JPS60206134A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
- Publication number
- JPS60206134A JPS60206134A JP59062532A JP6253284A JPS60206134A JP S60206134 A JPS60206134 A JP S60206134A JP 59062532 A JP59062532 A JP 59062532A JP 6253284 A JP6253284 A JP 6253284A JP S60206134 A JPS60206134 A JP S60206134A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- machining
- inch
- sample
- metric
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、メートル系を基本として距離の制御を行う加
工装置で、入力単位がイン、チ系、で与えられる電子ビ
ーム描画パターン等の加工を行なう微細加工方法に関す
る。
工装置で、入力単位がイン、チ系、で与えられる電子ビ
ーム描画パターン等の加工を行なう微細加工方法に関す
る。
電子ビーム露光装置では、縮小投影装置等の入カバター
ン情報として、長方形の寸法と中心位置及び長方形の傾
きを与える形式がある。上記入カバターン情報がインチ
系（１／１００ ｍ ｉ ｌ；単位）であるとき、これ
からメートル系（μｍ単位）への寸法制御を行うために
は、寸法単位の変換係数ａを入カバターン情報Ｐに乗じ
た＠２を計算し、電子ビーム露光装置等の再生装置の寸
法制御最小単位で丸める必要がある。これは、一般にデ
ジタル制御の持つ宿命であり、例えば変換係数ａを周知
の２５，４とすると、任意の入カバターン情報Ｐに対し
て積２が整数となるチャンスは極めて少なく、その結果
丸め誤差の発生する機会が増大する等の欠点がある。
ン情報として、長方形の寸法と中心位置及び長方形の傾
きを与える形式がある。上記入カバターン情報がインチ
系（１／１００ ｍ ｉ ｌ；単位）であるとき、これ
からメートル系（μｍ単位）への寸法制御を行うために
は、寸法単位の変換係数ａを入カバターン情報Ｐに乗じ
た＠２を計算し、電子ビーム露光装置等の再生装置の寸
法制御最小単位で丸める必要がある。これは、一般にデ
ジタル制御の持つ宿命であり、例えば変換係数ａを周知
の２５，４とすると、任意の入カバターン情報Ｐに対し
て積２が整数となるチャンスは極めて少なく、その結果
丸め誤差の発生する機会が増大する等の欠点がある。
以下、この問題を第１図及び第２図を診照して説明する
。第１図はメートル系（μｍ単位）のパターンデータを
描く場合で、該データは誤差なく描画される。第２図は
インチ系（ｍｉ７単位）のパターンデータを２５．４倍
してメートル系（μｍ単位）に変換した場合で、変換デ
ータは丸め誤差を伴って描画される。
。第１図はメートル系（μｍ単位）のパターンデータを
描く場合で、該データは誤差なく描画される。第２図は
インチ系（ｍｉ７単位）のパターンデータを２５．４倍
してメートル系（μｍ単位）に変換した場合で、変換デ
ータは丸め誤差を伴って描画される。
ここで、上記丸め誤差が生じる理由はビームスポットが
０．５〔μｍφ〕である電子線を１点とみなしてパター
ンの縦寸法、横寸法共にこの点で埋める如き制御を行い
、１点に満たない点の存在は認めないようにしているか
らである。そして、０．５［μｍ〕の整数倍のパターン
であれば丸め誤差はなく、整数倍にない例えば２．３〔
μｍ〕のパターンであれば２．５〔μｍ〕として描画さ
れ０．２〔μｍ〕の丸め誤差が生じるのである。
０．５〔μｍφ〕である電子線を１点とみなしてパター
ンの縦寸法、横寸法共にこの点で埋める如き制御を行い
、１点に満たない点の存在は認めないようにしているか
らである。そして、０．５［μｍ〕の整数倍のパターン
であれば丸め誤差はなく、整数倍にない例えば２．３〔
μｍ〕のパターンであれば２．５〔μｍ〕として描画さ
れ０．２〔μｍ〕の丸め誤差が生じるのである。
前記インチ系のパターンデータの最小入力単位Ｐｏを０
．００００５とすると変換係数ａが２５．４であること
から Ｐ（、Ｘ ａ−０，００００５Ｘ２５．４−０．００１
２７ ｍｍ−１，２７μｍ マスタマスクではＸ １／１０と解釈してＺ−０，１２
７μｍ （ｕｎｉｔ） となる。この場合、インチ系最小単位を０．５〔μｍ〕
の整数倍でカバーすることは明らかに不可能である。一
方、前記変換係数ａを例えば２０とすると Ｐ６ Ｘａ−０，００００５Ｘ２０−０．００１ ｍｍ
＝１．０ μｍ 先と同様に×１０と解釈して ２−０・１ μｍ（μｎ１ｔ） となる。この場合もインチ系最小単位を０．５〔μｍ〕
の整数倍でカバーすることは不可能であるが、インチ系
最小単位の５倍（０，０００２５）の整数倍となる入力
データであれば丸め誤差の問題はない。しかし、変換係
数１は２５．４であるので、インチ系最小単位の４倍（
０，０００２０）として０．５〔μｍ〕に近くしてもｏ
、ｏｏｓ（μｍ〕の変換誤差、即ち丸め誤差を生じる。
．００００５とすると変換係数ａが２５．４であること
から Ｐ（、Ｘ ａ−０，００００５Ｘ２５．４−０．００１
２７ ｍｍ−１，２７μｍ マスタマスクではＸ １／１０と解釈してＺ−０，１２
７μｍ （ｕｎｉｔ） となる。この場合、インチ系最小単位を０．５〔μｍ〕
の整数倍でカバーすることは明らかに不可能である。一
方、前記変換係数ａを例えば２０とすると Ｐ６ Ｘａ−０，００００５Ｘ２０−０．００１ ｍｍ
＝１．０ μｍ 先と同様に×１０と解釈して ２−０・１ μｍ（μｎ１ｔ） となる。この場合もインチ系最小単位を０．５〔μｍ〕
の整数倍でカバーすることは不可能であるが、インチ系
最小単位の５倍（０，０００２５）の整数倍となる入力
データであれば丸め誤差の問題はない。しかし、変換係
数１は２５．４であるので、インチ系最小単位の４倍（
０，０００２０）として０．５〔μｍ〕に近くしてもｏ
、ｏｏｓ（μｍ〕の変換誤差、即ち丸め誤差を生じる。
このように従来、インチ系のパターンデータを基にメー
トル系で制御された電子ビーム露光装置によりパターン
描画を行った場合、丸め誤差の発生を防止することはで
きなかった。また、この釉の丸め誤差は電子ビーム露光
装置に限らず、各種の微細加工装置を用いて微細加工を
施こす場合にも同様に発生する。
トル系で制御された電子ビーム露光装置によりパターン
描画を行った場合、丸め誤差の発生を防止することはで
きなかった。また、この釉の丸め誤差は電子ビーム露光
装置に限らず、各種の微細加工装置を用いて微細加工を
施こす場合にも同様に発生する。
本発明の目的は、メートル系を基本として距離の制御を
行う加工装置で、入力単位がインチ系で与えられる加工
データにより試料上に丸め誤差なく加工することができ
る微細加工方法を提供することにある。
行う加工装置で、入力単位がインチ系で与えられる加工
データにより試料上に丸め誤差なく加工することができ
る微細加工方法を提供することにある。
本発明の骨子は、インチ系（ｍｉ／単位）の加工データ
に乗算する変換係数ａとして、通常の２５．４を用いる
代りに丸め誤差の生じるチャンスの少ない値を用い、こ
のときの変換誤差を加工装置の拡大縮／Ｊ−機能で補正
することにある。
に乗算する変換係数ａとして、通常の２５．４を用いる
代りに丸め誤差の生じるチャンスの少ない値を用い、こ
のときの変換誤差を加工装置の拡大縮／Ｊ−機能で補正
することにある。
即ち本発明は、インチ系の加工データを基にメートル系
の微細加工装置で試料上に微細加工を施こすに際し、上
記インチ系（ｍｉ＃単位）の加工データを、該データに
丸め誤差の生じるチャンスの少ない自然数ａを乗算して
疑似メートル系（μｍ単位）の加工データに変換し、上
記微細加工装置の拡大縮小機能を利用し上記変換された
疑似メートル系の加工データを基に拡大縮小率Ｓ −ｙ
土ｘ ｎ （ｎ−１，２，３＝ ）の寸法制御下で加工
を施こすようにした方法である。
の微細加工装置で試料上に微細加工を施こすに際し、上
記インチ系（ｍｉ＃単位）の加工データを、該データに
丸め誤差の生じるチャンスの少ない自然数ａを乗算して
疑似メートル系（μｍ単位）の加工データに変換し、上
記微細加工装置の拡大縮小機能を利用し上記変換された
疑似メートル系の加工データを基に拡大縮小率Ｓ −ｙ
土ｘ ｎ （ｎ−１，２，３＝ ）の寸法制御下で加工
を施こすようにした方法である。
本発明によれば、インチ系の加工データを基にメートル
系で制御される微細加工装置によって、丸め誤差の発生
を見ることなく正確に加工することができる。
系で制御される微細加工装置によって、丸め誤差の発生
を見ることなく正確に加工することができる。
第３図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム露
光装置を示す概略構成図であり、この装置はメートル系
を基本として距離の制御を行うものである。図中１は試
料室で、この試料室１内には被加工試料２を載置した試
料ステージ３が配置されている。ステージ３はステージ
駆動系４によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙
面表裏方向）に移動され、またステージ３の移動位置は
レーザ測長器等からなるステージ位置測長系５により測
定されるものとなっている。
光装置を示す概略構成図であり、この装置はメートル系
を基本として距離の制御を行うものである。図中１は試
料室で、この試料室１内には被加工試料２を載置した試
料ステージ３が配置されている。ステージ３はステージ
駆動系４によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙
面表裏方向）に移動され、またステージ３の移動位置は
レーザ測長器等からなるステージ位置測長系５により測
定されるものとなっている。
また、試料室１の上方には電子銃６．各種レンズ７、偏
向器８及びアパーチャマスク９等からなる電子光学鏡ｆ
ｔ１ｌθが設けられている。ここで、ビームブランキン
グのための偏向器８は描画制御系１ノにより制御され、
ビーム走査のだめの偏向器８は偏向制御系１２により制
御される。そして、電子光学鏡筒１０からの電子ビーム
は描画すべきパターンに応じて試料２上で走査され、こ
れにより試料２上のレジスト（図示せず）が所望パター
ンに露光されるものとなっている。
向器８及びアパーチャマスク９等からなる電子光学鏡ｆ
ｔ１ｌθが設けられている。ここで、ビームブランキン
グのための偏向器８は描画制御系１ノにより制御され、
ビーム走査のだめの偏向器８は偏向制御系１２により制
御される。そして、電子光学鏡筒１０からの電子ビーム
は描画すべきパターンに応じて試料２上で走査され、こ
れにより試料２上のレジスト（図示せず）が所望パター
ンに露光されるものとなっている。
一方、前記駆動系４．測長系５及び制御系１１．１２は
コンピュータ１３の機械制御プログラムによって制御さ
れる。コンピュータ１３には上記駆動系４、測長系５及
び制卸系１１゜１２と共に、磁気テープ装置１４及び磁
気ディスク装置１５が接続されている。磁気テープ装置
１４は描画すべきパターンデータ、ここではインチ系（
ｍｉＡ単位）のパターンデータを与えるもので、磁気デ
ィスク装置１５はコンピュータ１３のデータ変換プログ
ラムによって変換されたメートル系（μｍ単位）のパタ
ーンデータをＦＢデータとして記憶するものである。
コンピュータ１３の機械制御プログラムによって制御さ
れる。コンピュータ１３には上記駆動系４、測長系５及
び制卸系１１゜１２と共に、磁気テープ装置１４及び磁
気ディスク装置１５が接続されている。磁気テープ装置
１４は描画すべきパターンデータ、ここではインチ系（
ｍｉＡ単位）のパターンデータを与えるもので、磁気デ
ィスク装置１５はコンピュータ１３のデータ変換プログ
ラムによって変換されたメートル系（μｍ単位）のパタ
ーンデータをＦＢデータとして記憶するものである。
次に、上記装置を用いた微細加工方法について説明する
。まず、前記コンピュータ１３のデータ変換プログラム
には、インチ系／メトリック系変換係数ａとして２５．
４以外の自然数、例えば２０なる値を与える。また、機
械制卸プログラムには測長系の有するスケーリング機能
（レーザパルスの間引カウントによる寸法の拡大縮小機
能）に対して拡大縮小係数Ｓを与えることができるもの
とする。ここで、上記スケーリング機能はビーム径も拡
大縮小できるもので、スケーリング有効範囲は ０．５≦Ｓ≦２ とする。この範囲は現実の装置の一般的なスケーリング
有効範囲である。
。まず、前記コンピュータ１３のデータ変換プログラム
には、インチ系／メトリック系変換係数ａとして２５．
４以外の自然数、例えば２０なる値を与える。また、機
械制卸プログラムには測長系の有するスケーリング機能
（レーザパルスの間引カウントによる寸法の拡大縮小機
能）に対して拡大縮小係数Ｓを与えることができるもの
とする。ここで、上記スケーリング機能はビーム径も拡
大縮小できるもので、スケーリング有効範囲は ０．５≦Ｓ≦２ とする。この範囲は現実の装置の一般的なスケーリング
有効範囲である。
前記変換係数ａを例えばａ−２０とし、次式を満足する
拡大縮小係数Ｓを機械制御プログラムに与える。
拡大縮小係数Ｓを機械制御プログラムに与える。
この場合、Ｓ−１，２７を機械制御プログラムに与える
ことになる。これにより、インチ系の入カバターンデー
タＰが変換プログラムによって整数からなるデータａＸ
ＰＯ値を持つ疑似メートル系パターンデータ（ＥＢデー
タ）に変換さ 、九、データ上には丸め誤差がなくなる
。
ことになる。これにより、インチ系の入カバターンデー
タＰが変換プログラムによって整数からなるデータａＸ
ＰＯ値を持つ疑似メートル系パターンデータ（ＥＢデー
タ）に変換さ 、九、データ上には丸め誤差がなくなる
。
第４図はこのような制御忙よってパターンを描画した状
態を示す模式図である。即ち、前記変換係数＊ ＝ ２
０ 、拡大縮小率ｓ−ｉとしたのが下図であり、この場
合データの丸め誤差はないが本来の寸法よりも１／１．
２７倍小さく描画される。そして、拡大縮小率Ｓ−１，
２７とした場合上図に示す如く本来の寸法と一致して描
画されるのが判る。従って、変換係数ｍ−２０．拡大縮
小率Ｓ−１，２７とすることにより、インチ系のパター
ンデータをデータの丸め誤差なくメートル系の装置で正
確に描画できることになる。
態を示す模式図である。即ち、前記変換係数＊ ＝ ２
０ 、拡大縮小率ｓ−ｉとしたのが下図であり、この場
合データの丸め誤差はないが本来の寸法よりも１／１．
２７倍小さく描画される。そして、拡大縮小率Ｓ−１，
２７とした場合上図に示す如く本来の寸法と一致して描
画されるのが判る。従って、変換係数ｍ−２０．拡大縮
小率Ｓ−１，２７とすることにより、インチ系のパター
ンデータをデータの丸め誤差なくメートル系の装置で正
確に描画できることになる。
ここで、上記データの丸め誤差がなくなる理由を更に詳
しぐ説明すると次の通りである。まず、下記表にインチ
系のパターンデータ（ＰＧ）に対する疑似メートル系パ
ターンデータ（ＦＢデータ）の変化を示す。
しぐ説明すると次の通りである。まず、下記表にインチ
系のパターンデータ（ＰＧ）に対する疑似メートル系パ
ターンデータ（ＦＢデータ）の変化を示す。
表
この表から判るように、ＰＧデータの０，２５［ｍ１Ａ
）のグリッド上にあるデータは変換プログラム中の係数
２５，４を２０としてチップファイルを作れば、メート
ル系並のパターン精度を持つＥＢデータが得られる。こ
のとき、チップ寸法はインチ単位で与えられたチップ寸
法を２０倍した値にする必要がある。描画時に拡大縮小
率Ｓ＝１．２７を与えてビーム径を０．６３５ Ｃ１１
ｍ〕として描画すればよい。この結果、チップ寸法は０
．０２５ ［ｍ１Ａ）の整数倍となる。
）のグリッド上にあるデータは変換プログラム中の係数
２５，４を２０としてチップファイルを作れば、メート
ル系並のパターン精度を持つＥＢデータが得られる。こ
のとき、チップ寸法はインチ単位で与えられたチップ寸
法を２０倍した値にする必要がある。描画時に拡大縮小
率Ｓ＝１．２７を与えてビーム径を０．６３５ Ｃ１１
ｍ〕として描画すればよい。この結果、チップ寸法は０
．０２５ ［ｍ１Ａ）の整数倍となる。
かくして本実施例方法によれば、メートル系を基本とし
て距離の制御を行う電子ビーム露光装置により、インチ
系のパターンデータを基にデータの丸め誤差を生じるこ
となく、パターン精度良く描画することができる。
て距離の制御を行う電子ビーム露光装置により、インチ
系のパターンデータを基にデータの丸め誤差を生じるこ
となく、パターン精度良く描画することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記変換係数ａは２０に限るものではなく
、インチ系／メートル系変換で丸め誤差の生じるチャン
スの少ない自然数であればよい。また、電子ビーム露光
装置の構成は第３図に何ら限定されるものではなく、適
宜変更可能である。さらに、電子ビーム露光装置の他に
、工作機械などの各種の微細加工装置に適用することが
可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
い。例えば、前記変換係数ａは２０に限るものではなく
、インチ系／メートル系変換で丸め誤差の生じるチャン
スの少ない自然数であればよい。また、電子ビーム露光
装置の構成は第３図に何ら限定されるものではなく、適
宜変更可能である。さらに、電子ビーム露光装置の他に
、工作機械などの各種の微細加工装置に適用することが
可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
第１図及び第２図は従来方法の問題点を説明するための
模式図、第３図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図、第４図は上記装置を
用いたパターン描画方法を説明するための模式図である
。 １・・・試料室、２・・・試料、３・・・試料ステージ
、４・・・ステージ駆動系、５・・・ステージ位置測長
系、１０・・・電子光学鏡筒、１１・・・描画制御系、
１２・・・偏向制御系、１３・・・コンピュータ、１４
・・・磁気テープ装置、１５・・・磁気ディスク装置。
模式図、第３図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図、第４図は上記装置を
用いたパターン描画方法を説明するための模式図である
。 １・・・試料室、２・・・試料、３・・・試料ステージ
、４・・・ステージ駆動系、５・・・ステージ位置測長
系、１０・・・電子光学鏡筒、１１・・・描画制御系、
１２・・・偏向制御系、１３・・・コンピュータ、１４
・・・磁気テープ装置、１５・・・磁気ディスク装置。
Claims (1)
- （１） インチ系（ｍｉｌ単位）の加工データを、該デ
ータに自然数ａを乗算して疑似メートル系（μｍ単位）
の加工データに変換し、拡大縮小機能を有するメートル
系の微細加工装置を用い、上記変換された疑似メートル
系の加工データを基に 拡大縮小率３− 四Ｘｎ （ｎ−１，２，３・・・）の
寸法制御下で試料上に微細加工を施こすことを特徴とす
る微細加工方法。 Ｇ？） 前記微細加工装置は、電子ビーム露光装置であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微細加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062532A JPH0622194B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062532A JPH0622194B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206134A true JPS60206134A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0622194B2 JPH0622194B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13202905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062532A Expired - Lifetime JPH0622194B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622194B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109888A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 可変成型ビーム型パターン描画装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568624A (en) * | 1978-11-18 | 1980-05-23 | Toshiba Corp | Electron beam drawing unit |
| JPS5569004A (en) * | 1978-11-18 | 1980-05-24 | Toshiba Corp | Measuring unit of amount of movement |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062532A patent/JPH0622194B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568624A (en) * | 1978-11-18 | 1980-05-23 | Toshiba Corp | Electron beam drawing unit |
| JPS5569004A (en) * | 1978-11-18 | 1980-05-24 | Toshiba Corp | Measuring unit of amount of movement |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109888A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 可変成型ビーム型パターン描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622194B2 (ja) | 1994-03-23 |
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