JPH0576763B2 - - Google Patents
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- JPH0576763B2 JPH0576763B2 JP59007596A JP759684A JPH0576763B2 JP H0576763 B2 JPH0576763 B2 JP H0576763B2 JP 59007596 A JP59007596 A JP 59007596A JP 759684 A JP759684 A JP 759684A JP H0576763 B2 JPH0576763 B2 JP H0576763B2
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- magneto
- optical recording
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
技術分野
本発明は新規な金属酸化物磁性体よりなる磁性
膜を設けた光磁気記録媒体に関する。 従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行な
う光磁気記録媒体が高密度記録用として研究開発
されている。従来、光磁気記録媒体に用いられる
磁性体としては希土類金属と遷移金属との非晶質
合金からなるものが多い。このような非晶質合金
磁性体を用いて光磁気記録媒体を作るには一般に
ガラス板のような基板上に前記磁性体、例えば
Tb−Fe合金を真空蒸着、スパツタリング等の方
法で厚さ0.1〜1μｍ程度に付着させて磁性膜を形
成している。こうして得られる光磁気記録媒体へ
の記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち
記録は磁性膜のキユリー温度又は補償温度近傍に
おける温度変化に対応した保磁力の急激な変化特
性を利用して２値信号で変調されたレーザー光を
磁性膜に照射加熱して磁化の向きを反転させるこ
とにより行なわれる。また再生はこうして反転記
録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質
合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が
高いため、半導体レーザー光によつて高速度（周
波数1MHzにおいて）で記録できるという利点は
あるが、非晶質合金磁性体、特に希土類金属成分
は酸化腐食を受け易いので、経時と共に磁性膜の
磁気光学特性が劣化するという大きな欠点があ
る。これを防止するため、非晶質磁性膜上に
SiO、SiO2等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜
の場合と同様、真空蒸着、スパツタリング等によ
る）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜
の形成時、真空中に残存するO2、基板面に吸着
されたO2、H2O等及び合金磁性体のターゲツト
中に含まれるO2、H2O等により経時と共に磁性
膜が酸化腐食される上、記録時の光及び熱により
更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶質磁
性体は熱によつて結晶化され易く、そのために磁
性特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。
更に再生出力を向上するための再生方式として磁
性膜をできるだけ厚くし、その上にCu、Al、Pt、
Au等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照
射透過させた後、反射膜で反射させ、この反射光
を検出する反射型フアラデー方式は高Ｓ／Ｎの信
号が得られるという点で有利であるが、従来の非
晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方式に用
いることができないものであつた。 目 的 本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化
腐食性及び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材
料として特に好適な新規な金属酸化物磁性体及び
この金属酸化物磁性体よりなる磁性膜を基体上に
形成した光磁気記録媒体を提供することである。 構 成 本発明の金属酸化物磁性体は一般式(1) MeO・ｎ〔Crx・Ti3/4yFe2-(x+y)O3〕 （但しMe＝Ba又はSr、０＜Ｘ≦0.5、０＜Ｙ≦
0.5、５≦ｎ≦６） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式
の金属化物磁性体よりなるものである。 光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜
には半導体レーザー光によつて記録、再生可能な
磁気光学特性（適正なキユリー温度、保磁力等）
を備えていなければならないが、特に高い記録感
度を得るためにキユリー温度Tcが低いこと及び
記録したメモリーを安定に維持するために保磁力
Hcが適度に高いことが必要である。一般にこの
Tc及びHcの適正範囲はTcについては100〜350
℃、Hcについては300〜6000エルステツドと考え
られる。これはTcが100℃以下では記録したメモ
リーが再生時のレーザー光によつて不安定になつ
て再生特性の劣化原因となり、また、350℃以上
では半導体レーザー光による記録が困難であり、
一方、Hcが300エルステツド以下ではメモリーが
不安定となつて消失する可能性があり、また6000
エルステツド以上では記録時の磁化反転に必要な
レーザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましく
ないからである。 一方、従来より磁気バルブ材料として金属酸化
物磁性体が研究されている。このうち六方晶系の
ものでは例えば 一般式(2) MeO・ｎ〔Fe2O3〕 （但しMe、ｎは一般式(1)に同じ） で示されるものが知られている。本発明者らはこ
の種の磁性体がそれ自体、酸化物であるため、酸
化劣化の恐れがなく、しかも膜厚10μｍとしても
透光性を備えていることに注目した。しかしこれ
らはキユリー温度Tcが450℃以上と高いため、前
述のように半導体レーザー光による記録は困難で
あり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として
適用できない。そこで本発明者らは種々検討した
ところ、一般式(2)の中のFe原子の一部をCr又は
Ti原子で置換すると、Cr置換、Ti置換のいずれ
の場合もTcが低下することを見出した。同時に
HCについてはCr置換の場合は増大するが、Ti置
換の場合は低下することを見出した。例えばCr
又はTi置換体BaFe12-ZMZO19（ＭはCr又はTi、Ｚ
はCr又はTiの置換数を表わす。）はTcについて
は第１図のような傾向を示し、またHcについて
は第２図のような傾向を示した。そこで本発明者
らはこのようなCr及びTiの置換効果に着目し、
更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求
されるTc及びHcの前記適正範囲を考慮して一般
式(2)のFeの一部をCr及びTiの２種の金属で種々
の割合で置換した結果、一般式(1)の金属酸化物磁
性体が光磁気記録媒体として優れた特性を与える
ことを見出し、本発明に到達した。 このように本発明は、特にキユリー温度が高い
ため、光磁気記録媒体用材料として顧みられなか
つた一般式２の金属化合物中のFe原子の一部を
Cr及びTi原子で置換することによつて、メモリ
ーに要求される適度に高い保磁力を維持しなが
ら、キユリー温度を低下せしめて半導体レーザー
光による記録、再生を可能にし、こうして光磁気
記録媒体用材料として適用した光磁気記録媒体で
ある。 以上の説明から判るように本発明の金属酸化物
磁性体は光磁気記録媒体用材料として要求される
適正キユリー温度範囲及び適正保磁力範囲を満足
するものである。 例えばBaCrx′Tiy′Fe12-(x′+y′)O19 （但しX′はCr置換数、Y′はTi置換数） ではTcは第３図に示すように、Crの置換数X′が
2.05で、且つTiの置換数Y′が2.00の時、260℃で
あり、またHcは第４図に示すように、Crの置換
数X′が2.05で、且つTiの置換数Y′が2.00の時、約
3.6Kエルステツドである。これらのTc及びHc特
性により本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は
半導体レーザー光により記録、再生を行なう光磁
気記録媒体用材料として適用できることは勿論、
キユリー温度が低いため、記録感度が高い上、耐
酸化腐食性及び投光性を備えている等の特長を持
つている。 本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定
量のBaCO3又はSrCO3とFe2O3とCrO3とTIO2と
を混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて
成型後、1200〜1400℃の温度で焼結すればよい。 以上のようにして得られる本発明の金属酸化物
磁性体の具体例としては BaO・5.2（Cr0.1Ti0.15Fe1.7O3）、 BaO.5.2（Cr0.2Ti0.15Fe1.6O3）、 BaO.5.4（Cr0.2Ti0.225Fe1.5O3）、 BaO.5.4（Cr0.3Ti0.075Fe1.6O3）、 BaO.5.6（Cr0.3Ti0.15Fe1.5O3）、 BaO.5.6（Cr0.4Ti0.225Fe1.3O3）、 BaO.5.8（Cr0.4Ti0.375Fe1.1O3）、 BaO.5.8（Cr0.2Ti0.3Fe1.4O3）、 SrO.5.4（Cr0.3Ti0.3Fe1.3O3）、 SrO.5.6（Cr0.4Ti0.15Fe1.4O3）、 等が挙げられる。 なお以上のような金属酸化物磁性体にはフアラ
デー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善す
るためにCo、Bi、Ｖ、La、Ｙ、Yb、Sm、Tb、
Dy、Gd等の金属を添加することができる。 本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作
るには、基板の種類にもよるが、一般に基板上に
この磁性体をターゲツトとして基板温度500〜700
℃で真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング等の方法で膜厚0.1〜10μｍ程度に付着させ
ればよい。こうして第５図に示すように基板１上
に、垂直磁化された磁性膜２を有する光磁気記録
媒体が得られる。なお場合によつては磁性膜の形
成は基板温度500℃未満で行なうこともできる。
但しこの場合は磁性膜形成後、これに500〜800℃
の熱処理を、場合により磁界を印加しながら、行
なつて垂直磁化させる必要がある。ここで基板の
材料としては一般にアルミニウムのような耐熱性
金属；石英ガラス；GGG；サフアイヤ；リチウ
ムタンタレート；結晶化透明ガラス；パイレツク
スガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結
晶シリコン；Al2O3、Al2O3・MgO、MgO・
LiF、Y2O3・LiF、BeO、ZrO2・Y2O3、ThO2・
CaO等の透明セラミツク材；無機シリコン材（例
えば東芝シリコン社製トスガード、住友化学社製
スミセラムＰ）等の無機材料が使用できる。 本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気
記録媒体に限らず、従来公知のすべての多層型光
磁気記録媒体に適用できる。この種の多層型の例
としては第６〜９図に示すような構成のものが挙
げられる。図中、１′はガイドトラツク付き基板、
３は反射膜、４は透明誘電層、５はガイドトラツ
ク層、６は保護膜、７は透明接着層、８は耐熱層
である。ここでガイドトラツク付き基板１′は前
述のような有機材料を射出成型、押出成型、フオ
トエツチング法等により加工して作られる。なお
基板のガイドトラツクは記録、再生時のレーザー
光を案内するものである。反射膜３はCu、Al、
Ag、Au、Pt、TeOx、TeC、SeAs、TeAs、
TiN、TaN、CrN、シアニン染料、フタロシア
ニン染料等を真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイング等の方法で対象面に膜厚500〜
10000Å程度に付着させることにより形成される。
なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによるフア
ラデー効果を増大させる目的で設けられる。透明
誘電層４はSiO2、SiO、TiO2、TiO、CeO、
HfO2、BeO、ThO2、Si3N4等を前記と同様な方
法で対象面に膜厚約0.05〜0.5μｍ程度に付着させ
ることにより形成される。なおこの透明誘電層は
フアラデー回転角を増大させて再生出力を向上す
る目的で設けられる。ガイドトラツク層５は対象
面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を
有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前
記樹脂を硬化させることにより形成させる。保護
膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポ
リアミド樹脂、エポキシ樹脂、TiN、Si3N4、
TaN、SiO2、SiO等を樹脂の場合は塗布法で、
その他の場合は真空蒸着、スパツタリング、イオ
ンプレーテイング等の方法で対象面に膜厚約0.1
〜10μｍ程度に付着させることにより形成させ
る。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目的で
設けられる。透明接着層７は、反射膜３を設けた
ガイドトラツク付き基板１′の反射膜と磁性膜２
を設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりな
るので、「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層
型光磁気記録材料のことである。）の磁性膜とを
エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の樹
脂で約２〜100μｍ厚程度に接着することにより
形成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′
上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２
とを接合するための層である。なお耐熱層８は前
述のような無機材料よりなるので、基板１に相当
するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で
設けられる。厚さは約10〜500μｍ程度が適当で
ある。 本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記
録媒体への記録、再生は従来と同じく磁性膜又は
基板側から変調又は偏向されたレーザー光を照射
して行なわれる。 効 果 本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気
記録媒体用材料として適正なTc及びHcを有し、
記録感度が高いにも拘わらず、従来品にはなかつ
た耐酸化腐食性及び透明性を備えているので、磁
気光学特性の経時劣化がなく、且つ再生時に透過
光も利用でき、このため再生出力の高いフアラデ
ー回転角を利用して再生することができる。 以下に本発明の実施例を示す。 実施例 １〜10 下記表に示した組成のターゲツトを各々用い
て、表面光学研摩処理した石英基板上にAr分圧
2.0mmTorr、O2分圧0.3mmTorr、放電々力
0.35KW、基板温度520〜700℃の条件で２時間ス
パツタリングして0.2μｍ厚の磁性膜を形成した。
これら磁性膜のキユリー温度Tc及び保磁力Hcを
測定した結果を下表に示す。
膜を設けた光磁気記録媒体に関する。 従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行な
う光磁気記録媒体が高密度記録用として研究開発
されている。従来、光磁気記録媒体に用いられる
磁性体としては希土類金属と遷移金属との非晶質
合金からなるものが多い。このような非晶質合金
磁性体を用いて光磁気記録媒体を作るには一般に
ガラス板のような基板上に前記磁性体、例えば
Tb−Fe合金を真空蒸着、スパツタリング等の方
法で厚さ0.1〜1μｍ程度に付着させて磁性膜を形
成している。こうして得られる光磁気記録媒体へ
の記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち
記録は磁性膜のキユリー温度又は補償温度近傍に
おける温度変化に対応した保磁力の急激な変化特
性を利用して２値信号で変調されたレーザー光を
磁性膜に照射加熱して磁化の向きを反転させるこ
とにより行なわれる。また再生はこうして反転記
録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質
合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が
高いため、半導体レーザー光によつて高速度（周
波数1MHzにおいて）で記録できるという利点は
あるが、非晶質合金磁性体、特に希土類金属成分
は酸化腐食を受け易いので、経時と共に磁性膜の
磁気光学特性が劣化するという大きな欠点があ
る。これを防止するため、非晶質磁性膜上に
SiO、SiO2等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜
の場合と同様、真空蒸着、スパツタリング等によ
る）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜
の形成時、真空中に残存するO2、基板面に吸着
されたO2、H2O等及び合金磁性体のターゲツト
中に含まれるO2、H2O等により経時と共に磁性
膜が酸化腐食される上、記録時の光及び熱により
更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶質磁
性体は熱によつて結晶化され易く、そのために磁
性特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。
更に再生出力を向上するための再生方式として磁
性膜をできるだけ厚くし、その上にCu、Al、Pt、
Au等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照
射透過させた後、反射膜で反射させ、この反射光
を検出する反射型フアラデー方式は高Ｓ／Ｎの信
号が得られるという点で有利であるが、従来の非
晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方式に用
いることができないものであつた。 目 的 本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化
腐食性及び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材
料として特に好適な新規な金属酸化物磁性体及び
この金属酸化物磁性体よりなる磁性膜を基体上に
形成した光磁気記録媒体を提供することである。 構 成 本発明の金属酸化物磁性体は一般式(1) MeO・ｎ〔Crx・Ti3/4yFe2-(x+y)O3〕 （但しMe＝Ba又はSr、０＜Ｘ≦0.5、０＜Ｙ≦
0.5、５≦ｎ≦６） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式
の金属化物磁性体よりなるものである。 光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜
には半導体レーザー光によつて記録、再生可能な
磁気光学特性（適正なキユリー温度、保磁力等）
を備えていなければならないが、特に高い記録感
度を得るためにキユリー温度Tcが低いこと及び
記録したメモリーを安定に維持するために保磁力
Hcが適度に高いことが必要である。一般にこの
Tc及びHcの適正範囲はTcについては100〜350
℃、Hcについては300〜6000エルステツドと考え
られる。これはTcが100℃以下では記録したメモ
リーが再生時のレーザー光によつて不安定になつ
て再生特性の劣化原因となり、また、350℃以上
では半導体レーザー光による記録が困難であり、
一方、Hcが300エルステツド以下ではメモリーが
不安定となつて消失する可能性があり、また6000
エルステツド以上では記録時の磁化反転に必要な
レーザー出力や外部磁界が大きくなり、好ましく
ないからである。 一方、従来より磁気バルブ材料として金属酸化
物磁性体が研究されている。このうち六方晶系の
ものでは例えば 一般式(2) MeO・ｎ〔Fe2O3〕 （但しMe、ｎは一般式(1)に同じ） で示されるものが知られている。本発明者らはこ
の種の磁性体がそれ自体、酸化物であるため、酸
化劣化の恐れがなく、しかも膜厚10μｍとしても
透光性を備えていることに注目した。しかしこれ
らはキユリー温度Tcが450℃以上と高いため、前
述のように半導体レーザー光による記録は困難で
あり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として
適用できない。そこで本発明者らは種々検討した
ところ、一般式(2)の中のFe原子の一部をCr又は
Ti原子で置換すると、Cr置換、Ti置換のいずれ
の場合もTcが低下することを見出した。同時に
HCについてはCr置換の場合は増大するが、Ti置
換の場合は低下することを見出した。例えばCr
又はTi置換体BaFe12-ZMZO19（ＭはCr又はTi、Ｚ
はCr又はTiの置換数を表わす。）はTcについて
は第１図のような傾向を示し、またHcについて
は第２図のような傾向を示した。そこで本発明者
らはこのようなCr及びTiの置換効果に着目し、
更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求
されるTc及びHcの前記適正範囲を考慮して一般
式(2)のFeの一部をCr及びTiの２種の金属で種々
の割合で置換した結果、一般式(1)の金属酸化物磁
性体が光磁気記録媒体として優れた特性を与える
ことを見出し、本発明に到達した。 このように本発明は、特にキユリー温度が高い
ため、光磁気記録媒体用材料として顧みられなか
つた一般式２の金属化合物中のFe原子の一部を
Cr及びTi原子で置換することによつて、メモリ
ーに要求される適度に高い保磁力を維持しなが
ら、キユリー温度を低下せしめて半導体レーザー
光による記録、再生を可能にし、こうして光磁気
記録媒体用材料として適用した光磁気記録媒体で
ある。 以上の説明から判るように本発明の金属酸化物
磁性体は光磁気記録媒体用材料として要求される
適正キユリー温度範囲及び適正保磁力範囲を満足
するものである。 例えばBaCrx′Tiy′Fe12-(x′+y′)O19 （但しX′はCr置換数、Y′はTi置換数） ではTcは第３図に示すように、Crの置換数X′が
2.05で、且つTiの置換数Y′が2.00の時、260℃で
あり、またHcは第４図に示すように、Crの置換
数X′が2.05で、且つTiの置換数Y′が2.00の時、約
3.6Kエルステツドである。これらのTc及びHc特
性により本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は
半導体レーザー光により記録、再生を行なう光磁
気記録媒体用材料として適用できることは勿論、
キユリー温度が低いため、記録感度が高い上、耐
酸化腐食性及び投光性を備えている等の特長を持
つている。 本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定
量のBaCO3又はSrCO3とFe2O3とCrO3とTIO2と
を混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて
成型後、1200〜1400℃の温度で焼結すればよい。 以上のようにして得られる本発明の金属酸化物
磁性体の具体例としては BaO・5.2（Cr0.1Ti0.15Fe1.7O3）、 BaO.5.2（Cr0.2Ti0.15Fe1.6O3）、 BaO.5.4（Cr0.2Ti0.225Fe1.5O3）、 BaO.5.4（Cr0.3Ti0.075Fe1.6O3）、 BaO.5.6（Cr0.3Ti0.15Fe1.5O3）、 BaO.5.6（Cr0.4Ti0.225Fe1.3O3）、 BaO.5.8（Cr0.4Ti0.375Fe1.1O3）、 BaO.5.8（Cr0.2Ti0.3Fe1.4O3）、 SrO.5.4（Cr0.3Ti0.3Fe1.3O3）、 SrO.5.6（Cr0.4Ti0.15Fe1.4O3）、 等が挙げられる。 なお以上のような金属酸化物磁性体にはフアラ
デー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善す
るためにCo、Bi、Ｖ、La、Ｙ、Yb、Sm、Tb、
Dy、Gd等の金属を添加することができる。 本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作
るには、基板の種類にもよるが、一般に基板上に
この磁性体をターゲツトとして基板温度500〜700
℃で真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング等の方法で膜厚0.1〜10μｍ程度に付着させ
ればよい。こうして第５図に示すように基板１上
に、垂直磁化された磁性膜２を有する光磁気記録
媒体が得られる。なお場合によつては磁性膜の形
成は基板温度500℃未満で行なうこともできる。
但しこの場合は磁性膜形成後、これに500〜800℃
の熱処理を、場合により磁界を印加しながら、行
なつて垂直磁化させる必要がある。ここで基板の
材料としては一般にアルミニウムのような耐熱性
金属；石英ガラス；GGG；サフアイヤ；リチウ
ムタンタレート；結晶化透明ガラス；パイレツク
スガラス；表面を酸化処理し又は処理しない単結
晶シリコン；Al2O3、Al2O3・MgO、MgO・
LiF、Y2O3・LiF、BeO、ZrO2・Y2O3、ThO2・
CaO等の透明セラミツク材；無機シリコン材（例
えば東芝シリコン社製トスガード、住友化学社製
スミセラムＰ）等の無機材料が使用できる。 本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気
記録媒体に限らず、従来公知のすべての多層型光
磁気記録媒体に適用できる。この種の多層型の例
としては第６〜９図に示すような構成のものが挙
げられる。図中、１′はガイドトラツク付き基板、
３は反射膜、４は透明誘電層、５はガイドトラツ
ク層、６は保護膜、７は透明接着層、８は耐熱層
である。ここでガイドトラツク付き基板１′は前
述のような有機材料を射出成型、押出成型、フオ
トエツチング法等により加工して作られる。なお
基板のガイドトラツクは記録、再生時のレーザー
光を案内するものである。反射膜３はCu、Al、
Ag、Au、Pt、TeOx、TeC、SeAs、TeAs、
TiN、TaN、CrN、シアニン染料、フタロシア
ニン染料等を真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイング等の方法で対象面に膜厚500〜
10000Å程度に付着させることにより形成される。
なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによるフア
ラデー効果を増大させる目的で設けられる。透明
誘電層４はSiO2、SiO、TiO2、TiO、CeO、
HfO2、BeO、ThO2、Si3N4等を前記と同様な方
法で対象面に膜厚約0.05〜0.5μｍ程度に付着させ
ることにより形成される。なおこの透明誘電層は
フアラデー回転角を増大させて再生出力を向上す
る目的で設けられる。ガイドトラツク層５は対象
面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を
有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前
記樹脂を硬化させることにより形成させる。保護
膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポ
リアミド樹脂、エポキシ樹脂、TiN、Si3N4、
TaN、SiO2、SiO等を樹脂の場合は塗布法で、
その他の場合は真空蒸着、スパツタリング、イオ
ンプレーテイング等の方法で対象面に膜厚約0.1
〜10μｍ程度に付着させることにより形成させ
る。なおこの保護膜は反射膜３を保護する目的で
設けられる。透明接着層７は、反射膜３を設けた
ガイドトラツク付き基板１′の反射膜と磁性膜２
を設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりな
るので、「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層
型光磁気記録材料のことである。）の磁性膜とを
エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の樹
脂で約２〜100μｍ厚程度に接着することにより
形成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′
上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２
とを接合するための層である。なお耐熱層８は前
述のような無機材料よりなるので、基板１に相当
するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で
設けられる。厚さは約10〜500μｍ程度が適当で
ある。 本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記
録媒体への記録、再生は従来と同じく磁性膜又は
基板側から変調又は偏向されたレーザー光を照射
して行なわれる。 効 果 本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気
記録媒体用材料として適正なTc及びHcを有し、
記録感度が高いにも拘わらず、従来品にはなかつ
た耐酸化腐食性及び透明性を備えているので、磁
気光学特性の経時劣化がなく、且つ再生時に透過
光も利用でき、このため再生出力の高いフアラデ
ー回転角を利用して再生することができる。 以下に本発明の実施例を示す。 実施例 １〜10 下記表に示した組成のターゲツトを各々用い
て、表面光学研摩処理した石英基板上にAr分圧
2.0mmTorr、O2分圧0.3mmTorr、放電々力
0.35KW、基板温度520〜700℃の条件で２時間ス
パツタリングして0.2μｍ厚の磁性膜を形成した。
これら磁性膜のキユリー温度Tc及び保磁力Hcを
測定した結果を下表に示す。
【表】
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒
体を一方向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の
500エルステツドの磁界を印加しながら、出力20
ｍＷの半導体レーザー光を記録媒体表面での強度
10ｍＷ及び周波数1MHzのパルスで照射して磁気
反転せしめ、記録したところ、いずれもビツト径
約1.5μｍの記録ビツトが形成された。
体を一方向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の
500エルステツドの磁界を印加しながら、出力20
ｍＷの半導体レーザー光を記録媒体表面での強度
10ｍＷ及び周波数1MHzのパルスで照射して磁気
反転せしめ、記録したところ、いずれもビツト径
約1.5μｍの記録ビツトが形成された。
第１図及び第２図は夫々、金属酸化物磁性体
BaFe12-ZMZO19（ＭはCr又はTi、ＺはCr又はTi
の置換数）におけるCr又はTiの置換数Ｚと、キ
ユリー温度Tc及び保磁力Hcとの関係図、第３図
及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体BaCrx′
Tiy′Fe12-(x′+y′)O19（X′はCrの置換数、Y′はTiの
置換数）におけるTiの置換数Y′と、Tc及びHcと
の関係図、第５〜９図は夫々本発明の磁性体又は
磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例の構成図で
ある。 １……基板、１′……ガイドトラツク付き基板、
２……磁性膜、３……反射膜、４……透明誘電
層、５……ガイドトラツク層、６……保護膜、７
……透明接着層、８……耐熱層。
BaFe12-ZMZO19（ＭはCr又はTi、ＺはCr又はTi
の置換数）におけるCr又はTiの置換数Ｚと、キ
ユリー温度Tc及び保磁力Hcとの関係図、第３図
及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体BaCrx′
Tiy′Fe12-(x′+y′)O19（X′はCrの置換数、Y′はTiの
置換数）におけるTiの置換数Y′と、Tc及びHcと
の関係図、第５〜９図は夫々本発明の磁性体又は
磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例の構成図で
ある。 １……基板、１′……ガイドトラツク付き基板、
２……磁性膜、３……反射膜、４……透明誘電
層、５……ガイドトラツク層、６……保護膜、７
……透明接着層、８……耐熱層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 MeO・ｎ〔CrX・Ti3/4YFe2-(X+Y)O3〕 （但しMeはBa又はSr、０＜Ｘ≦0.5、０＜Ｙ≦
0.5、５≦ｎ≦６を示す） で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜を基
体上に形成してなる光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007596A JPS60152010A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007596A JPS60152010A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152010A JPS60152010A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0576763B2 true JPH0576763B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=11670181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007596A Granted JPS60152010A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152010A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740380B2 (ja) * | 1985-11-19 | 1995-05-01 | 株式会社リコー | 光磁気記録材料 |
| KR100821741B1 (ko) * | 2006-08-23 | 2008-04-11 | 현대자동차주식회사 | 자동차 가변기통장치 엔진의 이중 오일 공급 구조 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428800A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizai | Method of making hexagonal barium ferrite *bafe 12 o12* single crystal |
| JPS6065511A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Toshiba Corp | 磁性酸化物単結晶の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59007596A patent/JPS60152010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60152010A (ja) | 1985-08-10 |
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