JPS60206061A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS60206061A JPS60206061A JP59059440A JP5944084A JPS60206061A JP S60206061 A JPS60206061 A JP S60206061A JP 59059440 A JP59059440 A JP 59059440A JP 5944084 A JP5944084 A JP 5944084A JP S60206061 A JPS60206061 A JP S60206061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- density
- image sensor
- elements
- electrical output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えばファクシミリ等に用いられ、原稿など
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージセン
サに係り、特にその光電変換素子を改良したイメージセ
ンナに関する。
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージセン
サに係り、特にその光電変換素子を改良したイメージセ
ンナに関する。
近年、ファクシミリなどに用いられる画像読み取り装置
を小型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛
んである。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所
望の解像度で光検出素子を一列に配し、原稿を近接させ
て画像情報を読み取るイメージセンサである。
を小型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛
んである。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所
望の解像度で光検出素子を一列に配し、原稿を近接させ
て画像情報を読み取るイメージセンサである。
第１図は従来のイメージセンサを用いた装置であり、第
２図及び第８図は従来のイメージセンサである。
２図及び第８図は従来のイメージセンサである。
第１図において、プラテンローラ（１）により原稿紙（
２）は紙ガイド（３）の上を副走査方向りへ送り出され
る。原稿紙（２）上に記入されている画像は、支持本体
（５）に固着された発光部（６）から発せられる光によ
り照射される。照射された原稿（２）上の画像は、支持
本体（５）に固定された筒ラドレンズアレイ（７）を介
して、イメージセンサ（９）の光電変換部上に結像され
る。このイメージセンサ（９）は支持本体（９）に裏蓄
（８）により固定されている。光電変換部上に結像され
た画像は電気信号に変換され、出力端子部より出力され
る。。
２）は紙ガイド（３）の上を副走査方向りへ送り出され
る。原稿紙（２）上に記入されている画像は、支持本体
（５）に固着された発光部（６）から発せられる光によ
り照射される。照射された原稿（２）上の画像は、支持
本体（５）に固定された筒ラドレンズアレイ（７）を介
して、イメージセンサ（９）の光電変換部上に結像され
る。このイメージセンサ（９）は支持本体（９）に裏蓄
（８）により固定されている。光電変換部上に結像され
た画像は電気信号に変換され、出力端子部より出力され
る。。
次に第２図を参照してイメージセンサ（９）について説
明する。第２図において、イメージセンサ（９）はガラ
ス等の絶縁基板（２１）上に構成された光電変換部（４
）と駆動回路部の）とからなる。光電変換部（ト）は複
数の光電変換素子が走査方向へ１列に配列されている。
明する。第２図において、イメージセンサ（９）はガラ
ス等の絶縁基板（２１）上に構成された光電変換部（４
）と駆動回路部の）とからなる。光電変換部（ト）は複
数の光電変換素子が走査方向へ１列に配列されている。
光電変換素子翰は透明な共通電極１と光電変換膜（ｎと
個別電極（２）とにより構成され必要に応じ絶娠膜（ハ
）が形成されている。一方、駆動回路部（Ｂ）は集積回
路素子（イ）と導電パターン（至）とにより構成される
。集積回路素子（イ）はエポキシ樹脂等により絶縁基板
（財）上に固着され必要に応じ、個別電極■及び導電パ
ターン（至）と金ワイヤ−（５）を介してボンディング
されている。
個別電極（２）とにより構成され必要に応じ絶娠膜（ハ
）が形成されている。一方、駆動回路部（Ｂ）は集積回
路素子（イ）と導電パターン（至）とにより構成される
。集積回路素子（イ）はエポキシ樹脂等により絶縁基板
（財）上に固着され必要に応じ、個別電極■及び導電パ
ターン（至）と金ワイヤ−（５）を介してボンディング
されている。
次に第８図を用いてイメージセンサ（９）の光電変換素
子を説明する。第８図において、従来の光電変換素子は
、正方形もしくは長方形の形状の受光面０υを有する。
子を説明する。第８図において、従来の光電変換素子は
、正方形もしくは長方形の形状の受光面０υを有する。
受光面ｔ３１）は個別電極（至）に１対１に結合し、受
光面Ｃ３］）に照射される光量に応じ個別電極（２４）
へ電気信号が出力される。ところで第１図に示ス如り通
常のイメージセンサ（９）を用いた装置では、ロッドレ
ンズアレイ（７）により光量変換素子の上へ結像される
画像の画素は受光面Ｃ３１）と一致する様に設計されて
いる。即ち、第８図上、Ｆは１画素を構成する領域を示
す。画素と受光面０１）とが一致するように設゛計され
たイメージセンサでは、画素の出力信−号はそれぞれの
画素に１対１に対応し、個別電極（財）”から出力され
る。これにより、画素数と同数の個別電極（財）が必要
となり、画素密度の増加により個別電極−や導電パター
ン（至）およびボンディングされた金ワイヤ−（５）の
配線密度が、増加する傾向にある。したがって、従来の
イメージセンナにおいては画素の高密度化に伴ない駆動
回路部の導電パターンの形成やワイヤーボンディング等
が困難となり、製造歩留の低下さらには信頼性の低下等
の危険がある。
光面Ｃ３］）に照射される光量に応じ個別電極（２４）
へ電気信号が出力される。ところで第１図に示ス如り通
常のイメージセンサ（９）を用いた装置では、ロッドレ
ンズアレイ（７）により光量変換素子の上へ結像される
画像の画素は受光面Ｃ３１）と一致する様に設計されて
いる。即ち、第８図上、Ｆは１画素を構成する領域を示
す。画素と受光面０１）とが一致するように設゛計され
たイメージセンサでは、画素の出力信−号はそれぞれの
画素に１対１に対応し、個別電極（財）”から出力され
る。これにより、画素数と同数の個別電極（財）が必要
となり、画素密度の増加により個別電極−や導電パター
ン（至）およびボンディングされた金ワイヤ−（５）の
配線密度が、増加する傾向にある。したがって、従来の
イメージセンナにおいては画素の高密度化に伴ない駆動
回路部の導電パターンの形成やワイヤーボンディング等
が困難となり、製造歩留の低下さらには信頼性の低下等
の危険がある。
上述の問題点を鑑みて、本発明は光電変換素子の密度に
対し画素の密度を高密度にしたイメージセンサを提供す
ることを目的とする。
対し画素の密度を高密度にしたイメージセンサを提供す
ることを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明は相向かいあう光
電変換素子から細条が延在し、との細条から形状される
部分と、光電変換素子とを画素とするイメージセンサで
あるので、光電変換素子の密度以上に画素の密度を高密
度化することができる。
電変換素子から細条が延在し、との細条から形状される
部分と、光電変換素子とを画素とするイメージセンサで
あるので、光電変換素子の密度以上に画素の密度を高密
度化することができる。
以下、本発明の一実施例を説明する。なお、本発明のイ
メージセンサの基本的構造は従来技術と略同−なので詳
細な説明は省略する。
メージセンサの基本的構造は従来技術と略同−なので詳
細な説明は省略する。
第４図は、イメージセンサの光電変換部における光電変
換素子を入射光側より見た模式平面図である。第４図に
おいて、光電変換素子からなる受光面ＯＩ）の相向かい
あう部分に細条例えば細片（８１１）が形成されている
。即ち、隣接する光電変換素子間において、細片（ａｌ
ｌ）の複合により１画素Ｇを構成し得る形状である。こ
の細片（８１１）は受光面ｃ３１）の面積の１の面積で
ある。即ち、画素Ｆと画素Ｇとは同面積の受光面である
。一般に光電変換素子の電気出力は、この光電変換素子
の受光面の面積に比例する。したがって、画素Ｆ及び画
素Ｇに対応した電気出力は、画素Ｆと画素Ｇとに対する
照射光量が等しければ略同−の電気出力が得られること
になる。そこで、一実施例によれば、光電変換素子密度
に対し画素密度を１．５倍（二高密度化でき、画素の高
密度化に伴い、従来困難とされた駆動回路部の導電パタ
ーンの形成やワイヤーボンディング等が簡易となり、製
造歩留の向上さらには信頼性の向上が可能となる。
換素子を入射光側より見た模式平面図である。第４図に
おいて、光電変換素子からなる受光面ＯＩ）の相向かい
あう部分に細条例えば細片（８１１）が形成されている
。即ち、隣接する光電変換素子間において、細片（ａｌ
ｌ）の複合により１画素Ｇを構成し得る形状である。こ
の細片（８１１）は受光面ｃ３１）の面積の１の面積で
ある。即ち、画素Ｆと画素Ｇとは同面積の受光面である
。一般に光電変換素子の電気出力は、この光電変換素子
の受光面の面積に比例する。したがって、画素Ｆ及び画
素Ｇに対応した電気出力は、画素Ｆと画素Ｇとに対する
照射光量が等しければ略同−の電気出力が得られること
になる。そこで、一実施例によれば、光電変換素子密度
に対し画素密度を１．５倍（二高密度化でき、画素の高
密度化に伴い、従来困難とされた駆動回路部の導電パタ
ーンの形成やワイヤーボンディング等が簡易となり、製
造歩留の向上さらには信頼性の向上が可能となる。
ところで、第４図Ｃ二示すイメージセンサの場合、画素
Ｆに対応する電気出力は個別電極−と個別電極（ハ）と
に分割され出力される。この信号処理方式を第５図乃至
第６図（ｅ）を参照して説明する。第５図は一実施例の
イメージセンナの信号処理を模式的に示した説明図であ
り、第６図（、）乃至第６図（、）は第５図に示した信
号処理の電気出力を模式的に示した説明図である。各光
電変換素子よりの電気出力■１は、従来の信号処理方式
と同様に所定の走査時間で、個別電極からの電気出力を
順次読み出し得られる電気出力である。一実施例では、
光電変換素子に対する画素密度な略１．５倍に高密度化
しているため、対となる２光゛蹴変換素子（第４図にお
いては、個別電極（２）と（ハ）とに対応する）の電気
出力の後、第６図（、）に図示したように１回黒レベル
の電気出力を出力する必要がある。即ち、光電変換素子
よりの電気出力を画素に対応した電気出力に変換するた
めに、電気出力の信号回数を１．５倍に増やす必要があ
る。
Ｆに対応する電気出力は個別電極−と個別電極（ハ）と
に分割され出力される。この信号処理方式を第５図乃至
第６図（ｅ）を参照して説明する。第５図は一実施例の
イメージセンナの信号処理を模式的に示した説明図であ
り、第６図（、）乃至第６図（、）は第５図に示した信
号処理の電気出力を模式的に示した説明図である。各光
電変換素子よりの電気出力■１は、従来の信号処理方式
と同様に所定の走査時間で、個別電極からの電気出力を
順次読み出し得られる電気出力である。一実施例では、
光電変換素子に対する画素密度な略１．５倍に高密度化
しているため、対となる２光゛蹴変換素子（第４図にお
いては、個別電極（２）と（ハ）とに対応する）の電気
出力の後、第６図（、）に図示したように１回黒レベル
の電気出力を出力する必要がある。即ち、光電変換素子
よりの電気出力を画素に対応した電気出力に変換するた
めに、電気出力の信号回数を１．５倍に増やす必要があ
る。
次に、順次読み出された電気出力Ｉ、は、アナログデジ
タル変換器（５１）によりディジタル信号に変換され、
電気出力１． 、 Ｉ、に変換される。敷居値は、第６
図（ｂ）及び（ｄ）に示すように、光電変換素子の白レ
ベルの電気出力の１／８．２／８および１を識別できる
ように取る。ディジタル信号に変換された電気出力は第
１位の桁に対応する電気出力■２と第２位の桁に対応す
る電気出力１．どなる。スイッチ変換器（６２）により
、電気出力Ｉ、と工、とは所定のタイミングによりスイ
ッチ切替えされ、出力される。
タル変換器（５１）によりディジタル信号に変換され、
電気出力１． 、 Ｉ、に変換される。敷居値は、第６
図（ｂ）及び（ｄ）に示すように、光電変換素子の白レ
ベルの電気出力の１／８．２／８および１を識別できる
ように取る。ディジタル信号に変換された電気出力は第
１位の桁に対応する電気出力■２と第２位の桁に対応す
る電気出力１．どなる。スイッチ変換器（６２）により
、電気出力Ｉ、と工、とは所定のタイミングによりスイ
ッチ切替えされ、出力される。
■、の第一の′電気出力はそのまま出力され（画素に対
応した） Ｉ４が出力される。スイッチ変換された電気
出力は必要に応じ一時、記憶器（５８）にだくわえられ
、電気出力のタイミングをずらす。■。
応した） Ｉ４が出力される。スイッチ変換された電気
出力は必要に応じ一時、記憶器（５８）にだくわえられ
、電気出力のタイミングをずらす。■。
の電気出力のうち記憶器（６３）にだくわえられた第１
の電気出力と、ｘ、の第２の電気出力とは、論理積回路
（５４）により判別され（画素に対応した）電気出力Ｉ
、が出力される。さらに、工１の第２の電気出力（Ｉ、
の第２の電気出力と同時に出力される。）は、一時、記
憶器（５８）でたくわえられ電気出力Ｉ。
の電気出力と、ｘ、の第２の電気出力とは、論理積回路
（５４）により判別され（画素に対応した）電気出力Ｉ
、が出力される。さらに、工１の第２の電気出力（Ｉ、
の第２の電気出力と同時に出力される。）は、一時、記
憶器（５８）でたくわえられ電気出力Ｉ。
が出力された後、画素に対応した電気出力Ｉ６として出
力される。
力される。
なお、第６因において、矢印は一時、記憶器（５８）で
行われる電気出力の遅延及び論理積１回路（５４）によ
る電気出力の複合判定を示す。またＩは電気出力■４
＋ ”５ ＋ 工ＩＩを加算したものであり、各画素に
対応した電気出力である。この論理積回路（５４）の特
性を第１表として以下に示す。
行われる電気出力の遅延及び論理積１回路（５４）によ
る電気出力の複合判定を示す。またＩは電気出力■４
＋ ”５ ＋ 工ＩＩを加算したものであり、各画素に
対応した電気出力である。この論理積回路（５４）の特
性を第１表として以下に示す。
第１表；論理積回路
上述の信号処理方式により、対となる２つの光電変換素
子よりの電気出力を、光電変換素子により構成される８
つの画素に対応する電気出力に変換が可能となる。
子よりの電気出力を、光電変換素子により構成される８
つの画素に対応する電気出力に変換が可能となる。
（以下余白）
第２表；真理表
第２表には、対となる光電変換素子のディジタル変換さ
れた電気出力に対応する画素との間の真理表を示す。な
お、マトリックス表土に示される各数字は出力される画
素の番号を示し、また光電変換素子のＸｉ、 Ｘ２の項
に示される数字は電気出力の大きさを示す。上述の信号
処理方式により第２表に示す画素出力が可能となる。
れた電気出力に対応する画素との間の真理表を示す。な
お、マトリックス表土に示される各数字は出力される画
素の番号を示し、また光電変換素子のＸｉ、 Ｘ２の項
に示される数字は電気出力の大きさを示す。上述の信号
処理方式により第２表に示す画素出力が可能となる。
次に第７図（、）乃至第７図（ｃ）を参照して、本発明
の他の実施例を説明する。
の他の実施例を説明する。
第７図（、）において、相向かいおう光電変換素子の受
光面０１）から細条即ちすだれ状電極（８１２）が延在
している。このすだれ状電極（８１２）から構成される
画素Ｇと画素Ｆとの受光面積は略等しい。
光面０１）から細条即ちすだれ状電極（８１２）が延在
している。このすだれ状電極（８１２）から構成される
画素Ｇと画素Ｆとの受光面積は略等しい。
第７図（ｂ）において、第７図（ｂ）は第７図（、）に
示す各すだれ状電極（８１２）を個々に組みあわせて、
画素Ｇを形成したものである。
示す各すだれ状電極（８１２）を個々に組みあわせて、
画素Ｇを形成したものである。
第７図（ｃ）においては、受光面０１）の両端から細片
（８１８）を延在させて、両隣の細片（８１８）を組み
合せて、画素ｌｉｔ、 Ｇ、 Ｉを形成したものである
。第７図（、）に示すものは、第４図に示すものよりも
、個別電極（６１） 、 （６２） 、 （６１１１）
、 （６４）の数が少なくなり、より高密度化された
イメージセンナに適している。
（８１８）を延在させて、両隣の細片（８１８）を組み
合せて、画素ｌｉｔ、 Ｇ、 Ｉを形成したものである
。第７図（、）に示すものは、第４図に示すものよりも
、個別電極（６１） 、 （６２） 、 （６１１１）
、 （６４）の数が少なくなり、より高密度化された
イメージセンナに適している。
なお、細片（８１Ｂ）を第７図（、）及び第７図（ｂ）
のごとく、すだれ状電極で形成しても良いのは言うまで
もない。
のごとく、すだれ状電極で形成しても良いのは言うまで
もない。
上述の構成をとることにより、本発明のイメージセンサ
は、光電変換素子の密度に対し画素の密度をより高密度
化できる。さらに、各光電変換素子には１対１に個別電
極が結合している為、駆動回路部の構成を変更すゐこと
なく、画素密度のみ容易に高密度化できる副次的効果も
ある。
は、光電変換素子の密度に対し画素の密度をより高密度
化できる。さらに、各光電変換素子には１対１に個別電
極が結合している為、駆動回路部の構成を変更すゐこと
なく、画素密度のみ容易に高密度化できる副次的効果も
ある。
第１図はイメージセンサを使用した画像読取装置の原理
を説明する模式断面図、第２図は従来のイメージセンナ
の構造を示す模式断面図、第８図は第２図の要部を示す
要部平面略図、第４図は本発明のイメージセンナの一実
施例を示す要部平面略図、第６図は本発明のイメージセ
ンナの一実施例の信理方式を説明するための模式図、第
６図（、）乃至第６図（ｅ）は第６図の信号処理方式に
おける電気出力の特性を示す特性図、第７図（、）乃至
第７図（Ｃ）は本発明のイメージセンサの他の実施例を
示す要部平面略図である。 （９）・・・イメージセンサ Ｑ・・・・出力端子 ＠・・・共通電極 （財）、（ハ）、（６１） 、 （６２） 、 （６８
） 、 （６４）・・・個別電極（至）・・・集積回路
素子 ０〃・・・受光面 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｔｌか１名）第
１ 図 ０／ ／ 第 ２ 図 α 叉 θ β 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図 （Ｃ） ♂３ 第 ６ 図
を説明する模式断面図、第２図は従来のイメージセンナ
の構造を示す模式断面図、第８図は第２図の要部を示す
要部平面略図、第４図は本発明のイメージセンナの一実
施例を示す要部平面略図、第６図は本発明のイメージセ
ンナの一実施例の信理方式を説明するための模式図、第
６図（、）乃至第６図（ｅ）は第６図の信号処理方式に
おける電気出力の特性を示す特性図、第７図（、）乃至
第７図（Ｃ）は本発明のイメージセンサの他の実施例を
示す要部平面略図である。 （９）・・・イメージセンサ Ｑ・・・・出力端子 ＠・・・共通電極 （財）、（ハ）、（６１） 、 （６２） 、 （６８
） 、 （６４）・・・個別電極（至）・・・集積回路
素子 ０〃・・・受光面 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｔｌか１名）第
１ 図 ０／ ／ 第 ２ 図 α 叉 θ β 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図 （Ｃ） ♂３ 第 ６ 図
Claims (3)
- （１） 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された共通
電極と光電変換膜とこの光電変換膜を介してこの共通電
極と電気的に接続する個別電極とからなる光電変換素子
を複数個配列してなる光電変換部と、この光電変換部に
電気的に接続しかつ前記絶縁基板上に形成された駆動回
路部とを具備するイメージセンサにおいて、相向かいあ
う光電変換素子から細条が延在することを特徴とするイ
メージセンナ。 - （２） 前記細条は、複数本のすだれ状形状からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセ
ンサ。 - （３） 前記細条は、一本の細片からなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイメージセンナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059440A JPS60206061A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059440A JPS60206061A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206061A true JPS60206061A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13113339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059440A Pending JPS60206061A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743955A (en) * | 1985-05-01 | 1988-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device |
-
1984
- 1984-03-29 JP JP59059440A patent/JPS60206061A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743955A (en) * | 1985-05-01 | 1988-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device |
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