JPS60201602A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
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- JPS60201602A JPS60201602A JP5804984A JP5804984A JPS60201602A JP S60201602 A JPS60201602 A JP S60201602A JP 5804984 A JP5804984 A JP 5804984A JP 5804984 A JP5804984 A JP 5804984A JP S60201602 A JPS60201602 A JP S60201602A
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- Japan
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- magnetic
- film
- magneto
- metal oxide
- magnetic film
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
滋」し虻吐
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
膜に関する。
膜に関する。
皿米且１
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１−１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出ずことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半
導体レーザー光によって高速度（周波数ＩＭＨｚにおい
て）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁性
体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳ
ｔ、、Ｓｉｎ、等の保護膜を設ける。（形成法は磁性膜
の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等による）こ
とも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真
空中に残存するＯ７、基板面に吸着された０２．Ｈ，Ｏ
等及び合金磁性体のターゲット中に含まれる０２，８２
０等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録
時の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される。ま
た非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのた
めに磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１−１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出ずことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半
導体レーザー光によって高速度（周波数ＩＭＨｚにおい
て）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁性
体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳ
ｔ、、Ｓｉｎ、等の保護膜を設ける。（形成法は磁性膜
の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等による）こ
とも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真
空中に残存するＯ７、基板面に吸着された０２．Ｈ，Ｏ
等及び合金磁性体のターゲット中に含まれる０２，８２
０等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録
時の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される。ま
た非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのた
めに磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。
更に再生出力を向上するための再生方式として磁性膜を
できるだけ厚くし、その上にＣｕ、ＡＱ、Ｐｔ、Ａｕ等
の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた
後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反射型フ
ァラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点で有
利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため
、この方式に用いることができないものであった。
できるだけ厚くし、その上にＣｕ、ＡＱ、Ｐｔ、Ａｕ等
の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた
後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反射型フ
ァラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点で有
利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため
、この方式に用いることができないものであった。
目 的
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
１−一腹
本発明の金属酸化物磁性体は一般式（１）％式％）
（但し、ＭｅはＩｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎから選ば
れた少なくとも一種の元素を示し、ｍはＭｅのイオン価
数を示し、’＋ｘ＋ｙ＋Ｚは夫々５．０≦ｎ≦６．０゜
０〈λ≦１．０＜ｙ≦０．８．０＜ｚ≦０．６の値で表
わす。） で示さ汎るものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
れた少なくとも一種の元素を示し、ｍはＭｅのイオン価
数を示し、’＋ｘ＋ｙ＋Ｚは夫々５．０≦ｎ≦６．０゜
０〈λ≦１．０＜ｙ≦０．８．０＜ｚ≦０．６の値で表
わす。） で示さ汎るものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｃの適正範囲はＴｃについては［００
〜３５０“Ｃ，Ｈｃについては３００〜６０００エルス
テツドと考えられる。これは］゛Ｃが■００“″Ｃ以下
では記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不
安定になって再生特性の劣化原因となり、 また、３５
０℃以上では半導体レーザー光による記録が困難であり
、一方、 ｔＩｃが３００エルステツド以下ではメモリ
ーが不安定となって消失する可能性があり、また６００
０工ルステツド以上では記録時の磁化反転に必要なレー
ザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましくないからで
ある。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｃの適正範囲はＴｃについては［００
〜３５０“Ｃ，Ｈｃについては３００〜６０００エルス
テツドと考えられる。これは］゛Ｃが■００“″Ｃ以下
では記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不
安定になって再生特性の劣化原因となり、 また、３５
０℃以上では半導体レーザー光による記録が困難であり
、一方、 ｔＩｃが３００エルステツド以下ではメモリ
ーが不安定となって消失する可能性があり、また６００
０工ルステツド以上では記録時の磁化反転に必要なレー
ザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましくないからで
ある。
一方、従来より磁気バブル材料として金属酸化物磁性体
が研究されている。このうち六方晶系のものでは例えば 一般式（２） ％式％） （但しｎは一般式（１）に同じ） で示されるものが知られている。本発明者らはこの種の
磁性体がそれ自体、酸化物であるため。
が研究されている。このうち六方晶系のものでは例えば 一般式（２） ％式％） （但しｎは一般式（１）に同じ） で示されるものが知られている。本発明者らはこの種の
磁性体がそれ自体、酸化物であるため。
酸化劣化の恐れがなく、 しかも膜厚１０μｍとしても
透光性を備えているごとに注目した。しかしこれらはキ
ュリ一温度Ｔｃが４５０°Ｃ以上と高いため、前述のよ
うに半導体レーザー光による記録は困難であり、そのま
までは光磁気記録媒体用材料として適用できない。
透光性を備えているごとに注目した。しかしこれらはキ
ュリ一温度Ｔｃが４５０°Ｃ以上と高いため、前述のよ
うに半導体レーザー光による記録は困難であり、そのま
までは光磁気記録媒体用材料として適用できない。
そこで本発明者らは一般式（２）の磁性体を基礎にして
種々検討した。その結果、一般式（２）中のＦｅ原子の
一部をＡｔ又はＩｎ、Ｓｃ、ＴＬ。
種々検討した。その結果、一般式（２）中のＦｅ原子の
一部をＡｔ又はＩｎ、Ｓｃ、ＴＬ。
Ｓｎ及びＺｎ原子で置換することによって、Ｔｃが低下
することを見い出した。同時にＨｅについてはＡ１置換
の場合は増大するが、Ｉｎ、Ｓｃ。
することを見い出した。同時にＨｅについてはＡ１置換
の場合は増大するが、Ｉｎ、Ｓｃ。
Ｔｉ、Ｓｎ及びＺｎ［換の場合は低下することを見い出
した。また、Ｂａの一部をＳｒで置換すると、上記Ａ１
及びＩｎ等の置換効果は同様であるが、残留磁化を増大
できる。例えばＢａ（＋、７ｙ Ｓｒ６．ｚｇ Ｆｅｕ
−Ｘ ’ ＭＸ ’ ０１９ （ＭはＡ Ｉ 、 Ｉ
ｎ、 Ｓｃ、Ｔｉ、 Ｓｎ及びＺｎを示し、８′はＭの
置換数を示す。）において、上記各々の原子で置換した
場合、Ｔｃについては第１−１〜第１−４図のような傾
向を示した。またＨｃについては第２−１〜第２−４図
のような傾向を示した。なお、ここでＡｔ置換と他の原
子置換との差異を明確にするため、全ての図にＡｔ置換
の結果を図示した。
した。また、Ｂａの一部をＳｒで置換すると、上記Ａ１
及びＩｎ等の置換効果は同様であるが、残留磁化を増大
できる。例えばＢａ（＋、７ｙ Ｓｒ６．ｚｇ Ｆｅｕ
−Ｘ ’ ＭＸ ’ ０１９ （ＭはＡ Ｉ 、 Ｉ
ｎ、 Ｓｃ、Ｔｉ、 Ｓｎ及びＺｎを示し、８′はＭの
置換数を示す。）において、上記各々の原子で置換した
場合、Ｔｃについては第１−１〜第１−４図のような傾
向を示した。またＨｃについては第２−１〜第２−４図
のような傾向を示した。なお、ここでＡｔ置換と他の原
子置換との差異を明確にするため、全ての図にＡｔ置換
の結果を図示した。
そこで本発明者らはこのようなＡＩ又はＩｎ。
Ｓｃ、Ｔｉｎ Ｓｎ及びＺｎの置換効果に着目し、更に
光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ
及びＨｅの前記適正範囲を考慮して一般式（２）のＦｅ
の一部を、ＡＩと上記能の５種の原子の一つとの組み合
わせで種々の割合でもって置換した結果、一般式（１）
の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒体として優れた特性
を与えることを見い出し本発明に致達した。
光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ
及びＨｅの前記適正範囲を考慮して一般式（２）のＦｅ
の一部を、ＡＩと上記能の５種の原子の一つとの組み合
わせで種々の割合でもって置換した結果、一般式（１）
の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒体として優れた特性
を与えることを見い出し本発明に致達した。
このように本発明は、特にキュリ一温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかっ゛た一般式（
２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＡＩ及び上記能
の５種の原子のうちの一つで置換することによって、メ
モリーに要求される適度に高い保磁力を維持しながら、
キュリ一度を低下せしめて半導体レーザー光による記録
、再生を可能にし、光磁気記録媒体用材料として適用で
きるようにしたものである。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかっ゛た一般式（
２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＡＩ及び上記能
の５種の原子のうちの一つで置換することによって、メ
モリーに要求される適度に高い保磁力を維持しながら、
キュリ一度を低下せしめて半導体レーザー光による記録
、再生を可能にし、光磁気記録媒体用材料として適用で
きるようにしたものである。
例えばＢａｏ７ｒ”ｒｏ２ｔＡｌｙ ’ Ｍｅ、 ’
Ｆｅ、、 −ｙ ’ −ｚ ’ ＯＢ（但し、ＭｅはＩ
ｎｖＳｃ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれる元素を示し
、ｙ′はＡＩの置換数、２′はＭｅの置換数を示す。）
において置換原子数を種々変えてＴｃ及びＨｅへの影響
を調べたところ、第３図及び第４図に示す結果が得られ
た。ここで。
Ｆｅ、、 −ｙ ’ −ｚ ’ ＯＢ（但し、ＭｅはＩ
ｎｖＳｃ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれる元素を示し
、ｙ′はＡＩの置換数、２′はＭｅの置換数を示す。）
において置換原子数を種々変えてＴｃ及びＨｅへの影響
を調べたところ、第３図及び第４図に示す結果が得られ
た。ここで。
Ｍｅ＝Ｉｎの場合：第３−１図及び第４−１図Ｍｅ＝Ｓ
ｃの場合：第３−２図及び第４−２図Ｍ ｅ ＝ Ｔ
’ｒの場合：第３−３図及び第４−３図Ｍ ｅ ＝ Ｓ
ｎの場合：第３−４図及び第４−４図である。更にＭ
ｅ ＝ Ｉ ｎの場合を例に説明すると、ＡＩの置換
数ｙ′が２．０５でＩｎの置換数２′が２．０のとき、
Ｔｃは第３−１図より１８０℃であり、Ｈｅは第４−１
図より２．９ＫＯｅである。
ｃの場合：第３−２図及び第４−２図Ｍ ｅ ＝ Ｔ
’ｒの場合：第３−３図及び第４−３図Ｍ ｅ ＝ Ｓ
ｎの場合：第３−４図及び第４−４図である。更にＭ
ｅ ＝ Ｉ ｎの場合を例に説明すると、ＡＩの置換
数ｙ′が２．０５でＩｎの置換数２′が２．０のとき、
Ｔｃは第３−１図より１８０℃であり、Ｈｅは第４−１
図より２．９ＫＯｅである。
ＭｅがＳｃ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＺｎの場合も同様の傾向を
示した。これらのＴｃ及びＨｅ特性により本発明の金属
酸化物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録
、再生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できる
ことは勿論、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い
上、耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持
っている。
示した。これらのＴｃ及びＨｅ特性により本発明の金属
酸化物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録
、再生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できる
ことは勿論、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い
上、耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持
っている。
本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定量のＢａ
Ｃ０，、とＳｒＯ，とＦｅ、０．とＡｔ、Ｏ，と更にＩ
ｎ２０．、Ｓｃ、Ｏ，、Ｔｉ０２ｒＳｎＯ，、ＺｎＯの
いずれか一つを混合粉砕し。
Ｃ０，、とＳｒＯ，とＦｅ、０．とＡｔ、Ｏ，と更にＩ
ｎ２０．、Ｓｃ、Ｏ，、Ｔｉ０２ｒＳｎＯ，、ＺｎＯの
いずれか一つを混合粉砕し。
これを適当な形状の金型に入れて成型後、１２００〜１
４００℃の温度で焼結すればよい。
４００℃の温度で焼結すればよい。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例としては Ｆ３ａＯ，’ｒＳ ５ｒｏｋｔ Ｏ・６ （Ａｌｏ、ｉ
ｒ Ｉ ｎｏ、ｔｓ−Ｆｅ ｔｓ ０２ ］Ｂａ、、７
１ Ｓｒ６．ｋ ０ ・６ （ＡｌＯ，ＢｔＴｉ ｏ、
ｔｒ Ｆｅ （、＊ｔＯ，）’Ｂａｏ、７ｔＳｒａ、ａ
ｔｏ＠６（Ａｌａ）ｔＳｃｏ、ｒｓ−Ｆｅｔ、ｔＯｓ）
Ｂ ！Ｉ＋ ６．ｙ Ｓ ｒ ６．ｚｔ Ｏ’ ６ ［
Ａ ｌ ｏ、ｐ Ｓ ｎ ６．１１ Ｆ ｅ ／、３０
＠ ］Ｂａ（、，７１５ｒｏａｒ Ｏ嘗６ ［Ａｌａ
４− Ｚｎ ｏ、ｒｒＦｅ ｔ、ｑ Ｏｓ ］が挙げら
れる。
具体例としては Ｆ３ａＯ，’ｒＳ ５ｒｏｋｔ Ｏ・６ （Ａｌｏ、ｉ
ｒ Ｉ ｎｏ、ｔｓ−Ｆｅ ｔｓ ０２ ］Ｂａ、、７
１ Ｓｒ６．ｋ ０ ・６ （ＡｌＯ，ＢｔＴｉ ｏ、
ｔｒ Ｆｅ （、＊ｔＯ，）’Ｂａｏ、７ｔＳｒａ、ａ
ｔｏ＠６（Ａｌａ）ｔＳｃｏ、ｒｓ−Ｆｅｔ、ｔＯｓ）
Ｂ ！Ｉ＋ ６．ｙ Ｓ ｒ ６．ｚｔ Ｏ’ ６ ［
Ａ ｌ ｏ、ｐ Ｓ ｎ ６．１１ Ｆ ｅ ／、３０
＠ ］Ｂａ（、，７１５ｒｏａｒ Ｏ嘗６ ［Ａｌａ
４− Ｚｎ ｏ、ｒｒＦｅ ｔ、ｑ Ｏｓ ］が挙げら
れる。
なお以上のような金属酸化物磁性体にはファラデー回転
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ＋
Ｂ ｉｔ Ｖ＋ Ｌａ＋ Ｙ＋ Ｙｂ＋５ｒｒｚ Ｔ
ｂ、Ｄ３’ｔ Ｇｄ等の金属を添加することができる。
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ＋
Ｂ ｉｔ Ｖ＋ Ｌａ＋ Ｙ＋ Ｙｂ＋５ｒｒｚ Ｔ
ｂ、Ｄ３’ｔ Ｇｄ等の金属を添加することができる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を。
作るには、基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの
磁性体をターゲットとして基板温度５００〜７００℃で
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法で膜厚０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。
磁性体をターゲットとして基板温度５００〜７００℃で
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法で膜厚０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。
こうして第５図に示すように基板１上に、垂直磁化され
た磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。なお場
合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行
なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、これ
に５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を印加
しながら、行なって垂直磁化させる必要がある。ここで
基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐熱性
金属；石英ガラス；ＧＧＧ；サファイヤ；リチウムタン
タレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス；バ
リコールガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結
晶シリコン；ＡＱ２０．ｌ。
た磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。なお場
合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行
なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、これ
に５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を印加
しながら、行なって垂直磁化させる必要がある。ここで
基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐熱性
金属；石英ガラス；ＧＧＧ；サファイヤ；リチウムタン
タレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス；バ
リコールガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結
晶シリコン；ＡＱ２０．ｌ。
ＡＱ、０３・ＭｇＯ，Ｍｇ０−Ｌ ｉ Ｆ、Ｙ、ＯＩｌ
・ＬｉＦ＋ Ｂｅｄ、ＺｒＯ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２’
Ｃａ Ｏ等の透明セラミック材＝無機シリコン材（例え
は東芝シリコン社製トスカード、住人化学社製スミセラ
ムＰ）等の無機材料が使用できる。
・ＬｉＦ＋ Ｂｅｄ、ＺｒＯ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２’
Ｃａ Ｏ等の透明セラミック材＝無機シリコン材（例え
は東芝シリコン社製トスカード、住人化学社製スミセラ
ムＰ）等の無機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、ビはガイド
トラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５は
ガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８は
耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板ビは前述
のような有機材料を射出成型、押出成型、フォトエツチ
ング法等により加工して作られる。なお基板のガイドト
ラックは記録、再生時のレーザー光を案内するものであ
る。反射１１ｔ！ｉ３はＣｕ ＋ Ａ Ｑ ＨＡ ｇ
＋ Ａ ｕ ＴＰｔ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，５ｅＡｓ＋
ＴｅＡｓ＋Ｔ ｉ Ｎ ＋ Ｔ ａ Ｎ ＋ Ｃｒ Ｎ
＋シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚５００〜１００００人程度に付着させることに
より形成される。なおこの反射膜は、磁性膜を透過した
レーザー光を反射し、再び磁性膜を透過することによる
ファラデー効果を増大させる目的で設けられる。透明誘
電層４はＳ ｉｏ２．Ｓ ｉｏ。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、ビはガイド
トラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５は
ガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８は
耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板ビは前述
のような有機材料を射出成型、押出成型、フォトエツチ
ング法等により加工して作られる。なお基板のガイドト
ラックは記録、再生時のレーザー光を案内するものであ
る。反射１１ｔ！ｉ３はＣｕ ＋ Ａ Ｑ ＨＡ ｇ
＋ Ａ ｕ ＴＰｔ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，５ｅＡｓ＋
ＴｅＡｓ＋Ｔ ｉ Ｎ ＋ Ｔ ａ Ｎ ＋ Ｃｒ Ｎ
＋シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚５００〜１００００人程度に付着させることに
より形成される。なおこの反射膜は、磁性膜を透過した
レーザー光を反射し、再び磁性膜を透過することによる
ファラデー効果を増大させる目的で設けられる。透明誘
電層４はＳ ｉｏ２．Ｓ ｉｏ。
Ｔｉｅ７．Ｔｉｅ、Ｃｅ０２ｔ ＨｆＯ２，ＢｅａｔＴ
ｈｅ、、Ｓ ｉ、Ｎ、等を前記と同様な方法で対象面に
膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に付着させることによ
り形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回転角
を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる。ガ
イドトラック層５は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗布し
た後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外線を
照射して前記樹脂を硬化させることにより形成される。
ｈｅ、、Ｓ ｉ、Ｎ、等を前記と同様な方法で対象面に
膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に付着させることによ
り形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回転角
を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる。ガ
イドトラック層５は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗布し
た後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外線を
照射して前記樹脂を硬化させることにより形成される。
保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミド
樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、５ｊ２Ｎ４．ＴａＮ、５
ｉｎ２．Ｓ ｉ Ｏ等を樹脂の場合は塗布法で、その他
の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング等の方法で対象面に膜厚約０．１−１０μｍ程度に
付着させることにより形成される。なおこの保護膜は反
射膜３を保護する目的で設けられる。透明接着層７は、
反射膜３を設けたガイドトラック付き基板１′の反射膜
と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よ
りなるので。
ボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミド
樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、５ｊ２Ｎ４．ＴａＮ、５
ｉｎ２．Ｓ ｉ Ｏ等を樹脂の場合は塗布法で、その他
の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング等の方法で対象面に膜厚約０．１−１０μｍ程度に
付着させることにより形成される。なおこの保護膜は反
射膜３を保護する目的で設けられる。透明接着層７は、
反射膜３を設けたガイドトラック付き基板１′の反射膜
と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よ
りなるので。
［磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は
前述のような無機材料よりなるので、基板１に相当する
が、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる
。厚さは約１０〜５００μｍ１程度が適当である。
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は
前述のような無機材料よりなるので、基板１に相当する
が、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる
。厚さは約１０〜５００μｍ１程度が適当である。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
憎り一一一、肢
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴ ＣＥＬ）ｌ ｃを有し、記録感
度が高いにも抱わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食
性及び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣
化がなく、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再
生出力の高いファラデー回転角を利用して再生すること
ができる。
用材料として適正なＴ ＣＥＬ）ｌ ｃを有し、記録感
度が高いにも抱わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食
性及び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣
化がなく、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再
生出力の高いファラデー回転角を利用して再生すること
ができる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜５
下記表に示した組成のターゲットを各々用いて、石英基
板上に蒸着法によって膜厚５００人のＡｇを付着し、こ
の上に更らにスパッタ法にて膜厚１０００人の５ｉｎ２
を被着するこの上にＡｒ分圧２．０ｎｉｎＴ ｏ ｒ
ｒ 、 ０２分圧０．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力
０．３５ＫＷ、基板温度５２０〜７００℃の条件で２時
間スパッタリングして０．３μｍ厚の磁性膜を形成した
。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測
定した結果を下表に示す。
板上に蒸着法によって膜厚５００人のＡｇを付着し、こ
の上に更らにスパッタ法にて膜厚１０００人の５ｉｎ２
を被着するこの上にＡｒ分圧２．０ｎｉｎＴ ｏ ｒ
ｒ 、 ０２分圧０．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力
０．３５ＫＷ、基板温度５２０〜７００℃の条件で２時
間スパッタリングして０．３μｍ厚の磁性膜を形成した
。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測
定した結果を下表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波数ＩＭ
Ｈｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したとこ
ろ、いずれもビット径約１．５μｍの記録ビットが形成
された。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波数ＩＭ
Ｈｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したとこ
ろ、いずれもビット径約１．５μｍの記録ビットが形成
された。
第１図及び第２図は夫々、金属酸化物磁性体Ｂ ａ６，
７ｙ Ｓ ｒ６．ａｔ Ｆ ｅ ＋２− Ｘ ’ ＭＸ
’ Ｏｔｓ （ＭはＡ ｌ ｇ Ｉ ｎ ９ Ｓ ｃ
、Ｔ ｉ＋ Ｓ ｎを示し、ｙ′はＭの置換数を示す
。）における置換数Ｘ′と、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁
力Ｈｃとの関係図である。第３図及び第４図は夫々、金
属酸化物磁性体 Ｂａ、１７．ＳｒＤ、、Ａｌｙ ’ 阿ｅ２ ’ Ｆｅ
１２− Ｖ ’ −２’ ０．９（ＭｅはＩｎ、Ｓｃ
、Ｔｉ、Ｓｎから選ばれる元素を示し、ｙ′はＡＩの置
換数、Ｚ′はＭｅの置換数を示す。）における置換数ｙ
′及びＺ′と、Ｔｃ及びＨｅとの関係図である。第５〜
９図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記
録媒体の一例の構成図である。 １・・・基 板 １′・・・カイトトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・透明誘電層 ５・・・ガイドトラック層６・・・保
護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐熱層 第［−１１図 第１−３１ン１ 第１−２図 第１−４図 負）２−１図 第２−３１図 第３−［図 第３−３図 第４−１図 ｅｌＩＴｉ 第４−２図 第５図 第７図 第９図 負）６図 第８図
７ｙ Ｓ ｒ６．ａｔ Ｆ ｅ ＋２− Ｘ ’ ＭＸ
’ Ｏｔｓ （ＭはＡ ｌ ｇ Ｉ ｎ ９ Ｓ ｃ
、Ｔ ｉ＋ Ｓ ｎを示し、ｙ′はＭの置換数を示す
。）における置換数Ｘ′と、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁
力Ｈｃとの関係図である。第３図及び第４図は夫々、金
属酸化物磁性体 Ｂａ、１７．ＳｒＤ、、Ａｌｙ ’ 阿ｅ２ ’ Ｆｅ
１２− Ｖ ’ −２’ ０．９（ＭｅはＩｎ、Ｓｃ
、Ｔｉ、Ｓｎから選ばれる元素を示し、ｙ′はＡＩの置
換数、Ｚ′はＭｅの置換数を示す。）における置換数ｙ
′及びＺ′と、Ｔｃ及びＨｅとの関係図である。第５〜
９図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記
録媒体の一例の構成図である。 １・・・基 板 １′・・・カイトトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・透明誘電層 ５・・・ガイドトラック層６・・・保
護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐熱層 第［−１１図 第１−３１ン１ 第１−２図 第１−４図 負）２−１図 第２−３１図 第３−［図 第３−３図 第４−１図 ｅｌＩＴｉ 第４−２図 第５図 第７図 第９図 負）６図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［、一般式 ％式％） （但し、ＭｅはＩｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎから選ば
れた少なくとも一種の元素を示し、ｍはＭｅのイオン価
数を示し−ｎｚＸｒ’ｊｔＺｔは夫々５．０≦ｎ≦６
、０ 、 Ｏ（ｘ ＜ １ 、０ （ｙ ≦０ 、８
、０ ＜ ｚ ≦０ 、６の値を表わす。） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％） （但し、ＭｅはＩｎ、Ｓｃ、Ｔｉ＋Ｓｎ；Ｚｎから選ば
れた少なくとも一種の元素を示し、ｍはＭｅのイオン価
数を示し、ｎ ｒ Ｘ ｒ Ｖ ｒ Ｚは夫々５．０≦
ｎ≦６ 、０ 、０ ＜ ｘ ＜ １ 、０ ＜ ｙ
≦０ 、８ 、０ ＜ ｚ≦０．６の値を表わす。） で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804984A JPS60201602A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804984A JPS60201602A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201602A true JPS60201602A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13073064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5804984A Pending JPS60201602A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201602A (ja) |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5804984A patent/JPS60201602A/ja active Pending
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