JPS60202937A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60202937A JPS60202937A JP59058208A JP5820884A JPS60202937A JP S60202937 A JPS60202937 A JP S60202937A JP 59058208 A JP59058208 A JP 59058208A JP 5820884 A JP5820884 A JP 5820884A JP S60202937 A JPS60202937 A JP S60202937A
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- JP
- Japan
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- electrode
- reaction gas
- printed circuit
- high frequency
- circuit board
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に関するもので、特Ｖ
こ、銅張積層プリント基板のスルーホール内面のスミア
をプラズマエツチングＶこより除去するのりこ好適なも
のである。
こ、銅張積層プリント基板のスルーホール内面のスミア
をプラズマエツチングＶこより除去するのりこ好適なも
のである。
従来の半導体製造プロセスで用いられているドライエツ
チング装置は、一般ｔこ、第１図ｔこ示す如く真空容器
１内に高周波電極２および接地電極３を対向して設置し
、試料４を上記高周波電ａ！２の上りこ置き、高周波電
極２に高周波電＃５を接続した構成となっている。しか
して、真空容器１内へ活性ガスまたは不活性ガスを導入
し、所定の真空度を保った状態で高周波電源５より両電
極２，３に高周波電力を印加すると、両電極２．３間に
プラズマが生じ、プラズマ中のイオンにより試料４の表
面をスパッタエツチングするものである。
チング装置は、一般ｔこ、第１図ｔこ示す如く真空容器
１内に高周波電極２および接地電極３を対向して設置し
、試料４を上記高周波電ａ！２の上りこ置き、高周波電
極２に高周波電＃５を接続した構成となっている。しか
して、真空容器１内へ活性ガスまたは不活性ガスを導入
し、所定の真空度を保った状態で高周波電源５より両電
極２，３に高周波電力を印加すると、両電極２．３間に
プラズマが生じ、プラズマ中のイオンにより試料４の表
面をスパッタエツチングするものである。
一方、第２図に示す如く、絶縁層９を介して銅板８を積
層した銅張積層プリント基板のスルーホール１０ａ内面
のスミア１０は、スルーホール１０ａ内壁Ｖこ固着して
いるため、スパッタエツチングでは除去しりこくく、プ
ラズマにより活性化されたガス分子−こよる反応性エツ
チングが効果的である。このため、第１図において試料
４の代りｒこ銅張積層プリント基板を置くのは好ましく
なく第３図に示す如き高周波電極２と接地型＆３との中
間にプリント基板７を絶縁物すで保持した第３図ｔこ示
す構成が考えられる。
層した銅張積層プリント基板のスルーホール１０ａ内面
のスミア１０は、スルーホール１０ａ内壁Ｖこ固着して
いるため、スパッタエツチングでは除去しりこくく、プ
ラズマにより活性化されたガス分子−こよる反応性エツ
チングが効果的である。このため、第１図において試料
４の代りｒこ銅張積層プリント基板を置くのは好ましく
なく第３図に示す如き高周波電極２と接地型＆３との中
間にプリント基板７を絶縁物すで保持した第３図ｔこ示
す構成が考えられる。
しかしながら、第３図の構成１こおいて両電極２゜３の
間にプリント基板７のような導体を配置すると、プラズ
マの発生が接地電極３とプリント基板７との間をこ制限
され、高周波電極２とプリント基板７との間ｅこはプラ
ズマがほとんど発生しないことになる。したがって、こ
の状態でドライエツチングを行なうと、銅張積層プリン
ト基板の周辺部と中央部とでエツチングはの大中な相違
が生じてしまう問題点がある。
間にプリント基板７のような導体を配置すると、プラズ
マの発生が接地電極３とプリント基板７との間をこ制限
され、高周波電極２とプリント基板７との間ｅこはプラ
ズマがほとんど発生しないことになる。したがって、こ
の状態でドライエツチングを行なうと、銅張積層プリン
ト基板の周辺部と中央部とでエツチングはの大中な相違
が生じてしまう問題点がある。
米国ｒこおいては、第４，５図Ｖこ示す如き銅張積層プ
リント基板用のドライエツチング装置が開発されている
。この６式は、図ｅこ示す如くスリットが形成された高
周波電極２ａ〜２ｅおよび接地型８！３ａ〜３ｅを対に
してプリント基板７の両側１こ設置することにより、プ
リント基板７の周囲をプラズマ化するものであり、ガス
導入孔１２ａ、１２ｂおよび排気孔１３ａ、１３ｂが左
右ｅこ設けられ、反応ガスの流れを左行および右行Ｖこ
交互に変えてエツチングの均一化を図るものであるが、
ガスｍ１％の不均−ｅこよりプリント基板７全面Ｖこお
いてエツチングが不均一となるおそれがある。
リント基板用のドライエツチング装置が開発されている
。この６式は、図ｅこ示す如くスリットが形成された高
周波電極２ａ〜２ｅおよび接地型８！３ａ〜３ｅを対に
してプリント基板７の両側１こ設置することにより、プ
リント基板７の周囲をプラズマ化するものであり、ガス
導入孔１２ａ、１２ｂおよび排気孔１３ａ、１３ｂが左
右ｅこ設けられ、反応ガスの流れを左行および右行Ｖこ
交互に変えてエツチングの均一化を図るものであるが、
ガスｍ１％の不均−ｅこよりプリント基板７全面Ｖこお
いてエツチングが不均一となるおそれがある。
本発明は、上記問題点にかんがみ、反応ガスの流れを均
一にし安定したプラズマを得て均一なドライエツチング
が可能な装置を提供することを目的としたものである。
一にし安定したプラズマを得て均一なドライエツチング
が可能な装置を提供することを目的としたものである。
本発明は、電界強度が全面で均一な平行平板電極を用い
、高周波電極又は接地電極の電極下向全面から反応ガス
を吹き出し、一方、接地電極又は高周波？ｌ！極は反応
ガスを均一１こ通過させ、かつ池の電極に対して電界強
度がほぼ均一となるようｔこし、接地電極又は高周波電
極の下１５ｉこプリント基板を設置し、さらにその下方
ｔこ反応ガスの流れを均−ｔこするバッフルを設けたも
ので、そｎｅこより、高周波電極と接地電極間で均一な
プラズマを発生させ、プラズマｔこより活性化されたガ
ス分子をプリント基板のスルーホール内へ均一に導いて
プリント基板全面のスルーホール内のスミアを均−ｒこ
除去するよう？こしたものである。
、高周波電極又は接地電極の電極下向全面から反応ガス
を吹き出し、一方、接地電極又は高周波？ｌ！極は反応
ガスを均一１こ通過させ、かつ池の電極に対して電界強
度がほぼ均一となるようｔこし、接地電極又は高周波電
極の下１５ｉこプリント基板を設置し、さらにその下方
ｔこ反応ガスの流れを均−ｔこするバッフルを設けたも
ので、そｎｅこより、高周波電極と接地電極間で均一な
プラズマを発生させ、プラズマｔこより活性化されたガ
ス分子をプリント基板のスルーホール内へ均一に導いて
プリント基板全面のスルーホール内のスミアを均−ｒこ
除去するよう？こしたものである。
以下、本発明を第６〜１０図？こより詳細ｔこ説明する
。
。
ｆＪＳ６，７図は、本発明の一実施例を示すものである
。図ｅこおいて、１は真空容器−であり、下部に排気孔
１３が設けられ排気ポンプ］８１こ接続されている。２
は高周波電極で、絶縁材１４を介して真空容器１の上部
に取付けられ、その下方１こは格子状の接地電極３が高
周波電極２と対向して設けらｒている。
。図ｅこおいて、１は真空容器−であり、下部に排気孔
１３が設けられ排気ポンプ］８１こ接続されている。２
は高周波電極で、絶縁材１４を介して真空容器１の上部
に取付けられ、その下方１こは格子状の接地電極３が高
周波電極２と対向して設けらｒている。
例えば、銅張積層のプリント基板７は、接地電極３のす
ぐ下側１こ配置され、絶縁材のサポートＩ５で支持され
た基板受台１６の上に設置されている。しかして、その
下ｊ５ｔこはカス流ｎを均一にするためのバッフル１７
が設けられる。
ぐ下側１こ配置され、絶縁材のサポートＩ５で支持され
た基板受台１６の上に設置されている。しかして、その
下ｊ５ｔこはカス流ｎを均一にするためのバッフル１７
が設けられる。
高周波電極２ｖこは高周波電源５が接続され、高周波電
力を供給できるとともｔこ外部から反応ガス。
力を供給できるとともｔこ外部から反応ガス。
を導く導入孔１２が設けてあり、電極面は第７図ｅこ示
す如く中空構造とされ、電極下向全面から反応カスを均
−Ｖこ吹出す構造である。第７図Ｖこおいて、１９は多
孔板のバッフル、２０は同じく多孔板の吹出し板で、一
旦バツフル１９で反応ガスを電１１３！全面ｔこほぼ均
−ｔこした後、吹出し板２０との間でさらに反応ガス圧
力を均−Ｖこして電極下面から吹出すものである。
す如く中空構造とされ、電極下向全面から反応カスを均
−Ｖこ吹出す構造である。第７図Ｖこおいて、１９は多
孔板のバッフル、２０は同じく多孔板の吹出し板で、一
旦バツフル１９で反応ガスを電１１３！全面ｔこほぼ均
−ｔこした後、吹出し板２０との間でさらに反応ガス圧
力を均−Ｖこして電極下面から吹出すものである。
次１こ、この装置の作用ｔこりいて説明する。真空容器
】は排気ポンプ１８により真空排気され、高周波電極２
から反応ガスが一定流級連続的を乙供給され、真空容器
１の内部は一定真空圧力（約０．１〜ＩＴｏｒｒ）ｒこ
保たれる。この状態で、高周波電極２へ高周波電源５よ
り高周波電力を印加すると、高周波電極２と接地電極３
との間は反応ガスが活性化されて均−Ｖこ安定したプラ
ズマ状態が得られる。
】は排気ポンプ１８により真空排気され、高周波電極２
から反応ガスが一定流級連続的を乙供給され、真空容器
１の内部は一定真空圧力（約０．１〜ＩＴｏｒｒ）ｒこ
保たれる。この状態で、高周波電極２へ高周波電源５よ
り高周波電力を印加すると、高周波電極２と接地電極３
との間は反応ガスが活性化されて均−Ｖこ安定したプラ
ズマ状態が得られる。
活性化された反応ガスは、排気ポンプ】８により格子状
の接地電極３を通過して下かのバッフル１７側へ均一１
こ排気される。プリント基板７は接地電極３の下ｂ１こ
設置されているため、活性化された反応ガスが均−ｒこ
当り、それをこよりプリント基板７のスルーホール内の
スミアはエツチング除去される。
の接地電極３を通過して下かのバッフル１７側へ均一１
こ排気される。プリント基板７は接地電極３の下ｂ１こ
設置されているため、活性化された反応ガスが均−ｒこ
当り、それをこよりプリント基板７のスルーホール内の
スミアはエツチング除去される。
第８図は、本発明の他の実施例を示し、第６図において
高周波電極２と接地電極３とを置き換えたものである。
高周波電極２と接地電極３とを置き換えたものである。
図Ｖこおいて、２は格子状の高周波電極であり、絶縁材
６ｔこより真空容器１から支えられ、高周波電源５が印
加されている。接地電極３ｖこは外部から反応ガスを導
く導入孔】２が設けてあり、電極面は第７図Ｖこ示亥如
き中空構造とされ、（ル極下面から反応ガスが均−ｔこ
吹出す構造である。また、プリント基板７およびバッフ
ル］７の取付けは、第６図と同様である。
６ｔこより真空容器１から支えられ、高周波電源５が印
加されている。接地電極３ｖこは外部から反応ガスを導
く導入孔】２が設けてあり、電極面は第７図Ｖこ示亥如
き中空構造とされ、（ル極下面から反応ガスが均−ｔこ
吹出す構造である。また、プリント基板７およびバッフ
ル］７の取付けは、第６図と同様である。
かかる装置において、接地電極３より反応ガスを吹出し
高周波′ＩＩｉ極２へ高周波電源５より高周波電力を印
加すると、篩周波電極２と接地゛電極３との間で均−Ｖ
こ安定したプラスマが得られ、活性化さｎ、 ｔ、−ｇ
応ガスは排気ポンプ】８＃こより格子状の高周波電極２
を通過して下すのバッフル】７側へ均一１こ排気され、
途中ｅこ置かれたプリント基板７に均一１こ反応ガスが
当り、プリント基板７のスルーポール内のスミアがエツ
チング除去される。
高周波′ＩＩｉ極２へ高周波電源５より高周波電力を印
加すると、篩周波電極２と接地゛電極３との間で均−Ｖ
こ安定したプラスマが得られ、活性化さｎ、 ｔ、−ｇ
応ガスは排気ポンプ】８＃こより格子状の高周波電極２
を通過して下すのバッフル】７側へ均一１こ排気され、
途中ｅこ置かれたプリント基板７に均一１こ反応ガスが
当り、プリント基板７のスルーポール内のスミアがエツ
チング除去される。
プラズマＶこよるドライエツチング法では、高周波電極
および接地電極は熱が発生し、それｔこより′電極自体
の変形が起これば装置の連続運転ｔこ支障を来たすこと
−こなる。そこで、電極を冷却する必要が生じ、第９，
１０図はその一実施例を示す。
および接地電極は熱が発生し、それｔこより′電極自体
の変形が起これば装置の連続運転ｔこ支障を来たすこと
−こなる。そこで、電極を冷却する必要が生じ、第９，
１０図はその一実施例を示す。
接地電極３は孔２１が多数設けられた多孔板で、かつ吸
入孔２３．排出孔２４に通ずる冷却水＊２２が内部に設
けられている。接地１１ｉ＃！３が昇温した場合、冷却
水溝２２へ冷却水を通すと接地電極３は冷却されて昇温
は防止され、変形も生ずることなく装置の連続運転が可
能である。
入孔２３．排出孔２４に通ずる冷却水＊２２が内部に設
けられている。接地１１ｉ＃！３が昇温した場合、冷却
水溝２２へ冷却水を通すと接地電極３は冷却されて昇温
は防止され、変形も生ずることなく装置の連続運転が可
能である。
本発明１こよれば、反応カスの流れが均一で安定したプ
ラスマを発生できて均一なドライエツチングが可能とな
り、それ１こより、プリント基板全面のスルーホール門
スミアをエツチング除去できるという効果がある。
ラスマを発生できて均一なドライエツチングが可能とな
り、それ１こより、プリント基板全面のスルーホール門
スミアをエツチング除去できるという効果がある。
第１図は従来の半導体製造プロセスＶこ用いられている
ドライエツチング装置の基本構成を示す断面図、ＭＳ
２図はスルーホール内のスミアの状態を示す断面図、！
＠３図は従来のドライエツチング装［ｉこプリント基板
を設置した状態の断面図、第４図は従来のプリント基板
用ドライエツチング装置の基本構成を示す正面図、第５
図は第４図のＡ−Ａ断面図、第６図は本発明１こよるプ
リント基板用ドライエツチング装置の一実施例の断面図
、第７図はその高周波電極の詳細断面図、第８図は本発
明の他の実施例の断面図、第９図は本発明１ご用いる接
地電極の一実施例の平面図、第１０図は第９図のＢ−Ｂ
断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・曲高周波電極・３・・
聞接地電極、５・・・・・・高周波電源、７ 、、、、
、、プリント基板、８ ”’ ”’銅板、９・・・・・
絶縁層、１ｏ・・曲スミア、１２・・・・・導入孔、１
３・・・・・・排気孔、１４・・曲絶縁材、１５・・・
・・・サポート、１６・曲・基板受台、１７・・・・・
バッフル、１８・・・・・・排気ポンプ、１９・・・・
・・バッフル、２０・・・・・・吹出し板、２１・・曲
孔、２２・・・・・・冷却水溝、２３・・・・・・吸入
孔、２４・聞・排出孔 牙１日 才４図 ｔｌ 才５ｔ２） オフ図 才８図 才′＃ｕ ′″ｒｌＯ図
ドライエツチング装置の基本構成を示す断面図、ＭＳ
２図はスルーホール内のスミアの状態を示す断面図、！
＠３図は従来のドライエツチング装［ｉこプリント基板
を設置した状態の断面図、第４図は従来のプリント基板
用ドライエツチング装置の基本構成を示す正面図、第５
図は第４図のＡ−Ａ断面図、第６図は本発明１こよるプ
リント基板用ドライエツチング装置の一実施例の断面図
、第７図はその高周波電極の詳細断面図、第８図は本発
明の他の実施例の断面図、第９図は本発明１ご用いる接
地電極の一実施例の平面図、第１０図は第９図のＢ−Ｂ
断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・曲高周波電極・３・・
聞接地電極、５・・・・・・高周波電源、７ 、、、、
、、プリント基板、８ ”’ ”’銅板、９・・・・・
絶縁層、１ｏ・・曲スミア、１２・・・・・導入孔、１
３・・・・・・排気孔、１４・・曲絶縁材、１５・・・
・・・サポート、１６・曲・基板受台、１７・・・・・
バッフル、１８・・・・・・排気ポンプ、１９・・・・
・・バッフル、２０・・・・・・吹出し板、２１・・曲
孔、２２・・・・・・冷却水溝、２３・・・・・・吸入
孔、２４・聞・排出孔 牙１日 才４図 ｔｌ 才５ｔ２） オフ図 才８図 才′＃ｕ ′″ｒｌＯ図
Claims (1)
- １、 均一なガス吹出し孔を有する高周波電極と接地電
極とを対向して設置し、上記ガス吹出し孔を通過したガ
スの流れの下流側に上記電極−こ対面してプリント基板
を設置するようにしたことを特徴とするドライエツチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058208A JPS60202937A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058208A JPS60202937A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202937A true JPS60202937A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13077623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058208A Pending JPS60202937A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202937A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4986216A (en) * | 1989-05-10 | 1991-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US5129360A (en) * | 1990-01-24 | 1992-07-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Actively cooled effusion cell for chemical vapor deposition |
| US5653806A (en) * | 1995-03-10 | 1997-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same |
| US5741363A (en) * | 1996-03-22 | 1998-04-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition |
| US6167834B1 (en) | 1986-12-19 | 2001-01-02 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US6194030B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Chemical vapor deposition velocity control apparatus |
| US6972071B1 (en) * | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59058208A patent/JPS60202937A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6167834B1 (en) | 1986-12-19 | 2001-01-02 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
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| US6194030B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Chemical vapor deposition velocity control apparatus |
| US6972071B1 (en) * | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
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