JPH0375394A - メッキ装置 - Google Patents
メッキ装置Info
- Publication number
- JPH0375394A JPH0375394A JP21347189A JP21347189A JPH0375394A JP H0375394 A JPH0375394 A JP H0375394A JP 21347189 A JP21347189 A JP 21347189A JP 21347189 A JP21347189 A JP 21347189A JP H0375394 A JPH0375394 A JP H0375394A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- tray
- cup
- electrode
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[11要]
半導体装置を形成するためのウェハにバンプをメッキす
るメッキ装置に関し、 ウェハ上のパッドとメッキ装置の電極とを容易に位置合
わせ可能とすることを目的とし、メッキ液を貯留したカ
ップの上縁にウェハを設置するとともにウェハに設けら
れたパッドに電極を接続し、そのウェハにメッキ液を噴
出してウェハ表面にバンプをメッキするメッキ装置であ
って、パッドに当接する電極と、その電極をパッドに当
接させた状態でウェハを保持する挟着装置とを備えたト
レイをカップに着脱可能として構成する。
るメッキ装置に関し、 ウェハ上のパッドとメッキ装置の電極とを容易に位置合
わせ可能とすることを目的とし、メッキ液を貯留したカ
ップの上縁にウェハを設置するとともにウェハに設けら
れたパッドに電極を接続し、そのウェハにメッキ液を噴
出してウェハ表面にバンプをメッキするメッキ装置であ
って、パッドに当接する電極と、その電極をパッドに当
接させた状態でウェハを保持する挟着装置とを備えたト
レイをカップに着脱可能として構成する。
[産業上の利用分野]
この発明は半導体装置を形成するためのウェハにバンプ
をメッキするメッキ装置に関するものである。
をメッキするメッキ装置に関するものである。
近年、半導体装置の製造工程においてチップとパッケー
ジとの間の配線をワイヤボンディングに、代えてTA
B (Tape AutoIlated Bondin
g)方式の配線構造が実用化されている。TABによる
配線構造ではチップの基板上において所定位置にバンプ
を形成する必要があり、このバンプは通常台あるいはハ
ンダ等をメッキ装置でウェハの所定位置にメッキして形
成されている。
ジとの間の配線をワイヤボンディングに、代えてTA
B (Tape AutoIlated Bondin
g)方式の配線構造が実用化されている。TABによる
配線構造ではチップの基板上において所定位置にバンプ
を形成する必要があり、このバンプは通常台あるいはハ
ンダ等をメッキ装置でウェハの所定位置にメッキして形
成されている。
[従来の技術]
ウェハ上に金のバンプを形成するための従来のメッキ装
置の概略を第5図に従って説明すると、メッキ液1aを
貯留する力ツブ1の上縁には例えば3か所に電極2が設
けられ、その電l#12の両端はカップ1の内外でそれ
ぞれ上方に屈曲して内側端2a及び外測端2bが形成さ
れている。また、各電極2の内III端2端間8間離は
メッキするウェハ3にあらかじめ形成されるパッド4間
の距離に合わせて設定されている。
置の概略を第5図に従って説明すると、メッキ液1aを
貯留する力ツブ1の上縁には例えば3か所に電極2が設
けられ、その電l#12の両端はカップ1の内外でそれ
ぞれ上方に屈曲して内側端2a及び外測端2bが形成さ
れている。また、各電極2の内III端2端間8間離は
メッキするウェハ3にあらかじめ形成されるパッド4間
の距離に合わせて設定されている。
このメッキ装置でバンプをメッキするには、あらかじめ
パッド4を形成するとともにフォトレジストでバンプ形
成位置をバターニングしたウェハ3の表面を下方として
そのパッド4に電極2の内側f12aを当接させて同ウ
ェハ3を電極2上に支持した後、カップ1に蓋〈図示し
ない)を被せてウェハ3をこの状態に保持し、さらに電
極2の外側端2bにはマイナスl111電源端子を接続
し、カップ1内のメッキ液la中にはプラス側電源端子
を浸す、この状態でカップ1内の噴出管5からメッキ液
1aをウェハ3表面に噴出させると、フォトレジストに
よるパターニングに基いてウェハ3表面の所定位置にバ
ンプがメッキされる。
パッド4を形成するとともにフォトレジストでバンプ形
成位置をバターニングしたウェハ3の表面を下方として
そのパッド4に電極2の内側f12aを当接させて同ウ
ェハ3を電極2上に支持した後、カップ1に蓋〈図示し
ない)を被せてウェハ3をこの状態に保持し、さらに電
極2の外側端2bにはマイナスl111電源端子を接続
し、カップ1内のメッキ液la中にはプラス側電源端子
を浸す、この状態でカップ1内の噴出管5からメッキ液
1aをウェハ3表面に噴出させると、フォトレジストに
よるパターニングに基いてウェハ3表面の所定位置にバ
ンプがメッキされる。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、上記のようなメッキ装置ではウェハ3表面を
下方に向けた状態で電極2に支持させる必要があり、電
極2上に支持されるウェハ3とカップ上縁との間隙が小
さく、かつパッド4も小面積であるため、電極2の内側
端2aに対しウェハ3表面のパッド4を確実に当接させ
るように位置決めすることは極めて煩雑な作業であり、
スルプツトを低下させる原因となっていた。また、電極
2の内側端2aとパッド4との接触が不十分であると、
充分な厚さのバンプをメッキすることができず、ウェハ
3各部にメッキされるバンプの厚さが不揃いとなる等の
問題点があった。
下方に向けた状態で電極2に支持させる必要があり、電
極2上に支持されるウェハ3とカップ上縁との間隙が小
さく、かつパッド4も小面積であるため、電極2の内側
端2aに対しウェハ3表面のパッド4を確実に当接させ
るように位置決めすることは極めて煩雑な作業であり、
スルプツトを低下させる原因となっていた。また、電極
2の内側端2aとパッド4との接触が不十分であると、
充分な厚さのバンプをメッキすることができず、ウェハ
3各部にメッキされるバンプの厚さが不揃いとなる等の
問題点があった。
この発明の目的は、ウェハ上のパッドとメッキ装置の電
極との位置合わせを容易に行い得るメッキ装置を提供す
るにある。
極との位置合わせを容易に行い得るメッキ装置を提供す
るにある。
「課題を解決するための手段]
第1図は本発明の原理説明図である。すなわち、メッキ
液1aを貯留したカップ1の上縁にウェハ3を設置する
とともにウェハ3に設けられたパッド4に電極8aを接
続し、そのウェハ3にメッキ液1aを噴出してウェハ3
表面にバンプをメッキするメッキ装置が構成される。そ
して、パッド4に当接する電極8aと、その′rrh極
8a全8aド4に当接させた状態でウェハ3を保持する
挟着装置16とを備えたトレイ6がカップ1に着脱可能
に構成されている。
液1aを貯留したカップ1の上縁にウェハ3を設置する
とともにウェハ3に設けられたパッド4に電極8aを接
続し、そのウェハ3にメッキ液1aを噴出してウェハ3
表面にバンプをメッキするメッキ装置が構成される。そ
して、パッド4に当接する電極8aと、その′rrh極
8a全8aド4に当接させた状態でウェハ3を保持する
挟着装置16とを備えたトレイ6がカップ1に着脱可能
に構成されている。
[作用]
ウェハ3はその表面に形成されたパッド4の位置を確認
しながらトレイ6の電極8aに位置合わせ可能であり、
挟着装置16でウェハ3を保持したトレイ6をカップ1
上縁に取着することによりウェハ3がカップ1上縁に設
置される。
しながらトレイ6の電極8aに位置合わせ可能であり、
挟着装置16でウェハ3を保持したトレイ6をカップ1
上縁に取着することによりウェハ3がカップ1上縁に設
置される。
[実施例]
以下、この発明を具体化した実施例を第2図〜・第4図
に従って説明する。なお、前記従来例と同一構成部分は
同一番号を付して説明する。
に従って説明する。なお、前記従来例と同一構成部分は
同一番号を付して説明する。
第2図及び第3図に示す長板状のトレイ6は2か所に前
期ウェハ3よりやや小径の取付孔7が形成され、その取
付孔7の周囲には3か所にThN棒8が同トレイ6の厚
さ方向に移動可能に貫通されている。Q!:h掻棒8の
先端部はトレイ6に沿って屈曲されるとともにさらにト
レイ6表面に向かって屈曲されて電極8aが形成されて
いる。そして、各電′ai8aの間隔はウェハ3上のパ
ッド4の間隔と等しく設定されている。
期ウェハ3よりやや小径の取付孔7が形成され、その取
付孔7の周囲には3か所にThN棒8が同トレイ6の厚
さ方向に移動可能に貫通されている。Q!:h掻棒8の
先端部はトレイ6に沿って屈曲されるとともにさらにト
レイ6表面に向かって屈曲されて電極8aが形成されて
いる。そして、各電′ai8aの間隔はウェハ3上のパ
ッド4の間隔と等しく設定されている。
トレイ6裏面に突出する電極棒8は同トレイ6から延び
る支持片9を貫通し、その支持片9とトレイロ裏面との
間においてフランジ10が形成され、そのフランジ10
とトレイ6裏面との間にコイルスプリング11が配設さ
れている。そして、コイルスプリング11はトレイ6裏
面を支点としてフランジ10を支持片9方向へ付勢する
ため、ウェハ3を取付けない状態ではフランジ10は支
持片9に当接し、電極8aは取付孔7内に突出するよう
になっている。
る支持片9を貫通し、その支持片9とトレイロ裏面との
間においてフランジ10が形成され、そのフランジ10
とトレイ6裏面との間にコイルスプリング11が配設さ
れている。そして、コイルスプリング11はトレイ6裏
面を支点としてフランジ10を支持片9方向へ付勢する
ため、ウェハ3を取付けない状態ではフランジ10は支
持片9に当接し、電極8aは取付孔7内に突出するよう
になっている。
このようなトレイ6を使用して第4図に示すメッキ装置
でウェハ3にパン1をメッキするには、まずトレイ6の
t掻棒8の基端をコイルスプリング11の付勢力に抗し
て押し上げて電i8aとトレイ6表面との間にウェハ3
の厚み以上の間隙を確保し、その状態でqIj&#18
aとトレイ6表面との間にウェハ3を挿入する。そし
て、ウェハ3上のパッド4を電極8aに位置合わせして
電極棒8の押し上げを解除すると、第2図に示すように
電極8aがバッド4に当接し、コイルスプリング11の
付勢力により同型[i8aでウェハ3が取付孔7周囲に
押付けられた状態で保持される。
でウェハ3にパン1をメッキするには、まずトレイ6の
t掻棒8の基端をコイルスプリング11の付勢力に抗し
て押し上げて電i8aとトレイ6表面との間にウェハ3
の厚み以上の間隙を確保し、その状態でqIj&#18
aとトレイ6表面との間にウェハ3を挿入する。そし
て、ウェハ3上のパッド4を電極8aに位置合わせして
電極棒8の押し上げを解除すると、第2図に示すように
電極8aがバッド4に当接し、コイルスプリング11の
付勢力により同型[i8aでウェハ3が取付孔7周囲に
押付けられた状態で保持される。
この状態でトレイ6を裏返しにして第4図に示すように
カップ1の上縁に設置し、そのトレイ6をカップ1上に
保持する蓋12を被せる。益12には電@棒8をマイナ
ス開電源端子に接続するコネクタ13が設けられるとと
もに、ウェハ3s面に向かってN2ガスを噴出するガス
噴出管14が設けられている。カップ1内にはプラス側
電源端子に接続される網状の陽f!15が浸されている
。
カップ1の上縁に設置し、そのトレイ6をカップ1上に
保持する蓋12を被せる。益12には電@棒8をマイナ
ス開電源端子に接続するコネクタ13が設けられるとと
もに、ウェハ3s面に向かってN2ガスを噴出するガス
噴出管14が設けられている。カップ1内にはプラス側
電源端子に接続される網状の陽f!15が浸されている
。
そして、このような状態でメッキ液1aが噴出管5から
ウェハ3表面に向かって噴出されると、ウェハ3表面に
形成されたパターニングに基いてバンプがメッキされ、
ウェハ3とトレイ6との間隙からのウェハ3裏面へのメ
ッキ8N1aの漏れはガス噴出管14から噴出されるN
2ガスにより抑えられる。
ウェハ3表面に向かって噴出されると、ウェハ3表面に
形成されたパターニングに基いてバンプがメッキされ、
ウェハ3とトレイ6との間隙からのウェハ3裏面へのメ
ッキ8N1aの漏れはガス噴出管14から噴出されるN
2ガスにより抑えられる。
以上のようにこのメッキ装置では、カップ]とは別体に
設けられたトレイ6にウェハ3を取付け、そのトレイ6
をカップ1上縁に設置する構成であるため、トレイ6に
設けられた@極8aとウェハ3上のバッド4との位置合
わせはそれらの位置を視認しながら容易に行なうことが
できる。また、カップ1に対し複数のトレイ6を用意す
れば、メッキ進行中に後続のウェハ3を別のトレイ6に
取付けておけば、その新たなトレイ6をカップ1に設置
するだけで速やかにメッキ作業を再開することができる
。従って、スループットを向上させることができるとと
もに、電極8aとバッド4との接触不良によるバンプの
不良発生を未然に防止することができる。
設けられたトレイ6にウェハ3を取付け、そのトレイ6
をカップ1上縁に設置する構成であるため、トレイ6に
設けられた@極8aとウェハ3上のバッド4との位置合
わせはそれらの位置を視認しながら容易に行なうことが
できる。また、カップ1に対し複数のトレイ6を用意す
れば、メッキ進行中に後続のウェハ3を別のトレイ6に
取付けておけば、その新たなトレイ6をカップ1に設置
するだけで速やかにメッキ作業を再開することができる
。従って、スループットを向上させることができるとと
もに、電極8aとバッド4との接触不良によるバンプの
不良発生を未然に防止することができる。
[発明の効果]
以上詳述したように、この発明はウェハ上のパッドとメ
ッキ装置の電極との位置合わせを容易に行うことができ
る優れた効果を発揮する。
ッキ装置の電極との位置合わせを容易に行うことができ
る優れた効果を発揮する。
略図、
第5図は従来のメッキ装置の概略図である。
図中、
1はカップ、
1aはメッキ液、
3はウェハ、
4はパッド、
6はトレイ、
8aは電極、
16は挟着装置である。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の実施例のトレイを示す断面図、第3図
はそのトレイの斜視図、 第4図はそのトレイを装着したメッキ装置の概第 1
図 本発明の原理説明図 第2図 本発明の実施例のトレイを示す断面図 第 図 本発明の実:mwのメッキ装置を示す概略図第 3 図 トレイの斜視図 第5図 従来のメッキ装置の概略図 日
はそのトレイの斜視図、 第4図はそのトレイを装着したメッキ装置の概第 1
図 本発明の原理説明図 第2図 本発明の実施例のトレイを示す断面図 第 図 本発明の実:mwのメッキ装置を示す概略図第 3 図 トレイの斜視図 第5図 従来のメッキ装置の概略図 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、メッキ液(1a)を貯留したカップ(1)の上縁に
ウェハ(3)を設置するとともにウェハ(3)に設けら
れたパッド(4)に電極(Ba)を接続し、そのウェハ
(3)にメッキ液(1a)を噴出してウェハ(3)表面
にバンプをメッキするメッキ装置であって、 パッド(4)に当接する電極(8a)と、その電極(8
a)をパッド(4)に当接させた状態でウェハ(3)を
保持する挟着装置(16)とを備えたトレイ(6)をカ
ップ(1)に着脱可能としたことを特徴とするメッキ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21347189A JPH0375394A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21347189A JPH0375394A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | メッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375394A true JPH0375394A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16639754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21347189A Pending JPH0375394A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2799578A1 (fr) * | 1999-10-08 | 2001-04-13 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation de connexions electriques sur un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur |
| JP2007119923A (ja) * | 1998-11-28 | 2007-05-17 | Acm Research Inc | 半導体ワークの電気めっきおよび/または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21347189A patent/JPH0375394A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007119923A (ja) * | 1998-11-28 | 2007-05-17 | Acm Research Inc | 半導体ワークの電気めっきおよび/または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
| FR2799578A1 (fr) * | 1999-10-08 | 2001-04-13 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation de connexions electriques sur un boitier semi-conducteur et boitier semi-conducteur |
| US6528407B1 (en) | 1999-10-08 | 2003-03-04 | Stmicroelectronics S.A. | Process for producing electrical-connections on a semiconductor package, and semiconductor package |
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