JPH10255263A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH10255263A JPH10255263A JP5270697A JP5270697A JPH10255263A JP H10255263 A JPH10255263 A JP H10255263A JP 5270697 A JP5270697 A JP 5270697A JP 5270697 A JP5270697 A JP 5270697A JP H10255263 A JPH10255263 A JP H10255263A
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- Japan
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- magnetic recording
- magnetic
- recording medium
- ethylene
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Abstract
(57)【要約】
【課題】走行性、耐久性に優れた保護膜を形成した蒸着
磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】 蒸着磁気記録媒体上にＣＶＤ法にてカー
ボン膜を形成する際の原料にエチレンを用い、さらにＡ
ｒガスを添加することにより、実用特性を向上させるも
のである。カーボン保護膜はエチレン／Ａｒが２／１〜
６／１のモル比率の範囲において成膜される。
磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】 蒸着磁気記録媒体上にＣＶＤ法にてカー
ボン膜を形成する際の原料にエチレンを用い、さらにＡ
ｒガスを添加することにより、実用特性を向上させるも
のである。カーボン保護膜はエチレン／Ａｒが２／１〜
６／１のモル比率の範囲において成膜される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性支持体上に
金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されてなる磁気記録
媒体に関する。
金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されてなる磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル・酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル・酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真
空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法
等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接非被着した、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注
目を集めている。
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真
空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法
等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接非被着した、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注
目を集めている。
【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みをきわめて薄くでき
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短
波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中
に非磁性材であるそのバインダーを混入する必要が無い
ため磁性材料の充填密度を高めることができることな
ど、数々の利点を有している。すなわち、金属薄膜媒体
は、磁気特性的が優れているので高密度磁気記録媒体の
主流になると考えられる。
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みをきわめて薄くでき
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短
波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中
に非磁性材であるそのバインダーを混入する必要が無い
ため磁性材料の充填密度を高めることができることな
ど、数々の利点を有している。すなわち、金属薄膜媒体
は、磁気特性的が優れているので高密度磁気記録媒体の
主流になると考えられる。
【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、実用化されている。
性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、実用化されている。
【０００６】今後更なる高密度化の流れからスペーシン
グ損失を少なくするため、磁気記録媒体は平滑化される
傾向にある。磁気記録媒体の平滑化に伴うヘッド一媒体
間の摩擦力は増大し、媒体に生じるせん断力は大きくな
る。このような摺動耐久性として厳しくなる状況のなか
で耐久性を向上させる目的で磁性層表面に保護膜層を形
成する技術の検討がなされてきた。
グ損失を少なくするため、磁気記録媒体は平滑化される
傾向にある。磁気記録媒体の平滑化に伴うヘッド一媒体
間の摩擦力は増大し、媒体に生じるせん断力は大きくな
る。このような摺動耐久性として厳しくなる状況のなか
で耐久性を向上させる目的で磁性層表面に保護膜層を形
成する技術の検討がなされてきた。
【０００７】このような保護膜としてはカーボン膜、石
英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が検討さ
れ、ハードディスクにおいては実用化され生産されてい
るものもある。特に最近はカーボン膜においても、より
硬度な膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）
膜等の膜形成の検討も行われており、今後、主流になる
と思われる保護膜である。ＤＬＣ膜の膜形成方法はスパ
ッタリング法、ＣＶＤ法が用いられている。
英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が検討さ
れ、ハードディスクにおいては実用化され生産されてい
るものもある。特に最近はカーボン膜においても、より
硬度な膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）
膜等の膜形成の検討も行われており、今後、主流になる
と思われる保護膜である。ＤＬＣ膜の膜形成方法はスパ
ッタリング法、ＣＶＤ法が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＤＬＣ膜の膜形成のた
めのスパッタリング法とは、まず、電場や磁場を利用し
てＡｒガス等の不活性ガスの運動エネルギーによりター
ゲットの原子をはじき出す。そして、そのはじき出され
た原子が対向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成
する物理的プロセスである。このプロセスによるＤＬＣ
膜の形成速度は一般に遅く、工業的見地からは生産性に
劣る膜形成手段である。それに対し、ＣＶＤ法は電場や
磁場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て原料となる気体の分解、合成等の化学反応を起こさ
せ、膜を形成する化学的プロセスである。
めのスパッタリング法とは、まず、電場や磁場を利用し
てＡｒガス等の不活性ガスの運動エネルギーによりター
ゲットの原子をはじき出す。そして、そのはじき出され
た原子が対向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成
する物理的プロセスである。このプロセスによるＤＬＣ
膜の形成速度は一般に遅く、工業的見地からは生産性に
劣る膜形成手段である。それに対し、ＣＶＤ法は電場や
磁場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て原料となる気体の分解、合成等の化学反応を起こさ
せ、膜を形成する化学的プロセスである。
【０００９】これらの方法により形成されたカーボン膜
は、今後より厳しい耐久性が要求され、なお一層の改善
が望まれている。本発明の課題は走行性、耐久性に優れ
た保護膜を形成した蒸着磁気記録媒体を提供することで
ある。
は、今後より厳しい耐久性が要求され、なお一層の改善
が望まれている。本発明の課題は走行性、耐久性に優れ
た保護膜を形成した蒸着磁気記録媒体を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前記のような課
題を解決するために実施されるものであり、蒸着磁気記
録媒体上にＣＶＤ法にてカーボン膜を形成する際の原料
にエチレンを用い、さらにＡｒガスを添加することによ
り、実用特性を向上させるものである。すなわち、本発
明はカーボン保護膜つき蒸着磁気記録媒体においてカー
ボン保護膜原料がエチレンとＡｒガスから形成される磁
気記録媒体である。
題を解決するために実施されるものであり、蒸着磁気記
録媒体上にＣＶＤ法にてカーボン膜を形成する際の原料
にエチレンを用い、さらにＡｒガスを添加することによ
り、実用特性を向上させるものである。すなわち、本発
明はカーボン保護膜つき蒸着磁気記録媒体においてカー
ボン保護膜原料がエチレンとＡｒガスから形成される磁
気記録媒体である。
【００１１】前記本発明の上記蒸着磁気記録媒体の保護
膜はＣＶＤ法にて成膜することが望ましい。また、カー
ボン保護膜はエチレン／Ａｒが２／１〜６／１のモル比
率の範囲において成膜される。エチレン／Ａｒのモル比
が２／１未満であると良好な特性が得られないという不
具合があり、また、６／１を超えるとＡｒを添加する効
果がなくなり、良好な特性が得られないという不具合が
ある。
膜はＣＶＤ法にて成膜することが望ましい。また、カー
ボン保護膜はエチレン／Ａｒが２／１〜６／１のモル比
率の範囲において成膜される。エチレン／Ａｒのモル比
が２／１未満であると良好な特性が得られないという不
具合があり、また、６／１を超えるとＡｒを添加する効
果がなくなり、良好な特性が得られないという不具合が
ある。
【００１２】本発明において、非磁性支持体上に磁気記
録層が設けられ、かつ、更にその上にカーボン保護層が
設けられる磁気媒体（ディスク、テープなど）全てが対
象となるが、特にディスクと異なり耐環境特性が激しく
要求されるテープ媒体において効果が大きい。
録層が設けられ、かつ、更にその上にカーボン保護層が
設けられる磁気媒体（ディスク、テープなど）全てが対
象となるが、特にディスクと異なり耐環境特性が激しく
要求されるテープ媒体において効果が大きい。
【００１３】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
を直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として
形成されているが、この金属磁性材料としては、通常の
蒸着テープに使用されるものであればいかなるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁
性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍ
ｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ
−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合
金があげられる。これらの単層膜であってもよいし多層
膜であってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁性
薄膜間、あるいは多層膜の場合には、各層間であっても
よい。さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、ある
いは多層膜の場合には各層間の付着力向上、並びに抗磁
力の制御等のため、下地層または中間層を設けても良
い。
を直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として
形成されているが、この金属磁性材料としては、通常の
蒸着テープに使用されるものであればいかなるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁
性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍ
ｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ
−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合
金があげられる。これらの単層膜であってもよいし多層
膜であってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁性
薄膜間、あるいは多層膜の場合には、各層間であっても
よい。さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、ある
いは多層膜の場合には各層間の付着力向上、並びに抗磁
力の制御等のため、下地層または中間層を設けても良
い。
【００１４】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着さ
せる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし生じたアルゴンイオンでタ
ーゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆ
るＰＶＤ技術によれば良い。
で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着さ
せる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし生じたアルゴンイオンでタ
ーゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆ
るＰＶＤ技術によれば良い。
【００１５】本発明にかかる磁気テープは以上の構成に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層を形成
したり、非磁性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤
などの層を形成することはなんら差し支えない。この場
合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤
あるいは潤滑剤に含まれる材料としては従来公知のもの
がいずれも使用できる。
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層を形成
したり、非磁性支持体上に下塗層を形成したり、潤滑剤
などの層を形成することはなんら差し支えない。この場
合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤
あるいは潤滑剤に含まれる材料としては従来公知のもの
がいずれも使用できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に説明
する。本発明の実施例とそれに対する比較例を実験結果
に基づいて説明する。実施例と比較例の蒸着媒体作製条
件は共通で以下のとおりである。 ベース：ポリエチレンテフタート（１０μｍ厚、１５０
ｍｍ幅） 下塗：アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテック
スを塗布 密度 １０００万個／ｍｍ2 蒸着条件 インゴット：Ｃｏ、Ｃｏ８０−Ｎｉ−２０ｗｔ％ 入射角：４５〜９０度 テープ速度：０．１７ｍ／ｓｅｃ． 磁性層厚：０．２μｍ 酸素導入量：３．３×１０-6〜４．０×１０-6ｍ3／ｓ
ｅｃ． 蒸着時真空度：７×１０-4Ｐａ バックコート：カーボン及びウレタンバインダーを混合
したものを０．６μｍ厚塗布
する。本発明の実施例とそれに対する比較例を実験結果
に基づいて説明する。実施例と比較例の蒸着媒体作製条
件は共通で以下のとおりである。 ベース：ポリエチレンテフタート（１０μｍ厚、１５０
ｍｍ幅） 下塗：アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテック
スを塗布 密度 １０００万個／ｍｍ2 蒸着条件 インゴット：Ｃｏ、Ｃｏ８０−Ｎｉ−２０ｗｔ％ 入射角：４５〜９０度 テープ速度：０．１７ｍ／ｓｅｃ． 磁性層厚：０．２μｍ 酸素導入量：３．３×１０-6〜４．０×１０-6ｍ3／ｓ
ｅｃ． 蒸着時真空度：７×１０-4Ｐａ バックコート：カーボン及びウレタンバインダーを混合
したものを０．６μｍ厚塗布
【００１７】上記方法で成膜された金属磁性薄膜上に、
ＣＶＤ法にてダイヤモンド状カーボン膜を１０ｎｍ成膜
した。成膜方法を以下に述べる。 実施例 以下、本発明の具体的な実施例について説明する。ま
ず、本発明の実施例に関わる磁気記録媒体の製造方法に
ついて、図１を参照しながら説明する。図１は本実施例
のＤＬＣ膜形成に用いたプラズマＣＶＤ連続膜形成装置
の要部構成図である。
ＣＶＤ法にてダイヤモンド状カーボン膜を１０ｎｍ成膜
した。成膜方法を以下に述べる。 実施例 以下、本発明の具体的な実施例について説明する。ま
ず、本発明の実施例に関わる磁気記録媒体の製造方法に
ついて、図１を参照しながら説明する。図１は本実施例
のＤＬＣ膜形成に用いたプラズマＣＶＤ連続膜形成装置
の要部構成図である。
【００１８】真空排気系１０を備えた真空チャンバー１
１内において、非磁性支持体であるＰＥＴフィルム上に
酸素ガスを導入しながらＣｏを蒸着して部分酸化強磁性
金属薄膜を形成した被処理体１は巻出しロール３から回
転支持体２及びドラム状の対向電極９に沿って通紙さ
れ、巻取りロール４に巻取られる。反応管５の内部には
電極６が組み込まれている。また、電極６には直流電源
７により＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加えられる。
反応管５の放電ガス導入口８で炭化水素系を主成分とし
たガスが導入される。反応管５には円筒状の回転可能な
対向電極９が設置されている。
１内において、非磁性支持体であるＰＥＴフィルム上に
酸素ガスを導入しながらＣｏを蒸着して部分酸化強磁性
金属薄膜を形成した被処理体１は巻出しロール３から回
転支持体２及びドラム状の対向電極９に沿って通紙さ
れ、巻取りロール４に巻取られる。反応管５の内部には
電極６が組み込まれている。また、電極６には直流電源
７により＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加えられる。
反応管５の放電ガス導入口８で炭化水素系を主成分とし
たガスが導入される。反応管５には円筒状の回転可能な
対向電極９が設置されている。
【００１９】被処理体１は対向電極９の表面に巻き付け
られ、反応管５内部にて被処理体１の表面にカーボン膜
が所定の厚みになるまで形成される。一方、プラズマ表
面処理室１２は電極１３とガス導入口１４を備え、ガス
導入口１４からフッ素を含むガスが導入され、そのガス
に電圧が印加されてプラズマ状態となったガスに被処理
体１の表面のカーボン膜が触れることで処理される。カ
ーボン膜成膜条件を次に記す。 導入ガス ：エチレン＋アルゴン（Ａｒ） 反応圧力 ：１０Ｐａ ＤＣ電力 ：ＤＣ１．５ｋＶ
られ、反応管５内部にて被処理体１の表面にカーボン膜
が所定の厚みになるまで形成される。一方、プラズマ表
面処理室１２は電極１３とガス導入口１４を備え、ガス
導入口１４からフッ素を含むガスが導入され、そのガス
に電圧が印加されてプラズマ状態となったガスに被処理
体１の表面のカーボン膜が触れることで処理される。カ
ーボン膜成膜条件を次に記す。 導入ガス ：エチレン＋アルゴン（Ａｒ） 反応圧力 ：１０Ｐａ ＤＣ電力 ：ＤＣ１．５ｋＶ
【００２０】この成膜条件のもと、エチレンガス流量を
一定とし、エチレン／Ａｒ比を１：１（比較例１）、
２：１（実施例１）、３：１（実施例２）、４：１（実
施例３）、６：１（実施例４）にて成膜し、このときの
それぞれの実用特性を表１に示す。
一定とし、エチレン／Ａｒ比を１：１（比較例１）、
２：１（実施例１）、３：１（実施例２）、４：１（実
施例３）、６：１（実施例４）にて成膜し、このときの
それぞれの実用特性を表１に示す。
【表１】
【００２１】また、各実用特性の評価方法は以下のとお
りである。 １）摩擦係数測定 摩擦係数は、恒温高湿槽で４０℃８０％を制御して、１
００パス走行した。表１に示す摩擦係数はシャトル走行
１回目と１００回目の値である。 ２）シャトル測定 シャトル測定は、常温環境において、１００パス走行後
にその再生出力が初期出力から何ｄＢ落ちるかを測定し
た。 ３）スチル測定 スチル測定は、−５℃の恒温槽中で行い、再生出力が３
ｄＢ落ちるまでの時間を測定した。
りである。 １）摩擦係数測定 摩擦係数は、恒温高湿槽で４０℃８０％を制御して、１
００パス走行した。表１に示す摩擦係数はシャトル走行
１回目と１００回目の値である。 ２）シャトル測定 シャトル測定は、常温環境において、１００パス走行後
にその再生出力が初期出力から何ｄＢ落ちるかを測定し
た。 ３）スチル測定 スチル測定は、−５℃の恒温槽中で行い、再生出力が３
ｄＢ落ちるまでの時間を測定した。
【００２２】表１から分かるように、実施例のうち実施
例１、２、３、４は比較例に比べて走行性および耐久性
に優れた特性を示す。エチレン／Ａｒが２／１〜６／１
の範囲のときに優れた特性が得られる
例１、２、３、４は比較例に比べて走行性および耐久性
に優れた特性を示す。エチレン／Ａｒが２／１〜６／１
の範囲のときに優れた特性が得られる
【図１】 本発明の一実施例のＤＬＣ膜形成に用いたプ
ラズマＣＶＤ連続膜形成装置の要部構成図である。
ラズマＣＶＤ連続膜形成装置の要部構成図である。
１ 被処理体 ２ 回転支持体 ３ 巻出しロール ４ 巻取りロー
ル ５ 反応管 ６ 電極 ７ 直流電源 ８ 放電ガス導
入口 ９ 対向電極 １０ 真空排気
系 １１ 真空チャンバー １２ プラズマ
表面処理室 １３ 電極 １４ ガス導入
口
ル ５ 反応管 ６ 電極 ７ 直流電源 ８ 放電ガス導
入口 ９ 対向電極 １０ 真空排気
系 １１ 真空チャンバー １２ プラズマ
表面処理室 １３ 電極 １４ ガス導入
口
Claims (3)
- 【請求項１】 カーボン保護膜つき蒸着磁気記録媒体に
おいてカーボン保護膜原料がエチレンとＡｒガスから形
成される磁気記録媒体。 - 【請求項２】 蒸着磁気記録媒体の保護膜はＣＶＤ法に
て成膜したものからなる請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 カーボン保護膜はエチレン／Ａｒが２／
１〜６／１のモル比率の範囲において成膜される請求項
２記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270697A JPH10255263A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270697A JPH10255263A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255263A true JPH10255263A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12922349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5270697A Pending JPH10255263A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109880143A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-14 | 东莞市和域战士纳米科技有限公司 | 一种氟化聚乙烯复合超疏水防水纳米膜 |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP5270697A patent/JPH10255263A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109880143A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-14 | 东莞市和域战士纳米科技有限公司 | 一种氟化聚乙烯复合超疏水防水纳米膜 |
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