JPS60201379A - 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板及びその製造方法Info
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- JPS60201379A JPS60201379A JP59057699A JP5769984A JPS60201379A JP S60201379 A JPS60201379 A JP S60201379A JP 59057699 A JP59057699 A JP 59057699A JP 5769984 A JP5769984 A JP 5769984A JP S60201379 A JPS60201379 A JP S60201379A
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- Japan
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- thin film
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- manufacturing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶その他の電気光°学的表示物質の駆動回
路として薄膜トランジスタアレイを用いる表示装置にお
ける基板、およびその製造方法に関するものである。
路として薄膜トランジスタアレイを用いる表示装置にお
ける基板、およびその製造方法に関するものである。
従来、上記のような表示装置において基板上に薄膜トラ
ンジスタを形成する場合、積層によシミ界効果トランジ
スタを形成する為、成膜、フォトリソ、エツチングのプ
ロセスを繰シ返す事によシ完成される。この為にトラン
ジスタの特性を決定する要因として、各層の幾何学的位
置関係が大きく影響を与える。すなわちマスクのアライ
メント精度によシ相互の位置精度が決定される為に、薄
膜トランジスタ作製工程に使用するマスクの枚数が多い
と特性として大きなバラツキや不良を発生する欠点があ
った。例えば半導体層をバット状に形成する時ダート線
面からズして形成された場合、アモルファス・シリコン
半導体層において特性劣化となる光がダート線巾からも
れて半導体層に照射される為にトランジスタ動作に異常
’（Ｓｔｅａｂｌｅｒ−Ｗｒｕｎｓｋｉ効果によるＯＦ
Ｆ抵抗値の低下）をきたしてしまう。
ンジスタを形成する場合、積層によシミ界効果トランジ
スタを形成する為、成膜、フォトリソ、エツチングのプ
ロセスを繰シ返す事によシ完成される。この為にトラン
ジスタの特性を決定する要因として、各層の幾何学的位
置関係が大きく影響を与える。すなわちマスクのアライ
メント精度によシ相互の位置精度が決定される為に、薄
膜トランジスタ作製工程に使用するマスクの枚数が多い
と特性として大きなバラツキや不良を発生する欠点があ
った。例えば半導体層をバット状に形成する時ダート線
面からズして形成された場合、アモルファス・シリコン
半導体層において特性劣化となる光がダート線巾からも
れて半導体層に照射される為にトランジスタ動作に異常
’（Ｓｔｅａｂｌｅｒ−Ｗｒｕｎｓｋｉ効果によるＯＦ
Ｆ抵抗値の低下）をきたしてしまう。
本発明の目的は、製作に際して使用マスクを減らし、マ
スクアライメントを簡略化することができて、容易に作
製できる表示装置用基板およびその製造方法を提供する
と、とである。
スクアライメントを簡略化することができて、容易に作
製できる表示装置用基板およびその製造方法を提供する
と、とである。
また、本発明の他の目的は、信号線でのショートを防止
し歩留ｂｔ内向上た表示装置用基板およびその製造方法
を提供することである。
し歩留ｂｔ内向上た表示装置用基板およびその製造方法
を提供することである。
本発明による表示装置用基板は、電気光学的表示物質の
駆動回路として、薄膜トランジスタアレイを絶縁基板上
に形成して成るものであって、基板の表面のゲート線上
に清って絶縁層を介し、半導体層が積層された事を特徴
とするものである。
駆動回路として、薄膜トランジスタアレイを絶縁基板上
に形成して成るものであって、基板の表面のゲート線上
に清って絶縁層を介し、半導体層が積層された事を特徴
とするものである。
また、１本発明による表示装置用基板の製造方法は、電
気光学的表示物質の駆動回路として薄膜トランジスタア
レイ全透明な絶縁基板上に形成し、該基板の表面のケ°
−ト線上に沿って絶縁層を介して半導体層を積層した表
示装置用基板全製造するにあたり、該基板裏面からの投
光によシ、ダート線を介してポジタイプフォト・レジス
ト露光し半導体層ｔエツチング形成する事を％微とする
ものである。
気光学的表示物質の駆動回路として薄膜トランジスタア
レイ全透明な絶縁基板上に形成し、該基板の表面のケ°
−ト線上に沿って絶縁層を介して半導体層を積層した表
示装置用基板全製造するにあたり、該基板裏面からの投
光によシ、ダート線を介してポジタイプフォト・レジス
ト露光し半導体層ｔエツチング形成する事を％微とする
ものである。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
以下、本発明を液晶装置に適用したものについて説明す
るが、本発明はその他の電気光学的表示物質ヲ煉用する
表示装置にも適用可能である。
るが、本発明はその他の電気光学的表示物質ヲ煉用する
表示装置にも適用可能である。
第１図（、） （ｂ）は本発明による表示装置用基板の
一実施態様を示す。これはガラス等の透明な絶縁性基板
Ｓの上に液晶駆動回路として薄膜トランジスタ（Ｔｈ１
ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｌａｔｏｒ、以下、ＴＰＴと
略称する）アレイ’ｉ２−１０本／−程度の密度でマト
リクス配置したものである。ＴＰＴは１、基板Ｓ上に形
成されたｒ−）線１ａ及び１ａ′（透明又は金属の薄膜
導電膜からなる）、該ダート電極上に絶縁膜ｒ２介して
ダート電極に沿って形成した薄膜状の半導体ＳＣ，半導
体に接して設けたソース線（導電膜から成る） ３ 、
３’、及び前記ダートＩＩＩｔ−直交する該ソース線と
ｆ−ト線上に於て微少なギャップを設けて対置するドレ
イン電極４．４’、４“、４＃等から構成されている。
一実施態様を示す。これはガラス等の透明な絶縁性基板
Ｓの上に液晶駆動回路として薄膜トランジスタ（Ｔｈ１
ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｌａｔｏｒ、以下、ＴＰＴと
略称する）アレイ’ｉ２−１０本／−程度の密度でマト
リクス配置したものである。ＴＰＴは１、基板Ｓ上に形
成されたｒ−）線１ａ及び１ａ′（透明又は金属の薄膜
導電膜からなる）、該ダート電極上に絶縁膜ｒ２介して
ダート電極に沿って形成した薄膜状の半導体ＳＣ，半導
体に接して設けたソース線（導電膜から成る） ３ 、
３’、及び前記ダートＩＩＩｔ−直交する該ソース線と
ｆ−ト線上に於て微少なギャップを設けて対置するドレ
イン電極４．４’、４“、４＃等から構成されている。
第２図は、第１図に示す基板Ｓと対向基板の間に液晶物
質を挾持することによって構成された液晶表示装置の第
１図（ｂ） Ａ −Ａ／線における断面図を示す。第２
図に於いて、７及びＳはガラス等の基板、４“及び４″
Ｉｌ′ｉ前述のドレイン電極、５は絶縁層、８は対向電
極である。４“、４１としては、Ａｕ。
質を挾持することによって構成された液晶表示装置の第
１図（ｂ） Ａ −Ａ／線における断面図を示す。第２
図に於いて、７及びＳはガラス等の基板、４“及び４″
Ｉｌ′ｉ前述のドレイン電極、５は絶縁層、８は対向電
極である。４“、４１としては、Ａｕ。
Ａｊ 、 Ｐｄ等の金属薄膜が使用される。８にはｒＪ
Ｏ５，５ｉ０２等の透明導電膜が使用される。１ｍ。
Ｏ５，５ｉ０２等の透明導電膜が使用される。１ｍ。
１ｍ’及び３．３′はそれぞれダート電極及びソース線
であって、Ａｌ１ Ａｕ ｌ Ａｇ ｌ Ｐｔ ｌ Ｐ
ｄ ｌ Ｃｕ等の金属が使用される。９は必要に応じて
設けられる絶縁膜であシ、ＳＣはＣｄ８ ＃ Ｃｄ８ｅ
ｌアモルファスシリコン等の半導体、Ｐは保護層でフ
ッ化カルシウム、酸化シリコンあるいは石英である。１
０はスペーサ、ＬＣは液晶層である。尚、表示装置では
、動的散乱モード（ＤＳＭ ）・ねじれ配列ネマティ、
り（ＴＮ）等表示モードのいずれを利用するか或いは装
置を透過型又は反射型にするかに応じて、種々の液晶分
子配向状態及び偏向板・λ／４板・反射板等の光学検知
手段が適宜設定される。
であって、Ａｌ１ Ａｕ ｌ Ａｇ ｌ Ｐｔ ｌ Ｐ
ｄ ｌ Ｃｕ等の金属が使用される。９は必要に応じて
設けられる絶縁膜であシ、ＳＣはＣｄ８ ＃ Ｃｄ８ｅ
ｌアモルファスシリコン等の半導体、Ｐは保護層でフ
ッ化カルシウム、酸化シリコンあるいは石英である。１
０はスペーサ、ＬＣは液晶層である。尚、表示装置では
、動的散乱モード（ＤＳＭ ）・ねじれ配列ネマティ、
り（ＴＮ）等表示モードのいずれを利用するか或いは装
置を透過型又は反射型にするかに応じて、種々の液晶分
子配向状態及び偏向板・λ／４板・反射板等の光学検知
手段が適宜設定される。
上述のように、本発明による表示装置用基板は基板Ｓの
表面のダート線１１Ｌ１１Ｂ’上に沿って絶縁層■を介
して半導体層ＳＣが積層される。このように作製された
基板によってつくられた液晶表示装置は、従来のものと
同等の特性を示すとともに、下記の利点をもつ。
表面のダート線１１Ｌ１１Ｂ’上に沿って絶縁層■を介
して半導体層ＳＣが積層される。このように作製された
基板によってつくられた液晶表示装置は、従来のものと
同等の特性を示すとともに、下記の利点をもつ。
（１）基板裏面からのレジスト露光でよいので、フォト
マスクが不用である。
マスクが不用である。
（２）同様の理由でマスクアライメントが不用で、従っ
て工数が大巾に減少する。
て工数が大巾に減少する。
（３）従来のものでは、絶縁層のみによって絶縁されて
いたが、本発明においては、ａ−８１層も絶縁層に近い
高抵抗である為に、ソース線とダート線のショートの確
率が少なくなる。
いたが、本発明においては、ａ−８１層も絶縁層に近い
高抵抗である為に、ソース線とダート線のショートの確
率が少なくなる。
また、本発明による表示装置用基板の製造方法は、透明
基板上Ｋ ＴＦＴを形成するにあたって、基板裏面から
の投光によシグート１Ｉｌｆ：介してポジタイプのフォ
トレジス）１−露光し、半導体層上エツチング形成する
ものである。
基板上Ｋ ＴＦＴを形成するにあたって、基板裏面から
の投光によシグート１Ｉｌｆ：介してポジタイプのフォ
トレジス）１−露光し、半導体層上エツチング形成する
ものである。
以下、第３図によって本発明方法の一実施ｆＰＪｔｔ説
明する。第３図（１） −Ｑｌは、基板製作の順次のプ
ロセスを示す＠ 先ず、第３図（１）に示すように、ガラスの基板素材１
１上にスパッタによって全面にわたりてＡｔ層１２’ｋ
ｌＯ００１の厚さに成膜し、その上にポジタイプレジス
ト（Ａｚ−１３５０Ｊ、シュプレー社製）の＠１１３’
Ｊｆスピン塗布し、ダート用マスク１４を用いて紫外線
を露光１５をした。次に、第３図（２）および（３）に
示すように、Ａｔのエッチャント（リン酸と硝酸の混液
）にてエツチング全完了し、レジストヲアセトンにて除
去、洗浄し、第３図（４）に示すように、ダート線ノ９
ターン１６を完成させた。
明する。第３図（１） −Ｑｌは、基板製作の順次のプ
ロセスを示す＠ 先ず、第３図（１）に示すように、ガラスの基板素材１
１上にスパッタによって全面にわたりてＡｔ層１２’ｋ
ｌＯ００１の厚さに成膜し、その上にポジタイプレジス
ト（Ａｚ−１３５０Ｊ、シュプレー社製）の＠１１３’
Ｊｆスピン塗布し、ダート用マスク１４を用いて紫外線
を露光１５をした。次に、第３図（２）および（３）に
示すように、Ａｔのエッチャント（リン酸と硝酸の混液
）にてエツチング全完了し、レジストヲアセトンにて除
去、洗浄し、第３図（４）に示すように、ダート線ノ９
ターン１６を完成させた。
次に、第３図（５）に示すように、グロー放電装置によ
シシリコン窒化膜（５ｉＮＨ） １７を３０００Ｘ形成
し、続いてアモルファスシリコン膜１８に一１０００Ｘ
形成した。次に第３図（６）に示すように、ポジタイプ
レジスト（前記のものと同じ）１９？スピン塗布し、プ
リベーク後、基板の裏面から光２０を照射した。現像を
行ない、第３図（力に示すように、ダート線と同形状の
レジスト膜２１が得うした。次いで第３図（８）に示す
ように、アモルファスシリコン膜１８をドライエツチン
グ装置によシ除去し、その後、レジストヲ除去して、第
３図（９）に示すように半導体層２２を形成した。
シシリコン窒化膜（５ｉＮＨ） １７を３０００Ｘ形成
し、続いてアモルファスシリコン膜１８に一１０００Ｘ
形成した。次に第３図（６）に示すように、ポジタイプ
レジスト（前記のものと同じ）１９？スピン塗布し、プ
リベーク後、基板の裏面から光２０を照射した。現像を
行ない、第３図（力に示すように、ダート線と同形状の
レジスト膜２１が得うした。次いで第３図（８）に示す
ように、アモルファスシリコン膜１８をドライエツチン
グ装置によシ除去し、その後、レジストヲ除去して、第
３図（９）に示すように半導体層２２を形成した。
、この様に作製された半導体層２０とゲート電極１６は
同一形状として得られる為にマスク合せ不良等による失
敗は皆無となる。次に第３図ａＩに示すようにソース電
極２３およびドレイン電極２４を成膜、フォト−リソに
よシ作製し、薄膜トランジスタを完成した。本発明によ
り形成された薄膜トランジスタ・アレー基板と対向電極
を有する他の基板ｍ１にネマチック液晶’ｉＴＮ配向で
挟持し、両側を偏光板でサンドイッチした表示パネルを
作製し良好な画像が得られた。又、ダート線上に高抵抗
のアモルファスシリコン層が絶縁層を介して存在する為
にソース線とゲート線のショート不良発生が少なくなシ
歩留夛も向上した。
同一形状として得られる為にマスク合せ不良等による失
敗は皆無となる。次に第３図ａＩに示すようにソース電
極２３およびドレイン電極２４を成膜、フォト−リソに
よシ作製し、薄膜トランジスタを完成した。本発明によ
り形成された薄膜トランジスタ・アレー基板と対向電極
を有する他の基板ｍ１にネマチック液晶’ｉＴＮ配向で
挟持し、両側を偏光板でサンドイッチした表示パネルを
作製し良好な画像が得られた。又、ダート線上に高抵抗
のアモルファスシリコン層が絶縁層を介して存在する為
にソース線とゲート線のショート不良発生が少なくなシ
歩留夛も向上した。
本発明は上述のような構成によシ次の効果を達成できる
。
。
（１） 基板製作の際に自らのダート線をマスクとする
ので、マスクが不要。
ので、マスクが不要。
（２）上記と同様の理由で位置精度が極めて良い◎（３
） ゲート線とソース線間の絶縁層が増し、ショート不
良の発生が減る。
） ゲート線とソース線間の絶縁層が増し、ショート不
良の発生が減る。
第１図（ａ）は本発明による表示装置用基板の一実施例
を示す斜視図、第１図（ｂ）はその平面図、第２図は第
１図に示す基板と対向電極基板によって横４．４’、４
“、４“′・・・ドレイン電極１．５・・・絶縁層 Ｓ
Ｃ・・・半導体７・・・基板 ８・・・対向電極 ９・・・絶縁膜 １０・・・スペーサ ＬＣ・・・液晶層 １１・・・基板 １２・・・Ａｔ膜 １３・・・レジスト層１４・・・フ
ォトマスク １５・・・露光の紫外線１６・・・ダート
電極ノぐターン １７・・・チッ化シリコン膜 １８・・・アモルファスシリコン膜 １９・・・フォトレジスト ２０・・・露光２１・・・
レジスト膜 ２２・・・半導体層２３・・・ソース電極
２４・・・ドレイン電極第１図（ｂ） 第２図
を示す斜視図、第１図（ｂ）はその平面図、第２図は第
１図に示す基板と対向電極基板によって横４．４’、４
“、４“′・・・ドレイン電極１．５・・・絶縁層 Ｓ
Ｃ・・・半導体７・・・基板 ８・・・対向電極 ９・・・絶縁膜 １０・・・スペーサ ＬＣ・・・液晶層 １１・・・基板 １２・・・Ａｔ膜 １３・・・レジスト層１４・・・フ
ォトマスク １５・・・露光の紫外線１６・・・ダート
電極ノぐターン １７・・・チッ化シリコン膜 １８・・・アモルファスシリコン膜 １９・・・フォトレジスト ２０・・・露光２１・・・
レジスト膜 ２２・・・半導体層２３・・・ソース電極
２４・・・ドレイン電極第１図（ｂ） 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気光学的表示物質の駆動回路として、薄膜トラン
ジスタアレイを絶縁基板上に形成して成る表示装置用基
板において、基板の表面のダート線上に活って絶縁層を
介し、半導体層が積層された事を特徴とする表示装置用
基板。 ２ 電気光学的表示物質の駆動回路として薄膜トランジ
スタアレイを透明な絶縁基板上に形成し、該基板の表面
のケ゛−ト線上に沿って絶縁層を介して半導体層を積層
した表示装置用基板全製造する方法において、該基板裏
面からの投光によシ、ダート＋１ｌｌｊｌを介して、Ｉ
？シタイブフォト・レジストを露光し半導体層をエツチ
ング形成する事を特徴とする表示装置用基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057699A JPS60201379A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057699A JPS60201379A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19239892A Division JP2771074B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 液晶表示装置 |
| JP20913297A Division JPH10105080A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201379A true JPS60201379A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0580677B2 JPH0580677B2 (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=13063178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59057699A Granted JPS60201379A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201379A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630169A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-26 | Canon Kk | Color display cell |
| JPS58143374A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JPS599941A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59057699A patent/JPS60201379A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630169A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-26 | Canon Kk | Color display cell |
| JPS58143374A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
| JPS599941A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580677B2 (ja) | 1993-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |