JPS60200963A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS60200963A JPS60200963A JP59054260A JP5426084A JPS60200963A JP S60200963 A JPS60200963 A JP S60200963A JP 59054260 A JP59054260 A JP 59054260A JP 5426084 A JP5426084 A JP 5426084A JP S60200963 A JPS60200963 A JP S60200963A
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- Japan
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- substrate
- thin film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空槽内に置いた基板の表面に異種物質を化
学的、物理的方法によって蒸着する薄膜形成装置に係り
、特に真空槽内で基板を保持する基板ホルダの構造に関
するものである。
学的、物理的方法によって蒸着する薄膜形成装置に係り
、特に真空槽内で基板を保持する基板ホルダの構造に関
するものである。
近年、ラインセンサ、感熱記録ヘッド、平面ディスプレ
イなどの開発に伴い、均質で膜厚が一様な大面積の薄膜
を形成することが可能な薄膜形成装置が要望されている
。
イなどの開発に伴い、均質で膜厚が一様な大面積の薄膜
を形成することが可能な薄膜形成装置が要望されている
。
この種の薄膜は、真空槽内に封入された気相状態の薄膜
形□成物質を基板の表面に蒸着することによって得られ
るが、従来半導体デバイスの薄膜形成などに使用されて
いるプラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置、イオンブレーティング装置などの薄膜形成装置
は、比較的小面積の薄１１〆しか形成することができず
、従来のままではラインセンサ、感熱記録ヘッド、平面
ディスプレイなどの製造に使用することが。
形□成物質を基板の表面に蒸着することによって得られ
るが、従来半導体デバイスの薄膜形成などに使用されて
いるプラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置、イオンブレーティング装置などの薄膜形成装置
は、比較的小面積の薄１１〆しか形成することができず
、従来のままではラインセンサ、感熱記録ヘッド、平面
ディスプレイなどの製造に使用することが。
できない。
本願出願人は、従来の薄膜形成装置において膜質および
膜厚が一様な大面積の薄膜を得ることができない原因に
ついて研究の結果１次の知見を得だ。
膜厚が一様な大面積の薄膜を得ることができない原因に
ついて研究の結果１次の知見を得だ。
即ち、上記薄膜形成装置で形成される薄膜の膜質および
膜厚は、薄膜が形成される基板表面の温度と密接な関係
があり、従来の薄膜形成装置は、基板を取付ける基板ホ
ルダの温度が不均一であるため基板の表面温度も不均一
になり、従って基板の表面に形成される薄膜の膜質およ
び膜厚が不均一になるという事実を知得したのである。
膜厚は、薄膜が形成される基板表面の温度と密接な関係
があり、従来の薄膜形成装置は、基板を取付ける基板ホ
ルダの温度が不均一であるため基板の表面温度も不均一
になり、従って基板の表面に形成される薄膜の膜質およ
び膜厚が不均一になるという事実を知得したのである。
この点につき、第１図のプラズマＣＶＤ装置を例にとっ
て、更に詳細に説明する。
て、更に詳細に説明する。
第１図において、１は真空槽、２はこの真空槽１内て設
けた基板ホルダ、６はこの基板ホルダ２の内部に開設し
た冷却液通路、４は前記基板ホルダ２の加熱用ヒータ、
５は前記基板ホルダ２に取付けた基板、６は前記真空槽
１内に気相ガスを導入するガス導入管、７は前記ガス導
入管により導入された気相ガスをプラズマ化する電極、
８は前記電極７に電力を供給する電源である。
けた基板ホルダ、６はこの基板ホルダ２の内部に開設し
た冷却液通路、４は前記基板ホルダ２の加熱用ヒータ、
５は前記基板ホルダ２に取付けた基板、６は前記真空槽
１内に気相ガスを導入するガス導入管、７は前記ガス導
入管により導入された気相ガスをプラズマ化する電極、
８は前記電極７に電力を供給する電源である。
このプラズマＣＶＤ装置は、基板ホルダ２を自転しつつ
加熱用ヒータ４で加熱することにより基板ホルダ２に取
付けた基板５を薄膜の形成に適した温度まで予熱するが
、基板ホルダ２は、冷却液通路５の分布、加熱用ヒータ
４の配置、基板ホルダ２の形状、自転による冷却効果な
どが不均一であるため、一様に加熱されない。加えて、
プラズマＣＶＤ装置の基板ホルダ２は、耐熱性が高く加
工性が良好であるところからステンレス製のものが多く
用いられているが、ステンレスは熱伝導率が低い材料で
あるため、基板ホルダ２０表面の温度分布が均一化され
ない。
加熱用ヒータ４で加熱することにより基板ホルダ２に取
付けた基板５を薄膜の形成に適した温度まで予熱するが
、基板ホルダ２は、冷却液通路５の分布、加熱用ヒータ
４の配置、基板ホルダ２の形状、自転による冷却効果な
どが不均一であるため、一様に加熱されない。加えて、
プラズマＣＶＤ装置の基板ホルダ２は、耐熱性が高く加
工性が良好であるところからステンレス製のものが多く
用いられているが、ステンレスは熱伝導率が低い材料で
あるため、基板ホルダ２０表面の温度分布が均一化され
ない。
このような理由によりて基板ホルダ２の温度分布が不均
一となり、その結果として均質で均一な膜厚を有する大
面積の薄膜の形成を困難にしているのである。
一となり、その結果として均質で均一な膜厚を有する大
面積の薄膜の形成を困難にしているのである。
本発明は上記の知見に基いて発明されたものであって、
真空槽内における基板ホルダの温度分布の均一化を図り
、もって膜質および膜厚が一様で大面積の薄膜の製造を
可能としだ薄膜形成装置を提供することを目的とするも
のである。
真空槽内における基板ホルダの温度分布の均一化を図り
、もって膜質および膜厚が一様で大面積の薄膜の製造を
可能としだ薄膜形成装置を提供することを目的とするも
のである。
本発明は、上記の目的を達成するため、薄膜形成装置に
おいて、基板を保持する基板ホルダの表面に、この基板
ホルダの素材より熱伝導率を形成したことを特徴とする
ものである。
おいて、基板を保持する基板ホルダの表面に、この基板
ホルダの素材より熱伝導率を形成したことを特徴とする
ものである。
以下、本発明の実施例を第２図および第５図に基いて説
明する。これらの図において、第１図と同様な部材につ
いては同一の符号により表示しである。
明する。これらの図において、第１図と同様な部材につ
いては同一の符号により表示しである。
実施例１
本発明の第１実施例は、第２図に示すように、基板ホル
ダ２の表面に１層の均熱層９を形成したものである。冷
却液通路５および加熱用ヒータ４と接する基板ホルダ２
は耐熱性、加工性に優れたステンレスにて形成し、基板
５と接する均熱層９は前記ステンレス製の基板ホルダ２
より熱伝導率の高いアルミニウムにて形成する。
ダ２の表面に１層の均熱層９を形成したものである。冷
却液通路５および加熱用ヒータ４と接する基板ホルダ２
は耐熱性、加工性に優れたステンレスにて形成し、基板
５と接する均熱層９は前記ステンレス製の基板ホルダ２
より熱伝導率の高いアルミニウムにて形成する。
上記第１実施例の薄膜形成装置は、基板ホルダ２０表面
に均熱層９を形成したので、基板ホルダ２の不均一な温
度分布が熱伝導率の高い均熱層９によって拡散均熱され
、均熱板９の表面の温度分布が均一になる。これにより
、均熱層９を介して基板ホルダ２に取付けた基板５を温
度分布が一様になるよう加熱することができる。
に均熱層９を形成したので、基板ホルダ２の不均一な温
度分布が熱伝導率の高い均熱層９によって拡散均熱され
、均熱板９の表面の温度分布が均一になる。これにより
、均熱層９を介して基板ホルダ２に取付けた基板５を温
度分布が一様になるよう加熱することができる。
次に上記第１実施例の薄膜形成装置を用いて、基板ホル
ダ２（均熱板９）の表面に薄膜を形成した場合の試験例
を示す。
ダ２（均熱板９）の表面に薄膜を形成した場合の試験例
を示す。
下記の表−１に本試験条件を示す。
表−１
上記の条件で基板ホ゛ルダ２を加熱した場合の基板ホル
ダ２（均熱層９）表面の温度分布を、第３図に示す。
ダ２（均熱層９）表面の温度分布を、第３図に示す。
このグラフにおいて、Ａは第１実施例の基板ホルダのデ
ータ、Ｂはステンレス単層の基板ホルダのデータである
。
ータ、Ｂはステンレス単層の基板ホルダのデータである
。
このグラフから明らかなように、第１実施例の基板ホル
ダ（データＡ）は、ステンレス単層の基板ホルダ（デー
タＢ）に比べて温度分布が著しく均一になっていること
が判る。
ダ（データＡ）は、ステンレス単層の基板ホルダ（デー
タＢ）に比べて温度分布が著しく均一になっていること
が判る。
例えば２３０°Ｃ±５°Ｃを許容温度とすると、第１実
施例の基板ホルダ（データＡ）の場合には、基板ホルダ
の中心から±１８０ｍｍの範囲が許容温度範囲内に入る
。従って、直径４００ｍｍの基板ホルダの９０％が許容
温度範囲に入る。
施例の基板ホルダ（データＡ）の場合には、基板ホルダ
の中心から±１８０ｍｍの範囲が許容温度範囲内に入る
。従って、直径４００ｍｍの基板ホルダの９０％が許容
温度範囲に入る。
一方、ステンレス単層の基板ホルダ（データＢ）の場合
には、基板ホルダの中心から±７５ｍｍの部分の温度が
高く、反面、基板ホルダの中心から±１３０ｍｍより外
側の温度が低く、許容温度範囲に入る範囲が著しく狭い
ことが判る。
には、基板ホルダの中心から±７５ｍｍの部分の温度が
高く、反面、基板ホルダの中心から±１３０ｍｍより外
側の温度が低く、許容温度範囲に入る範囲が著しく狭い
ことが判る。
データＡおよびデータＢにおいて、基板ホルダの外周部
の温度が低下するのは、基板ホルダ２の自転に伴う冷却
効果によるものである。また、データＢにおいて基板ホ
ルダの中心から±７５ｍｍの部分において温度が高いの
は、加熱用ヒータ４の輻射熱を直接受けるからであり、
基板ホルダの中心部が低いのは、核部の熱各量が大きい
ためと考えられる。
の温度が低下するのは、基板ホルダ２の自転に伴う冷却
効果によるものである。また、データＢにおいて基板ホ
ルダの中心から±７５ｍｍの部分において温度が高いの
は、加熱用ヒータ４の輻射熱を直接受けるからであり、
基板ホルダの中心部が低いのは、核部の熱各量が大きい
ためと考えられる。
第４図に、表−１で示した装置を用いて基板ホルダ２の
表面に形成したａ−８ｉ：Ｈ膜の膜厚分布を示す。この
グラフにおいて、Ａは第１実施例の基板ホルダのデータ
、Ｂはステンレス単層の基板ホルダのデータである。
表面に形成したａ−８ｉ：Ｈ膜の膜厚分布を示す。この
グラフにおいて、Ａは第１実施例の基板ホルダのデータ
、Ｂはステンレス単層の基板ホルダのデータである。
このグラフから明らかなように、ａ−８ｉ：Ｈ膜の膜厚
は、第３図に示した基板ホルダの温度分布に略対応して
変化する。
は、第３図に示した基板ホルダの温度分布に略対応して
変化する。
従って、第１実施例の基板ホルダを用いた場合の膜厚（
データＡ）は、ステンレス単層の基板ホルダを用いた場
合の膜厚（データＢ）に比べて膜厚の分布が顕著に均一
化されている。例えば５００ｎｍ±２５ ｎｍを許容膜
厚とすると、第１実施例の基板ホルダ（データＡ）の場
合には、基板ホルダの中心から±１７０ｍｍで許容膜厚
内の薄膜を形成する。
データＡ）は、ステンレス単層の基板ホルダを用いた場
合の膜厚（データＢ）に比べて膜厚の分布が顕著に均一
化されている。例えば５００ｎｍ±２５ ｎｍを許容膜
厚とすると、第１実施例の基板ホルダ（データＡ）の場
合には、基板ホルダの中心から±１７０ｍｍで許容膜厚
内の薄膜を形成する。
従って、直径４００ｍｍの基板ホルダの８５％において
許容膜厚の薄膜を形成することができる。
許容膜厚の薄膜を形成することができる。
一方、ステンレス単層の基板ホルダは、データＢで明ら
かなように膜厚に一様性がなく、基板ホルダの直径の８
５％の有効範囲を得ることは困難である。
かなように膜厚に一様性がなく、基板ホルダの直径の８
５％の有効範囲を得ることは困難である。
次いで第５図に、表−１に示しだ装置で基板ホルダ２の
表面に形成しだａ−８ｉ：Ｈ膜の水素含有量の分布を示
す。このグラフにおいて、Ａは第１実施例の基板ホルダ
を用いた場合のデータ、Ｂはステンレス単層の基板ホル
ダを用いた場合のデータである。
表面に形成しだａ−８ｉ：Ｈ膜の水素含有量の分布を示
す。このグラフにおいて、Ａは第１実施例の基板ホルダ
を用いた場合のデータ、Ｂはステンレス単層の基板ホル
ダを用いた場合のデータである。
このグラフから明らかなように、水素含有量は第６図に
示した基板ホルダの温度分布に対応して変化する。
示した基板ホルダの温度分布に対応して変化する。
従って、温度分布が均一な第１実施例の基板ホルダを用
いた場合の水素含有量（データＡ）は、ステンレス単層
の基板ホルダを用いた場合。
いた場合の水素含有量（データＡ）は、ステンレス単層
の基板ホルダを用いた場合。
の水素含有量（データＢ）に比べて格段に均一化されて
いることが判る。これを定量的に示すと、第１実施例の
基板ホルダを用いた場合（データＡ）は、基板ホルダの
中心から±１７０ｍｍの範囲では１５原子チの一様な水
素を含有する膜が得られるのに対し、ステンレス単層の
基板ホルダを用いた場合（データＢ）には、基板ホルダ
の位置によって水素含有量の変化が犬きく、一様な水素
含有量を有する大面積の薄膜を得ることは困難である。
いることが判る。これを定量的に示すと、第１実施例の
基板ホルダを用いた場合（データＡ）は、基板ホルダの
中心から±１７０ｍｍの範囲では１５原子チの一様な水
素を含有する膜が得られるのに対し、ステンレス単層の
基板ホルダを用いた場合（データＢ）には、基板ホルダ
の位置によって水素含有量の変化が犬きく、一様な水素
含有量を有する大面積の薄膜を得ることは困難である。
上記試験例より明らかなように、薄膜形成装置にて形成
される薄膜の膜厚および膜質は、基板ホルダ表面の温度
分布に依存しており、第１実施例の基板ホルダのように
表面の温度分布を均一にした基板ホルダを用いることに
より、膜１質および膜厚が一様な薄膜を得られることが
判る。
される薄膜の膜厚および膜質は、基板ホルダ表面の温度
分布に依存しており、第１実施例の基板ホルダのように
表面の温度分布を均一にした基板ホルダを用いることに
より、膜１質および膜厚が一様な薄膜を得られることが
判る。
実施例２
本発明の第２実施例は、第６図に示すように、基板ホル
ダ２０表面に二層の均熱層１０．１１を形成したもので
ある。基板ホルダ２は、ト記第１実施例と同様ステンレ
ス製であり、基板ホルダ２と接するｔ第１の均熱層１０
はアルミニウム、基板５と接する第２の均熱層１１は、
アルミニウム製の均熱層１０よりも更に熱伝導率の高い
石英にて形成する。
ダ２０表面に二層の均熱層１０．１１を形成したもので
ある。基板ホルダ２は、ト記第１実施例と同様ステンレ
ス製であり、基板ホルダ２と接するｔ第１の均熱層１０
はアルミニウム、基板５と接する第２の均熱層１１は、
アルミニウム製の均熱層１０よりも更に熱伝導率の高い
石英にて形成する。
上記第２実施例の薄膜形成装置は、基板ホルダ２の表面
に二層の均熱層１０，１１を形成しだので、基板ホルダ
２の不均一な温度分布が熱伝導率の高い第１の均熱層１
０によって拡散均熱され、更に前記第１の均熱層１０よ
りも熱伝導率の高い第２の均熱層１１によって拡散均熱
される。これにより、第２の均熱層１１の表面に保持し
た基板５をより高度に均熱化することが期待できる。
に二層の均熱層１０，１１を形成しだので、基板ホルダ
２の不均一な温度分布が熱伝導率の高い第１の均熱層１
０によって拡散均熱され、更に前記第１の均熱層１０よ
りも熱伝導率の高い第２の均熱層１１によって拡散均熱
される。これにより、第２の均熱層１１の表面に保持し
た基板５をより高度に均熱化することが期待できる。
また、基板５と接する第２の均熱層１１として化学的に
安定な材料である石英を用いだので、汚染の少ない良質
な薄膜の形成が期待できる。
安定な材料である石英を用いだので、汚染の少ない良質
な薄膜の形成が期待できる。
尚、上記実施例では、ステンレス製の基板ホルダ２の表
面にアルミニウム製の均熱板９を設けた場合の実施例、
およびステンレス製の基板ホルダ２０表面にアルミニウ
ム製および石英製の二層構造の均熱板１０．１１を設け
た場合の実施例についてのみ説明したが、本発明の要旨
は、基本ホルダ２の表面にこれより熱伝導率の高い材料
を用いて少くとも１層の均熱板を設けた点に存するので
あって、上記の材料、上記の構造に限定されるものでは
ない。
面にアルミニウム製の均熱板９を設けた場合の実施例、
およびステンレス製の基板ホルダ２０表面にアルミニウ
ム製および石英製の二層構造の均熱板１０．１１を設け
た場合の実施例についてのみ説明したが、本発明の要旨
は、基本ホルダ２の表面にこれより熱伝導率の高い材料
を用いて少くとも１層の均熱板を設けた点に存するので
あって、上記の材料、上記の構造に限定されるものでは
ない。
例えば上記のほか、銅、タングステン、モリブデン、真
ち１Φう、グラファイトなど、任意の材料を任意の組合
せで使用することができる。
ち１Φう、グラファイトなど、任意の材料を任意の組合
せで使用することができる。
まだ、上記実施例では、基板ホルダ２０基板保持面のみ
に均熱板を設けた実施例についてのみ説明したが、本発
明の要旨はこれに限定されるものではなく、基板ホルタ
−２の全体に均熱板を形成することも勿論可能である。
に均熱板を設けた実施例についてのみ説明したが、本発
明の要旨はこれに限定されるものではなく、基板ホルタ
−２の全体に均熱板を形成することも勿論可能である。
壕だ、Ｅ記の実施例は、プラズマＣＶＤ装置についての
み説明しだが、この他、真空蒸着装置、スパッタリング
装置、イオンブレーティング装置などにおいても全く同
様に実施することが可能である。
み説明しだが、この他、真空蒸着装置、スパッタリング
装置、イオンブレーティング装置などにおいても全く同
様に実施することが可能である。
〔発明の効果〕
本発明の薄膜形成装置は、基板ホルダが均一に０口熱さ
れるので、この基板ホルダ圧よって保持される基板も均
一に加熱され、その結果、基板表面に均質で膜厚が一様
な膜厚を形成することができる。
れるので、この基板ホルダ圧よって保持される基板も均
一に加熱され、その結果、基板表面に均質で膜厚が一様
な膜厚を形成することができる。
壕だ、基板ホルダが広い面積に亘って均一に加熱される
ので、従来製造が困難とされていたラインセンサ、感熱
記録ヘッド、平面ディスプレイ用の大面積の基板にも均
質で膜厚が一様な薄膜を形成することができる。
ので、従来製造が困難とされていたラインセンサ、感熱
記録ヘッド、平面ディスプレイ用の大面積の基板にも均
質で膜厚が一様な薄膜を形成することができる。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第２図は
本発明の薄膜形成装置に使用する基板ホルダの第１実施
例を示す断面図、第６図は第１実施例の基板ホルダおよ
びステンレス単層の基板ホルダの温度分布の比較を示す
グラフ、第４図は第１実施例の基板ホルダおよびステン
レス単層の基板ホルダに形成されたａ−８ｉ−Ｈ膜の膜
厚分布の比較を示すグラフ、第５図は第１実施例の基板
ホルダおよびステンレス単層の基板ホルダに形成された
ａ−８ｉ：Ｈ膜の水素含有量分布の比較を示すグラフ、
第６図は第２実施例の基板ホルダを示す断面図である。 １・・・・・・真空槽、 ２・・・・・・基板ホルダ、 ６・・・・・・冷却液通路、 ４・・・・・・υ０熱用ヒータ、 ５・・・・・・基板、 ６・・・・・・ガス導入管、 ７・・・・・・電極、 ８・・・・・・電源、 ？、１０．１１・・・・・均熱層。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第 ｌ 図 番 第 ２膿 、ダ 第 ３ 図 中１ｌＵｃ”ｓ＋ｒ＞ｉ−Ｍ （ｍｉ）第 ４− 図 第 Ｓ 図 ［７ｙ１７７１Ｊ 第 ６ 図 、午
本発明の薄膜形成装置に使用する基板ホルダの第１実施
例を示す断面図、第６図は第１実施例の基板ホルダおよ
びステンレス単層の基板ホルダの温度分布の比較を示す
グラフ、第４図は第１実施例の基板ホルダおよびステン
レス単層の基板ホルダに形成されたａ−８ｉ−Ｈ膜の膜
厚分布の比較を示すグラフ、第５図は第１実施例の基板
ホルダおよびステンレス単層の基板ホルダに形成された
ａ−８ｉ：Ｈ膜の水素含有量分布の比較を示すグラフ、
第６図は第２実施例の基板ホルダを示す断面図である。 １・・・・・・真空槽、 ２・・・・・・基板ホルダ、 ６・・・・・・冷却液通路、 ４・・・・・・υ０熱用ヒータ、 ５・・・・・・基板、 ６・・・・・・ガス導入管、 ７・・・・・・電極、 ８・・・・・・電源、 ？、１０．１１・・・・・均熱層。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第 ｌ 図 番 第 ２膿 、ダ 第 ３ 図 中１ｌＵｃ”ｓ＋ｒ＞ｉ−Ｍ （ｍｉ）第 ４− 図 第 Ｓ 図 ［７ｙ１７７１Ｊ 第 ６ 図 、午
Claims (1)
- 真空槽内に置いた基板の表面に異種物質を化学的、物理
的方法によって蒸着する薄膜形成装置において、前記真
空槽内で前記基板を保持する基板ホルダの表面に、この
基板ホルダの素材より熱伝導率の高い材料を用いて少く
とも１層以上の均熱層を形成したことを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054260A JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054260A JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200963A true JPS60200963A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0565586B2 JPH0565586B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=12965589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054260A Granted JPS60200963A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200963A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010287573A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Semes Co Ltd | 基板加熱ユニット及びこれを含む基板処理装置 |
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