JPS60203843A - ガス検出装置 - Google Patents
ガス検出装置Info
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- JPS60203843A JPS60203843A JP6025584A JP6025584A JPS60203843A JP S60203843 A JPS60203843 A JP S60203843A JP 6025584 A JP6025584 A JP 6025584A JP 6025584 A JP6025584 A JP 6025584A JP S60203843 A JPS60203843 A JP S60203843A
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/045—Circuits
- G01N27/046—Circuits provided with temperature compensation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用外８Ｉｆ）
本発明は、ガス織度全電気信号に袈換し、環境温度を補
正して検出するガス検出装置に関する。
正して検出するガス検出装置に関する。
（従来技術）
近年、ガス濃度の変化を容斌、あるいは抵抗値等のイン
ピーダンスの変化として捕える検出部を組み込み、検出
部のインピーダンス変化に対応してガス濃度を演算する
ようにしたガス検出装置の開発が推し進められている。
ピーダンスの変化として捕える検出部を組み込み、検出
部のインピーダンス変化に対応してガス濃度を演算する
ようにしたガス検出装置の開発が推し進められている。
ところで、このようなガス検出装置に用いられる検出部
では、ガス濃度の変化に応じてインピーダンスが変化す
るのみならず、環境の温度変化に対してもインピーダン
スが変化することで、環視の温良変化に対する温度補償
を考属する必要があった。
では、ガス濃度の変化に応じてインピーダンスが変化す
るのみならず、環境の温度変化に対してもインピーダン
スが変化することで、環視の温良変化に対する温度補償
を考属する必要があった。
そこで、サーミスタ等の温夏袖償素子を検出部と直列、
あるいは並列に接続し、検出部の温度特性′ｆｔ補正す
るようにしていた。
あるいは並列に接続し、検出部の温度特性′ｆｔ補正す
るようにしていた。
しかしながら、検出部の温度特性を補正する温度補償集
子の選定を誤まると、検出するガス織度が一定にもかか
わらず温度変化に対して出力信号が変動することで、ガ
ス濃度の変化に対応する正確な出力信号が得られないと
いう問題があった。
子の選定を誤まると、検出するガス織度が一定にもかか
わらず温度変化に対して出力信号が変動することで、ガ
ス濃度の変化に対応する正確な出力信号が得られないと
いう問題があった。
また、検出部の温度特性が′４Ｉ雑な特性を示す場合は
、温度補償用の特別の回路部を設け、検出部の複雑な温
度特性に対応して温度補償をしなければならず、温度補
償用の回路構成が複雑化すると共に、ガス検出装置のコ
ストが上昇するという問題があった。
、温度補償用の特別の回路部を設け、検出部の複雑な温
度特性に対応して温度補償をしなければならず、温度補
償用の回路構成が複雑化すると共に、ガス検出装置のコ
ストが上昇するという問題があった。
（発明の目的）
不発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、簡単な
構成で温度補償を行ないつつ、ガス濃度の変化に対応し
て正確に信号出力するガス検出装置を提供することを目
的とする。
構成で温度補償を行ないつつ、ガス濃度の変化に対応し
て正確に信号出力するガス検出装置を提供することを目
的とする。
（発明の構成）
この目的を達成する１こめ本発明は、ガス濃度の変化に
応じてインピーダンスが変化する検出部を備え、検出部
のインピーダンス変化に対応して発振部の発振周期を変
化させ、この発振部の発振出力を微分回路で微分し、微
分出力に基づいてガス濃度を演算するガス検出装置にお
いて、微分回路に温度補償素子を組み込み、微分回路の
微分特性を環境の温度変化に応じて変史し、環視温度の
変動に対する補償を行なうようにしたものである。
応じてインピーダンスが変化する検出部を備え、検出部
のインピーダンス変化に対応して発振部の発振周期を変
化させ、この発振部の発振出力を微分回路で微分し、微
分出力に基づいてガス濃度を演算するガス検出装置にお
いて、微分回路に温度補償素子を組み込み、微分回路の
微分特性を環境の温度変化に応じて変史し、環視温度の
変動に対する補償を行なうようにしたものである。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す回路図である。まず
構成を説明すると、１はセンサであシ、検出部１ａとリ
フレッシュ部１ｂを備えている。検出部１ａは、被測定
ガス、例えばＣＯガスのガスａ度が上昇すると、ガス濃
度の上昇に対応して検出部１ａの両端の抵抗値が減少す
る。
構成を説明すると、１はセンサであシ、検出部１ａとリ
フレッシュ部１ｂを備えている。検出部１ａは、被測定
ガス、例えばＣＯガスのガスａ度が上昇すると、ガス濃
度の上昇に対応して検出部１ａの両端の抵抗値が減少す
る。
尚、リフレッシュ部１ｂは、外部からの定期的な所定電
圧の供給を受けて検出部１ａの検出感度をリフレッシュ
する。また、検出ｓ１ａの抵抗値は、周囲温度に依存し
、周囲温度が上昇すると、温良上昇に対応して検出部１
ａの抵抗値が減少する温度特性を有している。検出部１
ａ、抵抗Ｒ１、几２、Ｒ３、コンデンサＣ１および演算
増幅回路２で発振部を形成し、通常時は検出部１ａの抵
抗値と、コンデンサＣ１の容量で定まる発振周期ｔ１で
発振している。
圧の供給を受けて検出部１ａの検出感度をリフレッシュ
する。また、検出ｓ１ａの抵抗値は、周囲温度に依存し
、周囲温度が上昇すると、温良上昇に対応して検出部１
ａの抵抗値が減少する温度特性を有している。検出部１
ａ、抵抗Ｒ１、几２、Ｒ３、コンデンサＣ１および演算
増幅回路２で発振部を形成し、通常時は検出部１ａの抵
抗値と、コンデンサＣ１の容量で定まる発振周期ｔ１で
発振している。
センサ１がＣＯガスを検出すると、検出部１ａの抵抗値
が変化し、検出部１ａとコンデンサＣ１でなる時定数が
変化することでＣＯガスの濃度に対応した発振周期で発
振する。また検出部１ａは温度特性ｔ−有していること
で、周囲温度が変動すると、検出部１ａの抵抗値の変化
で検出部１ａとコンデンサＣ１でなる時定数が袈化し、
周囲温度に依存して発振周期が変化する。３はサーミス
タ等を用いた温度補償素子であり、周囲温度の変化に応
じて抵抗値が変化する。温度補償素子３とコンデンサＣ
２で微分回路を形成してお）、発振部からの発振出力を
端子Ｐ１を介して入力する。温度桶ｇＸ累子３が温度変
化を検出すると、温度便化に応じた温度補償素子３の抵
抗値とコンデンサＣ２の容量で定まる微分時定数に変更
して微分する。Ｐ２は端子であｐ、端子Ｐ２からは抵抗
Ｒ４を介してダイオードＬ）１に接続され、ダイオード
ｌ）１で半波整流された微分出力を端子Ｐ３を介して演
算増幅回路４の正端子に入力している。一対の゛１源線
間には、抵抗几５とＲ６が直列接続され、抵抗Ｒ５と几
６の接続点よシコンデンサＣ３を接続し、所定の基準電
圧Ｖ、を演算増幅回路４の負端子に与えている。
が変化し、検出部１ａとコンデンサＣ１でなる時定数が
変化することでＣＯガスの濃度に対応した発振周期で発
振する。また検出部１ａは温度特性ｔ−有していること
で、周囲温度が変動すると、検出部１ａの抵抗値の変化
で検出部１ａとコンデンサＣ１でなる時定数が袈化し、
周囲温度に依存して発振周期が変化する。３はサーミス
タ等を用いた温度補償素子であり、周囲温度の変化に応
じて抵抗値が変化する。温度補償素子３とコンデンサＣ
２で微分回路を形成してお）、発振部からの発振出力を
端子Ｐ１を介して入力する。温度桶ｇＸ累子３が温度変
化を検出すると、温度便化に応じた温度補償素子３の抵
抗値とコンデンサＣ２の容量で定まる微分時定数に変更
して微分する。Ｐ２は端子であｐ、端子Ｐ２からは抵抗
Ｒ４を介してダイオードＬ）１に接続され、ダイオード
ｌ）１で半波整流された微分出力を端子Ｐ３を介して演
算増幅回路４の正端子に入力している。一対の゛１源線
間には、抵抗几５とＲ６が直列接続され、抵抗Ｒ５と几
６の接続点よシコンデンサＣ３を接続し、所定の基準電
圧Ｖ、を演算増幅回路４の負端子に与えている。
演算増幅回路４は、基準゛１圧Ｖ、と微分出力と全比軟
し、微分出力が基準電圧■８に達すると、パルス状の検
出信号を端子Ｐ４に出力する。５はクロック出力部で、
ｌ）、所定周期ｔ。毎にクロックを出力する。ここで周
期【０は、通常時における発振部の発振周期【１より長
く設定されており、演算部６に対して演算処理の処理タ
イミングを与える。演算部６は、演算増幅回路４からの
パルス状の検出信号が端子Ｐ４を介して入力すると、ク
ロック出力部５からのクロックの出力タイミングに応じ
て所定時間ｔ。内のパルス状の検出信号の面積の平均値
を演算処理する。
し、微分出力が基準電圧■８に達すると、パルス状の検
出信号を端子Ｐ４に出力する。５はクロック出力部で、
ｌ）、所定周期ｔ。毎にクロックを出力する。ここで周
期【０は、通常時における発振部の発振周期【１より長
く設定されており、演算部６に対して演算処理の処理タ
イミングを与える。演算部６は、演算増幅回路４からの
パルス状の検出信号が端子Ｐ４を介して入力すると、ク
ロック出力部５からのクロックの出力タイミングに応じ
て所定時間ｔ。内のパルス状の検出信号の面積の平均値
を演算処理する。
次に動作を説明する。まず、定温状態でのＣＯガスの検
出動作を第２図のタイミングチャートを参照して説明す
る。通常発振部は、検出部１ａの抵抗値とコンデンサＣ
１の容量で定まる時定数をもって所定周期ｔ１で発振し
ておυ、第２図（Ａ）に示すようにＣＯガス濃匿が変化
すると、検出部１ａがＣＯガスを検出し、ＣＯカスのガ
ス一度の上昇に対応して検出部１ａの抵抗値が減少する
。検出部１ａの抵抗値の減少で検出部１ａとコンデンサ
Ｃ１でなる時定数が小さくなシ、発振部の発振周期が１
１からｔ、に変更され、ガス濃度に応じて短くなる。即
ち第２図（Ｂ）に示すようにＣＯガスのガス機度の上昇
に応じて発振部の発振周期が早くなり、発振出力を端子
Ｐ１に与える。第２図（Ｃ）は端子Ｐ２の波形を示した
ものであり１発振出力がコンデンサＣ２と温度袖偵累子
３で定まる微分時定数で微分される。この微分出力は第
２図（１））に示すようにダイオードＤ１の介在で負成
分を除去され演算増幅回路４の正端子に入力する。演算
増幅回路４の負端子には所定の基準電圧Ｖ、が与えられ
てお９、基準電圧Ｖ、と微分出力とを比較して第２図（
Ｅ）に示すパルス状の検出信号を端子Ｐ４に出力する。
出動作を第２図のタイミングチャートを参照して説明す
る。通常発振部は、検出部１ａの抵抗値とコンデンサＣ
１の容量で定まる時定数をもって所定周期ｔ１で発振し
ておυ、第２図（Ａ）に示すようにＣＯガス濃匿が変化
すると、検出部１ａがＣＯガスを検出し、ＣＯカスのガ
ス一度の上昇に対応して検出部１ａの抵抗値が減少する
。検出部１ａの抵抗値の減少で検出部１ａとコンデンサ
Ｃ１でなる時定数が小さくなシ、発振部の発振周期が１
１からｔ、に変更され、ガス濃度に応じて短くなる。即
ち第２図（Ｂ）に示すようにＣＯガスのガス機度の上昇
に応じて発振部の発振周期が早くなり、発振出力を端子
Ｐ１に与える。第２図（Ｃ）は端子Ｐ２の波形を示した
ものであり１発振出力がコンデンサＣ２と温度袖偵累子
３で定まる微分時定数で微分される。この微分出力は第
２図（１））に示すようにダイオードＤ１の介在で負成
分を除去され演算増幅回路４の正端子に入力する。演算
増幅回路４の負端子には所定の基準電圧Ｖ、が与えられ
てお９、基準電圧Ｖ、と微分出力とを比較して第２図（
Ｅ）に示すパルス状の検出信号を端子Ｐ４に出力する。
演算部６は、演算増幅回路４からのパルス状の検出信号
を入力すると、第２図（ｋ゛）に示すクロック出力部５
からのクロック出力タイミングに応じて所定時間Ｌｏ内
のパルス状の検出信号の平均値を演算してお９、第２図
（Ｕ）に示すように、クロックの出力タイミングで与え
られる所定の演算時間ｔ０経過後にＣＯガスのガス濃度
の上昇に応じた検出レベルの信号を出力する。
を入力すると、第２図（ｋ゛）に示すクロック出力部５
からのクロック出力タイミングに応じて所定時間Ｌｏ内
のパルス状の検出信号の平均値を演算してお９、第２図
（Ｕ）に示すように、クロックの出力タイミングで与え
られる所定の演算時間ｔ０経過後にＣＯガスのガス濃度
の上昇に応じた検出レベルの信号を出力する。
次に第３図のタイミングチャートを参照して温度変動に
対する温度＋＋ｎ慣の動作を説明する。まず通常時にお
ける発振部の発振出力は、検出ｓ１ａの抵抗値と、コン
デンサＣ１の容量で足まる所定周期ｔ、で発振している
。第３図（Ａ）に示すように、周囲温度がＴＬから＋１
＋ 、に上昇すると、検出部１ａが所定の温度特性を有
していることで周囲温度の上昇に対応して検出部１ａの
抵抗値が減少し、検出部１ａとコンデンサＣ１でなる発
振時定数が第３図（Ｂ）に示すようにｔ、からｔ、に変
更され、発振回路の発振周期が短かくなる。また、温度
補偵累子３は。
対する温度＋＋ｎ慣の動作を説明する。まず通常時にお
ける発振部の発振出力は、検出ｓ１ａの抵抗値と、コン
デンサＣ１の容量で足まる所定周期ｔ、で発振している
。第３図（Ａ）に示すように、周囲温度がＴＬから＋１
＋ 、に上昇すると、検出部１ａが所定の温度特性を有
していることで周囲温度の上昇に対応して検出部１ａの
抵抗値が減少し、検出部１ａとコンデンサＣ１でなる発
振時定数が第３図（Ｂ）に示すようにｔ、からｔ、に変
更され、発振回路の発振周期が短かくなる。また、温度
補偵累子３は。
周囲温度の上昇に対応して抵抗（１が減少し、温度イ…
慎累子３とコンデンサＣ２で定まる微分時定数が小さく
なることで第３図（Ｕ）に示すように微分時定数が１４
からｔＳＫ変史でれ、端子Ｐ２の微分波形が、微分時定
数【Ｉｌに応じて急峻な波形に変化する。第３図（１）
）は端子Ｐ３の波形を示したものでダイオードＬ）１の
介在で微分出力の負成分が除去され、演算増幅回路４の
正端子に人力する。一方、演算増幅回路４の負端子には
Ｗ１定の基準′１圧Ｖ、が与えられており、基準電圧■
１と微分出力とを比較してｍ３図（Ｅ）に示すように検
出ノくルスを端子Ｐ４に出力する。即ち、周囲温度の上
昇に応じて検出パルスのパルス周期が早くなると共に、
検出パルスのパルス幅が小さくなる。演鼻部６は、演算
増幅回路４からの検出パルスを入力すると、第３図（Ｆ
）に示すクロック出力部５からのクロックの出力タイミ
ングに応じて所定時間ｔ。内の検出パルスの面積の平均
値を演算しておシ、周囲温度ＴＬにおける検出パルスの
所定時間【。内での面積の平均値と、周囲温度ｌ１ｌＨ
における検出パルスの所定時間ｔ０内での面積の平均値
とが寺しくなるように基準電圧■８、および微分時定数
ｔ、が設定されることで、演算部６の出力は第３図（Ｇ
）に下すように周囲温度の変動にかかわりなく、一定の
検出レベルの信号を出力する。
慎累子３とコンデンサＣ２で定まる微分時定数が小さく
なることで第３図（Ｕ）に示すように微分時定数が１４
からｔＳＫ変史でれ、端子Ｐ２の微分波形が、微分時定
数【Ｉｌに応じて急峻な波形に変化する。第３図（１）
）は端子Ｐ３の波形を示したものでダイオードＬ）１の
介在で微分出力の負成分が除去され、演算増幅回路４の
正端子に人力する。一方、演算増幅回路４の負端子には
Ｗ１定の基準′１圧Ｖ、が与えられており、基準電圧■
１と微分出力とを比較してｍ３図（Ｅ）に示すように検
出ノくルスを端子Ｐ４に出力する。即ち、周囲温度の上
昇に応じて検出パルスのパルス周期が早くなると共に、
検出パルスのパルス幅が小さくなる。演鼻部６は、演算
増幅回路４からの検出パルスを入力すると、第３図（Ｆ
）に示すクロック出力部５からのクロックの出力タイミ
ングに応じて所定時間ｔ。内の検出パルスの面積の平均
値を演算しておシ、周囲温度ＴＬにおける検出パルスの
所定時間【。内での面積の平均値と、周囲温度ｌ１ｌＨ
における検出パルスの所定時間ｔ０内での面積の平均値
とが寺しくなるように基準電圧■８、および微分時定数
ｔ、が設定されることで、演算部６の出力は第３図（Ｇ
）に下すように周囲温度の変動にかかわりなく、一定の
検出レベルの信号を出力する。
従って、第２図及び第３図に示したようにＣＯガスのガ
ス製置の上昇と共に環境温度か変化した場合は％検出部
１ａの抵抗値が変化すると共に温度補償素子３の抵抗も
変化して微分回路の僅分特性を変更して温度補償するこ
とで、ＣＯガスのガス濃度の上昇に対応した検出レベル
の信号を出力する。
ス製置の上昇と共に環境温度か変化した場合は％検出部
１ａの抵抗値が変化すると共に温度補償素子３の抵抗も
変化して微分回路の僅分特性を変更して温度補償するこ
とで、ＣＯガスのガス濃度の上昇に対応した検出レベル
の信号を出力する。
尚、第１図において抵抗器５とＲ６を固定抵抗で直列接
続し、抵抗器５とＲ６の分圧電圧を基準電圧として演算
増幅回路４の負端子に与えているが、抵抗１（５又はＲ
６のいずれかを可変抵抗器を用いて、演算増幅回路４に
与える基準電圧を可変できるように構成すると、温度補
償素子３の選定を容易にすると共に、温度補償素子３の
温に特性と相まって、温度補償の鞘度を更に向上するこ
とができる。
続し、抵抗器５とＲ６の分圧電圧を基準電圧として演算
増幅回路４の負端子に与えているが、抵抗１（５又はＲ
６のいずれかを可変抵抗器を用いて、演算増幅回路４に
与える基準電圧を可変できるように構成すると、温度補
償素子３の選定を容易にすると共に、温度補償素子３の
温に特性と相まって、温度補償の鞘度を更に向上するこ
とができる。
又、検出部としてＣＯガスを検出するセンサを例にとっ
て説明してきたが、他のセンサ、即ち物理１ｉｔｔ−検
出すると、対応してインピーダンスが変化すると共に、
インピーダンスが周囲の温度に依存して変化する検出部
の温に補償として応用することができる。
て説明してきたが、他のセンサ、即ち物理１ｉｔｔ−検
出すると、対応してインピーダンスが変化すると共に、
インピーダンスが周囲の温度に依存して変化する検出部
の温に補償として応用することができる。
（発明の効果）
以上説明してきたように、本発明によれば、ガス濃度の
変化に応じてインピーダンスが変化する検出部を備゛え
、検出部のインピーダンス変化に対応して発振部の発振
周期を変化させ、この発振部の発振出力を微分回路で微
分した微分出力に基づいてガス濃度を演算するガス検出
装置において、微分回路に温度補償素子を組み込み、微
分回路の微分特性を温度変化に応じて変更するようにし
たことで、周囲温度の便化に対し簡単な構成で確実に温
度補償を行なうことができ、ガス濃度を正確に検出する
ことができるという効果が得られる。
変化に応じてインピーダンスが変化する検出部を備゛え
、検出部のインピーダンス変化に対応して発振部の発振
周期を変化させ、この発振部の発振出力を微分回路で微
分した微分出力に基づいてガス濃度を演算するガス検出
装置において、微分回路に温度補償素子を組み込み、微
分回路の微分特性を温度変化に応じて変更するようにし
たことで、周囲温度の便化に対し簡単な構成で確実に温
度補償を行なうことができ、ガス濃度を正確に検出する
ことができるという効果が得られる。
第１図は、本発明の一実施例を示す回路図、第２図は、
第１図における定温時の検出動作を示すタイミングチャ
ート、第３図は、第１図における温度変化時の動作を示
すタイミングチャートである。 １・・・センサ１ａ・・・検出部 １ｂ・・・リフレッシュ部 ２，４・・・演算増幅回路
３・・・温度補償索子 ５・・・クロック出力部６・・
・演算部 Ｒ１，・・・Ｂ、６・・・抵抗Ｃ１，・・・
Ｃ３・・・コンデンサ Ｄ１・・・ダイオード Ｐｌ、・・・Ｐ４・・・端子特
許出願人 ホーチキ株式会社 代理人弁理士 竹 内 進
第１図における定温時の検出動作を示すタイミングチャ
ート、第３図は、第１図における温度変化時の動作を示
すタイミングチャートである。 １・・・センサ１ａ・・・検出部 １ｂ・・・リフレッシュ部 ２，４・・・演算増幅回路
３・・・温度補償索子 ５・・・クロック出力部６・・
・演算部 Ｒ１，・・・Ｂ、６・・・抵抗Ｃ１，・・・
Ｃ３・・・コンデンサ Ｄ１・・・ダイオード Ｐｌ、・・・Ｐ４・・・端子特
許出願人 ホーチキ株式会社 代理人弁理士 竹 内 進
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガス織度の変化に応じてインピーダンスが変化する検出
部と、該検出部のインピーダンス変化に対応して発振周
期が変化する発振部と、該発振部の発振出力を微分する
微分回路と、該微分回路の微分出力に基ゆいてガス織度
を諷真する演Ｓ部とで構成されるガス検出装置において
、 前記微分回路に温度変化を補償する補償素子を組み込み
、温度変化に応じて該微分回路の微分特性を変化させる
ようにしたことを特徴とするガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025584A JPS60203843A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6025584A JPS60203843A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60203843A true JPS60203843A (ja) | 1985-10-15 |
| JPH0374790B2 JPH0374790B2 (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=13136875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6025584A Granted JPS60203843A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | ガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60203843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280545A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Nittan Co Ltd | 環境異常検出回路 |
| EP1126429A3 (en) * | 2000-02-18 | 2002-03-13 | Viro-Tronic S.P.A. | Electronic narcotic gas detecting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157844A (en) * | 1980-05-10 | 1981-12-05 | Hitachi Ltd | Humidity detector |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP6025584A patent/JPS60203843A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157844A (en) * | 1980-05-10 | 1981-12-05 | Hitachi Ltd | Humidity detector |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280545A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Nittan Co Ltd | 環境異常検出回路 |
| EP1126429A3 (en) * | 2000-02-18 | 2002-03-13 | Viro-Tronic S.P.A. | Electronic narcotic gas detecting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374790B2 (ja) | 1991-11-28 |
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