JPS60205820A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS60205820A JPS60205820A JP6441484A JP6441484A JPS60205820A JP S60205820 A JPS60205820 A JP S60205820A JP 6441484 A JP6441484 A JP 6441484A JP 6441484 A JP6441484 A JP 6441484A JP S60205820 A JPS60205820 A JP S60205820A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さ
らに詳しくは摩擦係数が小さくて耐食性が良好なバンク
コート層を有する走行安定性に優れた磁気テープなどの
磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
らに詳しくは摩擦係数が小さくて耐食性が良好なバンク
コート層を有する走行安定性に優れた磁気テープなどの
磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
磁気テープなどの磁気記録媒体は、走行時に磁性層と反
対側の裏面がガイドピン等と摺接し、このときに擦係数
が大きいと走行する磁気テープの張力が大きくなり、磁
性層と磁気ヘッドとが強く摺接して磁性層が傷つきやす
（なる。また磁気テープ裏面の基体の削れが生じて粉末
が発生し、この粉末がガイドピンに付着したり、磁気テ
ープ間に巻き込まれて磁性層に付着し、これが原因でド
ロフプアウトが生じる場合がある。特に強磁性材を真空
蒸着等によって基体上に被着してつくられる強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体は、基体の平滑性が強磁性金属薄膜
層の平滑性を左右して電磁変換特性に大きな影響を及ぼ
すことから非常に平滑性の良好な基体を用いているため
、基体の摩擦係数が大きく、磁性層が容易に傷ついたり
、また基体の削れが一段と生じやすくなり、ドロソプア
ウトが生じやすい。
対側の裏面がガイドピン等と摺接し、このときに擦係数
が大きいと走行する磁気テープの張力が大きくなり、磁
性層と磁気ヘッドとが強く摺接して磁性層が傷つきやす
（なる。また磁気テープ裏面の基体の削れが生じて粉末
が発生し、この粉末がガイドピンに付着したり、磁気テ
ープ間に巻き込まれて磁性層に付着し、これが原因でド
ロフプアウトが生じる場合がある。特に強磁性材を真空
蒸着等によって基体上に被着してつくられる強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体は、基体の平滑性が強磁性金属薄膜
層の平滑性を左右して電磁変換特性に大きな影響を及ぼ
すことから非常に平滑性の良好な基体を用いているため
、基体の摩擦係数が大きく、磁性層が容易に傷ついたり
、また基体の削れが一段と生じやすくなり、ドロソプア
ウトが生じやすい。
このため、従来から、基体の摩擦係数を小さくして走行
安定性を改善する目的で、表面に磁性層を有する基体の
裏面にバックコートＮを設けることが行われており、た
とえば、強磁性金属薄膜層を表面に形成した基体の裏面
に、樹脂をコーティングしてバンクコート層を設けたも
の（特開昭５７−１８９３３７号）が提案されている。
安定性を改善する目的で、表面に磁性層を有する基体の
裏面にバックコートＮを設けることが行われており、た
とえば、強磁性金属薄膜層を表面に形成した基体の裏面
に、樹脂をコーティングしてバンクコート層を設けたも
の（特開昭５７−１８９３３７号）が提案されている。
ところが、この方法では未だ摩擦係数を充分に低減する
ことができず、またこのようにコーティングされた樹脂
からなるバックコート層は粘着性を有し充分に良好な走
行安定性が得られない。さらにこの方法では、樹脂を溶
剤に溶解してコーティングすることによってバンクコー
ト層を設けているため、バックコート層の厚みを可及的
に薄くしても０．１μ程度で、それ以上には薄くするこ
とができず、薄手化が指向される磁気テープの厚みをよ
り薄くして、記録、再生時間を充分に長くすることがで
きないという難点がある。
ことができず、またこのようにコーティングされた樹脂
からなるバックコート層は粘着性を有し充分に良好な走
行安定性が得られない。さらにこの方法では、樹脂を溶
剤に溶解してコーティングすることによってバンクコー
ト層を設けているため、バックコート層の厚みを可及的
に薄くしても０．１μ程度で、それ以上には薄くするこ
とができず、薄手化が指向される磁気テープの厚みをよ
り薄くして、記録、再生時間を充分に長くすることがで
きないという難点がある。
〔発明の目的〕
この発明は、かかる問題点を解消するため、基体の裏面
に設けるバノクコーＨｉを改善し、磁気テープ等の磁気
記録媒体の薄手化を図り記録、再生時間をできるだけ長
くするとともに、走行安定性を充分に改善することを目
的としてなされたもので、摩擦係数が一段と小さくて、
しかも厚みが３００Å以下の極めて薄いバンクコート層
を設けることによって、所期の目的を達成したものであ
る。
に設けるバノクコーＨｉを改善し、磁気テープ等の磁気
記録媒体の薄手化を図り記録、再生時間をできるだけ長
くするとともに、走行安定性を充分に改善することを目
的としてなされたもので、摩擦係数が一段と小さくて、
しかも厚みが３００Å以下の極めて薄いバンクコート層
を設けることによって、所期の目的を達成したものであ
る。
この発明は、片面に磁性層を有する基体の反対面に、炭
素原子、水素原子および酸素原子で構成される有機高分
子化合物からなる厚みが３００Å以下のバックコート層
を設けた磁気記録媒体およびその製造方法に係るもので
あり、炭素原子、水素原子および酸素原子で構成される
有機高分子化合物からなるバンクコート層はスパッタリ
ングによって、基体の磁性層側と反対面に被着して形成
される。
素原子、水素原子および酸素原子で構成される有機高分
子化合物からなる厚みが３００Å以下のバックコート層
を設けた磁気記録媒体およびその製造方法に係るもので
あり、炭素原子、水素原子および酸素原子で構成される
有機高分子化合物からなるバンクコート層はスパッタリ
ングによって、基体の磁性層側と反対面に被着して形成
される。
このスパンクリングは、高周波ズバソタ、マグネトロン
高周波スパッタ、イオンビームスパッタ等の方法で行わ
れ、このようなスパッタリングが行われるとスパッタリ
ングによる高エネルギーによって前記の有機高分子化合
物からなる厚みが３００Å以下の極めて薄いバックコー
ト層が密着性よく基体の磁性層側と反対面に被着形成さ
れ、この有機高分子化合物からなるバックコート層によ
って摩擦係数が充分に低減されて、可及的に薄くてしか
も走行安定性に優れた磁気記録媒体が得られる。
高周波スパッタ、イオンビームスパッタ等の方法で行わ
れ、このようなスパッタリングが行われるとスパッタリ
ングによる高エネルギーによって前記の有機高分子化合
物からなる厚みが３００Å以下の極めて薄いバックコー
ト層が密着性よく基体の磁性層側と反対面に被着形成さ
れ、この有機高分子化合物からなるバックコート層によ
って摩擦係数が充分に低減されて、可及的に薄くてしか
も走行安定性に優れた磁気記録媒体が得られる。
このようなスパッタリングに使用される炭素原子、水素
原子および酸素原子で構成される有機高分子化合物は、
２０’ Ｏ”ｃ以上の温度で軟化したり分解することの
ない耐熱性に優れたものであることが好ましく、２００
℃以下の温度で軟化したり分解するものではスパッタリ
ング時に分解してしまうため好ましくない。このような
耐熱性に優れた前記の有機高分子化合物としては、たと
えば、フエ／ −ル＋Ｍ 脂、フラン樹脂、キシレン・
ホルマリン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ケトン・ホルマリン樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポ
リキシレン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂等が好
ましく使用される。
原子および酸素原子で構成される有機高分子化合物は、
２０’ Ｏ”ｃ以上の温度で軟化したり分解することの
ない耐熱性に優れたものであることが好ましく、２００
℃以下の温度で軟化したり分解するものではスパッタリ
ング時に分解してしまうため好ましくない。このような
耐熱性に優れた前記の有機高分子化合物としては、たと
えば、フエ／ −ル＋Ｍ 脂、フラン樹脂、キシレン・
ホルマリン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ケトン・ホルマリン樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポ
リキシレン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂等が好
ましく使用される。
また、このような有機高分子化合物を用いてスパッタリ
ングを行うとき使用されるガスは、アルゴンガス、ネオ
ンガス、キセノンガス等の不活性ガスおよびこれらのガ
スと窒素ガスまたは水素カス等との混合ガスが好適に使
用される。ガス圧は、ｌＸｌ０−１−ルより低かったり
、反対に１×１Ｏ−１）−ルより高かったりすると良好
にスパッタリングされないためｌＸｌ０’〜ｌＸｌ０−
１ トールの範囲内となるようにするのが好ましい。ま
た、スパッタリングを行うときの高周波電力は、０、Ｏ
ＩＷ／ｃ−より小さくすると被着速度が小さくなりすぎ
、ＩＯＷ／−より大きくすると、前記の有機高分子化合
物が分解するため、０．０１〜ＬＯＷ／ｃｔの範囲内と
するのが好ましく、０．３〜３ Ｗ ／ ｃａの範囲内
とするのがより好ましい。
ングを行うとき使用されるガスは、アルゴンガス、ネオ
ンガス、キセノンガス等の不活性ガスおよびこれらのガ
スと窒素ガスまたは水素カス等との混合ガスが好適に使
用される。ガス圧は、ｌＸｌ０−１−ルより低かったり
、反対に１×１Ｏ−１）−ルより高かったりすると良好
にスパッタリングされないためｌＸｌ０’〜ｌＸｌ０−
１ トールの範囲内となるようにするのが好ましい。ま
た、スパッタリングを行うときの高周波電力は、０、Ｏ
ＩＷ／ｃ−より小さくすると被着速度が小さくなりすぎ
、ＩＯＷ／−より大きくすると、前記の有機高分子化合
物が分解するため、０．０１〜ＬＯＷ／ｃｔの範囲内と
するのが好ましく、０．３〜３ Ｗ ／ ｃａの範囲内
とするのがより好ましい。
このようにしてスパッタリングをｉテうことによって被
着形成される炭素原子、水素原子および酸素原子で構成
される有機高分子化合物からなるバンクコート層は、高
エネルギーのスパッタリングにより、密着性よく強固に
基体の磁性層側と反対面に被着形成され、緻密で硬く、
また摩擦係数も小さい。従ってこの種の有機高分子化合
物からなるバックコート層が形成されると走行安定性が
一段と向上される。また、この種の有機高分子化合物か
らなるバンクコート層は水を透過する機能がないため基
体表面に形成された磁性層の裏側からの耐食性も向上さ
れる。このような有機高分子化合物からなるバックコー
ト層の膜厚は、２０人より薄いと走行安定性および耐食
性が充分に向上されず、３００人より厚いと硬くなりす
ぎて可撓性が劣化するおそれがあるため、２０〜３００
人の範囲内であることが好ましく、５０〜１００人の範
囲内にするのがより好ましい。このように前記の有機高
分子化合物のスパッタリングによれば３００Å以下の可
及的に薄いハックコート層を形成することができて、し
かも磁気テープの走行安定性および耐食性を充分に向上
させることができ、従って、磁気テープの薄手化が充分
に図られ、δ己録、再生時間を充分に長くすることがで
きるとともに走行安定性を充分に向上することができる
・基体上に形成される磁性層は、Ｃ０ｚＦｅ、Ｎｉ、、
Ｃｏ−Ｎｉ合金、（：、ｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｐ合金などの強磁性材を真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手
段によって基体上に被着するか、あるいは、ｒ−Ｆｅ２
０３粉末、Ｆｅ５０＋粉末、ＣＯ含有ｒ ｌ’ｅ２０３
粉末、ＣＯ含有Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末、
Ｆｅ−Ｎｉ合金粉末などの磁性粉末を結合剤成分および
有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するなどの方法
で形成される。
着形成される炭素原子、水素原子および酸素原子で構成
される有機高分子化合物からなるバンクコート層は、高
エネルギーのスパッタリングにより、密着性よく強固に
基体の磁性層側と反対面に被着形成され、緻密で硬く、
また摩擦係数も小さい。従ってこの種の有機高分子化合
物からなるバックコート層が形成されると走行安定性が
一段と向上される。また、この種の有機高分子化合物か
らなるバンクコート層は水を透過する機能がないため基
体表面に形成された磁性層の裏側からの耐食性も向上さ
れる。このような有機高分子化合物からなるバックコー
ト層の膜厚は、２０人より薄いと走行安定性および耐食
性が充分に向上されず、３００人より厚いと硬くなりす
ぎて可撓性が劣化するおそれがあるため、２０〜３００
人の範囲内であることが好ましく、５０〜１００人の範
囲内にするのがより好ましい。このように前記の有機高
分子化合物のスパッタリングによれば３００Å以下の可
及的に薄いハックコート層を形成することができて、し
かも磁気テープの走行安定性および耐食性を充分に向上
させることができ、従って、磁気テープの薄手化が充分
に図られ、δ己録、再生時間を充分に長くすることがで
きるとともに走行安定性を充分に向上することができる
・基体上に形成される磁性層は、Ｃ０ｚＦｅ、Ｎｉ、、
Ｃｏ−Ｎｉ合金、（：、ｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｐ合金などの強磁性材を真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等の手
段によって基体上に被着するか、あるいは、ｒ−Ｆｅ２
０３粉末、Ｆｅ５０＋粉末、ＣＯ含有ｒ ｌ’ｅ２０３
粉末、ＣＯ含有Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末、
Ｆｅ−Ｎｉ合金粉末などの磁性粉末を結合剤成分および
有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するなどの方法
で形成される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、ｌＸｌ０−”トールの真空下でコノくルトを加熱
蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人の
コバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで
、第１図に示す高周波スパッタリング処理装置を使用し
、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム１
を、処理槽２内の原反ロール３から処理槽２内中央部に
配設した円筒状キャン４の周側面に沿って移動させ、巻
き取りロール５に巻き取るようにセントするとともに、
処理槽２内の下部に配設したステンレスからなる電極６
上にターゲットとしてフェノール樹脂７をセントした。
填し、ｌＸｌ０−”トールの真空下でコノくルトを加熱
蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人の
コバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで
、第１図に示す高周波スパッタリング処理装置を使用し
、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム１
を、処理槽２内の原反ロール３から処理槽２内中央部に
配設した円筒状キャン４の周側面に沿って移動させ、巻
き取りロール５に巻き取るようにセントするとともに、
処理槽２内の下部に配設したステンレスからなる電極６
上にターゲットとしてフェノール樹脂７をセントした。
次に、処理槽２に取りつけたガス導入管８からアルゴン
ガスを導入してアルゴンガスのガス圧をｏ、ｏｏｉ〜０
．１ トールの範囲内で種々に変えて、電極６の高周波
電力５００Ｗ、フィルム速度１ｍ／ｍｉｎでスパッタリ
ングを行い、厚さが２００人のフェノール樹脂からなる
ハックコート層を多数のポリエステルフィルムｌの裏面
に形成した。しかる後、所定の巾に裁断して第２図に示
すようなポリエステルフィルム１上に強磁性金属薄膜層
９を有し、かつ裏面にフェノール樹脂からなるバンクコ
ート層１０を形成した多数の磁気テープＡをつくった。
ガスを導入してアルゴンガスのガス圧をｏ、ｏｏｉ〜０
．１ トールの範囲内で種々に変えて、電極６の高周波
電力５００Ｗ、フィルム速度１ｍ／ｍｉｎでスパッタリ
ングを行い、厚さが２００人のフェノール樹脂からなる
ハックコート層を多数のポリエステルフィルムｌの裏面
に形成した。しかる後、所定の巾に裁断して第２図に示
すようなポリエステルフィルム１上に強磁性金属薄膜層
９を有し、かつ裏面にフェノール樹脂からなるバンクコ
ート層１０を形成した多数の磁気テープＡをつくった。
なお、図中１１は処理槽２内を減圧するための排気系で
あり、１２はアースシールドである。また１３ば電極６
に高周波を印加するための高周波電源である。
あり、１２はアースシールドである。また１３ば電極６
に高周波を印加するための高周波電源である。
実施例２
実施例１におけるバックコート層の形成において、ター
ゲットにフェノール樹脂に代えてポリフェニレン樹脂を
使用した以外は実施例１と同様にして厚さが２００人の
ポリフェニレン樹脂からなるバックコート層を形成し、
多数の磁気テープＡをつくった。
ゲットにフェノール樹脂に代えてポリフェニレン樹脂を
使用した以外は実施例１と同様にして厚さが２００人の
ポリフェニレン樹脂からなるバックコート層を形成し、
多数の磁気テープＡをつくった。
実施例３〜９
実施例１におけるバンクコート層の形成において、アル
ゴンガスのガス圧を０．０１ トールとし、ターゲット
にフェノール樹脂に代えて下記の第１表に示される樹脂
を使用した以外は、実施例１と同様にして厚さが２００
人の下記第１表に示される樹脂からなるバックコートＮ
を形成し、磁気テープＡをつくった。
ゴンガスのガス圧を０．０１ トールとし、ターゲット
にフェノール樹脂に代えて下記の第１表に示される樹脂
を使用した以外は、実施例１と同様にして厚さが２００
人の下記第１表に示される樹脂からなるバックコートＮ
を形成し、磁気テープＡをつくった。
第１表
実施例１０
α−Ｆｅ磁性粉末 ６００重量部
エスレソクＣＮ（積木化学工業 ８０ 〜社製、塩化ビ
ニル−酢酸ビニ ル共重合体） バンデソクスＴ−５２５０（大 ３０／１日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー） コロネートＬ（日本ポリウレタ １０〃ン工業社製、三
官能性低分子 量イソシアネート化合物−） メチルイソブチルケトン ４００〃 トルエン ４００〃 この組成物をボールミル中で７２時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ１０μのポリエステ
ルフィルム１の表面に乾燥厚が６μとなるように塗布、
乾燥して磁性層を形成した。次いで、これを実施例１と
同様にして高周波スパッタリング処理装置にセットし、
処理槽２内に導入するアルゴンガスのガス圧を０．０１
）−ルとした以外は、実施例１と同様にしてスパッタ
リングを行い、ポリエステルフィルム１の裏面に厚さが
２００人のフェノール樹脂からなるバックコート層を形
成し、磁気テープＡをつくった。
ニル−酢酸ビニ ル共重合体） バンデソクスＴ−５２５０（大 ３０／１日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー） コロネートＬ（日本ポリウレタ １０〃ン工業社製、三
官能性低分子 量イソシアネート化合物−） メチルイソブチルケトン ４００〃 トルエン ４００〃 この組成物をボールミル中で７２時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ１０μのポリエステ
ルフィルム１の表面に乾燥厚が６μとなるように塗布、
乾燥して磁性層を形成した。次いで、これを実施例１と
同様にして高周波スパッタリング処理装置にセットし、
処理槽２内に導入するアルゴンガスのガス圧を０．０１
）−ルとした以外は、実施例１と同様にしてスパッタ
リングを行い、ポリエステルフィルム１の裏面に厚さが
２００人のフェノール樹脂からなるバックコート層を形
成し、磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１と同様にして、厚さ１０００人のコバルトから
なる強磁性金属薄膜層をポリエステルフィルム１の表面
に形成し、次いで、ポリエステルフィルム１の裏面に、
スタイラック（旭ダウ社製アクリロニトリルーブタジェ
ン−スチレン共重合体）をメチルエチルケトンに熔解し
て得られたスタイラックの１０重量％メチルエチルケト
ン溶液を塗布、乾燥して厚さ０．５μのスタイラックか
らなるバックコート層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して磁気テープをつくった。
なる強磁性金属薄膜層をポリエステルフィルム１の表面
に形成し、次いで、ポリエステルフィルム１の裏面に、
スタイラック（旭ダウ社製アクリロニトリルーブタジェ
ン−スチレン共重合体）をメチルエチルケトンに熔解し
て得られたスタイラックの１０重量％メチルエチルケト
ン溶液を塗布、乾燥して厚さ０．５μのスタイラックか
らなるバックコート層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して磁気テープをつくった。
比較例２
実施例１において、バックコート層の形成を省いた以外
は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった。
は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった。
実施例１および２で得られた多数の磁気テープについて
、テープ張力を測定した。第３図はその結果をグラフで
表したものでグラフＡは実施例１で得られた磁気テープ
のテープ張力とアルゴンガスのガス圧との関係を示し、
グラフＢは実施例２で得られた磁気テープのテープ張力
とアルゴンガスのガス圧との関係を、示す。これらのグ
ラフから明らかなように、アルゴンガスのガス圧が１０
０ミリトール以下であればテープ張力が充分に小さくな
り、アルゴンガスのガス圧が小さくなるほどテープ張力
は小さくなっている。
、テープ張力を測定した。第３図はその結果をグラフで
表したものでグラフＡは実施例１で得られた磁気テープ
のテープ張力とアルゴンガスのガス圧との関係を示し、
グラフＢは実施例２で得られた磁気テープのテープ張力
とアルゴンガスのガス圧との関係を、示す。これらのグ
ラフから明らかなように、アルゴンガスのガス圧が１０
０ミリトール以下であればテープ張力が充分に小さくな
り、アルゴンガスのガス圧が小さくなるほどテープ張力
は小さくなっている。
実施例１および２において、アルゴンガスのガス圧を０
．０１ トールにして得られた磁気テープおよび実施例
３〜１０で得られた磁気テープ並びに比較例１および２
で得られた磁気テープについて、テープ張力を測定した
。また第４図に示すように磁気テープＡの一端に荷重１
４をかＬＪて円柱状のＳＯＳピン１５の周側面から垂下
し、磁気テープＡの他端に歪ゲージ１６を取りつけて水
平方向に１ｍ／ｍｉｎの速度で引張り、このときのＳＵ
Ｓピン１５との摩擦係数を測定した。
．０１ トールにして得られた磁気テープおよび実施例
３〜１０で得られた磁気テープ並びに比較例１および２
で得られた磁気テープについて、テープ張力を測定した
。また第４図に示すように磁気テープＡの一端に荷重１
４をかＬＪて円柱状のＳＯＳピン１５の周側面から垂下
し、磁気テープＡの他端に歪ゲージ１６を取りつけて水
平方向に１ｍ／ｍｉｎの速度で引張り、このときのＳＵ
Ｓピン１５との摩擦係数を測定した。
下記第２表はその結果である。
第２表
上記第２表から明らかなように、実施例１〜１０で得ら
れた磁気テープは、いずれも比較例１および２で得られ
た磁気テープに比し、テープ張力が小さく、また摩擦係
数も極めて小さい。
れた磁気テープは、いずれも比較例１および２で得られ
た磁気テープに比し、テープ張力が小さく、また摩擦係
数も極めて小さい。
第３図に示すグラフから明らかなように、アルゴンガス
のガス圧を１００ミリトール以下にしてスパッタリング
によりバンクコート層を形成して得られるこの発明の磁
気テープは、テープ張力が充分に小さく、また第２表か
ら明らかなようにこの発明で得られる磁気テープは、い
ずれもテープ張力が小さくて摩擦係数も極めて小さく、
このことからこの発明で得られる磁気記録媒体は走行安
定性に優れていることがわかる。またこの発明で得られ
た磁気テープは、耐食性も良好であった。
のガス圧を１００ミリトール以下にしてスパッタリング
によりバンクコート層を形成して得られるこの発明の磁
気テープは、テープ張力が充分に小さく、また第２表か
ら明らかなようにこの発明で得られる磁気テープは、い
ずれもテープ張力が小さくて摩擦係数も極めて小さく、
このことからこの発明で得られる磁気記録媒体は走行安
定性に優れていることがわかる。またこの発明で得られ
た磁気テープは、耐食性も良好であった。
第１図はこの発明のバンクコート層を形成する際に使用
するスパックリング処理装置の１例を示す概略断面図、
第２図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図、第３図はこの発明で得られた磁気テープのテ
ープ張力とスパッタリング時のアルゴンガスのガス圧と
の関（系図、第４図は磁気テープの摩擦係数測定方法の
説明図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、９・・・強磁
性金属薄膜層、１０・・・バ・ツクコート層、Ａ・・・
磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第３図 ０ １ １０ １００ アルゴンガス圧（ミリトール） 第４図
するスパックリング処理装置の１例を示す概略断面図、
第２図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図、第３図はこの発明で得られた磁気テープのテ
ープ張力とスパッタリング時のアルゴンガスのガス圧と
の関（系図、第４図は磁気テープの摩擦係数測定方法の
説明図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、９・・・強磁
性金属薄膜層、１０・・・バ・ツクコート層、Ａ・・・
磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第３図 ０ １ １０ １００ アルゴンガス圧（ミリトール） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、片面に磁性層を有する基体の反対面に、炭素原子、
水素原子および酸素原子で構成される有機高分子化合物
からなる厚みが３００Å以下のバックコート層を設けた
ことを特徴とする磁気記録媒体 ２、片面に磁性層を有する基体の反対面に、炭素原子、
水素原子および酸素原子で構成される有機高分子化合物
をスパッタリングして、炭素原子、水素原子および酸素
原子で構成される有機高分子化合物からなる厚みが３０
０Å以下のバンクコート層を形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6441484A JPS60205820A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6441484A JPS60205820A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205820A true JPS60205820A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13257606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6441484A Pending JPS60205820A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60205820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9858956B2 (en) | 2014-07-28 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Conductive polymers for use in magnetic media |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6441484A patent/JPS60205820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9858956B2 (en) | 2014-07-28 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Conductive polymers for use in magnetic media |
| US11120827B2 (en) | 2014-07-28 | 2021-09-14 | International Business Machines Corporation | Conductive polymers for use in magnetic media |
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