JPS6020477B2 - 噴流式メツキ装置 - Google Patents
噴流式メツキ装置Info
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- JPS6020477B2 JPS6020477B2 JP5561480A JP5561480A JPS6020477B2 JP S6020477 B2 JPS6020477 B2 JP S6020477B2 JP 5561480 A JP5561480 A JP 5561480A JP 5561480 A JP5561480 A JP 5561480A JP S6020477 B2 JPS6020477 B2 JP S6020477B2
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- electrode
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハ等の薄板の片面にメッキ液を噴
き付けてメッキする噴流式メッキ装置の改良に関するも
のである。
き付けてメッキする噴流式メッキ装置の改良に関するも
のである。
一般に、ダイオード等の半導体ウヱーハ（以下単にウェ
ーハと称す）に電極膜を形成する場合、金属黍着法や噴
流メッキ法、浸濃メッキ法などが適用されている。
ーハと称す）に電極膜を形成する場合、金属黍着法や噴
流メッキ法、浸濃メッキ法などが適用されている。
金属蒸着法は電極膜が比較的薄い場合に有効であるが、
例えば、５岬程度に盛り上げて形成するバンプ電極の場
合は不適当で、このバンプ電極は噴流メッキ法や浸濃メ
ッキ法で行われている。この後者浸涜メッキ法はウェー
ハの片面にワックスを塗布して保護した状態でウェ−ハ
をメッキ液中に浸潰し、ウェーハにマイナス電極を印加
し、メッキ液中にプラス電極板を挿入してメッキする方
法である。しかし、この方法はメッキ前のワックス塗布
や、メッキ後のワックス除去等の多くの手間を要して作
業性が悪く、更にはワックスの廃液処理等の問題があっ
た。そこで上記〆ッキ法を改良するものとして、噴流メ
ッキ法がある。例えば第１図に示すダイオードのように
、裏面にフラットな裏面電極１を有するウェーハ２の表
面に５岬程度の盛り上りでバンプ電極３をメッキする場
合、従来は第２図に示すような噴流メッキ装置を使用し
てした。この第２図に於て、４はウェーハ２を絶縁支持
する円筒状のヘッド、５はヘッド４の園りに配置れた円
筒状のカバーで、ヘッド４の下部とカバー５の下部には
１本の循環パイプ６で連結され、この循環パイプ６の途
中にポンプ７が取付けられている。又、８はヘッド４内
に装着された白金等のメッキ用下部電極、９はヘッド４
上のウェーハ２の上面を適当に押圧するメッキ用上部電
極、１０は銀等のメッキ液である。ヘッド４は内周面上
端に沿って切込んだ段面１１が形成され、この段面１１
にウェーハ２の周緑が懐合されて、ウェーハ２がヘッド
４上にヘッド４を塞ぐ形で保持される。又、ヘッド４の
上端部の段面１１より下の定位置に複数の窓１２が穿設
され、ヘッド４内で噴き上げられたメッキ液１０をヘッ
ド４外に流出させている。上記装置によるバンプ電極３
のメッキは次の要領で行われる。裏面電極１を予め形成
したウェーハ２をヘッド４上の段面に裏面電極１が上に
なるようにして嫉め、水平に保持させておく。次にこの
ウヱーハ２の上面中央部に上部電極９を軽く押し当てて
おいて、上部電極９にマイナスの電圧を印加し、下部電
極８にプラスの鰭圧を印加して、ポンプ７を作動し、メ
ッキ液１０をヘッド４内から上方に噴き上げてウェーハ
２の下面に噴き付ける。するとウェーハ２の裏面電極１
にマイナス電圧（順方向）が加えられているため、ウェ
ーハ２の下面にバンプ電極３が成長していく。そしてウ
ェーハ２の下面に沿ってメッキ液１川ま横に流れ、窓１
２からヘッド４外へ流出する。このヘッド４から流出し
たメッキ液１０はヘッド４とカバー５の間を落下して循
環パイプ６へ送られ、再びポンプ７で噴き上げられる。
ところで、上記従釆装置には次の欠点があった。
例えば、５岬程度に盛り上げて形成するバンプ電極の場
合は不適当で、このバンプ電極は噴流メッキ法や浸濃メ
ッキ法で行われている。この後者浸涜メッキ法はウェー
ハの片面にワックスを塗布して保護した状態でウェ−ハ
をメッキ液中に浸潰し、ウェーハにマイナス電極を印加
し、メッキ液中にプラス電極板を挿入してメッキする方
法である。しかし、この方法はメッキ前のワックス塗布
や、メッキ後のワックス除去等の多くの手間を要して作
業性が悪く、更にはワックスの廃液処理等の問題があっ
た。そこで上記〆ッキ法を改良するものとして、噴流メ
ッキ法がある。例えば第１図に示すダイオードのように
、裏面にフラットな裏面電極１を有するウェーハ２の表
面に５岬程度の盛り上りでバンプ電極３をメッキする場
合、従来は第２図に示すような噴流メッキ装置を使用し
てした。この第２図に於て、４はウェーハ２を絶縁支持
する円筒状のヘッド、５はヘッド４の園りに配置れた円
筒状のカバーで、ヘッド４の下部とカバー５の下部には
１本の循環パイプ６で連結され、この循環パイプ６の途
中にポンプ７が取付けられている。又、８はヘッド４内
に装着された白金等のメッキ用下部電極、９はヘッド４
上のウェーハ２の上面を適当に押圧するメッキ用上部電
極、１０は銀等のメッキ液である。ヘッド４は内周面上
端に沿って切込んだ段面１１が形成され、この段面１１
にウェーハ２の周緑が懐合されて、ウェーハ２がヘッド
４上にヘッド４を塞ぐ形で保持される。又、ヘッド４の
上端部の段面１１より下の定位置に複数の窓１２が穿設
され、ヘッド４内で噴き上げられたメッキ液１０をヘッ
ド４外に流出させている。上記装置によるバンプ電極３
のメッキは次の要領で行われる。裏面電極１を予め形成
したウェーハ２をヘッド４上の段面に裏面電極１が上に
なるようにして嫉め、水平に保持させておく。次にこの
ウヱーハ２の上面中央部に上部電極９を軽く押し当てて
おいて、上部電極９にマイナスの電圧を印加し、下部電
極８にプラスの鰭圧を印加して、ポンプ７を作動し、メ
ッキ液１０をヘッド４内から上方に噴き上げてウェーハ
２の下面に噴き付ける。するとウェーハ２の裏面電極１
にマイナス電圧（順方向）が加えられているため、ウェ
ーハ２の下面にバンプ電極３が成長していく。そしてウ
ェーハ２の下面に沿ってメッキ液１川ま横に流れ、窓１
２からヘッド４外へ流出する。このヘッド４から流出し
たメッキ液１０はヘッド４とカバー５の間を落下して循
環パイプ６へ送られ、再びポンプ７で噴き上げられる。
ところで、上記従釆装置には次の欠点があった。
即ち、ウェーハ２をヘッド４上の段面１１に競めて支持
しているため、メッキ液１０がウェーハ２と毅面１１の
毛細管現象で這い上り、ウェーハの上面、つまり裏面電
極１の筒綾上にまで這い上って裏面電極１の一部を侵蝕
し、不良品が多発する欠点があった。又、１回のメッキ
の完了後にウェーハ２を取り外すと段面１１にメッキ液
１０が付着したまま残って銀が折出したり、或は次のウ
ェーハ２を鉄めると段面１１に残ったメッキ液１０がウ
ェーハ２上に這い上るため、１回のメッキ毎にこの段面
１ １に付着したメッキ液１０を除去してやる必要があ
り、作業手間を要した。又、このようなメッキ液１０の
這い上りを少〈するため、メッキ液１０の噴出量を少く
しているが、これではメッキ液１０中に発生した気泡が
ウェーハ２の下面に付着したまま取れないことがあり、
ためにメッキにバラツキが生じる欠点があった。本発明
は上記従来の欠点に鑑み、これを改良・除去したもので
、ウヱーハ等のメッキ物の支持機造を改良した噴流式メ
ッキ装置を提供する。以下本発明の構成を図面の実施例
でもつて説明する。本発明を上記ウェーハ２のバンプ電
極３をメッキする装置に適用した例を第３図及び第４図
に示し、これを説明すると、１３はテフロン等の絶縁体
で形成した円筒状のヘッド、１４はヘッド１３の上端面
外周エッジを面取りして形成したテーパ面、１５はヘッ
ド１３のフラットな上端面に複数本（図面では３本）を
等間隔で突設した支持ピン、１６はヘッド１３の前記テ
ーパ面１４上に複数本（図面では３本）を等間隔に突設
したサイドピソで、これら各ピン１５，１６はヘッド１
３と一体物、或は絶縁簿をヘッド１３に楯立させる等し
て形成する。又、１７はヘッド１４の下部に螺袋された
調整筒、１８は調整筒１７を上端部に螺愛するヘッド本
体で、この調整筒１７によってヘッド１３の高さが自在
に調整される。又、１９は下部磁極、２０は上部電極、
２１はカバー、２２はメッキ液で、これらは従来と同様
なものでよい。上記へツド１３の上端面の支持ピン１５
は、その上端面でウェーハ２の下面周縁部を支持するも
ので、この時支持ピン１５の高さで決まる隙間ｇがヘッ
ド１３とウヱーハ２の間に形成され、この隙間ｇを通っ
てメッキ液２２がヘッド１３の外へ流出する。
しているため、メッキ液１０がウェーハ２と毅面１１の
毛細管現象で這い上り、ウェーハの上面、つまり裏面電
極１の筒綾上にまで這い上って裏面電極１の一部を侵蝕
し、不良品が多発する欠点があった。又、１回のメッキ
の完了後にウェーハ２を取り外すと段面１１にメッキ液
１０が付着したまま残って銀が折出したり、或は次のウ
ェーハ２を鉄めると段面１１に残ったメッキ液１０がウ
ェーハ２上に這い上るため、１回のメッキ毎にこの段面
１ １に付着したメッキ液１０を除去してやる必要があ
り、作業手間を要した。又、このようなメッキ液１０の
這い上りを少〈するため、メッキ液１０の噴出量を少く
しているが、これではメッキ液１０中に発生した気泡が
ウェーハ２の下面に付着したまま取れないことがあり、
ためにメッキにバラツキが生じる欠点があった。本発明
は上記従来の欠点に鑑み、これを改良・除去したもので
、ウヱーハ等のメッキ物の支持機造を改良した噴流式メ
ッキ装置を提供する。以下本発明の構成を図面の実施例
でもつて説明する。本発明を上記ウェーハ２のバンプ電
極３をメッキする装置に適用した例を第３図及び第４図
に示し、これを説明すると、１３はテフロン等の絶縁体
で形成した円筒状のヘッド、１４はヘッド１３の上端面
外周エッジを面取りして形成したテーパ面、１５はヘッ
ド１３のフラットな上端面に複数本（図面では３本）を
等間隔で突設した支持ピン、１６はヘッド１３の前記テ
ーパ面１４上に複数本（図面では３本）を等間隔に突設
したサイドピソで、これら各ピン１５，１６はヘッド１
３と一体物、或は絶縁簿をヘッド１３に楯立させる等し
て形成する。又、１７はヘッド１４の下部に螺袋された
調整筒、１８は調整筒１７を上端部に螺愛するヘッド本
体で、この調整筒１７によってヘッド１３の高さが自在
に調整される。又、１９は下部磁極、２０は上部電極、
２１はカバー、２２はメッキ液で、これらは従来と同様
なものでよい。上記へツド１３の上端面の支持ピン１５
は、その上端面でウェーハ２の下面周縁部を支持するも
ので、この時支持ピン１５の高さで決まる隙間ｇがヘッ
ド１３とウヱーハ２の間に形成され、この隙間ｇを通っ
てメッキ液２２がヘッド１３の外へ流出する。
又、サイドピン１６は支持ピン１５で支持されたウェー
ハ２の側面より若干離れた位置に配置され、ウヱーハ２
の横ズレを防止する。又、このサイドピン１６はテーパ
面１４の一部を切欠いた凹部２３の底面中央部から突出
させて設けむれる。更に、テーパ面１４の上面エッジ１
４′は支持ピン１５で支持された少し内側位置にくる大
きさで設けられる。次に第３図装置によるウェーハメッ
キ動作を説明すると、これは従来同様にウヱーハ２に予
め裏面電極１を形成して、この裏面電極１を上にしてウ
ヱーハ２を支持ピン１５上に載せ、サイドピン１６で位
置決めしておく。
ハ２の側面より若干離れた位置に配置され、ウヱーハ２
の横ズレを防止する。又、このサイドピン１６はテーパ
面１４の一部を切欠いた凹部２３の底面中央部から突出
させて設けむれる。更に、テーパ面１４の上面エッジ１
４′は支持ピン１５で支持された少し内側位置にくる大
きさで設けられる。次に第３図装置によるウェーハメッ
キ動作を説明すると、これは従来同様にウヱーハ２に予
め裏面電極１を形成して、この裏面電極１を上にしてウ
ヱーハ２を支持ピン１５上に載せ、サイドピン１６で位
置決めしておく。
そして、ウェーハ２の上面中央部に上部電極２０を押し
当ててゥェーハ２を完全に固定化する。後は上部電極２
０をマイナスに、下部電極１９をプラスにしてメッキ電
圧を印加し、ヘッド１３内からゥェーハ２の下面に向け
てメッキ液２２を噴き上げ、ウェーハ２の下面にバンプ
電極３を成長させていく。このメッキ時、メッキ液２２
はヘッド１３とウェーハ２の隙間ｇから外に流出してい
く。このメッキ液２２の流出はまずヘッド１３の上端面
に流れてテーバ一面１４を流下するため、テーパ面１４
で流出が助長され、而もテーパ面１４の上端エッジ１４
がウェーハ２の側面より内側にあるから、ウェーハ２の
端の下方にくるまでにメッキ液２２はテーパ面１４上を
流れ、ウェーハ２から徐々に離れていく。従ってメッキ
液２２がゥェーハ２の下面の端に付着して流出する率が
少くなく、それだけメッキ液２２がウェーハ２の上面に
這い上る率が少くなる。又、サイドピン１６に沿ってメ
ッキ液２２がゥェーハ２上に這い上ることも考えられる
が、サイドピン１６の固定位置がヘッド１３の上端面よ
り下方にあり、而もテーパ面１４を切欠いた凹部２３の
底面で固定されているために、ヘッド１３上端面１６か
らサイドピン１６までのヘッド上の沿面距離がくなり、
従ってサイドピン１６からのメッキ液２２の這い上りは
皆無に近い。又、支持ピン１５はウェーハ２の下面周緑
部に当藤しているため、メッキ液２２の這い上りの問題
はない。尚、メッキ液２２のウェーハ２上への這い上り
をより確実に防止する手段として、例えばウェーハ２の
上面周緑部に上方から窒素ガスを連続して吹き付けて、
這い上ってきたメッキ液２２を吹き落す工夫をすること
も可能である。尚更に、本発明は上記実施例に限らず、
例えば支持ピンとサイドピンを分離せずに一本化するこ
とも可能である。
当ててゥェーハ２を完全に固定化する。後は上部電極２
０をマイナスに、下部電極１９をプラスにしてメッキ電
圧を印加し、ヘッド１３内からゥェーハ２の下面に向け
てメッキ液２２を噴き上げ、ウェーハ２の下面にバンプ
電極３を成長させていく。このメッキ時、メッキ液２２
はヘッド１３とウェーハ２の隙間ｇから外に流出してい
く。このメッキ液２２の流出はまずヘッド１３の上端面
に流れてテーバ一面１４を流下するため、テーパ面１４
で流出が助長され、而もテーパ面１４の上端エッジ１４
がウェーハ２の側面より内側にあるから、ウェーハ２の
端の下方にくるまでにメッキ液２２はテーパ面１４上を
流れ、ウェーハ２から徐々に離れていく。従ってメッキ
液２２がゥェーハ２の下面の端に付着して流出する率が
少くなく、それだけメッキ液２２がウェーハ２の上面に
這い上る率が少くなる。又、サイドピン１６に沿ってメ
ッキ液２２がゥェーハ２上に這い上ることも考えられる
が、サイドピン１６の固定位置がヘッド１３の上端面よ
り下方にあり、而もテーパ面１４を切欠いた凹部２３の
底面で固定されているために、ヘッド１３上端面１６か
らサイドピン１６までのヘッド上の沿面距離がくなり、
従ってサイドピン１６からのメッキ液２２の這い上りは
皆無に近い。又、支持ピン１５はウェーハ２の下面周緑
部に当藤しているため、メッキ液２２の這い上りの問題
はない。尚、メッキ液２２のウェーハ２上への這い上り
をより確実に防止する手段として、例えばウェーハ２の
上面周緑部に上方から窒素ガスを連続して吹き付けて、
這い上ってきたメッキ液２２を吹き落す工夫をすること
も可能である。尚更に、本発明は上記実施例に限らず、
例えば支持ピンとサイドピンを分離せずに一本化するこ
とも可能である。
又、ウェーハにバンプ電極をメッキする例で説明したが
、単なるフラットな髪面電極をメッキする場合にも適用
でき、更に被メツキ物は半導体ウェーハに限らない。又
、支持ピンは絶縁体が望ましいが、被メッキ物によって
は良導体を用いてメッキ電極として利用することも可能
である。以上説明したように、本発明によれば被メッキ
物が支持ピンで３点程度で点支持されるだけのため、メ
ッキ液がゥェーハ上面に這い上る率が極端に少くなり、
従って噴流メッキが常に安定して行え、而もメッキ液の
噴出量を多くすることができて、メッキのバラッキが減
少し、被メッキ物のメッキにより不良がなくなる。
、単なるフラットな髪面電極をメッキする場合にも適用
でき、更に被メツキ物は半導体ウェーハに限らない。又
、支持ピンは絶縁体が望ましいが、被メッキ物によって
は良導体を用いてメッキ電極として利用することも可能
である。以上説明したように、本発明によれば被メッキ
物が支持ピンで３点程度で点支持されるだけのため、メ
ッキ液がゥェーハ上面に這い上る率が極端に少くなり、
従って噴流メッキが常に安定して行え、而もメッキ液の
噴出量を多くすることができて、メッキのバラッキが減
少し、被メッキ物のメッキにより不良がなくなる。
第１図は被メッキ物の一例であるダイオードの半導体ウ
ェーハ断面図、第２図は従釆の噴流式メッキ装置の要部
側断面図、第３図は本発明によるメッキ装置の実施例を
示す要部側断面図、第４図は第３図ヘッド部分の斜視図
である。 ２……被メッキ物（ウヱーハ）、１３…・・・ヘッド、
１５・・・・・・支持ピン、１６・・・・・・サイドピ
ン、２２……メッキ液、ｇ……隙間。 第１図 第２図 第３図 第４図
ェーハ断面図、第２図は従釆の噴流式メッキ装置の要部
側断面図、第３図は本発明によるメッキ装置の実施例を
示す要部側断面図、第４図は第３図ヘッド部分の斜視図
である。 ２……被メッキ物（ウヱーハ）、１３…・・・ヘッド、
１５・・・・・・支持ピン、１６・・・・・・サイドピ
ン、２２……メッキ液、ｇ……隙間。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 筒状ヘツド上にメツキ電圧の印加される被メツキ物
を保持し、この被メツキ物の一方の面にメツキ液を噴流
させるメツキ装置に於て、前記ヘツドはその上端面に被
メツキ物の周縁部を支持する複数の支持ピン及び周側面
を位置決めする複数のサイドピンを突設しており、筒状
ヘツド端面と被メツキ物の一方の面との間で前記複数ピ
ンが形成する隙間からメツキ液を流出させることを特徴
とする噴流式メツキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5561480A JPS6020477B2 (ja) | 1980-04-26 | 1980-04-26 | 噴流式メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5561480A JPS6020477B2 (ja) | 1980-04-26 | 1980-04-26 | 噴流式メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152991A JPS56152991A (en) | 1981-11-26 |
| JPS6020477B2 true JPS6020477B2 (ja) | 1985-05-22 |
Family
ID=13003644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5561480A Expired JPS6020477B2 (ja) | 1980-04-26 | 1980-04-26 | 噴流式メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020477B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251295A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電気めつき装置 |
| JPH0730687Y2 (ja) * | 1987-10-22 | 1995-07-12 | セイコー電子工業株式会社 | バンプめっき装置 |
| JP2647886B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-08-27 | カシオ計算機株式会社 | ウエハの外部電極形成方法 |
| JPH07113159B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1995-12-06 | 日本電装株式会社 | めっき装置 |
-
1980
- 1980-04-26 JP JP5561480A patent/JPS6020477B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152991A (en) | 1981-11-26 |
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