアルミナ等の絶縁物から成るサスセプタ支持棒、１
１は金属またはグラファイト等から成るサスセプタ、１
２はるつぼ、１３は被処理物であるフッ化物ガラス、１
４はフランジをシールを介して結合した結合部を示す。
置の具体例である。同図において、１０は石英ガラスま
たはアルミナ等の絶縁物から成るサスセプタ支持棒、１
１は金属またはグラファイト等から成るサスセプタ、１
２はるつぼ、１３は被処理物であるフッ化物ガラス、１
４はフランジをシールを介して結合した結合部を示す。
なお、初期設定として、るつぼ１２が高周波コイル８の
内側に入るように、高周波コイル８の高さを調整する。
内側に入るように、高周波コイル８の高さを調整する。
また、反応管３の中を１Ｏ−３ｔｏｒｒ （１ｔｏｒｒ
＝ １／ ７６０気圧）以下の真空状態まで減圧する。
＝ １／ ７６０気圧）以下の真空状態まで減圧する。
以上の初期設定終了後、気体導入ロアからアルゴン（Ａ
ｒ）またはヘリー−ム（Ｈｅ）等の不活性ガスを導入し
、反応管３の中の圧力を０．０３〜ｌ ｔｏｒｒ間に保
つ。次に、高周波コイル８に高周波電流を印加すると、
反応管３の内部にグロー放電が発生するとともに、高周
波電流による渦電流でサスセプタ１１が加熱される。
ｒ）またはヘリー−ム（Ｈｅ）等の不活性ガスを導入し
、反応管３の中の圧力を０．０３〜ｌ ｔｏｒｒ間に保
つ。次に、高周波コイル８に高周波電流を印加すると、
反応管３の内部にグロー放電が発生するとともに、高周
波電流による渦電流でサスセプタ１１が加熱される。
この高周波電流量を調整するととにより、フッ化物ガラ
スの融点（約４６０度）以上で、かつフッ化物ガラスが
蒸発しない温度（約９００度）以下にする。この状態で
、不活性ガスにハロゲン化剤を混合した気体を気体導入
ロアから供給する。反応管３の中に供給されたハロゲン
化剤は、グロー放電により解離され、プラズマ中に高濃
度の発生期状態のイオン化されたハロゲン原子がフッ化
物ガラス１３中のＯＨ基と反応してハロゲン化水素とＨ
２０分子が生成される。これらのハロゲン化水素とＨ２
０分子は不活性ガスとともに排気口６から排気され、脱
水処理が行われる。
スの融点（約４６０度）以上で、かつフッ化物ガラスが
蒸発しない温度（約９００度）以下にする。この状態で
、不活性ガスにハロゲン化剤を混合した気体を気体導入
ロアから供給する。反応管３の中に供給されたハロゲン
化剤は、グロー放電により解離され、プラズマ中に高濃
度の発生期状態のイオン化されたハロゲン原子がフッ化
物ガラス１３中のＯＨ基と反応してハロゲン化水素とＨ
２０分子が生成される。これらのハロゲン化水素とＨ２
０分子は不活性ガスとともに排気口６から排気され、脱
水処理が行われる。
上述の実施例では、被処理物としてフッ化物ガラスを用
いた場合について説明したが、酸化ゲルマニュームファ
イバ、カルコゲナイドガラスファイバ、多成分系ガラス
ファイバ、臭化カリュームあるいは塩化カリー−ム等の
低融点光学材料は勿論のこと、石英ファイバ等の高融点
光学材料の脱水処理に適用できることは言うまでもない
。
いた場合について説明したが、酸化ゲルマニュームファ
イバ、カルコゲナイドガラスファイバ、多成分系ガラス
ファイバ、臭化カリュームあるいは塩化カリー−ム等の
低融点光学材料は勿論のこと、石英ファイバ等の高融点
光学材料の脱水処理に適用できることは言うまでもない
。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、グロー放電を利
用して・・ロゲフ化剤を解離して発生期状態のハロゲン
原子を生成し、かつ被処理物の加熱をグロー放電を発生
するための高周波電流で行っている。従って、ハロゲン
化剤を解離して発生期状態のハロゲン原子の生成は処理
温度に関係なく、固体の光学材料が化学反応するに必要
な温度にすればよく、従来できなかった低融点光学材料
にも応用でき、かつ不純物を含捷ない脱水処理ができる
ので、近赤外線領域で使用される光学材料の低損失化を
実現する上で極めて効果が大きい。
用して・・ロゲフ化剤を解離して発生期状態のハロゲン
原子を生成し、かつ被処理物の加熱をグロー放電を発生
するための高周波電流で行っている。従って、ハロゲン
化剤を解離して発生期状態のハロゲン原子の生成は処理
温度に関係なく、固体の光学材料が化学反応するに必要
な温度にすればよく、従来できなかった低融点光学材料
にも応用でき、かつ不純物を含捷ない脱水処理ができる
ので、近赤外線領域で使用される光学材料の低損失化を
実現する上で極めて効果が大きい。
第１図は従来の化学的脱水処理装置の断面図、第２図は
本発明のグロー放電による脱水処理方法を説明するため
の模式図、第３図は本発明のグロー放電による脱水処理
装置の実施例を示す断面図である。 １・・・不活性ガス導入口、２・・・ハロゲン化剤の導
入口、３・・・反応管、４・・・加熱ヒータ、５・・・
被処理物、６・・・排気口、７・・・気体導入口、８・
・・高周波コイル、９・・・グロー放電によりプラズマ
が生じている部分、１０・・サスセプタ支持棒、１１・
・・サスセプタ、１２・・・るつぼ、１３・・・７ノ化
物ガラス、１４・・・結合部。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代理人犬塚 学 外１名 第１目 １ を 躬２図 弗３図 手続補正書（自発） 昭和５９年５月２２日 特許庁長官 若杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５９−５７３１２号 ２、発明の名称 グロー放電による光学材料の 脱水処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （１２１）国際電信電話株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１
本発明のグロー放電による脱水処理方法を説明するため
の模式図、第３図は本発明のグロー放電による脱水処理
装置の実施例を示す断面図である。 １・・・不活性ガス導入口、２・・・ハロゲン化剤の導
入口、３・・・反応管、４・・・加熱ヒータ、５・・・
被処理物、６・・・排気口、７・・・気体導入口、８・
・・高周波コイル、９・・・グロー放電によりプラズマ
が生じている部分、１０・・サスセプタ支持棒、１１・
・・サスセプタ、１２・・・るつぼ、１３・・・７ノ化
物ガラス、１４・・・結合部。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代理人犬塚 学 外１名 第１目 １ を 躬２図 弗３図 手続補正書（自発） 昭和５９年５月２２日 特許庁長官 若杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５９−５７３１２号 ２、発明の名称 グロー放電による光学材料の 脱水処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （１２１）国際電信電話株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１
Claims (1)
- グロー放電によシ解離されたハロゲン原子の雰囲気中に
ＯＨ基を含む光学材料を化学反応する所望の温度まで高
周波加熱した状態で配置することによシ、前記ＯＨ基と
ハロゲン原子とを置換せしめて光学材料の脱水処理を行
うことを特徴とするグロー放電による光学材料の脱水処
理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057312A JPS60200844A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | グロ−放電による光学材料の脱水処理方法 |
| GB08507656A GB2158054B (en) | 1984-03-27 | 1985-03-25 | Method for dehydrating optical materials by glow discharge |
| FR8504482A FR2562219B1 (fr) | 1984-03-27 | 1985-03-26 | Procede pour deshydrater des matieres optiques par decharge luminescente |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057312A JPS60200844A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | グロ−放電による光学材料の脱水処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200844A true JPS60200844A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13052043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59057312A Pending JPS60200844A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | グロ−放電による光学材料の脱水処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200844A (ja) |
| FR (1) | FR2562219B1 (ja) |
| GB (1) | GB2158054B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103338A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フッ化物ガラスの表面処理方法 |
| CN114992987A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-09-02 | 农业农村部规划设计研究院 | 一种粮油射频热风-常温风联合干燥装置及操作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0257587B1 (en) * | 1986-08-29 | 1990-10-31 | AT&T Corp. | Methods of soot overcladding an optical preform |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE562396A (ja) * | 1956-11-19 | |||
| NL140499C (ja) * | 1963-07-08 | |||
| JPS5268222A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Furukawa Electric Co Ltd | Process for eliminating air bubbles in the wall of silica glass tube |
| JPS5852935B2 (ja) * | 1978-11-20 | 1983-11-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 光伝送用素材の製造方法 |
| EP0103441B1 (en) * | 1982-09-10 | 1986-07-23 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Method for drying oxide glasses |
| JPS60108349A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フツ化物ガラスの表面処理法 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59057312A patent/JPS60200844A/ja active Pending
-
1985
- 1985-03-25 GB GB08507656A patent/GB2158054B/en not_active Expired
- 1985-03-26 FR FR8504482A patent/FR2562219B1/fr not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103338A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フッ化物ガラスの表面処理方法 |
| CN114992987A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-09-02 | 农业农村部规划设计研究院 | 一种粮油射频热风-常温风联合干燥装置及操作方法 |
| CN114992987B (zh) * | 2022-07-13 | 2022-11-29 | 农业农村部规划设计研究院 | 一种粮油射频热风-常温风联合干燥装置及操作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2562219A1 (fr) | 1985-10-04 |
| GB2158054B (en) | 1988-03-09 |
| GB2158054A (en) | 1985-11-06 |
| GB8507656D0 (en) | 1985-05-01 |
| FR2562219B1 (fr) | 1988-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4810054A (en) | Fusion splicing method for optical fibers | |
| US5397372A (en) | MCVD method of making a low OH fiber preform with a hydrogen-free heat source | |
| JPH04119939A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| EP2292555A1 (en) | Pretreated metal fluorides and process for production of fluoride crystals | |
| US5766291A (en) | Method for producing heat-resistant synthetic quartz glass | |
| JPS6163538A (ja) | フッ化物ガラスの精製法 | |
| JPS6071590A (ja) | 結晶成長用反応容器の製造方法 | |
| WO2026026637A1 (zh) | 半导体设备的清洁方法 | |
| GB2158054A (en) | Method for dehydrating optical materials by glow discharge | |
| JPS59146947A (ja) | 光波伝送体のプレフオ−ムの製法 | |
| JP4487560B2 (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| DK3156378T3 (en) | Method of etching a primary preform | |
| JPS61270232A (ja) | 光フアイバ母材の処理方法 | |
| JPS5879835A (ja) | 光フアイバプリフオ−ムの表面処理方法 | |
| Broer et al. | Reaction of NF3 and SF6 with some oxides connected with heavy-metal fluoride glass processing | |
| JPS6217025A (ja) | フツ化物ガラスの製造方法 | |
| Drexhage et al. | Carbon dioxide absorption in heavy metal fluoride glasses | |
| EP0517169B1 (en) | Method of and apparatus for fluoride glass fabrication | |
| US3134730A (en) | Method of treating quartz crystals for optical uses by electrolytic deuteration | |
| JPS60239339A (ja) | 光フアイバ用母材の製造方法 | |
| JP2682605B2 (ja) | ハーメチックコートフッ化物光ファイバの製造方法 | |
| JPS63215523A (ja) | フツ化物ガラスの製造方法 | |
| JPS6240377A (ja) | 窒化アンチモンの作製方法 | |
| JPH04305025A (ja) | フッ化物ガラスの製造方法 | |
| JPS6163539A (ja) | フツ化物ガラスの精製装置 |